JP2009293089A - スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ターゲット表面でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでのプラズマを減少して、低ダメージで低温成膜が可能なスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】真空維持可能な真空槽と、真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、基板に対し垂直方向でかつ互いに対向して2つのターゲットを配置するようにしたターゲットホルダーと、ターゲットホルダーに、直流または交流を印加するスパッタ電源と、真空槽内にガスを導入あるいは排気するガス供排気手段を備えたスパッタ装置において、2つのターゲットの後方に、向い合う極性が同じ磁石対を載置したターゲットホルダーを設けることで解決できる。
【選択図】図1
【解決手段】真空維持可能な真空槽と、真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、基板に対し垂直方向でかつ互いに対向して2つのターゲットを配置するようにしたターゲットホルダーと、ターゲットホルダーに、直流または交流を印加するスパッタ電源と、真空槽内にガスを導入あるいは排気するガス供排気手段を備えたスパッタ装置において、2つのターゲットの後方に、向い合う極性が同じ磁石対を載置したターゲットホルダーを設けることで解決できる。
【選択図】図1
Description
薄膜などのスパッタリング装置に関し、特に薄膜が低温で作製可能なスパッタリング装置に関するものである。
一般にスパッタリング装置は、低温でスパッタ膜を形成できることから半導体をはじめ有機ELを用いた表示装置や光学部品の基板材料、或いは、樹脂フィルム等への薄膜形成にも広く利用されている。また、対向ターゲット式スパッタリング装置は、特に低温で成膜できることから樹脂フィルムなどへの応用が検討されている(例えば、特許文献1に記載の内容)。
以下、図4を参照しながら、従来の対向ターゲット式スパッタ装置の一例について説明する。
真空槽1内に、一対のターゲット2,3が空間を隔てて平行に対面するように配置すると共に、基板4はターゲット2,3の側方に設けた基板ホルダー5により、ターゲット2,3の空間の側方に該空間に対面するように配置する。そして、ターゲットホルダー6,7は、空洞構造とし冷却水の供給管8a,9a及び排出管8b,9bを設け冷却可能とし、絶縁部材10,11を介して真空槽1に設置されている。
一方、磁界発生手段は2つのターゲットの後方に互いに向かい合う極性が異なる磁石対12,13である。なお、符号14,15は非磁性材料のアースシールドである。符号16は図示省略した排気系により、真空槽1を排気するための排気口、符号17は、図示省略したガス導入系から真空槽1内にガスを供給する導入口であり、符号18は直流又は交流からなるスパッタリング電源である。また、符号19,20は磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界であり、符号21,22は磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界である。符号23は対向する磁石対12,13の極性が異なることによるターゲット2,3の表面と垂直方向に発生する対向磁界である。
従って、図示省略した排気系により排気口16を通して真空槽1内を排気した後、図示省略したガス導入系から導入口17を通してアルゴン等のスパッタリングガスを導入し、図示のように直流又は交流電源からなるスパッタ電源18によりアースシールド14,15と真空槽1を陽極(接地)に、ターゲット2,3を陰極にしてスパッタリング電力を供給し、磁石対12,13により磁界を発生させることによりスパッタリングが行われ、基板4上にターゲット2,3に対応した組成の膜が形成される。この際、2つのターゲット2,3の空間内には、磁石対12,13による個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界19,20と、対向する磁石対12,13の極性が異なることによるターゲット2,3の表面と垂直方向に発生する磁界23により、高エネルギー電子が閉じ込められ、ここでのスパッタリングガスのイオン化が促進されて、スパッタリング速度が高くなり高速の膜形成ができる。
その上、基板4は従来のスパッタリング装置のように、ターゲット2,3に対向せず、ターゲット2,3の側方に配置されているので、基板4上への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突がほとんど無くなり、かつターゲット2,3からの熱輻射も小さくなり基板温度の上昇の小さいくなり。よって、よって低温の膜形成ができるとされている。
特開2005−179716号公報
前述の対向ターゲット式スパッタ装置は、対向磁界のみの対向ターゲット式スパッタ装置と比較して、高エネルギー電子の閉じ込めが向上し、前述の様に低温でスパッタできるなどの優れた特徴がある。しかしながら、従来の対向ターゲット式スパッタの特徴である対向磁界による放電は、基板の表面近傍に平行して発生するため、プラズマからの輻射熱や、基板ホルダー5の近傍のアース電位の部品にプラズマが引き寄せられやすく、基板の温度が上昇する結果となりやすい。また、高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突で、基板がダメージを受けることとなる。
更に、2つの磁石対の外周磁石から、ターゲットホルダーの外を通過する磁界が、非磁性材料のアースシールドを通過して基板近傍にも発生するため、プラズマが発生しやすくなり、基板温度の上昇と基板のダメージが大きくなる。
従って、量産において、基板温度上昇と、基板ダメージから、膜質が変化し歩留まりを低下することとなる。また、基板温度上昇と、基板ダメージを抑制するために、スパッタ電力を低下しなければならないために、成膜速度が遅くなり、処理能力が低下することとなる。
