JPH11302839A - スパッタリング装置 - Google Patents
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- JPH11302839A JPH11302839A JP10107762A JP10776298A JPH11302839A JP H11302839 A JPH11302839 A JP H11302839A JP 10107762 A JP10107762 A JP 10107762A JP 10776298 A JP10776298 A JP 10776298A JP H11302839 A JPH11302839 A JP H11302839A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング装置において、高エネルギー
粒子による照射損傷を低減した上で、大口径基板に対し
て膜厚、組成、結晶性などの面内均一性を高めることを
可能にすると共に、成膜速度の高速化を図る。 【解決手段】 基板１１を保持する基板ホルダと、磁石
を内蔵した平板状のバッキングプレート１５およびこの
バッキングプレート１５の両側に支持された 2枚のター
ゲット１６を有し、ターゲット１６が基板の成膜面に対
してオフアクシス配置となるように設置された複数のカ
ソード１３とを具備するスパッタリング装置である。複
数のカソード１３は、その少なくとも一部が基板１１の
成膜面と相対し、成膜面を含む位置に設置される。ある
いは、円柱状や角柱状のカソード本体の外周面に沿って
円筒状や角筒状のカソードを配置したカソードを複数使
用する。
粒子による照射損傷を低減した上で、大口径基板に対し
て膜厚、組成、結晶性などの面内均一性を高めることを
可能にすると共に、成膜速度の高速化を図る。 【解決手段】 基板１１を保持する基板ホルダと、磁石
を内蔵した平板状のバッキングプレート１５およびこの
バッキングプレート１５の両側に支持された 2枚のター
ゲット１６を有し、ターゲット１６が基板の成膜面に対
してオフアクシス配置となるように設置された複数のカ
ソード１３とを具備するスパッタリング装置である。複
数のカソード１３は、その少なくとも一部が基板１１の
成膜面と相対し、成膜面を含む位置に設置される。ある
いは、円柱状や角柱状のカソード本体の外周面に沿って
円筒状や角筒状のカソードを配置したカソードを複数使
用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に係り、特に機能性薄膜などの組成再現性や成膜速度を
改良したスパッタリング装置に関する。
に係り、特に機能性薄膜などの組成再現性や成膜速度を
改良したスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、スパッタリング装置として
は、図１４に示すような平行平板型のスパッタリング装
置、すなわち基板１とバッキングプレート２に支持され
たターゲット３とを対向配置したスパッタリング装置が
広く用いられている。また、薄膜作製の高速化および低
温化を図るために、さらに磁石を設置したマグネトロン
スパッタ法が広く適用されている。平行平板型のスパッ
タリング装置による成膜は、真空蒸着などの他の成膜方
法に比べて簡便で、かつ広い範囲の組成物を薄膜化でき
るという特徴がある。
は、図１４に示すような平行平板型のスパッタリング装
置、すなわち基板１とバッキングプレート２に支持され
たターゲット３とを対向配置したスパッタリング装置が
広く用いられている。また、薄膜作製の高速化および低
温化を図るために、さらに磁石を設置したマグネトロン
スパッタ法が広く適用されている。平行平板型のスパッ
タリング装置による成膜は、真空蒸着などの他の成膜方
法に比べて簡便で、かつ広い範囲の組成物を薄膜化でき
るという特徴がある。
【０００３】しかし、平行平板型のスパッタリング装置
においては、特に酸化物ターゲットなどを使用した場合
に、ターゲット３から飛び出した酸素などの負イオンが
カソードシースで加速されて生成した高エネルギー粒子
が、ターゲット面に正対して配置された基板１中に飛び
込み損傷が生じる。このため、基板１上に作製した薄膜
に、結晶性の低下、組成ずれ、表面粗れなどを生じさせ
るという問題があり、高機能の酸化膜などを作製するこ
とは困難であることが知られている。
においては、特に酸化物ターゲットなどを使用した場合
に、ターゲット３から飛び出した酸素などの負イオンが
カソードシースで加速されて生成した高エネルギー粒子
が、ターゲット面に正対して配置された基板１中に飛び
込み損傷が生じる。このため、基板１上に作製した薄膜
に、結晶性の低下、組成ずれ、表面粗れなどを生じさせ
るという問題があり、高機能の酸化膜などを作製するこ
とは困難であることが知られている。
【０００４】上記したような高エネルギー粒子に起因し
た問題に対処するため、超電導酸化膜、強磁性酸化膜、
強誘電性酸化膜などの酸化膜を中心とする機能性薄膜を
スパッタ法により作製する際に、いくつかの試みがなさ
れている。
た問題に対処するため、超電導酸化膜、強磁性酸化膜、
強誘電性酸化膜などの酸化膜を中心とする機能性薄膜を
スパッタ法により作製する際に、いくつかの試みがなさ
れている。
【０００５】第１の方法としては、例えば図１５に示す
ように、基板１とターゲット３の軸を90度回転させたオ
フアクシス配置（例えば、C.B.Eom et al,“In situ gr
ownYBCO thin films from single-target magnetron sp
uttering ”, Appl. Phys.Lett. Vol.55, p.595, 1989
参照）が知られている。図１５において、４は基板ホル
ダ、５は磁石、６はポールピースであり、磁石５とポー
ルピース６はターゲット３の表面に磁力線Ｍを生じさせ
るものである。
ように、基板１とターゲット３の軸を90度回転させたオ
フアクシス配置（例えば、C.B.Eom et al,“In situ gr
ownYBCO thin films from single-target magnetron sp
uttering ”, Appl. Phys.Lett. Vol.55, p.595, 1989
参照）が知られている。図１５において、４は基板ホル
ダ、５は磁石、６はポールピースであり、磁石５とポー
ルピース６はターゲット３の表面に磁力線Ｍを生じさせ
るものである。
【０００６】図１５から明らかなように、基板１がター
ゲット３と垂直に配置されているため、ターゲット面の
延長線上に放射される粒子による照射損傷は少ない。し
かしながら、オフアクシス型スパッタリング装置では、
基板面内の均一性の低下という別の間題が生じる。すな
わち、平行平板型配置のスパッタリング装置とは異な
り、オフアクシス配置では基板面内の位置によりターゲ
ット３との距離および見込み角度が異なるため、入射粒
子の密度、組成比、エネルギーなどに変化が生じる。従
って、基板１上のターゲット３に近い側と遠い側とによ
って、膜厚分布、組成、結晶性の相違なとが生じるとい
う問題がある。
ゲット３と垂直に配置されているため、ターゲット面の
延長線上に放射される粒子による照射損傷は少ない。し
かしながら、オフアクシス型スパッタリング装置では、
基板面内の均一性の低下という別の間題が生じる。すな
わち、平行平板型配置のスパッタリング装置とは異な
り、オフアクシス配置では基板面内の位置によりターゲ
ット３との距離および見込み角度が異なるため、入射粒
子の密度、組成比、エネルギーなどに変化が生じる。従
って、基板１上のターゲット３に近い側と遠い側とによ
って、膜厚分布、組成、結晶性の相違なとが生じるとい
う問題がある。
【０００７】上述した面内分布の不均一性は、基板１の
径が大きくなるほど顕著になる。一見、基板径に比例し
てターゲット径を大きくすれば解決しそうに考えられる
が、面内分布の不均一性はスパッタ粒子の平均自由行程
と基板径の比に強く支配されるため、これでは解決する
ことができない。すなわち、通常のスパッタガス圧はプ
ラズマが生成する 0.1〜 1Pa程度であるため、平均自由
行程は10〜 100mm程度になる。平均自由行程以下の距離
では、エネルギーの大きな直進成分の粒子の割合が多
く、遠くなるほど散乱されたエネルギーの小さな粒子の
割合が多くなる。従って、オフアクシス配置のスパッタ
リング装置で基板の大口径化を実現することは非常に困
難である。
径が大きくなるほど顕著になる。一見、基板径に比例し
てターゲット径を大きくすれば解決しそうに考えられる
が、面内分布の不均一性はスパッタ粒子の平均自由行程
と基板径の比に強く支配されるため、これでは解決する
ことができない。すなわち、通常のスパッタガス圧はプ
ラズマが生成する 0.1〜 1Pa程度であるため、平均自由
行程は10〜 100mm程度になる。平均自由行程以下の距離
では、エネルギーの大きな直進成分の粒子の割合が多
く、遠くなるほど散乱されたエネルギーの小さな粒子の
割合が多くなる。従って、オフアクシス配置のスパッタ
リング装置で基板の大口径化を実現することは非常に困
難である。
【０００８】オフアクシス配置のスパッタリング装置の
他の例としては、例えば図１６に示すように、 2枚の対
向させたターゲット３ａ、３ｂを使用した装置（例えば
特開昭 57-158380号公報など参照）が知られている。こ
の例では、磁石５を内蔵したバッキングプレート２ａ、
２ｂに取り付けられた 2枚のターゲット３ａ、３ｂを対
向して設置し、これらターゲット３ａ、３ｂ間の側方に
90度回転させて基板１を設置している。また、磁石５の
極性は 1枚のターゲット３内では全て同一極性となるよ
うにすると共に、ターゲット３ａ、３ｂ間ではＮ極とＳ
極が対向するようにしてある。従って、磁界は 2枚のタ
ーゲット３ａ、３ｂ間に閉じ込められ、ターゲット面と
垂直な均一な磁場Ｍが発生する。
他の例としては、例えば図１６に示すように、 2枚の対
向させたターゲット３ａ、３ｂを使用した装置（例えば
特開昭 57-158380号公報など参照）が知られている。こ
の例では、磁石５を内蔵したバッキングプレート２ａ、
２ｂに取り付けられた 2枚のターゲット３ａ、３ｂを対
向して設置し、これらターゲット３ａ、３ｂ間の側方に
90度回転させて基板１を設置している。また、磁石５の
極性は 1枚のターゲット３内では全て同一極性となるよ
うにすると共に、ターゲット３ａ、３ｂ間ではＮ極とＳ
極が対向するようにしてある。従って、磁界は 2枚のタ
ーゲット３ａ、３ｂ間に閉じ込められ、ターゲット面と
垂直な均一な磁場Ｍが発生する。
【０００９】さらに、基板の大口径化を進める目的で、
基板の周囲に複数のターゲットを多角形状に配置したス
パッタリング装置が提案されている（特開平 6-17248号
公報参照）。この場合には、複数のターゲットで囲まれ
た空間に均一な磁場が形成される。
基板の周囲に複数のターゲットを多角形状に配置したス
パッタリング装置が提案されている（特開平 6-17248号
公報参照）。この場合には、複数のターゲットで囲まれ
た空間に均一な磁場が形成される。
【００１０】上記したような 2枚ないしは複数のターゲ
ットを基板の周囲に配置して使用することにより、面内
均一性を改善することができる。しかしながら、上述し
た理由から、面内均一性を確保できる径は単一ターゲッ
トを使用した場合と比較して2倍程度であり、せいぜい
直径 100mm程度の基板の面内均一性しか確保することが
できない。従って、集積回路基板などにおいては、 200
〜 300mmと大口径でかつ厳密な面内均一性が要求される
ことから、オフアクシス配置の方が機能性薄膜の特性な
どが向上することが判明していても、実際には適用する
ことが非常に困難であった。
ットを基板の周囲に配置して使用することにより、面内
均一性を改善することができる。しかしながら、上述し
た理由から、面内均一性を確保できる径は単一ターゲッ
トを使用した場合と比較して2倍程度であり、せいぜい
直径 100mm程度の基板の面内均一性しか確保することが
できない。従って、集積回路基板などにおいては、 200
〜 300mmと大口径でかつ厳密な面内均一性が要求される
ことから、オフアクシス配置の方が機能性薄膜の特性な
どが向上することが判明していても、実際には適用する
ことが非常に困難であった。
【００１１】第２の方法としては、例えば図１７に示す
ように、磁石５を内蔵すると共に、外周に円筒形のター
ゲット３が配置された円筒状のカソード７を使用し、そ
