JPH06108238A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06108238A JPH06108238A JP4261776A JP26177692A JPH06108238A JP H06108238 A JPH06108238 A JP H06108238A JP 4261776 A JP4261776 A JP 4261776A JP 26177692 A JP26177692 A JP 26177692A JP H06108238 A JPH06108238 A JP H06108238A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 管状基板内周面を成膜するスパッタリング装
置を提供する。 【構成】 管状基板の軸線上に、円筒形状ターゲットを
先端に装着したガス導入穴付きのプローブを設ける。そ
してこの穴を介してＡｒガスを導入して、タ−ゲットと
管状基板外周にあるホルダとの間に電力印加することで
ターゲット付近にホローカソード放電を発生させる。こ
のホローカソード放電によるスパッタリングをおこなっ
て管状基板内周面に成膜する。
置を提供する。 【構成】 管状基板の軸線上に、円筒形状ターゲットを
先端に装着したガス導入穴付きのプローブを設ける。そ
してこの穴を介してＡｒガスを導入して、タ−ゲットと
管状基板外周にあるホルダとの間に電力印加することで
ターゲット付近にホローカソード放電を発生させる。こ
のホローカソード放電によるスパッタリングをおこなっ
て管状基板内周面に成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に薄膜を形成す
るスパッタリング装置に関し、更に詳しく述べると、パ
イプなどの管状基板の内周面へのスパッタリング成膜を
行う装置に関する。
るスパッタリング装置に関し、更に詳しく述べると、パ
イプなどの管状基板の内周面へのスパッタリング成膜を
行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は基板上へ薄膜を形
成する装置のひとつとして普及している。通常のスパッ
タリング装置は、平板上の基板に成膜するためのものが
ほとんどであるが、ときにはパイプのような管状基板の
内周面に成膜することが必要な場合がある。従来、管状
基板内周面にスパッタリング成膜する場合、最も簡単な
方法として、ターゲットを管状基板の管の延長線上に置
いてこの位置でスパッタリングさせ、ターゲットから飛
び出した原子の一部を管の内周面に回り込ませて成膜す
る方法があった。この方法は、比較的管の内径が大き
く、また管長が短いという限られた状況のときにのみに
使用できるものであるが、均一な成膜は不可能である。
そのうえターゲットから飛び出した原子のうち膜に寄与
するものは一部だけであり非常に付着効率が悪いので特
殊な用途以外は利用されなかった。この簡単な方法が使
えないような管状基板の場合には、ターゲット材料を管
状基板内部に挿入して管内部でスパッタリングを行う方
法が用いられた。この方法によるスパッタ装置の一例
を、図を用いて説明する。
成する装置のひとつとして普及している。通常のスパッ
タリング装置は、平板上の基板に成膜するためのものが
ほとんどであるが、ときにはパイプのような管状基板の
内周面に成膜することが必要な場合がある。従来、管状
基板内周面にスパッタリング成膜する場合、最も簡単な
方法として、ターゲットを管状基板の管の延長線上に置
いてこの位置でスパッタリングさせ、ターゲットから飛
び出した原子の一部を管の内周面に回り込ませて成膜す
る方法があった。この方法は、比較的管の内径が大き
く、また管長が短いという限られた状況のときにのみに
使用できるものであるが、均一な成膜は不可能である。
そのうえターゲットから飛び出した原子のうち膜に寄与
するものは一部だけであり非常に付着効率が悪いので特
殊な用途以外は利用されなかった。この簡単な方法が使
えないような管状基板の場合には、ターゲット材料を管
状基板内部に挿入して管内部でスパッタリングを行う方
法が用いられた。この方法によるスパッタ装置の一例
を、図を用いて説明する。
【０００３】図２は従来からの管状基板内周面に成膜す
るためのスパッタリング装置の一例を示す成膜室断面図
である。本装置では、Ａｒガスを真空容器１の壁面から
成膜室内に導入して、図示しない真空ポンプおよび圧力
調整弁により所定の圧力に調整する。成膜室内には真空
容器壁面に支えられる棒状プローブ１０が、一端が真空
容器内に、他端が貫通穴を介して容器外に突出されるよ
うに設けられている。プローブ１０の成膜室側の先端に
はプローブ１０と同径の円筒形状のターゲット１１がネ
ジ止めされ、プローブ１０と電気的に接続されている。