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、基板の温度上昇と基板のダメージを減少させることができることから膜質が安定するため、歩留まりを向上することが可能なスパッタリング装置を提供することを目的とする。
上記問題を解決するために、本発明のスパッタリング装置は、真空を維持するこが可能な真空槽と、前記真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、前記基板ホルダーの基板載置面に対する垂線と平行にターゲット載置面を有しかつ互いに対向して配置される一対のターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに直流又は交流電源を印加する電源とを備えたスパッタリング装置において、前記基板ホルダーは前記一対のターゲットホルダーの間に配置されると共に、前記一対のターゲットホルダーに載置されたターゲットの裏面にはそれぞれ磁石対が配置されており、かつ、前記磁石対の磁性は相対向する磁石同士で同極であることを特徴とするものである。
その結果、2つのターゲット(一対のターゲット)が、向い合う磁石対の極性が異なることにより発生する対向磁界がなくなり、基板表面と平行なターゲット間の放電がなくなる。従って、各々単独でターゲット表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界での放電のみとなり、基板への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が無くなり、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。また、基板温度上昇と基板ダメージを減少できるため、スパッタ電力を高くできるために、成膜速度が速くなり、処理能力が向上することとなる。
更に、本発明のスパッタリング装置は、各ターゲットの周囲にはそれぞれアースシールドが設けられ、前記アースシールドは磁性材料とすることを特徴とするものである。
その結果、2つの磁石対の外周磁石から、ターゲットホルダーの外を通過する磁界が、磁性材料のアースシールドに吸収され、基板近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生が減少する。従って、基板への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が減少し、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。また、基板温度上昇と基板ダメージを減少できるため、スパッタ電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。
更に、本発明のスパッタ装置は、前記基板の裏面に、前記ターゲットの裏面に配置される磁石対のうち外周の磁石と同極の磁石を設けることを特徴とするものである。
その結果、2つの磁石対の外周磁石から、ターゲットホルダーの外を通過する磁界が、基板の後方に設けた磁石の磁界と反発し、基板近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生が減少する。従って、基板への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が減少し、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。また、基板温度上昇と基板ダメージを減少できるため、スパッタ電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。
以上のように本発明のスパッタリング装置によれば、基板近傍へのプラズマの発生が減少するため、基板温度上昇と基板ダメージを減少することができ、膜質が安定するため、歩留まりを向上することとなる。また、基板温度上昇によるアウトガスや、スパッタガスの膜への混入が減少し、高純度な膜を形成することが可能となる。さらに、基板温度上昇と基板ダメージを減少できる効果として、スパッタ電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタ装置の概略断面図である。なお、図1において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタ装置の概略断面図である。なお、図1において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図1において、符号12,13は、一対のターゲット(2つのターゲット)2,3の後方(裏面)に向い合う極性が同じ磁石対であり、符号14,15は、磁性材料のアースシールドである。また、符号101,102は磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界であり、符号103,104は、磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界である。更に、符号105は、基板4の後方(裏面)に、一対の2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の磁石であり、符号106は磁石105により発生する磁界である。
以上のように構成されたスパッタリング装置について、その動作を説明する。
まず、図示省略した排気系により排気口16を通して真空槽1内を排気した後、図示省略したガス導入系から導入口17を通してアルゴン等のスパッタガスを導入し、図示のように直流又は交流電源からなるスパッタリング電源18によりアースシールド14,15と真空槽1を陽極(接地)に、ターゲット2,3を陰極にしてスパッタリング電力を供給し、磁石対12,13により磁界を発生させることによりスパッタリングが行われ、ターゲット2,3の側方へ配置された基板4上にターゲット2,3に対応した組成の膜が形成される。
この際、本実施の形態によれば、2つのターゲット2,3が、向い合う磁石対12,13の極性が異なることによる発生する対向磁界がなくなり、基板4の表面と平行なターゲット2,3間の放電がなくなり基板4の近傍のプラズマが減少する。従って、2つのターゲット2,3は、磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界101,102により、高エネルギー電子が閉じ込められ、ここでのスパッタガスのイオン化が促進されてスパッタ速度が高くなり高速の膜形成ができる。
