KR100244385B1 - 스퍼터링장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 대면적의 각형 기판에의 안정된 막형성을 실현할 수 있다. 정지대향방식의 스퍼터링장치의 제공을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 타겟(1a), (1b), (1c)를 평면내에서 서로 전기적으로 절연된 3개이상의 각형 전극판위에 분할해서 배치하는 동시에, 각 타겟(1a), (1b), (1c)에 대응시켜서 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 표면에 소정의 자력선(5)을 발생시키는 마그넷(2a), (2b), (2c)을 배치한 것을 특징으로 한 것이다.
Description
제1도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 스퍼터링장치의 기본구성의 사시 단면도.
제2도는 실시예 1의 스퍼터링장치에 의해서 기판상에 형성되는 막두께 분포의 시뮬레이션결과를 표시한 도면.
제3도는 실시예 1에 있어서의 타겟상의 동작상태의 상세한 단면도.
제4도는 실시예 1에 있어서의 타겟표면에 형성되는 이로우젼영역의 모식평면도.
제5도는 실시예 1에 있어서의 각 타겟표면에 형성되는 이로우젼의 배치도.
제6도는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 스퍼터링장치의 기본구성의 사시단면도.
제7도는 종래의 스퍼터링장치의 기본구성의 사시단면도.
제8도는 종래의 스퍼터링장치에 있어서, 마그넷을 기판중심상의 위치에서 정지시켰을 때에 기판상에 형성되는 막두께 분포의 시뮬레이션결과를 표시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a, 1b, 1c : 분할된 타겟 2a ~ 2g : 자석
3 : 대면적기판 4a, 4b, 4c : 전원
5 : 자력선 6 : 타겟재료의 원자
7 : 플라즈마 8 : 이로우젼영역
9a, 9b, 9c : 이로우젼중심라인
본 발명은, 스퍼터링장치, 특히, 대면적의 각형(角型) 기판상에 고속으로 또한 균일성 좋게, 박막을 형성시킬 수 있는 스퍼터링장치에 관한 것이다. 스퍼터링장치는 기판상에 타겟재료에 의해 구성되는 박막을 안정적으로 형성할 수 있는 장치로서, 반도체디바이스, 광디스크, 액정, 전자부품제조등에 다용되고 있는 막형성장치이다. 스퍼터링장치에 요구되는 성능으로서, 기판위 전체면에 균일한 막을 어떻게 신속하게, 안정적으로 저코스트로 막형성할 수 있는지가 포인트로 된다.
최근, 이와 같은 스퍼터링장치의 막형성방식으로서, 타겟에 대해서 기판을 이동시켜서 막형성하는 기판이동방식에 더하여, 타겟위에 기판을 정지(靜止)대향시킨 상태로 막형성하는 정지대향방식의 이용이 증가하고 있다. 이 정지대향방식은, 막형성속도향상이나 더스트저감, 장치코스트에 장점이 있다.
스퍼터링현상에서는, 타겟위로부터 스퍼터되는 원자가, 어떤 방사각도분포를 가지기 때문에, 정지대향방식의 경우, 막형성의 대상이 되는 기판의 형상 및 사이즈에 따라서 상기 요구를 충족시키기 위한 타겟형상, 자석구조 및 그 크기 등을 최적화할 필요가 있다.
실리콘웨이퍼로 대표되는 반도체디바이스용의 기판 및 광디스크용의 기판은, 원형의 기판을 사용하기 때문에, 정지대향방식의 스퍼터링장치에 있어서는, 원판형상의 타겟을 사용하고 있다. 이 경우, 기판상에 형성되는 박막을 균일한 막두께로 하기 위하여, 원형타겟상에 링형상의 타겟침식부분(이하 「이로우젼(erosion)」이라고 칭한다)을 발생하게 함으로써, 원형기판 전체면의 막두께 균일성을 확보하고 있다.
이로우젼은, 타겟면위의 전자드리프트운동에 의해서 플라즈마가 국소적으로 분포함으로써 발생하기 때문에, 이와 같은 링형상의 이로우젼을 실현하기 위해서는, 링형상의 자장분포를 가진 고정자석을 타겟하부에 배치함으로써 가능하게 된다. 이 경우의 전자는 링내에서 드리프트하면서 트랩되기 때문에, 고밀도플라즈마가 발생하고, 많은 원자가 스퍼터링되는 결과, 고속의 막형성이 실현되고 있다.
디스플레이로 대표되는 각형의 기판으로 막형성할 경우, 각형기판위의 막두께분포를 확보하기 위하여, 각형의 타겟위에 직선형상의 이로우젼을 발생시키는 고정자석을 타겟하부에 배치함으로써 실현되고 있다.
그러나, 이와 같은 직선형상의 이로우젼을 발생시키는 것만으로는, 전자의 드리프트에 의해, 플라즈마를 가둘 수 없기 때문에, 고속으로 막형성을 할 수 없다. 그래서 일반적으로는, 평행의 2개의 직선형상이로우젼의 양단부를 반원형상의 이로우젼에 의해 연결하게 하는 자석구조로 함으로써, 링형상타겟과 마찬가지로 전자를 트랩하는 일이 가능해지고, 그 결과, 고밀도플라즈마를 발생시켜, 고속으로 막형성을 실현하고 있다.
또, 상기 타겟의 크기에 비해서, 보다 대면적의 각형기판으로 막형성하는 경우에는, 타겟에 상대해서 이동가능한 기판홀더에 대면적의 각형기판을 장착한 채로, 기판홀더를 이동하면서 연속으로 막형성하는 일이 가능하며, 이에 의해 목적으로 하는 막형성을 행할 수 있다. 또한, 이 기판이동에 관해서, 기판홀더를 타겟면에 대해서 평행이동시키는 방식은 트레이(tray)방식, 타겟면의 연직축방향으로 반경을 가지고 회전이동시키는 방식은 커얼셀방식이라고 칭하고 있다.