このプローブ１０は、真空容器１とは絶縁体１２を介し
て支えられることにより真空容器とは電気的に絶縁され
る。さらに、絶縁体１２とプローブ１０との間は二重の
Ｏリング１３によるシール機構で支持され、プローブ１
０が摺動しても成膜室の真空が保持できるようにしてい
る。
るためのスパッタリング装置の一例を示す成膜室断面図
である。本装置では、Ａｒガスを真空容器１の壁面から
成膜室内に導入して、図示しない真空ポンプおよび圧力
調整弁により所定の圧力に調整する。成膜室内には真空
容器壁面に支えられる棒状プローブ１０が、一端が真空
容器内に、他端が貫通穴を介して容器外に突出されるよ
うに設けられている。プローブ１０の成膜室側の先端に
はプローブ１０と同径の円筒形状のターゲット１１がネ
ジ止めされ、プローブ１０と電気的に接続されている。
このプローブ１０は、真空容器１とは絶縁体１２を介し
て支えられることにより真空容器とは電気的に絶縁され
る。さらに、絶縁体１２とプローブ１０との間は二重の
Ｏリング１３によるシール機構で支持され、プローブ１
０が摺動しても成膜室の真空が保持できるようにしてい
る。
【０００４】真空容器内部には、前記プローブ１０の軸
線と軸が共通する円筒穴を有した金属性のホルダ２０が
設けられる。この円筒穴の内径はプローブ１０の外径よ
り十分大きく、後述するようにプローブ１０およびター
ゲット１１と、ホルダとの間でプラズマが発生するのに
必要な間隔以上となっている。ホルダ２０には、ヒータ
２１が内蔵され、前記ホルダの円筒穴に内接して保持さ
れる管状基板２３が加熱できるようにしてある。そし
て、プローブ１０が摺動するとターゲット１１が管状基
板の管内軸線上を移動するようになっている。
線と軸が共通する円筒穴を有した金属性のホルダ２０が
設けられる。この円筒穴の内径はプローブ１０の外径よ
り十分大きく、後述するようにプローブ１０およびター
ゲット１１と、ホルダとの間でプラズマが発生するのに
必要な間隔以上となっている。ホルダ２０には、ヒータ
２１が内蔵され、前記ホルダの円筒穴に内接して保持さ
れる管状基板２３が加熱できるようにしてある。そし
て、プローブ１０が摺動するとターゲット１１が管状基
板の管内軸線上を移動するようになっている。
【０００５】基板ホルダ２０と、プローブ１０との間に
は、プローブ側が負になるようにＤＣ電源３０および放
電安定抵抗３１が接続され、ホルダ側は接地電位にして
ある。 以上の構成の装置において、成膜室内にＡｒガ
スを導入し、放電維持可能な圧力に調整した後、プロー
ブ１０とホルダ２０との間に電力を投入するとこれらの
間の空間にプラズマが発生する。そしてプラズマ中のア
ルゴンイオンによってターゲットがスパッタリングさ
れ、飛び出した原子が管状基板内周面に付着される。
は、プローブ側が負になるようにＤＣ電源３０および放
電安定抵抗３１が接続され、ホルダ側は接地電位にして
ある。 以上の構成の装置において、成膜室内にＡｒガ
スを導入し、放電維持可能な圧力に調整した後、プロー
ブ１０とホルダ２０との間に電力を投入するとこれらの
間の空間にプラズマが発生する。そしてプラズマ中のア
ルゴンイオンによってターゲットがスパッタリングさ
れ、飛び出した原子が管状基板内周面に付着される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のスパッタリ
ング装置では、ターゲットを管状基板の軸線に沿って移
動させながらスパッタリングすることにより、内周面に
均一な膜を形成することができる。しかしながら、この
方法は以下に述べるように管状基板であることによる特
殊な問題が発生する。
ング装置では、ターゲットを管状基板の軸線に沿って移
動させながらスパッタリングすることにより、内周面に
均一な膜を形成することができる。しかしながら、この
方法は以下に述べるように管状基板であることによる特
殊な問題が発生する。
【０００７】すなわち、スパッタリング成膜を行うには
安定した放電を維持するため、電極間距離、成膜圧力を
最適化する必要がある。このふたつの成膜パラメータは
互いに関連しており、一方を固定すれば、放電維持でき
る他方の範囲は限られる。通常の平行平板型の成膜装置
では、電極間距離を３０ｍｍ以上にして圧力を１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下の比較的高真空領域にして成膜する。これ
は、これより低真空状態でスパッタリングすると、放電
ガス中の不純物成分が混入しやすく、良質な膜が得られ
ないことや、スパッタされて飛び出した原子がガス原子
と衝突して散乱されるので成膜速度が非常に遅くなるこ
となどの不都合があるためである。ところが、管状基板
では電極間距離、すなわち管状基板内周面とターゲット
表面との間隔は自由に設定できず、この間隔は管状基板
