JP4907124B2 - スパッタ・コーティング用アノード - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 62
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 86
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- -1 insulating tape Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001264766 Callistemon Species 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009422 external insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
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Description
開示した参考文献のすべては、参照により本明細書に組み込むものとする。
真空コーティング・チェンバと、
薄膜をその上に被着させようとする基板を装着するためにコーティング・チェンバの内部に配置させた基板保持用部材と、
基板と反対の関係で配置させており、かつ基板の表面上に薄膜を被着するために使用される平面状ターゲットを有する少なくとも1つのマグネトロン・カソードと、
真空コーティング・チェンバの内部に気体を供給するための気体制御系と、
前記マグネトロン・カソードに電気出力を供給するための電源システムと、を備えるマグネトロン・スパッタリング・カソード装置であって、
前記マグネトロン・カソードは、第1の端部表面、第2の端部表面および側面を有しており、かつ前記マグネトロン・カソードは複数の磁石ユニットのN極とS極が互いに対して反対に配置されかつ隣接しているような磁石アセンブリを有しており、カソードの第2の端部表面および側面はアーク放電を防止するために電気絶縁コーティングを用いてコーティングされている、マグネトロン・スパッタリング・カソード装置が提供される。
フロート状態動作では、接地を基準とした電位が自己調整される。この例では、このアノード電圧はプラズマ・インピーダンスに依存する。DCスパッタリングでは、典型的なアノード電圧は+20Vと+55Vの間に来るように計測され、一方カソード電圧はどの材料がコーティングされるかやどの処理パラメータが使用されるかに応じて−300Vと−700Vの間のいずれかとすることができる。突発的な絶縁破壊やアークがあった場合にシステムを保護する目的で、接地とアノードの間には抵抗器が設けられることがある。
1)有効アノード表面がコーティング材料から保護されること。
2)アノード位置がより適正に規定されること。
3)気体流入口が適正に規定されること。
12 導電壁
12c 銅壁
14 開口部
14b 開口部
14c 開口部
16 水冷パイプ
16b 水冷細管
16c 水冷パイプ
18 気体流入ポート
18b Arガスポート
18c Arガスポート
19 絶縁材料
19b 絶縁体
21 接地カバー
21b カバー
70 アノード
72 スイッチ
72a アノード
72b アノード
74 平面状Siカソード
101 細長いカソード
102 アノード
103 アノード
104 アノード
105 アノード
106 アノード
107 アノード
120 基板
120a 気体流入口
120b 気体流入口
121 基板
122 基板
124 カソード
126 材料
130 カソード
136 カソード、チェンバ
138 電気絶縁材料
139 シール
140 アノード
142 電気絶縁
Claims (21)
- 基板上への材料のスパッタリングに使用するためのスパッタリング装置アノードであって、
導電性内側胴体および外側胴体を有する容器を画定する少なくとも1つのアノードを備え、前記アノードが導電性内側胴体への開口部を有し、前記導電性内側胴体がスパッタリング材料と前記導電性内側胴体の間に電位差を提供するための電圧源と結合される、スパッタリング装置アノードであって、
前記開口部は、前記容器の外周と比べて実質的に小さく、帯電した粒子がカソードと前記容器の内側胴体の間を前記開口部を介して流れることができ、かつコーティング材料が前記容器内に被着するのを実質的に防止することができる大きさであることを特徴とするスパッタリング装置アノード。 - 前記開口部は、コーティング・チェンバと連絡するために一方の端部に位置している請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記開口部は、帯電した粒子が前記導電性内側胴体とコーティング・チェンバ内のカソードの間を流れることを可能にするために一方の端部に位置している請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記容器は、前記導電性内側胴体とカソードの間に印加される電圧の存在下でプラズマを点火するための希ガスを受け取るための流入ポートを有している請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記容器の開口部が前記コーティング・チェンバに対面しかつ前記コーティング・チェンバに対して開くようにして、前記コーティング・チェンバの外部に配置されると共にこれと物理的に結合されるように適合させた請求項2または3に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記容器の外側胴体は容器の内側胴体と異なる第1の材料から構成されており、かつ前記第1の材料は絶縁材料である請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記アノード内側胴体は、前記内側胴体を選択的にフロート状態、バイアス状態または接地状態とするためにスイッチに結合されている請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- コーティング中の動作時に前記アノードが導電性コンテナの役割をするようにコーティング・チェンバの外部に固定式に結合され、前記コーティング・チェンバ内に前記材料と共に配置させた基板をコーティングするために前記コーティング・チェンバ内のカソードと前記容器の内部との間に帯電した粒子が流れる、請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記開口部は、>10cm2の面積を有している請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記コーティング・チェンバの外部で前記アノードに対して気体ラインおよび/または水ラインが装着されている請求項3に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記容器の内部はその断面が実質的に円筒状または球状である請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記導電性内側胴体の表面積は少なくとも300cm2である請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- アノード・キャビティ内の圧力は前記コーティング・チェンバ内と同じである請求項2または3に記載のスパッタリング装置アノード。
- アノード・キャビティ内の圧力は前記コーティング・チェンバ内の圧力より少なくとも20%高い請求項2または3に記載のスパッタリング装置アノード。
- アノード・キャビティ内の圧力は前記コーティング・チェンバ内の圧力より少なくとも2倍高い請求項2または3に記載のスパッタリング装置アノード。
- 前記アノードが水冷される請求項1に記載のスパッタリング装置アノード。
- 請求項1に記載のアノードを含み、かつ導電性内側胴体への開口部を有しかつ外側胴体を有する容器を画定する第2のアノードを含み、前記第2のアノードの導電性内側胴体がカソードと前記第2のアノードの前記内側胴体の間に電位差を提供するための電圧源と結合されるスパッタリング装置。
- 前記第1のアノードおよび前記第2のアノードは同じ直線状カソードによって電気的に結合される請求項17に記載のスパッタリング装置。
- コーティング材料のスパッタ分布は、前記アノードを電気的に切り替えること、および/または異なるアノードの容器への気体流を独立して調整すること、によって制御されている請求項18に記載のスパッタリング装置。
- 請求項1に記載のアノードと、
前記アノードの近傍に配置されかつ前記アノードと連絡しているカソードと、を備えるスパッタリング装置であって、前記カソードの各側面は電気的に絶縁されており、かつ前記アノードの導電性内側胴体が前記カソードと前記導電性内側胴体の間に電位差を提供するための電圧源に結合されるスパッタリング装置。 - 前記カソードの側面は、誘電体コーティング、絶縁テープ、テフロン(登録商標)コーティングまたはプレート、およびセラミック・プレート、またはこれらの組み合わせによってコーティングされる請求項20に記載のスパッタリング装置。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60321104P | 2004-08-20 | 2004-08-20 | |
US60/603,211 | 2004-08-20 | ||
US11/074,249 | 2005-03-07 | ||
US11/074,249 US20060049041A1 (en) | 2004-08-20 | 2005-03-07 | Anode for sputter coating |