の周囲に相対して基板１を配置する方法が知られてい
る。また、同様な方法として、半球状のカソードを使用
し、その周囲に相対して基板を配置する方法が知られて
いる。円筒状や半球状のカソードを使用した場合、高エ
ネルギー粒子は放射状に飛び出すため、平行平板型と比
較して基板１に与える損傷が低減される。
ように、磁石５を内蔵すると共に、外周に円筒形のター
ゲット３が配置された円筒状のカソード７を使用し、そ
の周囲に相対して基板１を配置する方法が知られてい
る。また、同様な方法として、半球状のカソードを使用
し、その周囲に相対して基板を配置する方法が知られて
いる。円筒状や半球状のカソードを使用した場合、高エ
ネルギー粒子は放射状に飛び出すため、平行平板型と比
較して基板１に与える損傷が低減される。
【００１２】しかしながら、従来の円筒状や半球状のカ
ソードを使用したスパッタリング装置では、基板面積に
対してターゲット面積が小さくなるため、成膜速度が低
下するという問題がある。さらに、大口径の円筒形ター
ゲットなどは作製することが困難であり、特に酸化物な
どのセラミックスの場合にはターゲットの作製が著しく
困難であるという問題がある。従って、従来のオフアク
シス型スパッタリング装置と同様に、平面状の大型基板
などへの対応は困難であった。
ソードを使用したスパッタリング装置では、基板面積に
対してターゲット面積が小さくなるため、成膜速度が低
下するという問題がある。さらに、大口径の円筒形ター
ゲットなどは作製することが困難であり、特に酸化物な
どのセラミックスの場合にはターゲットの作製が著しく
困難であるという問題がある。従って、従来のオフアク
シス型スパッタリング装置と同様に、平面状の大型基板
などへの対応は困難であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の一般的なオフアクシス型スパッタリング装置によれ
ば、高エネルギー粒子による照射損傷を低減することが
できるものの、基板面内の均一性が低下するという問題
がある。基板面内の不均一性は、例えば 2枚ないしは複
数のターゲットを基板の周囲に配置し、ターゲット面と
垂直な方向に均一な磁場を生じさせることにより解消で
きるものの、面内均一性が確保できるのはせいぜい直径
100mm程度の基板までであり、 200〜 300mmの大口径化
が要求されている集積回路基板などに対して実際に適用
することは困難であった。
の一般的なオフアクシス型スパッタリング装置によれ
ば、高エネルギー粒子による照射損傷を低減することが
できるものの、基板面内の均一性が低下するという問題
がある。基板面内の不均一性は、例えば 2枚ないしは複
数のターゲットを基板の周囲に配置し、ターゲット面と
垂直な方向に均一な磁場を生じさせることにより解消で
きるものの、面内均一性が確保できるのはせいぜい直径
100mm程度の基板までであり、 200〜 300mmの大口径化
が要求されている集積回路基板などに対して実際に適用
することは困難であった。
【００１４】一方、円筒状や半球状のカソードを使用す
ることによっても、高エネルギー粒子による損傷は低減
できるものの、従来の円筒状や半球状のカソードを使用
したスパッタリング装置では成膜速度が低下し、また特
に酸化物などのセラミックスの場合には円筒状や半球状
のターゲットの作製が著しく困難であることから、従来
のオフアクシス型スパッタリング装置と同様に、平面状
の大型基板などへの対応は困難であった。
ることによっても、高エネルギー粒子による損傷は低減
できるものの、従来の円筒状や半球状のカソードを使用
したスパッタリング装置では成膜速度が低下し、また特
に酸化物などのセラミックスの場合には円筒状や半球状
のターゲットの作製が著しく困難であることから、従来
のオフアクシス型スパッタリング装置と同様に、平面状
の大型基板などへの対応は困難であった。
【００１５】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、高エネルギー粒子による照射損傷を低
減した上で、大口径基板に対して膜厚、組成、結晶性な
どの面内均一性、特に超電導酸化薄膜、強磁性酸化膜、
強誘電性酸化膜などの機能性薄膜の面内均一性を高める
ことを可能にすると共に、成膜速度の高速化を図ったス
パッタリング装置を提供することを目的としている。
なされたもので、高エネルギー粒子による照射損傷を低
減した上で、大口径基板に対して膜厚、組成、結晶性な
どの面内均一性、特に超電導酸化薄膜、強磁性酸化膜、
強誘電性酸化膜などの機能性薄膜の面内均一性を高める
ことを可能にすると共に、成膜速度の高速化を図ったス
パッタリング装置を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明における第１のス
パッタリング装置は、請求項１に記載したように、基板
を保持する基板ホルダと、磁石を内蔵した平板状のバッ
キングプレートと前記バッキングプレートの両側に支持
された 2枚のターゲットとを有し、前記ターゲットが前
記基板の成膜面に対してオフアクシス配置となるように
設置された複数のカソードとを具備することを特徴とし
ている。
パッタリング装置は、請求項１に記載したように、基板
を保持する基板ホルダと、磁石を内蔵した平板状のバッ
キングプレートと前記バッキングプレートの両側に支持
された 2枚のターゲットとを有し、前記ターゲットが前
記基板の成膜面に対してオフアクシス配置となるように
設置された複数のカソードとを具備することを特徴とし
ている。
【００１７】本発明の第１のスパッタリング装置におい
て、複数のカソードは請求項２に記載したように例えば
互いに略平行に設置したり、また請求項３に記載したよ
うに互いに井桁状に設置する。このような配置位置にお
いて、請求項４に記載したように、複数のカソードの少
なくとも一部は基板の成膜面と相対すると共に、成膜面
を含む位置に設置されていることが好ましい。ただし、
請求項９に記載したように、基板ホルダと複数のカソー
ドとを相対的に移動可能とした場合には、必ずしもこの
限りではない。
て、複数のカソードは請求項２に記載したように例えば
互いに略平行に設置したり、また請求項３に記載したよ
うに互いに井桁状に設置する。このような配置位置にお
いて、請求項４に記載したように、複数のカソードの少
なくとも一部は基板の成膜面と相対すると共に、成膜面
を含む位置に設置されていることが好ましい。ただし、
請求項９に記載したように、基板ホルダと複数のカソー
ドとを相対的に移動可能とした場合には、必ずしもこの
限りではない。
【００１８】本発明における第２のスパッタリング装置
は、請求項５に記載したように、基板を保持する基板ホ
ルダと、磁石を内蔵した柱状のカソード本体と、前記カ
ソード本体の外周面に沿って支持されたターゲットとを
有し、前記基板の成膜面と対向するように設置された複
数のカソードとを具備することを特徴としている。
は、請求項５に記載したように、基板を保持する基板ホ
ルダと、磁石を内蔵した柱状のカソード本体と、前記カ
ソード本体の外周面に沿って支持されたターゲットとを
有し、前記基板の成膜面と対向するように設置された複
数のカソードとを具備することを特徴としている。
【００１９】本発明の第２のスパッタリング装置におい
て、例えば請求項６に記載したように、カソード本体は
例えば円柱状、角柱状または半球状の形状を有し、この
場合ターゲットは円柱状カソード本体の円柱面、前記角
柱状カソード本体の側面または前記半球状カソード本体
の球面に沿って支持される。
て、例えば請求項６に記載したように、カソード本体は
例えば円柱状、角柱状または半球状の形状を有し、この
場合ターゲットは円柱状カソード本体の円柱面、前記角
柱状カソード本体の側面または前記半球状カソード本体
の球面に沿って支持される。
【００２０】また、本発明の第２のスパッタリング装置
において、カソード本体は例えば請求項７に記載したよ
うに、柱状形状の軸方向が基板の成膜面に対してオフア
クシス配置となるように設置したり、また請求項８に記
載したように、柱状形状の軸方向が基板の成膜面に対し
て略平行となるように設置される。
において、カソード本体は例えば請求項７に記載したよ
うに、柱状形状の軸方向が基板の成膜面に対してオフア
クシス配置となるように設置したり、また請求項８に記
載したように、柱状形状の軸方向が基板の成膜面に対し
て略平行となるように設置される。
【００２１】本発明の第１のスパッタリング装置におい
ては、平板状のバッキングプレートの両側にそれぞれタ
ーゲットを配置しているため、従来のオフアクシス配置
のように基板の周囲にのみ配置されるのではなく、基板
の成膜面に相対する位置にターゲットをオフアクシス配
置としたカソードを設置することができる。このため、
単にカソードの数を増やすことによって、基板径の増大
に容易に対応することができる。
ては、平板状のバッキングプレートの両側にそれぞれタ
ーゲットを配置しているため、従来のオフアクシス配置
のように基板の周囲にのみ配置されるのではなく、基板
の成膜面に相対する位置にターゲットをオフアクシス配
置としたカソードを設置することができる。このため、
単にカソードの数を増やすことによって、基板径の増大
に容易に対応することができる。
【００２２】このような第１のスパッタリング装置によ
れば、成膜中の基板への高エネルギー粒子の照射による
損傷を抑制した上で、大口径基板に例えば超電導酸化
膜、強磁性酸化膜、強誘電性酸化膜などの高機能性薄膜
を成膜する場合においても、膜厚、組成、結晶性などの
面内均一性を高めることができる。すなわち、平面状の
大型基板などへの対応を図ることができる。
れば、成膜中の基板への高エネルギー粒子の照射による
損傷を抑制した上で、大口径基板に例えば超電導酸化
膜、強磁性酸化膜、強誘電性酸化膜などの高機能性薄膜
を成膜する場合においても、膜厚、組成、結晶性などの
面内均一性を高めることができる。すなわち、平面状の
大型基板などへの対応を図ることができる。
【００２３】本発明の第２のスパッタリング装置におい
ては、柱状のカソード本体の外周面に沿ってターゲット
を配置しているため、従来のオフアクシス配置のように
基板の周囲にのみ配置されるのではなく、基板の成膜面
に相対する任意の位置に任意の数のカソードを設置する
ことができる。このため、単にカソードの数を増やすこ
とによって、基板径の増大に容易に対応することができ
る。
ては、柱状のカソード本体の外周面に沿ってターゲット
を配置しているため、従来のオフアクシス配置のように
基板の周囲にのみ配置されるのではなく、基板の成膜面
に相対する任意の位置に任意の数のカソードを設置する
ことができる。このため、単にカソードの数を増やすこ
とによって、基板径の増大に容易に対応することができ
る。
【００２４】そして、柱状カソードを基板の成膜面に対
してオフアクシス配置とすることによって、成膜中の基
板への高エネルギー粒子の照射による損傷を抑制するこ
とができる。また、柱状カソードの軸方向を基板の成膜
面に対して平行配置とする場合においても、カソード本
体の形状を円柱状または半球状とすることによって、高
エネルギー粒子の照射による損傷を抑制することができ
る。その上で、大口径基板に例えば超電導酸化膜、強磁
性酸化膜、強誘電性酸化膜などの高機能性薄膜を成膜す
る場合においても、カソードの設置数などに応じて膜
厚、組成、結晶性などの面内均一性を高めることができ
る。すなわち、平面状の大型基板などへの対応を図るこ
とができる。
してオフアクシス配置とすることによって、成膜中の基
板への高エネルギー粒子の照射による損傷を抑制するこ
とができる。また、柱状カソードの軸方向を基板の成膜
面に対して平行配置とする場合においても、カソード本
体の形状を円柱状または半球状とすることによって、高
エネルギー粒子の照射による損傷を抑制することができ
る。その上で、大口径基板に例えば超電導酸化膜、強磁
性酸化膜、強誘電性酸化膜などの高機能性薄膜を成膜す
る場合においても、カソードの設置数などに応じて膜
厚、組成、結晶性などの面内均一性を高めることができ
る。すなわち、平面状の大型基板などへの対応を図るこ
とができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について、図面を参照して説明する。
態について、図面を参照して説明する。
【００２６】図１および図２は、本発明の第１のスパッ
タリング装置の第１の実施形態の要部概略構造を示す図
である。図１はこの実施形態のスパッタリング装置の要
部斜視図、図２（ａ）はその平面図、図２（ｂ）はその