内径によりほぼ決定されてしまう。すなわち管状基板の
内径が十分大きい場合はプローブ径を調整することで適
当な間隔を設定できるが、管状基板内径が小さくなって
くると、プローブ径を小さくするのにも限界があり、管
状基板内径だけで決められるようになる。たとえば、プ
ローブ外径を１０ｍｍ以下にはできないとすると、管状
基板の内径が５０ｍｍ、４０ｍｍのときは、電極間隔は
それぞれ２０ｍｍ、１５ｍｍとなる。このように電極間
隔が狭くなった場合、安定放電を維持するには電極間隔
が広い場合より低真空側たとえば、１００ｍＴｏｒｒ以
上にしなければならない。このような低い真空度でスパ
ッタリングを行うと、放電ガス中の不純物成分が混入し
やすく、良質な膜の形成が困難になる。また、スパッタ
されて飛び出した原子がガス原子と衝突して散乱された
り、そもそも十分な放電電流が流れないことにより成膜
速度が非常に遅いという問題が生じる。
安定した放電を維持するため、電極間距離、成膜圧力を
最適化する必要がある。このふたつの成膜パラメータは
互いに関連しており、一方を固定すれば、放電維持でき
る他方の範囲は限られる。通常の平行平板型の成膜装置
では、電極間距離を３０ｍｍ以上にして圧力を１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下の比較的高真空領域にして成膜する。これ
は、これより低真空状態でスパッタリングすると、放電
ガス中の不純物成分が混入しやすく、良質な膜が得られ
ないことや、スパッタされて飛び出した原子がガス原子
と衝突して散乱されるので成膜速度が非常に遅くなるこ
となどの不都合があるためである。ところが、管状基板
では電極間距離、すなわち管状基板内周面とターゲット
表面との間隔は自由に設定できず、この間隔は管状基板
内径によりほぼ決定されてしまう。すなわち管状基板の
内径が十分大きい場合はプローブ径を調整することで適
当な間隔を設定できるが、管状基板内径が小さくなって
くると、プローブ径を小さくするのにも限界があり、管
状基板内径だけで決められるようになる。たとえば、プ
ローブ外径を１０ｍｍ以下にはできないとすると、管状
基板の内径が５０ｍｍ、４０ｍｍのときは、電極間隔は
それぞれ２０ｍｍ、１５ｍｍとなる。このように電極間
隔が狭くなった場合、安定放電を維持するには電極間隔
が広い場合より低真空側たとえば、１００ｍＴｏｒｒ以
上にしなければならない。このような低い真空度でスパ
ッタリングを行うと、放電ガス中の不純物成分が混入し
やすく、良質な膜の形成が困難になる。また、スパッタ
されて飛び出した原子がガス原子と衝突して散乱された
り、そもそも十分な放電電流が流れないことにより成膜
速度が非常に遅いという問題が生じる。
【０００８】本発明はこのような問題を解決し、管状基
板内周面に良質な膜を高速に成膜することができるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
板内周面に良質な膜を高速に成膜することができるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
になされた本発明は、管状基板の内周面を成膜するスパ
ッタリング装置において、管状基板外径と同径の円筒穴
を有し、この穴に成膜すべき管状基板を装着して保持す
るためのホルダと、外径がこの管状基板内径より十分細
い直線パイプ形状を有し、前記管状基板の中心軸線上を
この軸線に沿って搬送機構により移動可能に取り付けた
導電性のプローブと、このプローブの先端に、プローブ
の軸線と軸を共通して取り付け、プローブの中空穴と連
通する中空穴を有したターゲットと、このプローブの他
端側を、真空容器と電気的に絶縁して真空容器外部に突
出するための絶縁シール部と、タ−ゲットと基板間に放
電用電力を印加する電源とを設け、真空容器内に前記プ
ローブの中空穴を介してスパッタリング用ガスを導入し
て電力印加することにより、ターゲットの中空穴付近に
ホローカソード放電を発生させてスパッタリングすると
ともに、このターゲットを管状基板軸線に沿って移動し
ながら成膜することを特徴とする。
になされた本発明は、管状基板の内周面を成膜するスパ
ッタリング装置において、管状基板外径と同径の円筒穴
を有し、この穴に成膜すべき管状基板を装着して保持す
るためのホルダと、外径がこの管状基板内径より十分細
い直線パイプ形状を有し、前記管状基板の中心軸線上を
この軸線に沿って搬送機構により移動可能に取り付けた
導電性のプローブと、このプローブの先端に、プローブ
の軸線と軸を共通して取り付け、プローブの中空穴と連
通する中空穴を有したターゲットと、このプローブの他
端側を、真空容器と電気的に絶縁して真空容器外部に突
出するための絶縁シール部と、タ−ゲットと基板間に放
電用電力を印加する電源とを設け、真空容器内に前記プ
