JP2020076131A - 成膜装置、成膜方法、及び高周波加速空洞管の製造方法 - Google Patents
成膜装置、成膜方法、及び高周波加速空洞管の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
空洞管内ガス圧:0.2Pa以上1.0Pa以下
ターゲット投入電力:0.5W/cm2以上5W/cm2以下
ターゲット移動速度(連続成膜時):0.5mm/秒以上5mm/秒以下
T/S距離:10mm以上50mm以下/位置A、30mm以上100mm以下/位置B
空洞管回転速度:5rpm以上30rpm以下
10…真空容器
20…ターゲット、スパッタリングターゲット
20E…エロージョン領域
21…バッキングチューブ
21t…先端部
22…磁気回路
23…ヨーク部材
25…フランジ部
27…光ファイバユニット
30…電力供給源
31…バイアス電源
40…ガス供給源
50…駆動機構
60…排気系
70…制御装置
80、81…圧力計
100…空洞管
100c…中心軸
110…多連セル部
111…膨らみ部
112…括れ部
115…内壁
121…第1パイプ部
121p、122p…ポート管
122…第2パイプ部
210…ガス流路
211…還流路
250…噴射口
Claims (18)
- 第1内径を有する第1管部と、前記第1内径よりも大きい第2内径を有する第2管部とが交互に直列状に連結された空洞管の内部に挿入可能であり、前記空洞管の中心軸方向に移動可能なスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに放電電力を供給することが可能な電力供給源と、
前記空洞管内に放電ガスを供給することが可能なガス供給源と、
前記中心軸方向における前記スパッタリングターゲットの位置を制御し、前記中心軸の方向と直交する方向における前記空洞管と前記スパッタリングターゲットとの間の距離に応じて、前記放電電力または前記放電ガスの圧力を制御する制御装置と
を具備する成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記中心軸を中心とする、前記空洞管と前記スパッタリングターゲットとの相対回転角が変更可能に構成された
成膜装置。 - 請求項1または2に記載の成膜装置であって、
前記制御装置は、前記距離が長くなるほど、前記放電電力を高く制御する
成膜装置。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記制御装置は、前記距離が短くなるほど、前記放電ガスの圧力を高く制御する
成膜装置。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記スパッタリングターゲットを前記空洞管とによって挟む磁気回路が配置され、
前記中心軸の方向におけるエロージョン領域の長さが前記第2管部の長さよりも短く、前記第2内径よりも短い
成膜装置。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記スパッタリングターゲットは、前記中心軸方向に延在する円筒状ターゲットである
成膜装置。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記空洞管に連結され、前記空洞管内に導入された前記放電ガスを排気するガス排気機構をさらに具備し、
前記ガス排気機構により、前記空洞管内が前記空洞管外よりも減圧となる状態が維持される
成膜装置。 - 第1内径を有する第1管部と、前記第1内径よりも大きい第2内径を有する第2管部とが交互に直列状に連結された空洞管を準備し、
前記空洞管内にスパッタリングターゲットを挿入して、前記空洞管の中心軸方向における前記スパッタリングターゲットの位置を決定し、
前記中心軸方向と直交する方向における前記空洞管と前記スパッタリングターゲットとの間の距離に応じて、前記スパッタリングターゲットに投入する放電電力または前記空洞管内に導入する放電ガスの圧力を調整して、前記空洞管の内壁に膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8に記載の成膜方法であって、
前記中心軸を中心とする、前記空洞管と前記スパッタリングターゲットとの相対回転角を調整して、前記内壁に前記膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8または9に記載の成膜方法であって、
前記距離が長くなるほど、前記放電電力を高く設定して、前記内壁に前記膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8〜10のいずれか1つに記載の成膜方法であって、
前記距離が短くなるほど、前記放電ガスの圧力を高く設定して、前記内壁に前記膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8〜11のいずれか1つに記載の成膜方法であって、
前記スパッタリングターゲットを前記中心軸方向に移動させつつ、前記内壁に前記膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8〜12のいずれか1つに記載の成膜方法であって、
前記スパッタリングターゲットを前記空洞管とによって挟む磁気回路を配置し、
前記中心軸の方向におけるエロージョン領域の長さが前記第2管部の長さよりも短く、前記第2内径よりも短く形成される前記スパッタリングターゲットを用いて前記内壁に前記膜を形成する
成膜方法。 - 請求項8〜13のいずれか1つに記載の成膜方法であって、
前記スパッタリングターゲットとして、前記中心軸方向に延在する円筒状ターゲットを用いる
成膜方法。 - 請求項8〜14のいずれか1つに記載の成膜方法であって、
前記空洞管として、ニオブまたは銅で構成された空洞管を用い、
スパッタリング法により、前記内壁に、ニオブ、窒化ニオブ、ニオブ錫、及びホウ化マグネシウムの少なくともいずれかを有する膜を形成する
成膜方法。 - 請求項15に記載の成膜方法であって、
前記空洞管と前記膜との間に、絶縁膜を形成する
成膜方法。 - 第1内径を有する第1管部と、前記第1内径よりも大きい第2内径を有する第2管部とが交互に直列状に連結された空洞管であって、ニオブまたは銅で構成された前記空洞管を準備し、
前記空洞管内にスパッタリングターゲットを挿入して、前記空洞管の中心軸方向における前記スパッタリングターゲットの位置を決定し、
前記中心軸方向と直交する方向における前記空洞管と前記スパッタリングターゲットとの間の距離に応じて、前記スパッタリングターゲットに投入する放電電力または前記空洞管内に導入する放電ガスの圧力を調整して、前記空洞管の内壁に、ニオブ、窒化ニオブ、ニオブ錫、及びホウ化マグネシウムの少なくともいずれかを有する膜を形成する
高周波加速空洞管の製造方法。 - 請求項17に記載の高周波加速空洞管の製造方法であって、
前記空洞管と前記膜との間に、絶縁膜を形成する
高周波加速空洞管の製造方法。
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JP2018210475A JP7117222B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 成膜装置、成膜方法、及び高周波加速空洞管の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112680706A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-20 | 武汉理工大学 | 一种用于大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置 |
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-
2018
- 2018-11-08 JP JP2018210475A patent/JP7117222B2/ja active Active
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CN112680706B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 武汉理工大学 | 一种用于大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置 |
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