側面図である。
タリング装置の第１の実施形態の要部概略構造を示す図
である。図１はこの実施形態のスパッタリング装置の要
部斜視図、図２（ａ）はその平面図、図２（ｂ）はその
側面図である。
【００２７】これらの図に示すオフアクシス型のスパッ
タリング装置１０において、薄膜が被着される基板１１
は基板ホルダ１２の下面側に保持されている。なお、図
１では基板ホルダ１２の図示を省略している。基板ホル
ダ１２には、必要に応じて基板加熱機構などが内蔵され
る。
タリング装置１０において、薄膜が被着される基板１１
は基板ホルダ１２の下面側に保持されている。なお、図
１では基板ホルダ１２の図示を省略している。基板ホル
ダ１２には、必要に応じて基板加熱機構などが内蔵され
る。
【００２８】基板１１の成膜面と対向する位置には、複
数のカソード１３が立設されている。これら複数のカソ
ード１３は、例えば図３、図４、図５に示すような磁石
１４と図示しない冷却機構とを内蔵した平板状のバッキ
ングプレート１５を有している。平板状のバッキングプ
レート１５は、その両主面の面方向が基板１１の成膜面
に対して90度となるように設置されている。また、この
ような平板状のバッキングプレート１５をそれぞれ有す
る複数のカソード１３は、互いに略平行となるように設
置されている。
数のカソード１３が立設されている。これら複数のカソ
ード１３は、例えば図３、図４、図５に示すような磁石
１４と図示しない冷却機構とを内蔵した平板状のバッキ
ングプレート１５を有している。平板状のバッキングプ
レート１５は、その両主面の面方向が基板１１の成膜面
に対して90度となるように設置されている。また、この
ような平板状のバッキングプレート１５をそれぞれ有す
る複数のカソード１３は、互いに略平行となるように設
置されている。
【００２９】このような平板状のバッキングプレート１
５の両主面には、それぞれターゲット１６が取り付けら
れている。すなわち、各カソード１３は平板状バッキン
グプレート１５の両側に支持された 2枚のターゲット１
６、１６をそれぞれ有しており、隣り合うカソード１３
のターゲット１６は互いに対向している。従って、ター
ゲット１６から垂直方向に飛び出す成分は、対向するカ
ソード１３のターゲット１６に付着して再利用される。
５の両主面には、それぞれターゲット１６が取り付けら
れている。すなわち、各カソード１３は平板状バッキン
グプレート１５の両側に支持された 2枚のターゲット１
６、１６をそれぞれ有しており、隣り合うカソード１３
のターゲット１６は互いに対向している。従って、ター
ゲット１６から垂直方向に飛び出す成分は、対向するカ
ソード１３のターゲット１６に付着して再利用される。
【００３０】そして、平板状のバッキングプレート１５
に取り付けられた各ターゲット１６は、基板１１の成膜
面に対してオフアクシス配置とされている。言い換える
と、各ターゲット１６は、その表面（ターゲット面）と
基板１１の成膜面との位置関係が90度となるように配置
されている。ここで、基板１１とターゲット１６との角
度は厳密に90度である必要はなく、成膜速度や損傷の角
度依存性などに応じて、例えば60〜 120度程度の範囲か
ら適宜設定することができる。本発明におけるオフアク
シス配置とは、このような角度関係を含むものとする。
に取り付けられた各ターゲット１６は、基板１１の成膜
面に対してオフアクシス配置とされている。言い換える
と、各ターゲット１６は、その表面（ターゲット面）と
基板１１の成膜面との位置関係が90度となるように配置
されている。ここで、基板１１とターゲット１６との角
度は厳密に90度である必要はなく、成膜速度や損傷の角
度依存性などに応じて、例えば60〜 120度程度の範囲か
ら適宜設定することができる。本発明におけるオフアク
シス配置とは、このような角度関係を含むものとする。
【００３１】基板１１と複数のカソード１３との位置関
係は、複数のカソード１３の少なくとも一部が基板１１
の成膜面と相対すると共に成膜面を含む位置に、上述し
たオフアクシス配置で設置されるようにされている。カ
ソード１３の設置数は、基板１１の直径（成膜面の面
積）、カソード１３の大きさ、カソード１３の配置位置
などに応じて適宜設定するものとする。例えば、直径 2
00〜 300mm程度の基板１１に対して機能性薄膜などを成
膜する際に、図１および図２に示したような平行配置を
適用する場合には、例えば 4〜10枚程度のカソード１３
を設置することが好ましい。
係は、複数のカソード１３の少なくとも一部が基板１１
の成膜面と相対すると共に成膜面を含む位置に、上述し
たオフアクシス配置で設置されるようにされている。カ
ソード１３の設置数は、基板１１の直径（成膜面の面
積）、カソード１３の大きさ、カソード１３の配置位置
などに応じて適宜設定するものとする。例えば、直径 2
00〜 300mm程度の基板１１に対して機能性薄膜などを成
膜する際に、図１および図２に示したような平行配置を
適用する場合には、例えば 4〜10枚程度のカソード１３
を設置することが好ましい。
【００３２】ただし、基板１１と複数のカソード１３と
は相対的に移動させることができ、この場合には上記し
た限りではなく、より少ないカソード数で均一成膜を実
現することができる。複数のカソード１３は 1つの支持
台１７に設置し、ターゲット１６の移動や交換を容易に
することができる。支持台１７に設置された複数のカソ
ード１３は、支持台１７ごと一括して交換することがで
きる。
は相対的に移動させることができ、この場合には上記し
た限りではなく、より少ないカソード数で均一成膜を実
現することができる。複数のカソード１３は 1つの支持
台１７に設置し、ターゲット１６の移動や交換を容易に
することができる。支持台１７に設置された複数のカソ
ード１３は、支持台１７ごと一括して交換することがで
きる。
【００３３】バッキングプレート１５に内蔵される磁石
は、永久磁石１４に限られるものではなく、電磁石を使
用することもでき、これらのうちから都合のよい方を選
択すればよい。カソード１３の厚さ、言い換えると磁石
の厚さは薄い方が望ましいため、永久磁石１４を使用す
る場合にはネオジウム−鉄−ボロン系やサマリウム−コ
バルト系などの保磁力の大きな磁石を使用することが望
ましい。
は、永久磁石１４に限られるものではなく、電磁石を使
用することもでき、これらのうちから都合のよい方を選
択すればよい。カソード１３の厚さ、言い換えると磁石
の厚さは薄い方が望ましいため、永久磁石１４を使用す
る場合にはネオジウム−鉄−ボロン系やサマリウム−コ
バルト系などの保磁力の大きな磁石を使用することが望
ましい。
【００３４】また、バッキングプレート１５内の磁石の
数は単数または複数のいずれであってもよいが、複数の
磁石を使用する場合には後述するような配置関係を満足
させるようにする。さらに、 1個のカソード１３内に複
数の磁石を配置する場合、適宜ポールピースやヨークで
互いに接続してもよい。
数は単数または複数のいずれであってもよいが、複数の
磁石を使用する場合には後述するような配置関係を満足
させるようにする。さらに、 1個のカソード１３内に複
数の磁石を配置する場合、適宜ポールピースやヨークで
互いに接続してもよい。
【００３５】カソード１３内の磁石はバッキングプレー
ト１５内を移動可能とすることができる。後述するよう
に、不均一な磁場を発生させるような磁石配置を適用す
る場合、磁石の移動はターゲット１６を均一に使用し、
基板１１内の膜厚分布などを均ー化する上で有効であ
る。磁石を移動させる際に、磁石と移動機構を直接機械
的に接続してもよく、またマグネットカップリング機構
などを使用して間接的に接続してもよい。
ト１５内を移動可能とすることができる。後述するよう
に、不均一な磁場を発生させるような磁石配置を適用す
る場合、磁石の移動はターゲット１６を均一に使用し、
基板１１内の膜厚分布などを均ー化する上で有効であ
る。磁石を移動させる際に、磁石と移動機構を直接機械
的に接続してもよく、またマグネットカップリング機構
などを使用して間接的に接続してもよい。
【００３６】バッキングプレート１５内の磁石１４は、
例えば以下に示すような各種の配置方法を適宜選択して
使用することができる。
例えば以下に示すような各種の配置方法を適宜選択して
使用することができる。
【００３７】(A) 単数ないしは複数の磁石１４を使用
し、磁化の方向はターゲット面と平行で、かつ基板面と
平行とする。複数の磁石１４を用いた場合の一例を図３
に示す。この場合、隣接する磁石１４の磁極を同極、言
い換えると隣接する磁石１４の磁化方向が逆向きとなる
ように、複数の磁石１４を配置する。バッキングプレー
ト１５の大きさなどによっては、磁化方向を基板面と垂
直としてもよい。隣接するカソード１３間の磁石は磁極
が同極となるようにする。
し、磁化の方向はターゲット面と平行で、かつ基板面と
平行とする。複数の磁石１４を用いた場合の一例を図３
に示す。この場合、隣接する磁石１４の磁極を同極、言
い換えると隣接する磁石１４の磁化方向が逆向きとなる
ように、複数の磁石１４を配置する。バッキングプレー
ト１５の大きさなどによっては、磁化方向を基板面と垂
直としてもよい。隣接するカソード１３間の磁石は磁極
が同極となるようにする。
【００３８】(B) 例えば図４に示すように、複数の磁石
１４を使用し、磁化方向はターゲット面と垂直で、かつ
基板面と平行とする。この場合、隣接する磁石１４の磁
化方向は逆向きとする。
１４を使用し、磁化方向はターゲット面と垂直で、かつ
基板面と平行とする。この場合、隣接する磁石１４の磁
化方向は逆向きとする。
【００３９】(C) 例えば図５に示すように、平行配置す
る複数のカソード１３の全ての磁石１４の磁化方向をタ
ーゲット面と垂直で、かつ基板面と平行とすると共に、
全ての磁石１４の磁化方向を揃える。
る複数のカソード１３の全ての磁石１４の磁化方向をタ
ーゲット面と垂直で、かつ基板面と平行とすると共に、
全ての磁石１４の磁化方向を揃える。
【００４０】上記した (A)および (B)の磁石配置によれ
ば、図３および図４に示したように、磁場Ｍはカソード
１３の近傍に閉じた状態で形成される。このような磁場
Ｍを形成する際には、前述したように磁石１４の移動機
構などを設けることが好ましい。一方、 (C)の磁石配置
によれば、図５に示したように、隣接するカソード１３
間に均一な磁場Ｍが形成される。この際、各カソード１
３はそれぞれ両側にターゲット１６を有しているため、
平行配置した複数のカソード１３の各間隙に均一な磁場
Ｍが形成される。なお、磁石としてトロイダル磁石など
を使用することも可能である。
ば、図３および図４に示したように、磁場Ｍはカソード
１３の近傍に閉じた状態で形成される。このような磁場
Ｍを形成する際には、前述したように磁石１４の移動機
構などを設けることが好ましい。一方、 (C)の磁石配置
によれば、図５に示したように、隣接するカソード１３
間に均一な磁場Ｍが形成される。この際、各カソード１
３はそれぞれ両側にターゲット１６を有しているため、
平行配置した複数のカソード１３の各間隙に均一な磁場
Ｍが形成される。なお、磁石としてトロイダル磁石など
を使用することも可能である。
【００４１】カソード１３に加える電圧は、高周波の交
流および直流のいずれであってもよく、ターゲット材質
などに応じて適宜選択することができる。また、複数の
カソード１３をいくつかのグループに分け、各グループ
毎にそれぞれ異なる電圧を印加するようにしてもよい。
高周波の場合には、相互の干渉の問題から 2つ程度のグ
ループに分けることができる。直流の場合には、任意の
数のグループに分けることができる。カソード１３を複
数のグループに分けて電圧を調整することによって、基
板１１の成膜面積に対して小さなカソード群の面積で基
板面内の均一性の向上を図ることができる。
流および直流のいずれであってもよく、ターゲット材質
などに応じて適宜選択することができる。また、複数の
カソード１３をいくつかのグループに分け、各グループ
毎にそれぞれ異なる電圧を印加するようにしてもよい。
高周波の場合には、相互の干渉の問題から 2つ程度のグ
ループに分けることができる。直流の場合には、任意の
数のグループに分けることができる。カソード１３を複
数のグループに分けて電圧を調整することによって、基
板１１の成膜面積に対して小さなカソード群の面積で基
板面内の均一性の向上を図ることができる。
【００４２】上述したようなスパッタリング装置１０
は、カソード１３を基板１１に対してオフアクシス配置
としているため、ターゲット面の延長線上に放射される