ローブの中空穴を介してスパッタリング用ガスを導入し
て電力印加することにより、ターゲットの中空穴付近に
ホローカソード放電を発生させてスパッタリングすると
ともに、このターゲットを管状基板軸線に沿って移動し
ながら成膜することを特徴とする。
【００１０】以下、この構造のスパッタ装置がどのよう
に作用するかを説明する。
に作用するかを説明する。
【００１１】
【作用】本発明のスパッタリング装置は、Ａｒなどのス
パッタリング用ガスがプローブとターゲットとに設けら
れた中空穴を介して成膜室内に導入される。このガス導
入と図示しない真空ポンプおよび圧力調整弁により成膜
室内を所定の圧力に調整したとき、この中空穴内部は配
管抵抗によるコンダクタンス作用により中空穴外部より
も低真空に保たれる。すなわち、中空穴内部と中空穴外
部とには差圧が生じる。この状態でプローブ、ターゲッ
ト側と、ホルダ側との間に電力を印加して放電を発生さ
せると、圧力条件が適当であれば、ホローカソード放電
（中空陰極放電）と呼ばれる、通常のグロー放電より電
流密度の高い放電がこのターゲット中空穴内部およびタ
ーゲット開口部付近に局在するように発生する。このホ
ローカソード放電は電流密度が高いことからターゲット
を激しくスパッタリングする。しかも、中空穴外部はコ
ンダクタンス作用がなく比較的高真空状態であることか
らターゲットから飛び出して中空穴外部に出た原子はそ
のまま管状基板内周面に付着することから成膜速度が小
さくならず、しかも、不純物の混入が少ない成膜が行わ
れる。
パッタリング用ガスがプローブとターゲットとに設けら
れた中空穴を介して成膜室内に導入される。このガス導
入と図示しない真空ポンプおよび圧力調整弁により成膜
室内を所定の圧力に調整したとき、この中空穴内部は配
管抵抗によるコンダクタンス作用により中空穴外部より
も低真空に保たれる。すなわち、中空穴内部と中空穴外
部とには差圧が生じる。この状態でプローブ、ターゲッ
ト側と、ホルダ側との間に電力を印加して放電を発生さ
せると、圧力条件が適当であれば、ホローカソード放電
（中空陰極放電）と呼ばれる、通常のグロー放電より電
流密度の高い放電がこのターゲット中空穴内部およびタ
ーゲット開口部付近に局在するように発生する。このホ
ローカソード放電は電流密度が高いことからターゲット
を激しくスパッタリングする。しかも、中空穴外部はコ
ンダクタンス作用がなく比較的高真空状態であることか
らターゲットから飛び出して中空穴外部に出た原子はそ
のまま管状基板内周面に付着することから成膜速度が小
さくならず、しかも、不純物の混入が少ない成膜が行わ
れる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明によるスパッタリング装置の
一例を示す成膜室断面図である。図において図２の従来
装置と同じ部分は同記号を用いているのでこれら同じ部
分の説明は省略する。このスパッタリング装置では図２
に示した従来装置において、プローブ１０に真空容器外
部からＡｒガスを供給するためのガス導入穴１４が設け
られ、プローブ１０の先端にはこのガス導入穴１４と連
通する穴を有する円筒形状のターゲット１１がネジ止め
される。プローブ１０の中空穴先端付近には放電の回り
込み防止用の絶縁筒１５が設けられる。
一例を示す成膜室断面図である。図において図２の従来
装置と同じ部分は同記号を用いているのでこれら同じ部
分の説明は省略する。このスパッタリング装置では図２
に示した従来装置において、プローブ１０に真空容器外
部からＡｒガスを供給するためのガス導入穴１４が設け
られ、プローブ１０の先端にはこのガス導入穴１４と連
通する穴を有する円筒形状のターゲット１１がネジ止め
される。プローブ１０の中空穴先端付近には放電の回り
込み防止用の絶縁筒１５が設けられる。
【００１４】以上の構成の装置において、プローブ１０
に設けられたガス導入穴１４とターゲット１１の中空穴
とを介して成膜室内にＡｒガスを導入し、図示しない真
空ポンプおよび圧力調整弁にて放電維持可能な圧力に調
整する。すると、ガス導入穴１４内部とターゲット１１
の中空穴内部とには配管抵抗によるコンダクタンス作用
が生じ、これら中空穴内部以外の成膜室内よりも低真空
状態に保持される。この状態でプローブ１０とホルダ２
０との間に、ＤＣ電源３０および安定抵抗３１からなる
電源回路により適当な値の電力を投入する。すると、通
常のグロー放電に比べて電流密度が高いホローカソード
放電がターゲット１１の中空穴内部とターゲット開口部
付近に発生する。すなわち、中空穴を有する特殊な陰極
形状であることと、狭い電極間隔においても放電維持が
可能なほどの比較的低真空の空間内圧力であることとの
条件が満足されると、中空穴から放射状に吹き出すよう
な形状のプラズマが発生して、ターゲット１１の先端部
付近を激しくスパッタリングするようになる。これによ