US11/177,465 US7879209B2 (en) | 2004-08-20 | 2005-07-08 | Cathode for sputter coating |
US11/177,465 | 2005-07-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006057181A JP2006057181A (ja) | 2006-03-02 |
JP4907124B2 true JP4907124B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=35722363
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237830A Active JP4907124B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-18 | スパッタ・コーティング用アノード |
JP2005238264A Active JP5048229B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-19 | マグネトロン・スパッタリング・デバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005238264A Active JP5048229B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-19 | マグネトロン・スパッタリング・デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7879209B2 (ja) |
EP (2) | EP1628323B1 (ja) |
JP (2) | JP4907124B2 (ja) |
CN (2) | CN1737188B (ja) |
AT (1) | ATE492025T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025293D1 (ja) |
ES (1) | ES2626641T3 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4669831B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2011-04-13 | 株式会社アルバック | イオンビーム源及びこれを備えた成膜装置 |
CN101240410B (zh) * | 2007-02-07 | 2010-11-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 溅镀装置 |
US8864958B2 (en) | 2007-03-13 | 2014-10-21 | Jds Uniphase Corporation | Method and sputter-deposition system for depositing a layer composed of a mixture of materials and having a predetermined refractive index |
CN101842868B (zh) * | 2007-11-01 | 2012-12-26 | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) | 制造经处理表面的方法和真空等离子体源 |
CN101970714A (zh) * | 2007-12-27 | 2011-02-09 | 埃克阿泰克有限责任公司 | 多通道真空镀膜系统 |
US20090294050A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Precision Photonics Corporation | Optical contacting enhanced by hydroxide ions in a non-aqueous solution |
US20090294017A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Precision Photonics Corporation | Optical contacting enabled by thin film dielectric interface |
US20100272964A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-10-28 | Precision Photonics Corporation - Photonics | Optical Contacting Enabled by Thin Film Dielectric Interface |
JP2010285316A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Konica Minolta Opto Inc | 金型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
US9502222B2 (en) * | 2010-04-16 | 2016-11-22 | Viavi Solutions Inc. | Integrated anode and activated reactive gas source for use in magnetron sputtering device |
JP5619666B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2014-11-05 | ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーションJDS Uniphase Corporation | マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するためのリング・カソード |
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- 2005-07-08 US US11/177,465 patent/US7879209B2/en active Active
- 2005-07-23 ES ES05254602.5T patent/ES2626641T3/es active Active
- 2005-07-23 EP EP05254602.5A patent/EP1628323B1/en active Active
- 2005-08-17 EP EP05255082A patent/EP1628324B8/en active Active
- 2005-08-17 AT AT05255082T patent/ATE492025T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-08-17 US US11/205,398 patent/US8163144B2/en active Active
- 2005-08-17 DE DE602005025293T patent/DE602005025293D1/de active Active
- 2005-08-18 JP JP2005237830A patent/JP4907124B2/ja active Active
- 2005-08-19 JP JP2005238264A patent/JP5048229B2/ja active Active
- 2005-08-19 CN CN200510090898.7A patent/CN1737188B/zh active Active
- 2005-08-22 CN CN200510092825.1A patent/CN1737190B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006057181A (ja) | 2006-03-02 |
EP1628323A3 (en) | 2009-04-22 |
US20060049042A1 (en) | 2006-03-09 |
US20060070877A1 (en) | 2006-04-06 |
EP1628323B1 (en) | 2017-03-29 |
JP2006057184A (ja) | 2006-03-02 |
EP1628324A3 (en) | 2007-07-04 |
CN1737188A (zh) | 2006-02-22 |
EP1628323A2 (en) | 2006-02-22 |
EP1628324B1 (en) | 2010-12-15 |
EP1628324B8 (en) | 2011-01-26 |
CN1737190A (zh) | 2006-02-22 |
EP1628324A2 (en) | 2006-02-22 |
CN1737188B (zh) | 2011-12-14 |
JP5048229B2 (ja) | 2012-10-17 |
US7879209B2 (en) | 2011-02-01 |
DE602005025293D1 (de) | 2011-01-27 |
CN1737190B (zh) | 2012-05-23 |
ES2626641T3 (es) | 2017-07-25 |
ATE492025T1 (de) | 2011-01-15 |
US8163144B2 (en) | 2012-04-24 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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