高エネルギー粒子による照射損傷を抑制することができ
る。その上で、平板状バッキングプレート１５の両側に
それぞれターゲット１６を取り付けているため、従来の
オフアクシス配置のように基板の周囲のみではなく、基
板１１の成膜面を含む位置（成膜面と相対する位置）に
カソード１３を設置することができる。このため、基板
１１の大口径化に対してカソード１３の数を単に増やす
ことで対応することが可能となる。
は、カソード１３を基板１１に対してオフアクシス配置
としているため、ターゲット面の延長線上に放射される
高エネルギー粒子による照射損傷を抑制することができ
る。その上で、平板状バッキングプレート１５の両側に
それぞれターゲット１６を取り付けているため、従来の
オフアクシス配置のように基板の周囲のみではなく、基
板１１の成膜面を含む位置（成膜面と相対する位置）に
カソード１３を設置することができる。このため、基板
１１の大口径化に対してカソード１３の数を単に増やす
ことで対応することが可能となる。
【００４３】このように、この実施形態のスパッタリン
グ装置１０によれば、オフアクシス配置により照射損傷
を抑制した上で、基板１１の直径などに対応させた数の
カソード１３を基板１１の成膜面を含む位置に設置する
ことにより、大口径の基板１１に対して膜厚、組成、結
晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再現性よ
く形成することが可能となる。
グ装置１０によれば、オフアクシス配置により照射損傷
を抑制した上で、基板１１の直径などに対応させた数の
カソード１３を基板１１の成膜面を含む位置に設置する
ことにより、大口径の基板１１に対して膜厚、組成、結
晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再現性よ
く形成することが可能となる。
【００４４】ここで、図３や図４に示したような磁石配
置によっても、カソード１３の数を増やすことで大口径
の基板１１に対して面内均一性に優れる各種薄膜を形成
することができる。また特に、図５に示したような磁石
配置によれば、各カソード１３間の半閉鎖空間に均一な
磁場Ｍが形成されるため、より一層組成などの面内均一
性を向上させることができる。
置によっても、カソード１３の数を増やすことで大口径
の基板１１に対して面内均一性に優れる各種薄膜を形成
することができる。また特に、図５に示したような磁石
配置によれば、各カソード１３間の半閉鎖空間に均一な
磁場Ｍが形成されるため、より一層組成などの面内均一
性を向上させることができる。
【００４５】次に、本発明の第１のスパッタリング装置
の第２の実施形態について、図６および図７を参照して
説明する。
の第２の実施形態について、図６および図７を参照して
説明する。
【００４６】図６は第２の実施形態のスパッタリング装
置の要部斜視図、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）
はその側面図である。これらの図に示すオフアクシス型
のスパッタリング装置１８において、 2枚のターゲット
１６をそれぞれ有する各カソード１３は基板１１の成膜
面と対向する位置に互いに井桁状、すなわち直交する2
方向に設置されている。
置の要部斜視図、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）
はその側面図である。これらの図に示すオフアクシス型
のスパッタリング装置１８において、 2枚のターゲット
１６をそれぞれ有する各カソード１３は基板１１の成膜
面と対向する位置に互いに井桁状、すなわち直交する2
方向に設置されている。
【００４７】なお、個々のカソード１３やバッキングプ
レート１５の構成、ターゲット１６の取付け位置や方向
などは、前述した第１の実施形態のスパッタリング装置
１０と同一であり、各ターゲット１６は基板１１の成膜
面に対してオフアクシス配置とされている。オフアクシ
ス配置における角度についても、前述した第１の実施形
態と同様である。
レート１５の構成、ターゲット１６の取付け位置や方向
などは、前述した第１の実施形態のスパッタリング装置
１０と同一であり、各ターゲット１６は基板１１の成膜
面に対してオフアクシス配置とされている。オフアクシ
ス配置における角度についても、前述した第１の実施形
態と同様である。
【００４８】基板１１と複数のカソード１３との位置関
係は、複数のカソード１３の少なくとも一部が基板１１
の成膜面を含む位置に、上述したオフアクシス配置で設
置されるようにされている。カソード１３の設置数は、
基板１１の直径（成膜面の面積）、カソード１３の大き
さ、カソード１３の配置位置などに応じて適宜設定する
ものとする。例えば、直径 200〜 300mm程度の基板１１
に対して機能性薄膜などを成膜する際に、図６および図
７に示したような井桁配置を適用する場合には、カソー
ド１３の 1つ当り大きさによって異なるものの、おおよ
そ20〜50枚程度のカソード１３を設置することが好まし
い。
係は、複数のカソード１３の少なくとも一部が基板１１
の成膜面を含む位置に、上述したオフアクシス配置で設
置されるようにされている。カソード１３の設置数は、
基板１１の直径（成膜面の面積）、カソード１３の大き
さ、カソード１３の配置位置などに応じて適宜設定する
ものとする。例えば、直径 200〜 300mm程度の基板１１
に対して機能性薄膜などを成膜する際に、図６および図
７に示したような井桁配置を適用する場合には、カソー
ド１３の 1つ当り大きさによって異なるものの、おおよ
そ20〜50枚程度のカソード１３を設置することが好まし
い。
【００４９】ただし、基板１１と複数のカソード１３と
を相対的に移動させる場合には、この限りではなく、よ
り少ないカソード数で均一成膜を実現することができ
る。複数のカソード１３は 1つの支持台１７に設置し、
ターゲット１６の移動や交換を容易にすることができ
る。
を相対的に移動させる場合には、この限りではなく、よ
り少ないカソード数で均一成膜を実現することができ
る。複数のカソード１３は 1つの支持台１７に設置し、
ターゲット１６の移動や交換を容易にすることができ
る。
【００５０】バッキングプレート１５内の磁石１４は、
例えば図８に示すように、 1つのバッキングプレート１
６当りに 1つの磁石１４を使用し、磁石１４の磁化方向
はターゲット面と平行で、かつ基板面と平行とする。隣
接するカソード１３間の磁石１４は、それらの間で磁場
が閉じないように、隣接する磁極が同極となるようにす
る。バッキングプレート１５の大きさなどによっては、
磁化方向を基板面と垂直としてもよい。
例えば図８に示すように、 1つのバッキングプレート１
６当りに 1つの磁石１４を使用し、磁石１４の磁化方向
はターゲット面と平行で、かつ基板面と平行とする。隣
接するカソード１３間の磁石１４は、それらの間で磁場
が閉じないように、隣接する磁極が同極となるようにす
る。バッキングプレート１５の大きさなどによっては、
磁化方向を基板面と垂直としてもよい。
【００５１】このような磁石配置によれば、図８に示し
たように、磁場Ｍはカソード１３の近傍に閉じた状態で
形成される。このような磁場Ｍを形成する際には、前述
した磁石１４の移動機構などを設けることが好ましい。
なお、バッキングプレート１５内の磁石１４は複数とし
てもよく、この場合には隣り合う磁石１４の磁極が同極
となるように配置する。また、図４に示したような磁石
配置を適用することもできる。さらに、トロイダル磁石
などを使用することも可能である。
たように、磁場Ｍはカソード１３の近傍に閉じた状態で
形成される。このような磁場Ｍを形成する際には、前述
した磁石１４の移動機構などを設けることが好ましい。
なお、バッキングプレート１５内の磁石１４は複数とし
てもよく、この場合には隣り合う磁石１４の磁極が同極
となるように配置する。また、図４に示したような磁石
配置を適用することもできる。さらに、トロイダル磁石
などを使用することも可能である。
【００５２】また前述した第１の実施形態と同様に、カ
ソード１３に加える電圧は高周波の交流および直流のい
ずれであってもよく、ターゲット材質などに応じて適宜
選択することができる。また、複数のカソード１３をい
くつかのグループに分け、各グループ毎にそれぞれ異な
る電圧を加えるようにしてもよい。
ソード１３に加える電圧は高周波の交流および直流のい
ずれであってもよく、ターゲット材質などに応じて適宜
選択することができる。また、複数のカソード１３をい
くつかのグループに分け、各グループ毎にそれぞれ異な
る電圧を加えるようにしてもよい。
【００５３】上述したようなスパッタリング装置１８
は、カソード１３を基板１１に対してオフアクシス配置
としているため、第１の実施形態と同様に、高エネルギ
ー粒子による照射損傷を抑制することができる。その上
で、平板状バッキングプレート１５の両側にそれぞれタ
ーゲット１６を取り付けているため、基板１１の成膜面
を含む位置（成膜面と相対する位置）にカソード１３を
設置することができる。このため、第１の実施形態と同
様に、基板１１の大口径化に対してカソード１３の数を
単に増やすことで対応することが可能となる。
は、カソード１３を基板１１に対してオフアクシス配置
としているため、第１の実施形態と同様に、高エネルギ
ー粒子による照射損傷を抑制することができる。その上
で、平板状バッキングプレート１５の両側にそれぞれタ
ーゲット１６を取り付けているため、基板１１の成膜面
を含む位置（成膜面と相対する位置）にカソード１３を
設置することができる。このため、第１の実施形態と同
様に、基板１１の大口径化に対してカソード１３の数を
単に増やすことで対応することが可能となる。
【００５４】このように、第２の実施形態のスパッタリ
ング装置１８においても、オフアクシス配置により照射
損傷を抑制した上で、基板１１の直径などに対応させた
数のカソード１３を基板１１の成膜面を含む位置に設置
することにより、大口径の基板１１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
ング装置１８においても、オフアクシス配置により照射
損傷を抑制した上で、基板１１の直径などに対応させた
数のカソード１３を基板１１の成膜面を含む位置に設置
することにより、大口径の基板１１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
【００５５】スパッタリング装置１０、１８により形成
する薄膜は、特に限定されるものではないが、ターゲッ
ト１６から飛び出した酸素などの負イオンがカソードシ
ースで加速されて高エネルギー粒子となり、これが基板
１１中に直接飛び込んだ場合に損傷が生じやすい酸化物
系の薄膜、例えば超電導酸化膜、強磁性酸化膜、強誘電
性酸化膜などの機能性薄膜に対して特に有効である。こ
のほか、酸化物以外の化合物薄膜に対しても本発明は有
効である。
する薄膜は、特に限定されるものではないが、ターゲッ
ト１６から飛び出した酸素などの負イオンがカソードシ
ースで加速されて高エネルギー粒子となり、これが基板
１１中に直接飛び込んだ場合に損傷が生じやすい酸化物
系の薄膜、例えば超電導酸化膜、強磁性酸化膜、強誘電
性酸化膜などの機能性薄膜に対して特に有効である。こ
のほか、酸化物以外の化合物薄膜に対しても本発明は有
効である。
【００５６】なお、上述した実施形態のスパッタリング
装置１０、１８では、複数のカソード１３の配置関係を
平行配置もしくは直交配置としたが、本発明の第１のス
パッタリング装置におけるカソードの配置はこれらに限
られるものではなく、例えば同心多角形状の配置など、
目的に応じて種々の配置位置を採用することができる。
次に、本発明の第２のスパッタリング装置の実施形態
について、図９および図１０を参照して説明する。
装置１０、１８では、複数のカソード１３の配置関係を
平行配置もしくは直交配置としたが、本発明の第１のス
パッタリング装置におけるカソードの配置はこれらに限
られるものではなく、例えば同心多角形状の配置など、
目的に応じて種々の配置位置を採用することができる。
次に、本発明の第２のスパッタリング装置の実施形態
について、図９および図１０を参照して説明する。
【００５７】これらの図に示すスパッタリング装置２０
において、薄膜が被着される基板２１は図示を省略した
基板ホルダの下面側に保持されている。基板２１の成膜
面と対向する位置には、複数のカソード２２が立設され
ている。これら複数のカソード２２は、例えば図１０に
