JP2013057095A - マグネトロンスパッタカソード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット1aと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット2aとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面12a、12cとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。
【選択図】図1
Description
Claims (4)
- 立体形状の輪郭を有するターゲットと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニットとを備え、このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面とし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成されることを特徴とするマグネトロンスパッタカソード。
- 前記ターゲットは、その長手方向にのびる貫通孔を有し、磁石ユニットは、ターゲットの内周面側の磁性をかえて貫通孔内に挿設された少なくとも一対のリング磁石を有し、ターゲットの外表面をスパッタ面とすることを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタカソード。
- 前記ターゲットは、その長手方向にのびる貫通孔を有し、磁石ユニットは、長手方向に直交する方向でターゲットの外周を囲い、かつ、ターゲットの外周面側の磁性をかえて長手方向に隣接配置される少なくとも一対のリング磁石を有し、ターゲットの内表面をスパッタ面としたことを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタカソード。
- 前記磁石ユニットをターゲットの長手方向全長に亘って移動自在な駆動手段を更に備えることを特徴とする請求項2または請求項3記載のマグネトロンスパッタカソード。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107614747A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-01-19 | 京浜乐梦金属科技株式会社 | 溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536282A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-20 | Philips Nv | Spattering process and apparatus |
JPH10125495A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Tohoku Unicom:Kk | 壁密着型電極を使用した位相制御多電極型交流放電装置 |
JPH11302839A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Toshiba Corp | スパッタリング装置 |
US6436252B1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-08-20 | Surface Engineered Products Corp. | Method and apparatus for magnetron sputtering |
JP2009256698A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | スパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置 |
US20120193226A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-02 | Beers Russell A | Physical vapor deposition system |
-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011195241A patent/JP5781408B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536282A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-20 | Philips Nv | Spattering process and apparatus |
JPS5947654U (ja) * | 1976-07-07 | 1984-03-29 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | スパツタリング装置 |
JPH10125495A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Tohoku Unicom:Kk | 壁密着型電極を使用した位相制御多電極型交流放電装置 |
JPH11302839A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Toshiba Corp | スパッタリング装置 |
US6436252B1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-08-20 | Surface Engineered Products Corp. | Method and apparatus for magnetron sputtering |
JP2009256698A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | スパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置 |
US20120193226A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-02 | Beers Russell A | Physical vapor deposition system |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107614747A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-01-19 | 京浜乐梦金属科技株式会社 | 溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法 |
US20180171464A1 (en) * | 2016-03-30 | 2018-06-21 | Keihin Ramtech Co., Ltd. | Sputtering cathode, sputtering device, and method for producing film-formed body |
US10692708B2 (en) | 2016-03-30 | 2020-06-23 | Keihin Ramtech Co., Ltd. | Sputtering cathode, sputtering device, and method for producing film-formed body |
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