그러나, 이와 같은 기판이동방식에 의한 막형성은, 기판홀더부에도 동시에 막이 형성되어 버리기 때문에, 그 막의 박리에 의한 더스트증가나 진공속에서의 기구요소의 증대에 의한 설비코스트의 증가등의 결점을 가지고 있다.
그래서, 최근, 원형기판과 마찬가지로, 각형기판을 타겟위에 정지대향시킨 상태에서 막형성하는 정지대향방식에 의한 대면적기판에의 막형성이 행하여지기 시작했다.
이하, 종래의 정지대향방식에 의한 대면적의 각형기판에의 막형성방법에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
제7도는 종래의 정지대향방식에 의한 대면적의 각형기판에의 스퍼터링에 의한 막형성장치의 기본구성을 표시한 사시단면도이다.
제7도에 있어서, (11)은 타겟, (12)은 타겟(11)의 이면위에서 타겟면에 평행이동가능한 자석, (13)은 대면적 유리기판, (14)는 타겟에 전력을 인가하는 직류 전원, 점선(15)은 자석(12)에 의해서 타겟(11)위에 발생하는 자력선, (16)은 타겟(11)위로부터 스퍼터링된 타겟재료의 원자를 표시하고 있다.
이상과 같은 구성으로부터 이루어지는 정지대향방식의 대면적의 각형기판에의 스퍼터링에 의한 막형성장치에 대해서, 동작을 설명한다.
스퍼터링법이란, 진공챔버(도시하지 않음)내에 아르곤등의 불활성가스를 도입한 상태로, 타겟(11)을 포함한 전극부(캐소드)에 전원(14)으로부터 전력을 인가함으로써, 도입가스를 플라즈마화시켜서, 타겟(11)의 타겟재료를 가스이온에 의해 튀어나오게 함으로써, 기판(13)위에 타겟(7)의 조성을 가진 박막을 형성시키는 방법이다.
제7도에서는, 이 원리에 추가해서 타겟(11)의 이면에 자석(영구자석)(12)을 배치해서 타겟재료(11)의 표면상에 점선(15)과 같은 자력선을 발생시킴으로써, 플라즈마의 발생요인이 되는 전자(도시하지 않음)를 자력선(15)으로 둘러싸이는 부분에 가두고 있다. 이 결과, 자력선(15)의 타겟(11)에 평행인 성분이 제로(0)가 되는 부분을 중심으로 해서 플라즈마를 국소적으로 발생시킬 수 있기 때문에, 많은 가스이온에 의해 타겟(11)을 스퍼터링하는 결과, 스퍼터원자(16)의 량을 증대시켜서, 막형성속도를 향상시키고 있다. 이 결과, 스퍼터링된 타겟(11)위에 국소적인 침식부인 이로우젼이 발생한다.
자석(12)을 기판(13)의 중심점위의 타겟(11)의 이면에서 정지시킨 상태에서, 막형성했을 때의 기판(13)위에 형성되는 막두께분포의 시뮬레이션결과를 제8도에 표시한다.
제8도에 있어서는, X축, Y축은 기판(13)의 중심점으로부터의 기판면내의 위치를 표시하고 있고, Z축은 그 위치에서의 상대적인 막두께를 표시하고 있다.
제8도에 표시한 바와 같이, 자석(12)에 의한 자장분포를 최적화함으로써, 제8도의 Y축방향에 있어서의 막두께분포를 균일화할 수 있다. 그러나, X축 방향의 막두께분포에 대해서는, 자석(12)의 중심부(X=0)로부터 떨어짐에 따라서, 막두께가 급격하게 저하하고 있다.
기판(13)상 전체면에 걸쳐서 막두께 분포를 얻기 위해서는, 자석(12)의 사이즈를 크게 해서 X축의 균일영역을 증대시키는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 자석(12)의 유지력에 한계가 있기 때문에, N극과 S극의 간격을 넓히면, 타겟(11)의 표면에 자력선(15)이 약해지고, 플라즈마의 가두기효과가 없어져 버리는 경향에 있다.
따라서, 제7도에 표시한 바와 같이, 종래예에서는, 기판(13)에 상대해서 자석(12)을 X축방향으로 슬라이딩시키면서 막을 형성하고 있다. 이 결과, 제8도에 표시한 자석(12)을 정지(靜止)시켰을 때의 막두께분포를 X축방향으로 시간적분한 막두께분포에 의해 막형성하는 일이 가능해지고, 기판(13)상 전체면의 막두께분포를 균일화시킬 수 있다.
그러나, 상기한 종래의 방법에서는, 기판(13)위의 Y축방향의 막두께분포에 대해서는, 자석(12)의 특성에 의해서 결정되기 때문에 안정되나, X축방향은, 자석(12)을 슬라이딩시키는 속도분포제어자체에 의해 크게 변동하기 때문에, 안정하게 막을 형성하는 일이 곤란했었다.
또, 일정속도로 자석(12)을 슬라이딩시켰을 때만 기판(13)위에 막형성하게 하면, 비교적 안정된 막형성이 가능하나, 자석(12)의 X축 방향의 폭만큼, 기판(13)위의 양단부에 자석(12)이 이동할 수 있는 스페이스가 필요하게 되고, 타겟(11) 및 진공챔버등의 장치사이즈를 크게하지 않으면 않된다고 하는 결점을 가지고 있었다.
