JP3143016B2 - プラズマ発生装置 - Google Patents

プラズマ発生装置

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JP3143016B2
JP3143016B2 JP06173937A JP17393794A JP3143016B2 JP 3143016 B2 JP3143016 B2 JP 3143016B2 JP 06173937 A JP06173937 A JP 06173937A JP 17393794 A JP17393794 A JP 17393794A JP 3143016 B2 JP3143016 B2 JP 3143016B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンプレーティング
やプラズマCVD装置などに用いて最適なプラズマ発生
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンプレーティング装置などのプラズ
マ発生装置では、真空チャンバー内にプラズマを形成
し、このプラズマによって成膜材料をイオン化し、チャ
ンバー内の基板にイオン化材料を付着させるようにして
いる。このチャンバー内でプラズマを発生させるため、
チャンバーに電子源を備え、電子源からの電子をチャン
バー内に導入するようにしている。最近、この電子源と
してプラズマ源が用いられている。
【0003】図1は電子源としてプラズマ源を用いたプ
ラズマ発生装置を示している。図中1はプラズマ源であ
り、プラズマ源1はカソード2、リング状のアノード
3、磁場発生用コイル4、カソード2を包むように配置
された円筒状のケース5、ケース5の端部に設けられた
ガス導入口6で構成されている。プラズマ源1は真空チ
ャンバー7内に内蔵された形で取り付けられている。カ
ソード2はタングステンなどの熱電子放出材料の線材で
形成されている。このカソード2は加熱電源8に接続さ
れており、熱電子が放出可能な温度にまで加熱できるよ
うに構成されている。なお、アノード3はケース5に対
し碍子9によって電気的に絶縁されている。
【0004】アノード3は、カソード2と放電用直流電
源10、抵抗R1を介して接続されており、アノード3
にはカソード2に対して+50V〜+150Vの電圧が
印加されており、ケース5内で発生したプラズマ中の電
子を引き出して加速させ、真空チャンバー7内に導く役
割をする。ケース5はカソード2とアノード3との間で
安定な放電を維持させるための放電室となっている。ま
た、ケース5は数100Ω程度の抵抗R3を介して放電
電源10に接続されている。その結果、ケース5はカソ
ード2の平均電位に対してアルゴンガスの電離電圧以上
の電圧が印加されており、放電トリガの役割を果たすよ
うに構成されている。なお、カソード2、アノード3、
放電用直流電源10で構成される放電回路は、真空チャ
ンバー7と高抵抗R2で接続されている。
【0005】コイル4は、ケース5内で発生したプラズ
マ中から電子が引き出される方向と平行な磁場を形成す
る電磁石であり、この磁場により、ケース5内の放電プ
ラズマを集束させ、電子ビームをアノード3から通過さ
せる助けをすると共に、アノード3から真空チャンバー
6へ引き出された電子ビームをアノード3から遠方に導
く役割も有している。なお、ケース5やアノード3は詳
細に図示していないが、冷却水が循環できる構造となっ
ている。次にこのような構成の動作を説明する。
【0006】まず、ケース5内を図示していない真空排
気系により高真空に排気し、その後、ケース5内にガス
導入口6からアルゴンガスなどの不活性ガスを導入す
る。この場合、ケース5内の圧力を10−2Torrよ
りも高く設定する。ケース5内が所定の圧力に設定され
た後、カソード2に加熱電源8より電流を供給して通電
加熱し、カソードを熱電子放出可能な温度にまで加熱す
る。この結果、カソード2から熱電子が放出され、カソ
ード2とアノード3との間、および、カソード2とケー
ス5との間で放電が発生する。この放電によりケース5
内部のアルゴンガスはイオン化され、ケース5内にはプ
ラズマが発生する。
【0007】このようにして発生したプラズマは、コイ
ル4が作る磁場の影響でカソード2からの電子ビームの
軸方向に集束され、更に、アノード3の加速電界により
加速された電子は、真空チャンバー7へと引き出され
る。真空チャンバー7内に引き出された電子は、真空チ
ャンバー7内にガス導入口11から導入された活性ガ
ス、または反応ガスなどを励起してプラズマ化し、真空
チャンバー7内に濃いプラズマを形成する。
【0008】なお、プラズマ源1の放電回路と真空チャ
ンバー7とが高抵抗により接続されていることから、ア
ノード3から真空チャンバー7に引き出された放電電流
は真空チャンバー7へは流れにくくなり、ほとんどがア
ノード3方向に戻ることになる。つまり、プラズマ源1
はアノード2から引き出された電子ビームがUターンし
てアノード3に戻されるような振る舞いをする。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成のプラズ
マ源は、次のような問題点を有している。すなわち、ケ
ース5内のプラズマ中の電子は、その大部分が真空チャ
ンバー7へ引き出されないで直接アノード3に流れ込ん
でしまうことである。したがって、カソード2とアノー
ド3との間の放電電流に対し、真空チャンバー7に引き
出される放電電流はかなり減少してしまう。この点を解
決するため、コイル4により磁場を強くしてケース5内
のプラズマから引き出す電子を軸方向に圧縮して直接ア
ノード3に流れ込むことを防止することが考えられる。