また、アースシールド14,15が磁性材料であるために、2つの磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界103,104が、アースシールド14,15に吸収され、漏れ磁場が減少し、基板4の近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生も減少する。更に、基板4の後方(裏面)に、2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の磁石105を設けているため、磁界103,104が、磁石105の磁界106と反発し、基板4の近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生が減少する。従って、基板4への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が減少し、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。
また、基板温度上昇によるアウトガスや、スパッタガスの膜への混入が減少し、高純度な膜を形成することが可能となる。さらに、基板温度上昇と基板ダメージを減少できる効果として、スパッタ電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。
なお、本実施の形態において、ターゲットならびに磁石対、ターゲットホルダーを含むカソードは、ターゲット2,3の表面が対向して配置されていたが、対向していなくてもよく、更に複数のカソードを設置してもよい。
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2におけるスパッタ装置の概略断面図である。同図において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図2は、本発明の実施の形態2におけるスパッタ装置の概略断面図である。同図において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図2において、符号12,13は、一対のターゲット(2つのターゲット)2,3の後方(裏面)に向い合う極性が同じ磁石対であり、符号14,15は、磁性材料のアースシールドである。また、符号101,102は磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界であり、符号103,104は、磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界である。更に、符号107は、基板4の後方に、2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の外周部のみの磁石であり、符号108は磁石107により発生する磁界である。
以上のように構成されたスパッタリング装置について、その動作を説明する。
まず、図示省略した排気系により排気口16を通して真空槽1内を排気した後、図示省略したガス導入系から導入口17を通してアルゴン等のスパッタリングガスを導入し、図示のように直流又は交流電源からなるスパッタリング電源18によりアースシールド14,15と真空槽1を陽極(接地)に、ターゲット2,3を陰極にしてスパッタリング電力を供給し、磁石対12,13により磁界を発生させることによりスパッタリングが行われ、ターゲット2,3の側方へ配置された基板4上にターゲット2,3に対応した組成の膜が形成される。
この際、本実施の形態によれば、2つのターゲット2,3が、向い合う磁石対12,13の極性が異なることによる発生する対向磁界がなくなり、基板4の表面と平行なターゲット2,3間の放電がなくなり、基板4の近傍のプラズマが減少する。従って、2つのターゲット2,3は、磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界101,102により、高エネルギー電子が閉じ込められ、ここでのスパッタガスのイオン化が促進されてスパッタ速度が高くなり高速の膜形成ができる。
また、アースシールド14,15が磁性材料であるために、2つの磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界103,104が、アースシールド14,15に吸収され、漏れ磁場が減少し、基板4の近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生も減少する。更に、基板4の後方(裏面)に、2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の磁石107を設けているため、磁界103,104が、磁石107の磁界108と反発し、基板4近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生が減少する。
従って、基板4への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が減少し、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。また、基板温度上昇によるアウトガスや、スパッタガスの膜への混入が減少し、高純度な膜を形成することが可能となる。更に、基板温度上昇と基板ダメージを減少できる効果として、スパッタリング電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。また、Ndなど磁石材料は高価であるが、磁石107は外周部のみの磁石であるため、安価となる。
なお、本実施の形態において、磁石107は、外周部のみの磁石としたが、同じ極性の磁石を、複数に分割してもよい。
なお、本実施の形態において、ターゲットならびに磁石対、ターゲットホルダーを含むカソードは、ターゲット2,3の表面が対向して配置されていたが、対向していなくてもよく、更に、複数のカソードを設置してもよい。
(実施の形態3)