또, 자석(12)이 정지하고 있을 때의 기판(13)위의 막형성속도에 비해서, 슬라이딩함으로써 막형성속도의 저하를 발생해버리기 때문에, 막형성속도향상을 위하여 많은 전력을 인가할 필요가 발생하고, 매우 큰 파워를 발생시키는 전원(14)이 필요하게 되어 있었다.
또, 타겟(11)이 금속인 경우에는, 직류전원(14)을 사용함으로써 방전시켜서, 플라즈마를 발생시키는 일이 가능하나, 산화물등의 절연성의 재료의 경우에는, 직류전원(14)으로는 방전하지 않는다. 이와 같은 경우, 일반적으로는 RF등의 고주파 전원을 직류전원(14) 대신에 사용하고, 임피던스의 매칭을 취하기 위한 매쳐를 전원(14)과 타겟(11)사이에 설치시키면, 방전가능하다. 그러나, 방전중에 자석(12)이 슬라이딩이동하기 때문에, 타겟(11)의 표면상태나 이로우젼형상에 의한 변동이 발생해 버리기 때문에, 매칭상태가 안정되기 않고, 막형성속도가 변동해 버리고 만다는 문제점을 가지고 있었다.
또한, 균일한 형성속도를 가진 막형성을 실현하기 위해서는, 기판(13)의 면적에 비해서 약 3배의 정도의 면적을 가진 일체물의 타겟(11)이 필요하게 되고, 진공 챔버의 사이즈의 대형화 및 막형성배료코스트의 상승이나 타겟(11)의 수명(壽命)시에 행해지는 타겟교환시의 정비작업이 매우 대규모로 된다고 하는 문제점도 가지고 있었다.
본 발명은, 상기 종래의 문제점을 해결하는 것으로서, 대면적의 각형기판위에 고속으로 또한 균일성좋게 박막을 형성시킬 수 있는 전극 및 타겟구조를 구비하는 동시에, 절연물에 포함한 여러가지재료의 박막을, 안정적으로 저코스트로 막형성할 수 있는 정지대향방식의 스퍼터링장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 정지대향방식의 대면적의 각형기판에의 스퍼터링을 행하는 스퍼터링장치에 있어서, 타겟을 평면내에서 서로 전기적으로 절연된 3개이상의 각형전극판위에 분할해서 배치하는 동시에, 각 타겟에 대응시켜서 각 타겟의 표면에 소정의 자력선을 발생시키는 자석을 배치한 것을 특징으로 하고 있다. 또, 각각의 타겟이면에 배치한 자석에 의해, 직선형상 및 원호형상의 조합으로 구성되는 폐쇄된 링형상 이로우젼을 가지도록 구성하는 동시에, 그 이로우젼의 직선형상부분사이의 간격 및 각 각형전극사이의 피치가 기판과 타겟표면과의 거리의 90%로부터 110%의 범위내인 것을 특징으로 한다. 또 각각의 타겟이면이 아니고, 각 각형전극 및 타겟의 양사이드에 직선형상의 마그넷을 배치시키고, 타겟면위에 국소적인 전자밀도분포를 형성시키지 않는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 스퍼터링장치에 있어서, 서로 전기적으로 절연된 각형 분할한 타겟을 배치시킨 캐소드구조로 하고, 각 타겟에 대응시켜서 각 타겟의 표면에 소정의 자력선을 발생시키는 자석을 배치함으로써, 자석을 슬라이딩시키는 일없이, 대면적의 기판위에 전체면이 균일한 막두께로 막을 형성하는 일이 가능하게 된다. 그 결과, X축 방향의 막두께분포의 안정성을 향상시키는 동시에, 다수의 이로우젼부로부터 스퍼터링하는 일이 가능해지고, 성막속도의 저하를 적게할 수 있다. 또, 고주파전원에 의한 방전시에 있어서도, 각 타겟마다 독립해서 임피던스를 안정시켜서 매칭하는 일이 가능해지므로, 절연성의 타겟재료에 의한 안정된 막형성도 가능해진다.
또, 각각의 타겟이면에 배치시킨 자석에 의해 직선형상 및 원호형상의 조합으로 구성되는 폐쇄된 링형상이로우젼을 가짐으로써, 각 타겟위에서 전자를 트랩하는 것에 따른 플라즈마밀도의 향상이 가능하며, 막형성속도의 향상이 가능해진다. 그리고, 이 이로우젼의 직선형상사이의 간격 및 각 각형타겟전극사이의 피치를, 기판과 타겟표면과의 거리의 90%로부터 110%의 범위로 함으로써, 기판면적에 대한 분할전극전체의 면적을 최소로 하는 일이 가능해지고, 챔버사이즈의 소형화가 가능해진다.
그리고, 대면적의 기판에 막을 형성하는 경우에, 분할된 타겟을 다수 사용함으로써 균일한 막형성이 가능해지기 때문에, 타겟교환시의 타겟중량저감을 위하여, 정비성을 향상시키는 일이 가능하여, 타겟작성코스트의 저감에도 대응할 수 있다.
또, 타겟이면이 아니고, 타겟 및 전극의 양사이드에 직선형상의 자석을 배치시킨 전극구조에 의해, 타겟면위에 국소적인 전자밀도분포를 형성시키지 않는 최적의 자석구조가 가능해지고, 타겟위의 이로우젼영역을 확대시키는 일이 가능해진다. 이 결과, 타겟이용효율 및 수명의 향상을 실현할 수 있고, 막형성코스트의 저감이 가능해진다.