示すような円筒状の磁石２３と図示しない冷却機構とを
内蔵した円柱状のカソード本体２４を有し、その円柱面
（円柱表面）に沿って円筒状のターゲット２５が支持さ
れている。
において、薄膜が被着される基板２１は図示を省略した
基板ホルダの下面側に保持されている。基板２１の成膜
面と対向する位置には、複数のカソード２２が立設され
ている。これら複数のカソード２２は、例えば図１０に
示すような円筒状の磁石２３と図示しない冷却機構とを
内蔵した円柱状のカソード本体２４を有し、その円柱面
（円柱表面）に沿って円筒状のターゲット２５が支持さ
れている。
【００５８】すなわち、円柱状カソード２２は、円筒状
のターゲット２５の軸方向（円筒軸方向）が基板２１の
成膜面に対して垂直となるように設置されており、円筒
状のターゲット２５はオフアクシス配置とされている。
言い換えると、円筒状ターゲット２５はその円筒表面
（ターゲット面）と基板２１の成膜面との位置関係が90
度となるように配置されている。ここで、基板２１とタ
ーゲット面との角度は厳密に90度である必要はなく、成
膜速度や損傷の角度依存性に応じて、例えば60〜120度
程度の範囲から適宜設定することができる。本発明にお
けるオフアクシス配置は、これらの角度を含むものとす
る。
のターゲット２５の軸方向（円筒軸方向）が基板２１の
成膜面に対して垂直となるように設置されており、円筒
状のターゲット２５はオフアクシス配置とされている。
言い換えると、円筒状ターゲット２５はその円筒表面
（ターゲット面）と基板２１の成膜面との位置関係が90
度となるように配置されている。ここで、基板２１とタ
ーゲット面との角度は厳密に90度である必要はなく、成
膜速度や損傷の角度依存性に応じて、例えば60〜120度
程度の範囲から適宜設定することができる。本発明にお
けるオフアクシス配置は、これらの角度を含むものとす
る。
【００５９】基板２１と複数のカソード２２との位置関
係は、複数のカソード２２の少なくとも一部が基板２１
の成膜面を含む位置に、上述したオフアクシス配置され
るように適当な間隔で設置されている。従って、ターゲ
ット２５から垂直方向に飛び出す成分は、隣接するカソ
ード２２のターゲット２５に付着して再利用される。カ
ソード２２の設置数は、基板２１の直径（成膜面の面
積）、カソード２２の大きさなどに応じて適宜設定する
ものとする。
係は、複数のカソード２２の少なくとも一部が基板２１
の成膜面を含む位置に、上述したオフアクシス配置され
るように適当な間隔で設置されている。従って、ターゲ
ット２５から垂直方向に飛び出す成分は、隣接するカソ
ード２２のターゲット２５に付着して再利用される。カ
ソード２２の設置数は、基板２１の直径（成膜面の面
積）、カソード２２の大きさなどに応じて適宜設定する
ものとする。
【００６０】また、基板２１と複数のカソード２２とは
相対的に移動させることができ、この場合にはより少な
いカソード数で均一成膜を実現することができる。複数
のカソード２２は 1つの支持台に設置するようにしても
よく、これによりターゲット２２の移動や交換を容易に
することができる。
相対的に移動させることができ、この場合にはより少な
いカソード数で均一成膜を実現することができる。複数
のカソード２２は 1つの支持台に設置するようにしても
よく、これによりターゲット２２の移動や交換を容易に
することができる。
【００６１】カソード本体２４に内蔵される磁石は、永
久磁石２３に限られるものではなく、電磁石を使用する
こともでき、これらのうちから都合のよい方を選択すれ
ばよい。永久磁石２３を使用する場合には、ネオジウム
−鉄−ボロン系やサマリウム−コバルト系などの保磁力
の大きな磁石を使用することが望ましい。カソード本体
２４内の磁石は移動可能とすることができる。磁石の移
動はターゲット２５を均一に使用し、基板２１内の膜厚
分布などを均ー化する上で有効である。
久磁石２３に限られるものではなく、電磁石を使用する
こともでき、これらのうちから都合のよい方を選択すれ
ばよい。永久磁石２３を使用する場合には、ネオジウム
−鉄−ボロン系やサマリウム−コバルト系などの保磁力
の大きな磁石を使用することが望ましい。カソード本体
２４内の磁石は移動可能とすることができる。磁石の移
動はターゲット２５を均一に使用し、基板２１内の膜厚
分布などを均ー化する上で有効である。
【００６２】カソード本体２４内に内蔵される永久磁石
２３としては、単数または複数の円筒状の磁石を使用
し、磁化の方向はターゲット面と平行で、かつ基板面と
垂直とする。複数の磁石２３を用いた場合の一例を図１
０に示す。この場合、隣接する磁石２３の磁極を同極、
言い換えると隣接する磁石２３の磁化方向は逆となるよ
うに、複数の磁石２３を配置する。このような磁石配置
によれば、図１０に示したように、磁場Ｍはカソード２
２の近傍に閉じた状態で形成される。このような磁場Ｍ
を形成する際には、前述したように磁石２３の移動機構
などを設けることが好ましい。
２３としては、単数または複数の円筒状の磁石を使用
し、磁化の方向はターゲット面と平行で、かつ基板面と
垂直とする。複数の磁石２３を用いた場合の一例を図１
０に示す。この場合、隣接する磁石２３の磁極を同極、
言い換えると隣接する磁石２３の磁化方向は逆となるよ
うに、複数の磁石２３を配置する。このような磁石配置
によれば、図１０に示したように、磁場Ｍはカソード２
２の近傍に閉じた状態で形成される。このような磁場Ｍ
を形成する際には、前述したように磁石２３の移動機構
などを設けることが好ましい。
【００６３】また、上述したように、柱状カソードを基
板２１の成膜面に対してオフアクシス配置とする場合に
は、図９および図１０に示したような円柱状カソード２
２に限らず、例えば図１１に示すような角柱状のカソー
ド２６を使用することができる。これは軸方向が基板面
に対して垂直となるように設置される。図１１に示す角
柱状カソード２６は、図示を省略した磁石および冷却機
構を内蔵した角柱状のカソード本体２７を有し、その角
柱面に沿って角筒状のターゲット２８が支持されてい
る。
板２１の成膜面に対してオフアクシス配置とする場合に
は、図９および図１０に示したような円柱状カソード２
２に限らず、例えば図１１に示すような角柱状のカソー
ド２６を使用することができる。これは軸方向が基板面
に対して垂直となるように設置される。図１１に示す角
柱状カソード２６は、図示を省略した磁石および冷却機
構を内蔵した角柱状のカソード本体２７を有し、その角
柱面に沿って角筒状のターゲット２８が支持されてい
る。
【００６４】カソード２２、２６に加える電圧は、高周
波の交流および直流のいずれであってもよく、ターゲッ
ト材質などに応じて適宜選択することができる。また、
複数のカソード２２、２６をいくつかのグループに分
け、各グループ毎にそれぞれ異なる電圧を加えるように
してもよい。高周波の場合には、相互の干渉の問題から
2つ程度のグループに分けることができる。直流の場合
には、任意の数のグループに分けることができる。カソ
ード２２、２６を複数のグループに分けて電圧を調整す
ることによって、基板２１の成膜面積に対して小さなカ
ソード群の面積で基板面内の均一性の向上を図ることが
可能になる。
波の交流および直流のいずれであってもよく、ターゲッ
ト材質などに応じて適宜選択することができる。また、
複数のカソード２２、２６をいくつかのグループに分
け、各グループ毎にそれぞれ異なる電圧を加えるように
してもよい。高周波の場合には、相互の干渉の問題から
2つ程度のグループに分けることができる。直流の場合
には、任意の数のグループに分けることができる。カソ
ード２２、２６を複数のグループに分けて電圧を調整す
ることによって、基板２１の成膜面積に対して小さなカ
ソード群の面積で基板面内の均一性の向上を図ることが
可能になる。
【００６５】上述したようなスパッタリング装置２０
は、カソード２２、２６を基板２１に対してオフアクシ
ス配置としているため、ターゲット面の延長線上に放射
される高エネルギー粒子による照射損傷を抑制すること
ができる。その上で、柱状カソード本体２４、２７の外
周面に沿って円筒状ターゲット２５や角筒状ターゲット
２８を配置しているため、基板２１の成膜面を含む位置
（成膜面と相対する位置）にカソード２２、２６を設置
することができる。このため、基板２１の大口径化に対
してカソード数を単に増やすことで対応することが可能
となる。また、柱状カソード２２、２６の 1つ当りの大
きさを小さくすることができるため、酸化物などからな
る円筒状ターゲット２５や角筒状ターゲット２８であっ
ても、比較的容易に作製することができる。
は、カソード２２、２６を基板２１に対してオフアクシ
ス配置としているため、ターゲット面の延長線上に放射
される高エネルギー粒子による照射損傷を抑制すること
ができる。その上で、柱状カソード本体２４、２７の外
周面に沿って円筒状ターゲット２５や角筒状ターゲット
２８を配置しているため、基板２１の成膜面を含む位置
（成膜面と相対する位置）にカソード２２、２６を設置
することができる。このため、基板２１の大口径化に対
してカソード数を単に増やすことで対応することが可能
となる。また、柱状カソード２２、２６の 1つ当りの大
きさを小さくすることができるため、酸化物などからな
る円筒状ターゲット２５や角筒状ターゲット２８であっ
ても、比較的容易に作製することができる。
【００６６】このように、この実施形態のスパッタリン
グ装置２０によれば、オフアクシス配置により照射損傷
を抑制した上で、基板２１の直径などに対応させた数の
カソード２２、２６を基板２１の成膜面を含む位置に設
置することにより、大口径の基板２１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
グ装置２０によれば、オフアクシス配置により照射損傷
を抑制した上で、基板２１の直径などに対応させた数の
カソード２２、２６を基板２１の成膜面を含む位置に設
置することにより、大口径の基板２１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
【００６７】次に、本発明の第２のスパッタリング装置
の第２の実施形態について、図１２を参照して説明す
る。
の第２の実施形態について、図１２を参照して説明す
る。
【００６８】図１２に示すスパッタリング装置２９は、
円筒状ターゲット２５の軸方向（円筒軸方向）が基板２
１の成膜面と平行となるように、複数の円柱状カソード
２２を並列配置したものである。それ以外の構成につい
ては、スパッタリング装置２０と同一構成されており、
各種の条件などについても同様である。円柱状カソード
２２の設置数は、基板２１の直径（成膜面の面積）、カ
ソード２２の大きさなどに応じて適宜設定するものとす
る。また、基板２１と複数のカソード２２とを相対的に
移動させるようにしてもよい。
円筒状ターゲット２５の軸方向（円筒軸方向）が基板２
１の成膜面と平行となるように、複数の円柱状カソード
２２を並列配置したものである。それ以外の構成につい
ては、スパッタリング装置２０と同一構成されており、
各種の条件などについても同様である。円柱状カソード
２２の設置数は、基板２１の直径（成膜面の面積）、カ
ソード２２の大きさなどに応じて適宜設定するものとす
る。また、基板２１と複数のカソード２２とを相対的に
移動させるようにしてもよい。
【００６９】このようなスパッタリング装置２９は、基
板２１に対して円筒状ターゲット２５を有する円柱状カ
ソード２２を配置しているため、高エネルギー粒子は放
射状に飛び出し、高エネルギー粒子による照射損傷を抑
制することができる。その上で、複数の円柱状カソード
２２を基板２１の成膜面に対して並列配置しているた
め、基板２１の大口径化に対してカソード数を単に増や
すことで対応することが可能となる。また、円柱状カソ
ード２２の 1つ当りの大きさは小さくすることができる
ため、酸化物などからなる円筒状ターゲット２５であっ
ても、比較的容易に作製することができる。
板２１に対して円筒状ターゲット２５を有する円柱状カ
ソード２２を配置しているため、高エネルギー粒子は放
射状に飛び出し、高エネルギー粒子による照射損傷を抑
制することができる。その上で、複数の円柱状カソード
２２を基板２１の成膜面に対して並列配置しているた
め、基板２１の大口径化に対してカソード数を単に増や
すことで対応することが可能となる。また、円柱状カソ
ード２２の 1つ当りの大きさは小さくすることができる
ため、酸化物などからなる円筒状ターゲット２５であっ