り、ターゲット１１から激しくスパッタリングされた原
子は管状基板２３に向けて飛び出し、やがて管状基板２
３に衝突してこれに付着する。なお、ホローカソード放
電がプローブ１０のガス導入穴１４内部にまで至って、
プローブ１０自身がスパッタされるのを防止するため
に、プローブ１０のガス導入穴先端部には放電防止用の
絶縁筒１５を設けておけばよい。
に設けられたガス導入穴１４とターゲット１１の中空穴
とを介して成膜室内にＡｒガスを導入し、図示しない真
空ポンプおよび圧力調整弁にて放電維持可能な圧力に調
整する。すると、ガス導入穴１４内部とターゲット１１
の中空穴内部とには配管抵抗によるコンダクタンス作用
が生じ、これら中空穴内部以外の成膜室内よりも低真空
状態に保持される。この状態でプローブ１０とホルダ２
０との間に、ＤＣ電源３０および安定抵抗３１からなる
電源回路により適当な値の電力を投入する。すると、通
常のグロー放電に比べて電流密度が高いホローカソード
放電がターゲット１１の中空穴内部とターゲット開口部
付近に発生する。すなわち、中空穴を有する特殊な陰極
形状であることと、狭い電極間隔においても放電維持が
可能なほどの比較的低真空の空間内圧力であることとの
条件が満足されると、中空穴から放射状に吹き出すよう
な形状のプラズマが発生して、ターゲット１１の先端部
付近を激しくスパッタリングするようになる。これによ
り、ターゲット１１から激しくスパッタリングされた原
子は管状基板２３に向けて飛び出し、やがて管状基板２
３に衝突してこれに付着する。なお、ホローカソード放
電がプローブ１０のガス導入穴１４内部にまで至って、
プローブ１０自身がスパッタされるのを防止するため
に、プローブ１０のガス導入穴先端部には放電防止用の
絶縁筒１５を設けておけばよい。
【００１５】そして、図示しない搬送機構を用いて、プ
ローブ１０を管状基板２３の中心軸線に沿って移動する
ことによりターゲット１１を管状基板２３の内周面全体
にほぼ均等に対向するようにすれば軸方向の膜厚の均一
性は改善することができる。なお、本実施例では電源と
してＤＣ電源を用いたがこれに限られるものではなく、
ＲＦ電源その他の電源で放電を発生させうるものであれ
ばよい。また、スパッタリング用ガスとしてはＡｒガス
を用いたがこれについてもＡｒに限られるものではな
く、たとえば酸素とＡｒのような混合ガスを用いて反応
性スパッタリングとしてもよい。搬送機構についてもタ
ーゲット１１を移動するかわりにホルダ側を移動可能に
してもよい。また、基板を中心軸上で回転する回転機構
を用いれば更に均一性のよい成膜が可能になる。
ローブ１０を管状基板２３の中心軸線に沿って移動する
ことによりターゲット１１を管状基板２３の内周面全体
にほぼ均等に対向するようにすれば軸方向の膜厚の均一
性は改善することができる。なお、本実施例では電源と
してＤＣ電源を用いたがこれに限られるものではなく、
ＲＦ電源その他の電源で放電を発生させうるものであれ
ばよい。また、スパッタリング用ガスとしてはＡｒガス
を用いたがこれについてもＡｒに限られるものではな
く、たとえば酸素とＡｒのような混合ガスを用いて反応
性スパッタリングとしてもよい。搬送機構についてもタ
ーゲット１１を移動するかわりにホルダ側を移動可能に
してもよい。また、基板を中心軸上で回転する回転機構
を用いれば更に均一性のよい成膜が可能になる。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
円筒形状のターゲットを用いてホローカソード放電によ
るスパッタリングを行うことにより管状基板の内周面に
良質な膜を高速に付着することができる。しかも、管状
基板の管長が長いときは簡単な搬送機構を用いてターゲ
ットが管内を移動するようにすることで軸方向の膜の均
一性を向上することができる。
円筒形状のターゲットを用いてホローカソード放電によ
るスパッタリングを行うことにより管状基板の内周面に
良質な膜を高速に付着することができる。しかも、管状
基板の管長が長いときは簡単な搬送機構を用いてターゲ
ットが管内を移動するようにすることで軸方向の膜の均
一性を向上することができる。
【００１７】また、スパッタリングされた原子のほとん
どは管状基板に付着するかターゲット自身に付着するか
であり、ターゲットに付着した原子は再度利用できるの
でターゲットの利用効率が非常に高い。これにより希少
金属など高価な材料をスパッタリングするときに有効に
成膜に利用されない部分が少ないので経済的である。
どは管状基板に付着するかターゲット自身に付着するか
であり、ターゲットに付着した原子は再度利用できるの
でターゲットの利用効率が非常に高い。これにより希少
金属など高価な材料をスパッタリングするときに有効に
成膜に利用されない部分が少ないので経済的である。
【図１】本考案の一実施例であるスパッタリング装置の