[실시예 1]
이하 본 발명의 실시예 1에 대해서 설명한다.
제1도는, 본 실시예의 정지대향방식에 의한 대면적기판에의 스퍼터링에 의한 막형성장치의 기본구성의 사시단면도이며, 제2도는 제1도의 막형성장치에 의해서 기판상에 형성되는 막의 막두께분포의 시뮬레이션결과이다.
제1도에 있어서, (1a), (1b), (1c)는 3분할된 직사각형의 타겟, (2a), (2b), (2c)는 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 이면에 설치된 고정자석, (3)은 직사각형의 대면적기판, (4a), (4b), (4c)는 각 타겟(1a), (1b), (1c)을 포함한 전극에 전력을 인가하는 가변전원, 점선(5)은 자석(2a)에 의해서 타겟(1a)상에 발생하는 자력선이며, 자석(2b), (2c)에 의해서도 마찬가지 자력선이 발생한다. (6)은 타겟(1a), (1b), (1c)상으로부터 스퍼터링된 타겟재료의 원자를 표시하고 있다.
이상과 같이 구성된 스퍼터링장치에 대해서, 이하 그 동작에 대해서 설명한다.
제1도에 있어서, 진공챔버(도시하지 않음)내에 아르곤가스를 도입한다. 반응성스퍼터링의 경우에는, 아르곤에 추가해서 반응용의 가스를 혼입해서 사용한다. 배기능력 및 가스유량을 제어해서 가스압력을 일정하게 한 상태로, 타겟(1a), (1b), (1c)을 포함한 각 전극부에 전원(4a), (4b), (4c)에 의해 전력을 인가시키면, 도입가스분자가 플라즈마화된다.
제3도는 제1도에 있어서의 타겟(1a)위의 상세단면도이다. 이때에 발생하는 플라즈마(7)는, 자석(2a)의 자력선(5)에 의한 전자의 트랩에 의해서, 타겟(1a)위의 자력선(5)으로 둘러싸이는 부분에 국소적으로 분포한다. 타겟(1b) 및 (1c)위에서도, 제3도와 마찬가지로 플라즈마가 국소적으로 분포한다.
이때, 전원(4a)~(4c)에 의해서 타겟(1a)~(1c)의 표면은 마이너스전위로 되어있기 때문에, 플라즈마속의 정의 전하를 가진 아르곤이온은, 큰 에너지로 타겟(1a)~(1c)으로 직진해서 충돌하고, 타겟원자(6)를 튀어나오게 한다. 따라서, 많은 아르곤이온이 존재하고 국소적으로 플라즈마밀도가 높은 곳일수록, 타겟원자(6)가 많이 스퍼터링되는 결과, 제3도에 표시한 바와 같이, 타겟(1a)~(1c)위에, 국소적으로 재료가 침식된 이로우젼(8)이 발생한다. 이로우젼부(8)로부터 스퍼터링된 스퍼터링원자(6)는 타겟(1a)~(1c)을 포함한 평면에 대향한 위치에 설치된 평면기판(3)위에 부착하여, 박막을 형성한다.
본 실시예에서는, 자력선(5)과 타겟(1a)~(1c)에 의해 둘러싸인 부분(이하 「자장터널」이라고 칭한다)은, 자석(2a), (2b), (2c)이 타겟(1a), (1b), (1c)의 형상인 직사각형과 동일한 외형형상이기 때문에, 타겟(1a), (1b), (1c)위에, 장변(長邊)부인 긴쪽방향(이하 x방향이라고 칭한다)에 2개의 직선형상의 자장터널 및 양단부의 짧은쪽방향(이하 Y방향이라고 칭한다)에 원호형상과 직선으로 이루어진 U자형상의 자장터널을 발생시키고 있다.
이들 자력선분포는, 제1도에 표시한 바와 같은 자석(2a), (2b), (2c)을 배치하는 구조에 의해, 양단부에서 연속적으로 연결되고, 링형상의 폐쇄된 자장터널을 구성하고 있다. 이와 같은 자력선분포에 트랩된 전자에는, 타겟(1a), (1b), (1c)으로부터의 전장과의 상호작용에 의한 로렌쯔력이 작용하여, 전자는 자장터널을 따라서 드리프트운동한다. 이 자장터널은 종단부를 가지지 않기 때문에, 트랩된 전자는 장시간에 걸쳐서 드리프트운동을 계속하게 되고, 더한층의 플라즈마를 발생시키기 때문에, 자장터널을 따라서 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있다. 제4도에, 제1도에 있어서의 타겟(1a)표면에 형성되는 이로우젼영역(8)의 모식평면도를 표시한다.
제4도에 표시한 바와 같이, 상기 고밀도플라즈마에 의해서, 자장터널내의 형상인 직선형상 및 U자 형상의 조합에 의한 고리형상의 폐쇄된 이로우젼(8)이 각 타겟(1a), (1b), (1c)상에 발생하기 때문에, 동시에 다수의 스퍼터원자(6)를 기판(3)위에 막형성시키는 일이 가능해지고, 고속의 막형성을 실현시키고 있다.
제5도에, 제1도에 있어서의 각 타겟(1a), (1b), (1c)표면에 형성되는 이로우젼배치를 표시한다.
제5도에 있어서, (9a), (9b), (9c)는 각 타겟(1a), (1b), (1c)위에 발생하는 이 로우젼영역(8)의 중심선이며, 반경γ의 원호 및 직선의 이로우젼의 조합에 의해 구성되어 있다.