図3は、本発明の実施の形態3におけるスパッタ装置の概略断面図である。図3において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図3は、本発明の実施の形態3におけるスパッタ装置の概略断面図である。図3において、図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
図3において、符号12,13は、2つのターゲット2,3の後方(裏面)に、向い合う極性が同じ磁石対であり、符号14,15は、磁性材料のアースシールドである。符号101,102は磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界であり、符号103,104は磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界である。符号109は、アースシールド14,15と基板4との間であり、基板4の周辺に、2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の磁石であり、符号110は磁石109により発生する磁界である。
以上のように構成されたスパッタリング装置について、その動作を説明する。
まず、図示省略した排気系により排気口16を通して真空槽1内を排気した後、図示省略したガス導入系から導入口17を通してアルゴン等のスパッタリングガスを導入し、図示のように、直流又は交流電源からなるスパッタリング電源18によりアースシールド14,15と真空槽1を陽極(接地)に、ターゲット2,3を陰極にしてスパッタリング電力を供給し、磁石対12,13により磁界を発生させることによりスパッタリングが行われ、ターゲット2,3の側方へ配置された基板4上にターゲット2,3に対応した組成の膜が形成される。
この際、本実施の形態によれば、2つのターゲット2,3が、向い合う磁石対12,13の極性が異なることによる発生する対向磁界がなくなり、基板4の表面と平行なターゲット2,3間の放電がなくなり基板4の近傍のプラズマが減少する。従って、2つのターゲット2,3は、磁石対12,13により個別にターゲット2,3の表面に発生するプレーナーマグネトロン方式のトンネル状湾曲磁界101,102により、高エネルギー電子が閉じ込められ、ここでのスパッタガスのイオン化が促進されてスパッタ速度が高くなり高速の膜形成ができる。
また、アースシールド14,15が磁性材料であるために、2つの磁石対12,13の外周磁石から、ターゲットホルダー6,7の外を通過する磁界103,104が、アースシールド14,15に吸収され、漏れ磁場が減少し、基板4の近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生も減少する。更に、アースシールド14,15と基板4との間であり、基板4の周辺に、2つのターゲットホルダー6,7に載置している磁石対12,13の外周磁石の極性と同じ極性の磁石109を設けているため、磁界103,104が、磁石109の磁界110と反発し、基板4近傍に発生しなくなるため、プラズマの発生が減少する。従って、基板4への高いエネルギーを有するイオンや電子の衝突が減少し、量産において、基板温度上昇と基板ダメージを減少し、膜質が安定するため、歩留まりを向上することができる。また、基板温度上昇によるアウトガスや、スパッタガスの膜への混入が減少し、高純度な膜を形成することが可能となる。さらに、基板温度上昇と基板ダメージを減少できる効果として、スパッタ電力を高くできることとなり、成膜速度が速く、処理能力を向上することとなる。
なお、本実施の形態において、ターゲットならびに磁石対、ターゲットホルダーを含むカソードは、ターゲット2,3の表面が対向して配置されていたが、対向していなくてもよく、更に、複数のカソードを設置してもよい。
本発明のスパッタ装置は、マグネトロンスパッタにおいて基板へ低温、低ダメージの膜が形成できるため、ターゲット正面に基板を設置する、静止対向スパッタ装置にも利用できる。
1 真空槽
2,3 ターゲット
4 基板
5 基板ホルダー
6,7 ターゲットホルダー
8a,9a 供給管(冷却水)
8b,9b 排出管(冷却水)
10,11 絶縁部材
12,13 磁石対
14,15 アースシールド
16 排気口(排気系)
17 導入口(ガス導入系)
18 スパッタ電源
19〜23,101〜106,108,110 磁界
105,107,109 磁石
2,3 ターゲット
4 基板
5 基板ホルダー
6,7 ターゲットホルダー
8a,9a 供給管(冷却水)
8b,9b 排出管(冷却水)
10,11 絶縁部材
12,13 磁石対
14,15 アースシールド
16 排気口(排気系)
17 導入口(ガス導入系)
18 スパッタ電源
19〜23,101〜106,108,110 磁界
105,107,109 磁石
Claims (5)
- 真空を維持するこが可能な真空槽と、前記真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、前記基板ホルダーの基板載置面に対する垂線と平行にターゲット載置面を有しかつ互いに対向して配置される一対のターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに直流又は交流電源を印加する電源とを備えたスパッタリング装置において、
前記基板ホルダーは前記一対のターゲットホルダーの間に配置されると共に、前記一対のターゲットホルダーに載置されたターゲットの裏面にはそれぞれ磁石対が配置されており、かつ、前記磁石対の磁性は相対向する磁石同士で同極であること
を特徴とするスパッタリング装置。 - 各ターゲットの周囲にはそれぞれアースシールドが設けられ、前記アースシールドは磁性材料である請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記基板の裏面に、前記ターゲットの裏面に配置される磁石対のうち外周の磁石と同極の磁石が設けられる請求項1または2に記載のスパッタリング装置。
- 前記基板の裏面に、前記ターゲットの裏面に配置される磁石対のうち外周の磁石と同極の磁石対が前記基板ホルダーの外周部のみに設けられる請求項1または2に記載のスパッタリング装置。
- 前記磁石対は、前記基板ホルダーの外周側面に配置される請求項4に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