成膜室断面図。
成膜室断面図。
【図２】従来のスパッタリング装置の成膜室断面図。
１：真空容器 １０：プローブ １１：ターゲット １２：絶縁体 １４：ガス導入穴 ２０：ホルダ ２３：管状基板 ３０：ＤＣ電源
Claims (1)
- 【請求項１】 管状基板の内周面を成膜するスパッタリ
ング装置において、成膜すべき管状基板を装着して保持
するためのホルダと、外径がこの管状基板内径より十分
細いパイプ形状を有し、前記管状基板の中を搬送機構に
より相対的に移動可能に取り付けたプローブと、このプ
ローブの先端に取り付け、プローブの中空穴と連通する
中空穴を有したターゲットと、タ−ゲットに放電用電力
を供給する電源とを設け、真空容器内に前記プローブの
中空穴を介してスパッタリング用ガスを導入してタ−ゲ
ットに電力供給することにより、ターゲットの中空穴付
近にホローカソード放電を発生させてスパッタリングす
るとともに、このターゲットを管状基板の中で相対的に
移動しながら成膜することを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26177692A JP3198658B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26177692A JP3198658B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108238A true JPH06108238A (ja) | 1994-04-19 |
| JP3198658B2 JP3198658B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=17366545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26177692A Expired - Fee Related JP3198658B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198658B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006274387A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nagasaki Prefecture | 筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置 |
| JP2008202143A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-09-04 | Aisin Seiki Co Ltd | 薄膜の成膜装置 |
| JP2009024236A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2009057583A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Toshiba Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2020076131A (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-21 | 株式会社アルバック | 成膜装置、成膜方法、及び高周波加速空洞管の製造方法 |
| WO2022261684A1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Plasmateria Gmbh | Apparatus and method for coating the inner surface of a hollow article |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26177692A patent/JP3198658B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2006274387A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nagasaki Prefecture | 筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置 |
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| JP3198658B2 (ja) | 2001-08-13 |
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