제1도 및 제5도에 표시한 바와 같이, 각 타겟(1a),(1b),(1c)위에 발생하는 2개의 직선형상의 이로우젼사이의 거리A(이하 피치A라고 칭한다) 및 각 타겟(1a), (1b), (1c)사이의 피치B(이하 피치 B라고 칭한다)는, 대면적기판(3)과 각 타겟(1a), (1b), (1c)표면과의 거리(이하 TS거리라고 칭한다)의 90%로부터 110%의 범위로 하는 것이 바람직하다.
타겟(1a), (1b), (1c)으로부터 스퍼터링된 스퍼터원자(6)는, 타겟(1a), (1b), (1c)의 표면에 대해서, 수직인 방향으로부터 cosθ의 각도분포를 가진 방사분포에 의해 기판(3)을 행해서 날아가기 때문에, TS거리에 의해 기판(3)위의 막두께분포는 크게 변화한다. 본 실시예와 같이 다수개의 직선형상의 이로우젼으로부터 방사되는 스퍼터원자(6)는, 이로우젼의 직선방향내(Y축내)에서는, 자력선(5)의 자장강도를 일정하게 함으로써 균일한 양의 스퍼터원자(6)를 방사할 수 있기 때문에, 이 Y축방향의 기판위의 막두께분포로서 ±10%이하정도의 균일성으로 하는 일이 가능하다. 그러나, X축방향의 스퍼터원자(6)의 방사분포는, 제1도에 표시한 바와 같이, 다수개의 이로우젼으로부터 방사되는 스퍼터원자(6)가 맞포개져서 기판(3)위에 도달하기 때문에, 제5도에 있어서의 이로우젼의 피치A 및 피치B의 배치에 의해, 기판(3)위의 막두께분포가 크게 변화한다.
본 실시예에서는, 피치A, 피치B 및 TS거리를 기판(3)의 사이즈 및 필요한 막두께정밀도에 따라서 최적화시키고 있고, X축 방향의 기판사이즈가 TS거리의 3배이하에서 ±10%이하정도의 균일성을 실현하는 일이 가능하다.
더욱 큰 기판사이즈에 균일하게 막형성을 하는 경우에는, 타겟의 분할수(이하 n이라고 칭한다)를 증가시킴으로써, TS거리의 (2n-3)배정도의 X축방향의 기판사이즈에 의해 ±10%이하정도의 막두께균일성을 용이하게 실현할 수 있다.
피치A 및 피치B가 TS거리의 90%미만의 이로우젼배치에 의해 막형성하면, 기판(3)위에 형성된 막의 균일한 영역이 좁아져버리기 때문에, 대면적기판에의 균일한 막형성은 곤란해진다. 또 피치A 및 피치B가 TS거리의 110%를 초과하는 경우는, 피치사이에서의 스퍼터원자(6)의 방사분포의 중첩이 저하하여, 막두께가 감소하기 때문에, 막두께 균일성이 저하해버린다.
제1도에 표시한 기본구성에 있어서, TS거리 및 타겟(1a), (1b), (1c)의 사이즈, 자석(2a), (2b), (2c)의 구조를 최적화하고, 제5도의 각 이로우젼의 피치A 및 피치B를 TS거리의 90%로부터 110%의 범위로 하였을 경우에 있어서, 타겟(1b)의 중심적위치에 중심을 가진 기판(3)을 정지시킨 상태로 막형성했을 때의, 기판(3)위의 막두께분포의 시뮬레이션결과를 제2도에 표시한다.
제2도에 있어서, X축, Y축은 기판(3)의 중심으로부터의 기판면내의 위치를 표시하고 있고, Z축은 그 위치에서의 상대적인 막두께를 표시하고 있다. 제2도에 표시한 바와 같이, 기판위의 Y축방향뿐만 아니라, X축방향의 막두께분포에 대해서도 대면적기판(3)전체에 걸쳐서, ±5%정도의 막두께 균일성을 실현하고 있다. 이때의 타겟(1a), (1b), (1c)의 사이즈 및 피치B로 이루어진 분할전극전체의 면적은, 기판면적의 2배이하정도로 실현되고 있다.
본 실시예의 분할타겟(1a), (1b), (1c)은, 서로 전기적으로 절연되어 있고, 각 타겟(1a), (1b), (1c)을 특징으로, 가변전원(4a), (4b), (4c)에 의해 전력제어할 수 있다. 이에 의해서, 가변전원(4a), (4b), (4c)을 제어함으로써, X축방향에 있어서, 기판중심부에 비해서 기판단부에 막두께저하가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 대면적기판(3) 전체에 걸쳐서 ±3%정도의 막두께균일성을 실현하는 것도 가능하다. 이때의 전원(4b)의 인가전력을 100%로 하면, 전원(4a) 및 (4c)의 각 인가전력을 100%정도로 증가시킴으로써, 상기의 막두께 균일성을 실현할 수 있다.
또 타겟(1a), (1b), (1c)의 재료로서, 알루미늄등의 금속뿐만 아니라, 절연재료를 이용한 막형성도, 전원(4a), (4b), (4c)으로서 RF전원(고주파전원)을 사용함으로써, 안전되고 균일한 막형성이 가능했었다. 이 경우는, 각 타겟(1a), (1b), (1c)을 가진 전극마다 매쳐를 장착하고, 각 전극을 독립제어해서 매칭시키는 일이 가능하고, 또한 RF전원(4a), (4b), (4c)과 매쳐와의 사이에 위상시프터 등의 제어유니트를 설치함으로써 막형성속도를 제어하는 것도 가능하다.
[실시예 2]
이하, 본 발명의 실시예 2에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
제6도는, 본 실시예의 정지대향방식에 의한 대면적기판에의 스퍼터링에 의한 막형성장치의 기본구성의 사시단면도이다.
