JP2008202143A - 薄膜の成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空の炉体2内でターゲット8(蒸着原料)をプラズマ化させ、試料4の表面に膜を形成する薄膜の成膜装置1で、試料4の表面に窒素ガス(不活性ガス)を供給するガス供給装置6を備える。
【選択図】図1
Description
図8〜図10は、本発明の薄膜の成膜を試験する試験装置20で、図8は正面図、図9は側面図、図10はA部拡大図である。
2 炉体
4 試料
6 ガス供給装置
8 ターゲット(蒸着原料)
10 ガス供給パイプ
13 ガス流路
Claims (5)
- 真空中の炉体内で蒸着原料をプラズマ化させて試料の表面に真空蒸着膜を成膜する薄膜の成膜装置において、
前記試料の表面に不活性ガスを供給するガス供給装置を備えたこと、
を特徴とする薄膜の成膜装置。 - 前記ガス供給装置は、複数のガス供給パイプを備え、前記ガス供給パイプにより前記試料の任意の表面に不活性ガスを供給すること、
を特徴とする請求項1に記載の薄膜の成膜装置。 - 前記ガス供給パイプは、前記試料に供給するガスの供給量が夫々異なり、
前記試料に供給するガスの供給量は、前記蒸着原料の供給位置側が多いこと、
を特徴とする請求項2に記載の薄膜の成膜装置。 - 前記ガス供給装置は、ガス流路が形成されたフランジと接続し、前記ガス流路が形成された前記フランジから前記試料の任意の表面に不活性ガスを供給すること、
を特徴とする請求項1に記載の薄膜の成膜装置。 - 前記フランジから前記試料に供給されるガスの供給量は、前記蒸着原料の供給位置側が多いこと、
を特徴とする請求項4に記載の薄膜の成膜装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109306462A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-05 | 浙江工业大学 | 一种适用于磁控溅射仪的圆棒试样高通量镀膜夹持装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06108238A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shimadzu Corp | スパッタリング装置 |
JPH08124857A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法 |
JPH09202967A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Mitsubishi Chem Corp | 薄膜製造方法 |
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