JP7055039B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置5の構成の一例について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置5の構成の一例を示す。本実施形態では、基板処理装置5として容量結合型の平行平板プラズマ処理装置を例に挙げて説明する。
ステージ12の外周側には、ウェハWの外縁を環状に囲むフォーカスリングFRが設けられている。フォーカスリングFRは、ウェハWの外周側におけるプラズマを制御し、ウェハWの面内のエッチングレート等の処理の均一性を向上させるように機能する。
次に、フォーカスリングFR及びその周辺の構成について、図2及び図3を参照しながら詳述する。また、中央フォーカスリング38mの上下の移動について、図4を参照しながら説明する。
中央フォーカスリング38mの爪部38m2は、環状の連結部103に接続されている。連結部103は、導電性筒状支持部16に設けられた空間16aの内部を上下に移動する。
ウェハWのサイズは、300mmである。図5に示すように、本実施形態に係る内側フォーカスリング38iの外径は309mmである。本実施形態に係る中央フォーカスリング38mの環状部38m1の内径は302mmであり、外径は316mmである。本実施形態に係る外側フォーカスリング38oの外径は360mmである。
次に、図6および図7を参照して、本実施形態に係る3分割されたフォーカスリングFRを用いた場合のエッチングレートの一例について、比較例と比較しながら説明する。図6は、図6(c)に示す本実施形態に係るフォーカスリングFRのエッチングレートの一例と、図6(a)及び(b)に示す比較例に係るフォーカスリングFR1、FR2のエッチングレートの一例を示す。図7は、図7(c)に示す本実施形態に係るフォーカスリングFRと、図7(a)及び(b)に示す比較例に係るフォーカスリングFR1、FR2のプラズマ生成を説明するための図である。
次に、変形例に係るフォーカスリングFR、移動機構200、駆動部について、図8を参照しながら説明する。本変形例においても、駆動部の一例としてピエゾアクチュエータ101が使用されるが、これに限らない。
10:チャンバ
12:ステージ
20:バッフル板
26:排気装置
30:第2の高周波電源
36:静電チャック
38i:内側フォーカスリング
38m:中央フォーカスリング
38m1:環状部
38m2:爪部
38o:外側フォーカスリング
40:直流電源
44:冷媒流路
51:ガスシャワーヘッド
57:第1の高周波電源
66:ガス供給源
74:制御部
100:ハウジング
101:ピエゾアクチュエータ
102:プッシャーピン
103:連結部
105:軸受部
200:移動機構
FR:フォーカスリング
Claims (21)
- 処理室内の基板保持台に載置された基板の近傍に設けられる内側フォーカスリングと、
前記内側フォーカスリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央フォーカスリングと、
前記中央フォーカスリングの外側に設けられる外側フォーカスリングと、を含むフォーカスリングと、
前記基板保持台の周囲に配置され、前記移動機構が設けられたハウジングと、
前記ハウジングの内部に設けられ、前記移動機構を上下に駆動する駆動部と、を有する、基板処理装置。 - 処理室内の基板保持台に載置された基板の近傍に設けられる内側フォーカスリングと、
前記内側フォーカスリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央フォーカスリングと、
前記中央フォーカスリングの外側に設けられる外側フォーカスリングと、を含むフォーカスリングを有し、
前記中央フォーカスリングは、環状部と前記環状部の外周側に設けられた爪部を有し、
前記外側フォーカスリングの下面には、前記爪部を収容する凹部が設けられ、
前記移動機構は、前記爪部を上下に移動させる、基板処理装置。 - 前記移動機構は、プッシャーピンを含み、
前記プッシャーピンは、前記爪部の直下に配置され、
前記プッシャーピンの先端部が、前記爪部の下面に当接されることにより前記爪部を上昇させる、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持台は、ステージと、前記ステージの上面に配置された静電チャックと、を有し、
前記プッシャーピンは、前記静電チャックおよび前記ステージの外周端部よりも内側に配置され、
前記プッシャーピンは、前記静電チャックおよび前記ステージの内部を貫通する、
請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記移動機構は、プッシャーピンを含み、
前記プッシャーピンは、前記外側フォーカスリングの外周端部よりも外側に配置され、
前記プッシャーピンの先端部が、前記爪部と接続された連結部の下面に当接されることにより前記爪部を上昇させる、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持台は、ステージと、前記ステージの上面に配置された静電チャックと、を有し、
前記プッシャーピンは、前記静電チャックの外周端部よりも外側かつ前記ステージの外周端部よりも内側に配置され、
前記プッシャーピンは、前記ステージの内部を貫通する、
請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記プッシャーピンは、サファイアから形成されている、
請求項3~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャックの上面と前記中央フォーカスリングの下面の間には所定の空間が設けられる、
請求項4又は6に記載の基板処理装置。 - 前記移動機構は、前記中央フォーカスリングの消耗量に応じた高さに該中央フォーカスリングを移動させる、
請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 複数の前記駆動部は、部材により相互に接続され、該部材を介して前記ハウジングに取付けられている、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記中央フォーカスリングの移動距離の下限値は、前記駆動部の分解能であり、
前記中央フォーカスリングの移動距離の上限値は、前記中央フォーカスリングの厚さよりも小さい値である、
請求項1又は10に記載の基板処理装置。 - 前記移動機構を上下に駆動する複数の駆動部を有し、
複数の前記駆動部は、部材により相互に接続され、該部材を介して前記移動機構に連結されている、
請求項2,5、又は6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記中央フォーカスリングの移動距離の下限値は、前記駆動部の分解能であり、
前記中央フォーカスリングの移動距離の上限値は、前記基板保持台の上面と前記中央フォーカスリングの下面の間に設けられた所定の空間の高さと前記中央フォーカスリングの厚さとを加算した値よりも小さい値である、
請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記駆動部は、ピエゾアクチュエータである、
請求項1又は12に記載の基板処理装置。 - 前記処理室にて処理中の前記中央フォーカスリングの上面のピークの高さは、前記内側フォーカスリング及び前記外側フォーカスリングの上面のピークよりも高い、
請求項1~14のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記内側フォーカスリング、前記中央フォーカスリング及び前記外側フォーカスリングのそれぞれは、同一の材料又は異なる材料から形成されている、
請求項1~15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記内側フォーカスリング、前記中央フォーカスリング及び前記外側フォーカスリングのそれぞれの材料は、Si、SiO 2 、SiCのいずれかである、
請求項1~16のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記中央フォーカスリングは、前記内側フォーカスリング及び前記外側フォーカスリングの材料よりも硬い材料から形成されている、
請求項1~17のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記内側フォーカスリングの外径は、基板の外径に対して2.5%~3.5%大きい、
請求項1~18のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記中央フォーカスリングの外径は、基板の外径に対して4.5%~5.5%大きい、
請求項1~19のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記外側フォーカスリングの外径は、基板の外径に対して19.5%~20.5%大きい、
請求項1~20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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