제6도에 있어서, (1a), (1b), (1c)는 3분할된 타겟(2d), (2e), (2f), (2g)은, 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 양사이드에 세트된 직선형상의 고정자석, (3)은 대면적 기판, 점선(5)은 자석(2d) 및 (2e)에 의해서 타겟(1a)위에 발생하는 자력선이며, 자석(2e) 및 (2f)사이, 자석(2f) 및 (2g)사이에서도 마찬가지의 자력선이 발생한다. (6)은 타겟(1a)~(1c)위로부터 스퍼터링된 각 타겟재료의 원자를 표시하고 있다.
다음에, 본 실시예의 동작에 대해서 설명한다.
제6도에 있어서, 진공챔버(도시하지 않음)내에 아르곤가스(반응성스퍼터링)의 경우는, 아르곤가스에 추가해서 반응용의 가스를 혼합한다)를 도입하고, 배기능력 및 가스유량을 제어해서 가스압력을 일정하게 한 상태에서, 타겟(1a), (1b), (1c)을 포함한 각 전극부에 제1도의 경우와 마찬가지로, 각 전원(도시하지 않음)에 의해 전력을 인가시키면, 도입가스분자가 플라즈마화 된다. 이때에 발생하는 플라즈마속의 전자는 타겟(1a), (1b), (1c)위에서 자석(2d)~(2g)에 의한 각 타겟면에 평행의 자력선(5)과 타겟(1a), (1b), (1c)으로부터의 전장과의 상호작용에 의한 로렌쯔력때문에, 자력선(5) 및 전장에 대해서 수직방향으로 드리프트운동한다.
이때에, 직선형상의 고정자석(2d)~(2g)의 N,S의 극성을 반전시킴으로써, 드리프트방향을 반전시키는 일이 가능하므로, 고정자석(2d)~(2g)의 내부를 분할자석에 의해 구성하고, 가장 적합한 극성분포를 가지게 함으로써, 타겟(1a), (1b), (1c)위에서 국소적인 전자밀도증대의 발생을 저지할 수 있다.
따라서, 전자밀도분포를 타겟(1a), (1b), (1c)위에서 균일화시킴으로써, 균일화된 플라즈마밀도분포를 실현할 수 있다.
이때, DC전원 또는 RF전원에 의해서, 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 표면은 마이너스전위로 되어 있기 때문에, 플라즈마속의 정의 전하를 가진 아르곤이온은, 큰 운동에너지에 의해 타겟(1a), (1b), (1c)으로 직진해서 충돌하여, 타겟원자(6)를 튀어나오게 한다. 그 결과, 아르곤이온이 존재하는 플라즈마밀도는 균일화되어 있기 때문에, 각 타겟(1a)~(1c)위에 국소적으로 재료가 침식되는 일없이, 넓은 영역에 이로우젼이 발생한다. 이로우젼부로부터 스퍼터링된 스퍼터원자(6)는, 각 타겟(1a), (1b), (1c)을 포함한 평면에 대향한 위치에 설치된 평면기판(3)위에 부착하여, 박막을 형성한다.
본 실시예에서는, 자력선(5)과 각 타겟(1a)~(1c)에 의한 전자의 드리프트방향에 대해서, 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 긴쪽방향의 양단부에서 전자가 각 타겟영역으로부터 바깥쪽으로 흘러나오지 않도록 하기 위하여, 전자가 각 타겟센터방향으로 드리프트운동하도록, 직선형성의 고정자석(2d)~(2g)의 양단부분의 극성을 결정하고 있다. 이 결과, 플라즈마밀도를 향상시켜서 타겟전체면으로부터 동시에 다수의 스퍼터원자(6)를 기판(3)위에 막형성시키는 일이 가능해져서, 고속의 막형성을 실현시키고 있다.
또, 자석(2e) 및 (2f)에 대해서는, 각각의 양사이드에 있는 각 타겟위(1a, 1b 및 1b, 1c)에 발생하는 자장의 방향을 반전시킴으로써, NS1쌍의 극성을 가진 유선형상의 고정자석만으로, 자력선(5)을 양사이드의 타겟위에 발생시키는 일도 가능하다.
본 실시예의 구성에 의한 스퍼터링전극을 사용하면, 실시예 1에 비해서 대면적기판(3)과 각 타겟(1a), (1b), (1c)표면과의 거리(TS거리)를 작게하더라도 기판(3)위에 균일한 막두께를 확보하기 쉽게 되기 때문에, 기판(3)이외에 부착하는 스퍼터원자(6)의 양을 저감시켜서 고속으로 막을 형성할 수 있다. 또, 타겟(1a), (1b), (1c)의 각 타겟이용효율이나 수명을 향상하는 것도 가능하다.
본 발명의 스퍼터링장치는, 대면적의 각형기판에의 안정된 막형성을 실현할 수 있고, 타겟 및 진공챔버의 소형화가 가능하므로, 장치코스트, 막형성재료코스트의 저감이나, 또 정비작업의 효율화에 의한 가동율의 향상이 가능하다.
또, 각각의 타겟이면에 배치시킨 자석에 의해, 직선형상 및 원호형상의 조합에 의해 구성되는 폐쇄된 링형상 이로우젼을 가짐으로써, 각 타겟으로부터 동시에 스퍼터링하는 일이 가능해지고, 저파워의 전원에 의해 고속의 막형성을 실현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다. 그리고, DC방전이외에 안정된 RF마그네트론방전에도 대응할 수 있기 때문에, 금속타겟뿐만 아니라, 절연재료타겟에 의한 막형성도 가능하다.