ても、比較的容易に作製することができる。
【００７０】このように、この実施形態のスパッタリン
グ装置１８によれば、円筒状ターゲット２５により照射
損傷を抑制した上で、基板２１の直径などに対応させた
数のカソード２２を基板２１の成膜面を含む位置に設置
することにより、大口径の基板２１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
グ装置１８によれば、円筒状ターゲット２５により照射
損傷を抑制した上で、基板２１の直径などに対応させた
数のカソード２２を基板２１の成膜面を含む位置に設置
することにより、大口径の基板２１に対して膜厚、組
成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種薄膜を再
現性よく形成することが可能となる。
【００７１】また、図９および図１０に示したような円
柱状カソード２２に代えて、例えば図１３に示すような
半球状のカソード３０を使用してもよい。図１３に示す
半球状カソード３０は、図示を省略した磁石および冷却
機構を内蔵した半球状のカソード本体３１を有し、その
球面に沿って半球状のターゲット３２が支持されてい
る。このような半球状カソード３０を複数用意し、それ
らを基板２１の成膜面と相対して設置することによっ
て、照射損傷を抑制した上で大口径の基板２１に対して
膜厚、組成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種
薄膜を再現性よく形成することが可能となる。
柱状カソード２２に代えて、例えば図１３に示すような
半球状のカソード３０を使用してもよい。図１３に示す
半球状カソード３０は、図示を省略した磁石および冷却
機構を内蔵した半球状のカソード本体３１を有し、その
球面に沿って半球状のターゲット３２が支持されてい
る。このような半球状カソード３０を複数用意し、それ
らを基板２１の成膜面と相対して設置することによっ
て、照射損傷を抑制した上で大口径の基板２１に対して
膜厚、組成、結晶性などの面内均一性を向上させた各種
薄膜を再現性よく形成することが可能となる。
【００７２】スパッタリング装置２０、２９により形成
する薄膜は、特に限定されるものではないが、前述した
第１のスパッタリング装置と同様に、照射損傷が生じや
すい酸化物系の薄膜、例えば超電導酸化膜、強磁性酸化
膜、強誘電性酸化膜などの機能性薄膜に対して特に有効
である。このほか、酸化物以外の化合物薄膜に対しても
本発明は有効である。
する薄膜は、特に限定されるものではないが、前述した
第１のスパッタリング装置と同様に、照射損傷が生じや
すい酸化物系の薄膜、例えば超電導酸化膜、強磁性酸化
膜、強誘電性酸化膜などの機能性薄膜に対して特に有効
である。このほか、酸化物以外の化合物薄膜に対しても
本発明は有効である。
【００７３】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について述べる。
価結果について述べる。
【００７４】実施例１ この実施例１では、図１、図２および図３に示したオフ
アクシス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、
基板ホルダ１２に支持された直径 150mm径のＳｉ基板１
１に相対して、平板状のバッキングプレート１５の両側
に 200×50×5mm3 サイズのターゲット１６をそれぞれ
取り付けたカソード１３を、50mmピッチで 5枚設置し
た。
アクシス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、
基板ホルダ１２に支持された直径 150mm径のＳｉ基板１
１に相対して、平板状のバッキングプレート１５の両側
に 200×50×5mm3 サイズのターゲット１６をそれぞれ
取り付けたカソード１３を、50mmピッチで 5枚設置し
た。
【００７５】カソード１３は図３に示したように、バッ
キングプレート１５内部に30×60×3mm3 サイズのネオ
ジウム−鉄−ボロン系永久磁石１４を 6枚内蔵してお
り、磁化方向はターゲット面および基板面に平行で、隣
り合う磁石の磁化の向きが逆となるように設定し、図中
に示すようにカソード１３近傍で磁場が閉じるようにし
た。また、永久磁石１４全体がカソード１３の長手方向
に往復運動できるような機構をバッキングプレート１５
内に内蔵した。
キングプレート１５内部に30×60×3mm3 サイズのネオ
ジウム−鉄−ボロン系永久磁石１４を 6枚内蔵してお
り、磁化方向はターゲット面および基板面に平行で、隣
り合う磁石の磁化の向きが逆となるように設定し、図中
に示すようにカソード１３近傍で磁場が閉じるようにし
た。また、永久磁石１４全体がカソード１３の長手方向
に往復運動できるような機構をバッキングプレート１５
内に内蔵した。
【００７６】このようなオフアクシス型スパッタリング
装置を使用して、ターゲット１６を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板
上に成膜を行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得
られ、 150mmウエハ全体に渡って±5%以内の非常に優れ
た膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比
についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
装置を使用して、ターゲット１６を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板
上に成膜を行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得
られ、 150mmウエハ全体に渡って±5%以内の非常に優れ
た膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比
についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
【００７７】実施例２ 実施例２では、スパッタリング装置の全体構成は実施例
１とほぼ同様とし、カソード１３内部の磁石配置を図４
に示したような配置とした。すなわち、バッキングプレ
ート１５の内部には、15×60× 3mm3 サイズのネオジウ
ム−鉄−ボロン系永久磁石１４を 6枚内蔵しており、磁
化方向はターゲット面に垂直で、基板面に平行とし、隣
り合う磁石１４の磁化の向きが逆となるように設定し、
図中に示すようにカソード１３近傍で磁場が閉じるよう
にした。また、永久磁石１４全体がカソード１３の長手
方向に往復運動できるような機構をバッキングプレート
１５内に内蔵した。
１とほぼ同様とし、カソード１３内部の磁石配置を図４
に示したような配置とした。すなわち、バッキングプレ
ート１５の内部には、15×60× 3mm3 サイズのネオジウ
ム−鉄−ボロン系永久磁石１４を 6枚内蔵しており、磁
化方向はターゲット面に垂直で、基板面に平行とし、隣
り合う磁石１４の磁化の向きが逆となるように設定し、
図中に示すようにカソード１３近傍で磁場が閉じるよう
にした。また、永久磁石１４全体がカソード１３の長手
方向に往復運動できるような機構をバッキングプレート
１５内に内蔵した。
【００７８】このようなオフアクシス型スパッタリング
装置を使用して、実施例１と同一条件でＳｉ基板上にＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を成膜した。その結果、実施例
１と同様に成膜速度が大きく、かつ均一な膜厚、組成分
布、膜質を持つ膜が得られた。実施例３ 実施例３では、スパッタリング装置の全体構成は実施例
１とほぼ同様とし、カソード１３内部の磁石配置を図５
に示したような配置とした。すなわち、バッキングプレ
ート１５の内部には、20×60× 3mm3 サイズのネオジウ
ム−鉄−ボロン系永久磁石１４が６枚内蔵されており、
磁化の方向はターゲット面に垂直で、基板面に平行と
し、隣り合う磁石１４の磁化の向きを同一になるように
設定した。図５に示すように、隣接したカソード１３間
にはターゲット面に垂直な磁場が形成され、カソード１
３間にプラズマを閉じ込める作用を有している。
装置を使用して、実施例１と同一条件でＳｉ基板上にＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を成膜した。その結果、実施例
１と同様に成膜速度が大きく、かつ均一な膜厚、組成分
布、膜質を持つ膜が得られた。実施例３ 実施例３では、スパッタリング装置の全体構成は実施例
１とほぼ同様とし、カソード１３内部の磁石配置を図５
に示したような配置とした。すなわち、バッキングプレ
ート１５の内部には、20×60× 3mm3 サイズのネオジウ
ム−鉄−ボロン系永久磁石１４が６枚内蔵されており、
磁化の方向はターゲット面に垂直で、基板面に平行と
し、隣り合う磁石１４の磁化の向きを同一になるように
設定した。図５に示すように、隣接したカソード１３間
にはターゲット面に垂直な磁場が形成され、カソード１
３間にプラズマを閉じ込める作用を有している。
【００７９】このようなオフアクシス型スパッタリング
装置を使用して、実施例１と同一条件でＳｉ基板上にＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を成膜した。その結果、実施例
１と同様に成膜速度が大きく、かつ均一な膜厚、組成分
布、膜質を持つ膜が得られ、特に組成分布や膜質の面内
均一性に優れるものであった。
装置を使用して、実施例１と同一条件でＳｉ基板上にＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ薄膜を成膜した。その結果、実施例
１と同様に成膜速度が大きく、かつ均一な膜厚、組成分
布、膜質を持つ膜が得られ、特に組成分布や膜質の面内
均一性に優れるものであった。
【００８０】実施例４ この実施例４では、図６、図７および図８に示したオフ
アクシス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、
基板ホルダ１２に支持された直径 150mm径のＳｉ基板１
１に相対して、平板状のバッキングプレート１５の両側
に40×50× 3mm3 サイズのターゲット１６をそれぞれ取
り付けたカソード１３を、直交した 2方向に50mmピッチ
で合計32枚設置した。
アクシス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、
基板ホルダ１２に支持された直径 150mm径のＳｉ基板１
１に相対して、平板状のバッキングプレート１５の両側
に40×50× 3mm3 サイズのターゲット１６をそれぞれ取
り付けたカソード１３を、直交した 2方向に50mmピッチ
で合計32枚設置した。
【００８１】カソード１３は図８に示したように、バッ
キングプレート１５内部に40×60×3mm3 サイズのネオ
ジウム−鉄−ボロン系永久磁石を各１枚内蔵しており、
磁化の方向はターゲット面および基板面に平行とした。
また、隣り合うカソード１３間で磁場が閉じないよう
に、隣接するカソード１３の磁極は同極とした。
キングプレート１５内部に40×60×3mm3 サイズのネオ
ジウム−鉄−ボロン系永久磁石を各１枚内蔵しており、
磁化の方向はターゲット面および基板面に平行とした。
また、隣り合うカソード１３間で磁場が閉じないよう
に、隣接するカソード１３の磁極は同極とした。
【００８２】このようなオフアクシス型スパッタリング
装置を使用して、ターゲット１６を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板
上に成膜を行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得
られ、 150mmウエハ全体に渡って±4%以内の非常に優れ
た膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比
についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
装置を使用して、ターゲット１６を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板
上に成膜を行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得