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Family
ID=41541535
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008148777A Pending JP2009293089A (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | スパッタリング装置 |
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---|---|
JP (1) | JP2009293089A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719798A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射系统 |
WO2014041345A1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | Gencoa Ltd | Plasma source |
US9368331B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-06-14 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
TWI579880B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-04-21 | 國立臺灣科技大學 | 陽極層離子源與陽極層離子源離子束濺鍍模組 |
US9631271B2 (en) | 2013-07-25 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering system and method of fabricating display device using the same |
CN107435135A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-05 | 三星显示有限公司 | 溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法 |
JP7150364B1 (ja) * | 2021-09-27 | 2022-10-11 | 株式会社アドバンスト・スパッタテック | スパッタリング成膜源および成膜装置 |
-
2008
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719798A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射系统 |
WO2014041345A1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | Gencoa Ltd | Plasma source |
CN104718598A (zh) * | 2012-09-11 | 2015-06-17 | 基恩科有限公司 | 等离子体源 |
DE112013006746B4 (de) | 2013-02-28 | 2019-03-21 | Canon Anelva Corporation | Sputtergerät |
US9368331B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-06-14 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
US9631271B2 (en) | 2013-07-25 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering system and method of fabricating display device using the same |
TWI579880B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-04-21 | 國立臺灣科技大學 | 陽極層離子源與陽極層離子源離子束濺鍍模組 |
CN107435135A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-05 | 三星显示有限公司 | 溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法 |
KR20170133566A (ko) * | 2016-05-25 | 2017-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
US10480062B2 (en) * | 2016-05-25 | 2019-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and sputtering method using the same |
CN107435135B (zh) * | 2016-05-25 | 2023-12-22 | 三星显示有限公司 | 溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法 |
KR102636365B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2024-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
JP7150364B1 (ja) * | 2021-09-27 | 2022-10-11 | 株式会社アドバンスト・スパッタテック | スパッタリング成膜源および成膜装置 |
WO2023047995A1 (ja) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 株式会社アドバンスト・スパッタテック | スパッタリング成膜源および成膜装置 |
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