그리고, 이로우젼의 직선형상사이의 간격 및 각 각형전극사이의 피치가 기판과 타겟표면과의 거리의 90%로부터 110%의 범위가 되도록하면, 대면적의 각형기판의 사이즈에 따른 가장 적합한 타겟사이즈 및 분할수에 의한 막형성에 의해서 막두께 균일성에 뛰어난 막형성을 실현할 수 있어, 생산수율의 향상을 기대할 수 있다.
또, 각각의 타겟이면이 아니고, 타겟 및 전극의 양사이드에 직선형상의 자석을 배치시키고, 타겟면위에 국소적인 전자밀도분포를 형성시키지 않음으로써, 타겟이용효율이나 수명을 향상시키는 일도 가능하며, 생산시의 러닝코스트의 저감 및 정비빈도를 저하시키는 일을 실현할 수 있다.
Claims (13)
- 가스가 공급될 수 있는 진공챔버내에서 기판상에 막을 형성하는데 사용되는 스퍼터링장치로서, 중심전극과 상기 중심전극의 대향사이드에 배치된 2개의 사이드전극을 포함하는 3개의 개별의 분리된 전극과; 상기 전극에 각각 배치되고, 중심타겟과 상기 중심타겟이 대향사이드에 2개의 사이드타겟을 포함하고, 대략 동일평면상에 있는 3개의 개별의 분리된 타겟과; 상기 3개의 타겟에 각각 인접하여 상기 타겟의 표면상에 자력선을 생성하는 위치에 각각 배치된 3개의 개별의 분리된 자석과; 기판이 상기 3개의 타겟에 대한 위치에 고정되도록, 상기 3개의 타겟에 대면하도록 기판을 지지하는 지지부와; 상기 사이드전극과 상기 센터전극에, 인가되는 전력레벨간의 차이 또는 전력인가시간의 차이가, 상기 타겟의 각각의 소비량에 의거하여 시간에 따라 제어되도록, 상기 전극에 전력을 인가하기 위해 상기 전극에 동작가능하게 접속된 가변전원을 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자석은, 상기 타겟의 표면상의 환형상의 제한된 곳에서 전자가 드리프트하도록, 상기 타겟의 이면에 각각 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제2항에 있어서, 상기 지지부는 평탄하고 각을 가지는 형상인 기판을 유지하도록 동작가능하고; 상기 타겟과 상기 자석은, 각각의 상기 타겟에 선형 및 원호형상침식부의 조합으로 구성된 환형상으로 밀폐된 침식이 행해지도록, 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제3항에 있어서, 상기 타겟과 상기 자석은, 상기 타겟의 선형침식부와 상기 전극의 피치사이의 거리가, 상기 지지부에 의해 유지된 기판과 상기 타겟의 표면사이의 거리의 90 내지 110%가 되도록, 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자석은 상기 전극과 상기 타겟의 대향사이드에 놓여진 선형자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전극은 서로 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 3개의 타겟과 상기 지지부는, 기판상에 상기 3개의 타겟으로부터의 스퍼터링의 중첩이 허용되도록, 서로에 관해 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 가스가 공급될 수 있는 진공챔버내에서 기판상에 막을 형성하기 위한 스퍼터링방법으로서, 중심전극과 상기 중심전극의 대향사이드에 배치된 2개의 사이드전극을 포함하는 3개의 개결의 분리된 전극을 형성하는 스텝과; 상기 전극에 각각 배치되고, 중심타겟과 상기 중심타겟의 대향사이드에 2개의 사이드타겟을 포함하고, 대략 동일평면상에 있는 3개의 개별의 분리된 타겟을 형성하는 스텝과; 상기 3개의 타겟에 각각 인접하여 상기 타겟의 표면상에 자력선을 생성하는 위치에 각각 배치된 3개의 개별의 분리된 자석을 형성하는 스텝과; 기판이 상기 3개의 타겟에 대한 위치에 고정되도록, 상기 3개의 타겟에 대면하도록 기판을 지지하는 스텝과; 상기 사이드전극과 상기 센터전극에, 인가되는 전력레벨간의 차이 또는 전력인가시간의 차이가, 상기 타겟의 각각의 소비량에 의거하여 시간에 따라 제어되도록, 상기 전극에 전력을 가변적으로 인가하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
- 제8항에 있어서, 상기 3개의 타겟을 형성하는 상기 스텝과 상기 기판을 지지하는 스텝은, 기판상에 상기 3개의 타겟으로부터 기판위로의 스퍼터링의 중첩이 허용되도록, 행해지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가변전원은, 상기 사이드전극에 초기에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것보다 크고, 후속하는 상기 타겟의 소비에 의해, 상기 사이드전극에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것과 동일한 쪽으로 감소되도록, 상기 전극에 전력을 인가하기 위해 동작가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가변전원은, 상기 사이드전극에 초기에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것보다 크고, 후속하는 상기 타겟의 소비에 의해, 상기 사이드전극에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것과 동일하게 감소되도록, 상기 전극에 전력을 인가하기 위해 동작가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제8항에 있어서, 상기 전극에 상기 가변적으로 전력을 인가하는 스텝은, 상기 사이드전극에 초기에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것보다 크고, 후속하는 상기 타겟의 소비에 의해, 상기 사이드전극에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것과 동일한 쪽으로 감소되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
- 제8항에 있어서, 상기 전극에 상기 가변적으로 전력을 인가하는 스텝은, 상기 사이드전극에 초기에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것보다 크고, 후속하는 상기 타겟의 소비에 의해, 상기 사이드전극에 인가되는 전력레벨 또는 전력인가시간이 상기 센터전극에 대한 것과 동일하게 감소되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
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| CN (1) | CN1147619C (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468593B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2005-04-25 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자제조장치및이를이용하여제조한액정표시소자 |
| WO2009011730A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Sunpower Corporation | Cluster tool with a linear source |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
| TW570987B (en) * | 1999-12-28 | 2004-01-11 | Toshiba Corp | Components for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus therewith, and target apparatus |
| DE10122431A1 (de) * | 2001-05-09 | 2002-11-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektrodenanordnung für die magnetfeldgeführte plasmagestützte Abscheidung dünner Schichten im Vakuum |
| TW574385B (en) * | 2002-06-25 | 2004-02-01 | Hannstar Display Corp | Method of pre-sputtering with an increased rate of use of sputtering target |
| US20060249370A1 (en) * | 2003-09-15 | 2006-11-09 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device |
| US6962648B2 (en) * | 2003-09-15 | 2005-11-08 | Global Silicon Net Corp. | Back-biased face target sputtering |
| JP4306403B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2009-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
| US7513982B2 (en) * | 2004-01-07 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering |
| CN100398692C (zh) * | 2004-07-30 | 2008-07-02 | 财团法人工业技术研究院 | 用于平板基材的镀膜装置 |
| US20060081466A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Nagashima | High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source |
| US20070084717A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage |
| US20070084716A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile data storage |
| US7638022B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-12-29 | Ascentool, Inc | Magnetron source for deposition on large substrates |
| US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