られ、 150mmウエハ全体に渡って±4%以内の非常に優れ
た膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比
についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
【００８３】実施例５ この実施例５では、図９および図１０に示したオフアク
シス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、基板
ホルダに支持された直径 150mm径のＳｉ基板２１に相対
して、外径26mm、長さ 100mmの円筒状ターゲット２５を
備えたカソード２２を、その軸方向が基板面と垂直とな
るように50mmピッチで正三角状に19本設置した。
シス型スパッタリング装置を作製した。すなわち、基板
ホルダに支持された直径 150mm径のＳｉ基板２１に相対
して、外径26mm、長さ 100mmの円筒状ターゲット２５を
備えたカソード２２を、その軸方向が基板面と垂直とな
るように50mmピッチで正三角状に19本設置した。
【００８４】各カソード２２は図１０に示したように、
外径15mm、長さ18mmの円筒状のネオジウム−鉄−ボロン
系永久磁石を 5個内蔵しており、磁化方向はカソード軸
に平行で、隣り合う磁石の磁化の向きが逆となるように
設定し、図中に示すようにカソード２２近傍で磁場が閉
じるようにした。また、永久磁石全体がカソードの長手
方向に往復運動できるような機構を内蔵した。
外径15mm、長さ18mmの円筒状のネオジウム−鉄−ボロン
系永久磁石を 5個内蔵しており、磁化方向はカソード軸
に平行で、隣り合う磁石の磁化の向きが逆となるように
設定し、図中に示すようにカソード２２近傍で磁場が閉
じるようにした。また、永久磁石全体がカソードの長手
方向に往復運動できるような機構を内蔵した。
【００８５】このようなオフアクシス型スパッタリング
装置を使用して、ターゲット２５を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1.5kWとして、Ｓｉ基
板上に成膜を行った。その結果、 2mm/minの成膜速度が
得られ、 150mmウエハ全体に渡って±4%以内の非常に優
れた膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成
比についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
装置を使用して、ターゲット２５を全てＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-δとし、ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧
を 4Pa、トータルのＲＦパワーを 1.5kWとして、Ｓｉ基
板上に成膜を行った。その結果、 2mm/minの成膜速度が
得られ、 150mmウエハ全体に渡って±4%以内の非常に優
れた膜厚分布が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成
比についても、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
【００８６】実施例６ この実施例６では、図１２に示したスパッタリング装置
を作製した。すなわち、基板ホルダに支持された直径 1
50mm径のＳｉ基板２１に相対して、外径22mm、長さ 200
mmの円筒状ターゲット２５を備えたカソード２２を、そ
の軸方向が基板面と平行となるように35mmピッチで 8本
設置した。各カソード２２の内部構造は実施例５とほぼ
同様とした。
を作製した。すなわち、基板ホルダに支持された直径 1
50mm径のＳｉ基板２１に相対して、外径22mm、長さ 200
mmの円筒状ターゲット２５を備えたカソード２２を、そ
の軸方向が基板面と平行となるように35mmピッチで 8本
設置した。各カソード２２の内部構造は実施例５とほぼ
同様とした。
【００８７】このようなスパッタリング装置を使用し
て、ターゲット２５を全てＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δとし、
ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧を 6.5Pa、ト
ータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板上に成膜を
行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得られ、 150
mmウエハ全体に渡って±5%以内の非常に優れた膜厚分布
が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比について
も、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
て、ターゲット２５を全てＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δとし、
ＡｒガスとＯ2 ガスの流量比を 4:1、全圧を 6.5Pa、ト
ータルのＲＦパワーを 1kWとして、Ｓｉ基板上に成膜を
行った。その結果、 3mm/minの成膜速度が得られ、 150
mmウエハ全体に渡って±5%以内の非常に優れた膜厚分布
が得られた。また、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕの組成比について
も、±2%以内と優れた組成分布が得られた。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リング装置によれば、成膜中の基板への高速粒子の照射
による損傷を抑制した上で、大口径基板に対しても膜
厚、組成、結晶性などの面内均一性に優れる薄膜、特に
高機能性膜を安定して作製することが可能となる。
リング装置によれば、成膜中の基板への高速粒子の照射
による損傷を抑制した上で、大口径基板に対しても膜
厚、組成、結晶性などの面内均一性に優れる薄膜、特に
高機能性膜を安定して作製することが可能となる。
【図１】 本発明の第１のスパッタリング装置の第１の
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
【図２】 図１に示すスパッタリング装置の配置を示す
図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
【図３】 図１に示すスパッタリング装置に用いたカソ
ード構造の一例を示す図である。
ード構造の一例を示す図である。
【図４】 図１に示すスパッタリング装置に用いたカソ
ード構造の他の例を示す図である。
ード構造の他の例を示す図である。
【図５】 図１に示すスパッタリング装置に用いたカソ
ード構造のさらに他の例を示す図である。
ード構造のさらに他の例を示す図である。
【図６】 本発明の第１のスパッタリング装置の第２の
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
【図７】 図６に示すスパッタリング装置の配置を示す
図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
【図８】 図６に示すスパッタリング装置に用いたカソ
ード構造の一例を示す図である。
ード構造の一例を示す図である。
【図９】 本発明の第２のスパッタリング装置の第１の
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
【図１０】 図９に示すスパッタリング装置に用いたカ
ソード構造の一例を示す図である。
ソード構造の一例を示す図である。
【図１１】 図９に示すスパッタリング装置に用いられ
るカソードの他の例を示す図である。
るカソードの他の例を示す図である。
【図１２】 本発明の第２のスパッタリング装置の第２
の実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
の実施形態の要部概略構造を示す斜視図である。
【図１３】 図１２に示すスパッタリング装置に用いら
れるカソードの他の例を示す図である。
れるカソードの他の例を示す図である。
【図１４】 従来の平行平板型スパッタリング装置の要
部概略構造を示す斜視図である。
部概略構造を示す斜視図である。
【図１５】 従来のオフアクシス型スパッタリング装置
の一例の要部概略構造を示す図である。
の一例の要部概略構造を示す図である。
【図１６】 従来のオフアクシス型スパッタリング装置
の他の例の要部概略構造を示す図である。
の他の例の要部概略構造を示す図である。
【図１７】 従来の同軸型スパッタリング装置の一例の
要部構造を示す図である。
要部構造を示す図である。
１０、１８、２０……オフアクシス型スパッタリング装
置 １１、２１……基板 １２……基板ホルダ １３、２２……カソード １４、２３……磁石 １５……平板状バッキングプレート １６……ターゲット ２４……円柱状カソード本体 ２５……円筒状ターゲット ２９……スパッタリング装置
置 １１、２１……基板 １２……基板ホルダ １３、２２……カソード １４、２３……磁石 １５……平板状バッキングプレート １６……ターゲット ２４……円柱状カソード本体 ２５……円筒状ターゲット ２９……スパッタリング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市原 勝太郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板を保持する基板ホルダと、 磁石を内蔵した平板状のバッキングプレートと、前記バ
ッキングプレートの両側に支持された 2枚のターゲット
とを有し、前記ターゲットが前記基板の成膜面に対して
オフアクシス配置となるように設置された複数のカソー
ドとを具備することを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、 前記複数のカソードは互いに略平行に設置されているこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、 前記複数のカソードは互いに井桁状に設置されているこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２または請求項３記載
のスパッタリング装置において、 前記複数のカソードの少なくとも一部は前記基板の成膜
面と相対すると共に、前記成膜面を含む位置に設置され
ていることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項５】 基板を保持する基板ホルダと、 磁石を内蔵した柱状のカソード本体と、前記カソード本
体の外周面に沿って支持されたターゲットとを有し、前
記基板の成膜面と対向するように設置された複数のカソ
ードとを具備することを特徴とするスパッタリング装
置。 - 【請求項６】 請求項５記載のスパッタリング装置にお
いて、 前記カソード本体は円柱状、角柱状または半球状の形状
を有し、前記ターゲットは前記円柱状カソード本体の円
柱面、前記角柱状カソード本体の側面または前記半球状
カソード本体の球面に沿って支持されていることを特徴
とするスパッタリング装置。 - 【請求項７】 請求項５記載のスパッタリング装置にお
いて、 前記カソード本体は前記柱状形状の軸方向が前記基板の
成膜面に対してオフアクシス配置となるように設置され
ていることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項８】 請求項５記載のスパッタリング装置にお
いて、 前記カソード本体は前記柱状形状の軸方向が前記基板の
成膜面に対して略平行となるように設置されていること
を特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項９】 請求項１または請求項５記載のスパッタ
リング装置において、前記基板ホルダと前記複数のカソ
ードとは相対的に移動可能とされていることを特徴とす
るスパッタリング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107762A JPH11302839A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | スパッタリング装置 |