| US8454810B2 (en) * | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US8308915B2 (en) * | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
| ATE499697T1 (de) † | 2006-11-14 | 2011-03-15 | Applied Materials Inc | Magnetron-sputterquelle, sputter- beschichtungsanlage und verfahren zur beschichtung eines substrats |
| US8152975B2 (en) * | 2007-03-30 | 2012-04-10 | Ascentool International | Deposition system with improved material utilization |
| KR101794586B1 (ko) * | 2011-05-23 | 2017-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법 |
| KR102580293B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2023-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
| KR101885123B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2018-08-03 | 한국알박(주) | 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 제어 시스템 |
| JP7082552B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-06-08 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
| JP7510797B2 (ja) * | 2020-06-24 | 2024-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102036A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Applied Materials Japan Kk | スパツタ装置 |
| JPH05308051A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Japan Steel Works Ltd:The | 水素化アモルファスシリコン膜の製造方法及び装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4162954A (en) * | 1978-08-21 | 1979-07-31 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
| JPS5723227A (en) | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS59143067A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6086272A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
| JPS6161387A (ja) | 1984-08-30 | 1986-03-29 | 新明和工業株式会社 | 位置ずれ検出システム |
| JPS61270369A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Nec Corp | 三極スパツタリングソ−ス |
| US4894133A (en) * | 1985-11-12 | 1990-01-16 | Virgle L. Hedgcoth | Method and apparatus making magnetic recording disk |
| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| US4752300A (en) | 1986-06-06 | 1988-06-21 | Burlington Industries, Inc. | Dyeing and fire retardant treatment for nomex |
| JPS6365754A (ja) | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 電話機内蔵通信装置 |
| JP2613201B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1997-05-21 | 株式会社日立製作所 | スパツタリング方法 |
| DE3727901A1 (de) * | 1987-08-21 | 1989-03-02 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetronprinzip |
| JP2605088B2 (ja) | 1988-03-19 | 1997-04-30 | 富士通株式会社 | 三極マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP2532598B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1996-09-11 | シャープ株式会社 | 光メモリ素子の製造方法及びその装置 |
| JPH02243762A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| DE3925536A1 (de) * | 1989-08-02 | 1991-02-07 | Leybold Ag | Anordnung zur dickenmessung von duennschichten |
| DE4111384C2 (de) * | 1991-04-09 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
| JP2555004B2 (ja) | 1993-12-30 | 1996-11-20 | アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| JPH05132770A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Canon Inc | スパツタ装置 |
| JP2660951B2 (ja) | 1992-12-25 | 1997-10-08 | アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| JP3718237B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2005-11-24 | 株式会社東芝 | スパッタリング方法 |
| US5478455A (en) * | 1993-09-17 | 1995-12-26 | Varian Associates, Inc. | Method for controlling a collimated sputtering source |
| US5433835B1 (en) | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US5487822A (en) | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| JP3798037B2 (ja) * | 1994-09-27 | 2006-07-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタ装置 |
| US5556525A (en) * | 1994-09-30 | 1996-09-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | PVD sputter system having nonplanar target configuration and methods for operating same |
| DE19535994C2 (de) * | 1994-10-14 | 1998-07-16 | Sharp Kk | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Herstellverfahren für dieses |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP16316695A patent/JP3403550B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-06 CN CNB96106823XA patent/CN1147619C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-28 US US08/672,660 patent/US6217714B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-29 KR KR1019960025705A patent/KR100244385B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102036A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Applied Materials Japan Kk | スパツタ装置 |
| JPH05308051A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Japan Steel Works Ltd:The | 水素化アモルファスシリコン膜の製造方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468593B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2005-04-25 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자제조장치및이를이용하여제조한액정표시소자 |
| WO2009011730A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Sunpower Corporation | Cluster tool with a linear source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6217714B1 (en) | 2001-04-17 |
| JPH0913169A (ja) | 1997-01-14 |
| JP3403550B2 (ja) | 2003-05-06 |
| CN1147619C (zh) | 2004-04-28 |
| CN1143690A (zh) | 1997-02-26 |
| KR970003434A (ko) | 1997-01-28 |
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