| US09/292,623 US6077406A (en) | 1998-04-17 | 1999-04-16 | Sputtering system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107762A JPH11302839A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302839A true JPH11302839A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14467359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10107762A Pending JPH11302839A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | スパッタリング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6077406A (ja) |
| JP (1) | JPH11302839A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001065588A3 (en) * | 2000-03-02 | 2002-02-07 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for performing highly ionized, low energy physical vapor deposition |
| JP2013057095A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100296392B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-07-12 | 박호군 | 직류전원플라즈마화학증착법에 의한 다이아몬드막 합성장치 |
| JP3944341B2 (ja) | 2000-03-28 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 酸化物エピタキシャル歪格子膜の製造法 |
| SG90171A1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-07-23 | Inst Data Storage | Sputtering device |
| US6761804B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-07-13 | Applied Materials, Inc. | Inverted magnetron |
| JP3842159B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドーピング装置 |
| JP3776889B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7063984B2 (en) * | 2003-03-13 | 2006-06-20 | Unity Semiconductor Corporation | Low temperature deposition of complex metal oxides (CMO) memory materials for non-volatile memory integrated circuits |
| US20050056535A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Makoto Nagashima | Apparatus for low temperature semiconductor fabrication |
| US6962648B2 (en) * | 2003-09-15 | 2005-11-08 | Global Silicon Net Corp. | Back-biased face target sputtering |
| US20060249370A1 (en) * | 2003-09-15 | 2006-11-09 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device |
| US7837836B2 (en) * | 2004-02-12 | 2010-11-23 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multi-stage sputter deposition of uniform thickness layers |
| US20060081466A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Nagashima | High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source |
| US20060081467A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Nagashima | Systems and methods for magnetron deposition |
| US7425504B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-09-16 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for plasma etching |
| KR100719470B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2007-05-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 구동 장치, 광학 기기 및 촬상 장치 |
| US20070051388A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus |
| US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
| US8395199B2 (en) | 2006-03-25 | 2013-03-12 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| KR101275924B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2013-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치, 그 구동 방법 및 이를 이용한 패널 제조방법 |
| US20080011603A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Makoto Nagashima | Ultra high vacuum deposition of PCMO material |
| US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US7932548B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-26 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| US8308915B2 (en) | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
| WO2009082763A2 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling plasma uniformity |
| JP4640457B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2011-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | スパッタリング装置 |
| US9343273B2 (en) * | 2008-09-25 | 2016-05-17 | Seagate Technology Llc | Substrate holders for uniform reactive sputtering |
| GB2473656A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-23 | Mantis Deposition Ltd | Sputter deposition using a cylindrical target |
| US20120193227A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-02 | Tryon Brian S | Magnet array for a physical vapor deposition system |
| US20150376772A1 (en) * | 2013-02-01 | 2015-12-31 | Regents Of The University Of Minnesota | Multi-surface nanoparticle sources and deposition systems |
| EP2956258A1 (en) | 2013-02-15 | 2015-12-23 | Regents of the University of Minnesota | Particle functionalization |
| JP2023027480A (ja) * | 2021-08-17 | 2023-03-02 | 株式会社東芝 | プラズマ源及びスイッチ装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158380A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
| JPS6277459A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Hitachi Ltd | スパツタ電極 |
| JPS63227772A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパツタ用タ−ゲツト |
| JPH01298154A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Kikuo Tominaga | 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置 |
| JPH0617248A (ja) * | 1992-06-11 | 1994-01-25 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | スパッタリング装置 |
-
1998
- 1998-04-17 JP JP10107762A patent/JPH11302839A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-16 US US09/292,623 patent/US6077406A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001065588A3 (en) * | 2000-03-02 | 2002-02-07 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for performing highly ionized, low energy physical vapor deposition |
| JP2013057095A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6077406A (en) | 2000-06-20 |
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