しかしながら、この方法では、直接アノード3に流れ込
む放電電流を減少させることができるものの、アノード
3から真空チャンバー7へ引き出された電子ビームによ
り発生したプラズマが、磁場の影響を受けてアノード3
付近で広がることができず、アノード3から引き出され
た電子ビームがUターンしてアノード3に戻されるよう
な振る舞いが阻害され、真空チャンバー7に投入できる
放電出力を高めることができない。
【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、プラズマ源からの電子を効率良く
真空チャンバー内に導入し、濃いプラズマを発生させる
ことができるプラズマ発生装置を実現するにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に基づくプラズマ
発生装置は、内部にプラズマガスが供給されるケース
と、カソードとアノードを備えており、カソードを加熱
することによって発生した熱電子によってケース内にプ
ラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、プラ
ズマ源のケース内で発生したプラズマからアノードによ
って引き出され加速された電子が導入される真空チャン
バーとを備え、プラズマ源の放電回路と真空チャンバー
とを高抵抗で接続したプラズマ発生装置において、前記
ケース内に形成されたプラズマに面したアノードの前面
に、アノードおよびケースと絶縁され、且つ、フローテ
ィング電位とされたシールド板を設けたことを特徴とし
ている。発明に基づく他のプラズマ発生装置は、内部に
プラズマガスが供給されるケースと、カソードとアノー
ドを備えており、カソードを加熱することによって発生
した熱電子によってケース内にプラズマを形成するよう
に構成されたプラズマ源と、プラズマ源のケース内で発
生したプラズマからアノードによって引き出され加速さ
れた電子が導入される真空チャンバーとを備えたプラズ
マ発生装置において、前記ケース内に形成されたプラズ
マに面したアノードの前面に、高抵抗を介して接地され
たシールド板を設けたことを特徴としている。
【0012】
【作用】本発明に基づくプラズマ装置は、プラズマ源の
ケース内に形成されたプラズマに面したアノードの前面
に、シールド板を設け、プラズマから引き出された電子
がアノードに流れ込むことを防止する。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図2は本発明の一実施例を示しているが、
図1の従来装置と同一ないしは類似構成要素には同一番
号を付しその詳細な説明は省略する。この実施例では、
アノード3の前面にシールド板12が配置されている点
が図1の従来装置と異なっている。このシールド板12
はケース5内に形成されたプラズマに晒されるアノード
3の面を覆うように配置されている。シールド板12は
アノード3やケース5と絶縁して配置され、フローティ
ング状態とされるか、あるいは高抵抗を介して接地され
る。また、高抵抗を介して接地されているケース5に固
定し、ケース5と電気的に接続させるようにしても良
い。このような構成の動作を次に説明する。
【0014】まず、図1の従来装置と同様に、ケース5
内を図示していない真空排気系により高真空に排気し、
その後、ケース5内にガス導入口6からアルゴンガスな
どの不活性ガスを導入する。この場合、ケース5内の圧
力を10−2Torrよりも高く設定する。ケース5内
が所定の圧力に設定された後、カソード2に加熱電源よ
り電流を供給して通電加熱し、カソードを熱電子放出可
能な温度にまで加熱する。この結果、カソード2から熱
電子が放出され、カソード2とケース5との間、およ
び、カソード2とシールド板12との間で放電が発生す
る。この放電によりケース5内部のアルゴンガスはイオ
ン化され、ケース5内にはプラズマが発生する。
【0015】このようにして発生したプラズマは、コイ
ル4が作る磁場の影響でカソード2からの電子ビームの
軸方向に集束され、更に、アノード3の加速電界により
加速された電子は、真空チャンバー7へと引き出され
る。このとき、プラズマ中の電子は、ケース5やシール
ド板12に流れ込みにくいことから、そのほとんどがシ
ールド板の真空チャンバー7に面した開口部に存在する
アノード3の加速電界により加速され、真空チャンバー
7へと効率良く引き出される。ここで、コイル4による
磁場の影響については、プラズマ源の運転時のコイル磁
場強度をコイル中心で100ガウス〜300ガウスとし
ており、実用上何等問題なく動作することが確認され
た。
【0016】真空チャンバー7内に引き出された電子
は、真空チャンバー7内に導入された活性ガス、または
反応ガスなどを励起してプラズマ化し、真空チャンバー
7内に濃いプラズマを形成する。なお、プラズマ源1の
放電回路と真空チャンバー7とが高抵抗により接続され
ていることから、アノード3から真空チャンバー7に引
き出された放電電流は真空チャンバー7へは流れにくく
なり、ほとんどがアノード3方向に戻ることになる。つ
まり、プラズマ源1はアノード3から引き出された電子
ビームがUターンしてアノード3に戻されるような振る
舞いをする。したがって、アノード3の真空チャンバー
7に対向する面の前には、シールド板を配置しないよう
に構成しなければならない。
【0017】尚、プラズマ源1を真空チャンバー7内に
内蔵する構成に限らず、プラズマ源を真空チャンバーの
壁部に外付けする構成であっても良い。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づくプ
ラズマ発生装置は、プラズマ源のケース内に形成された
プラズマに面したアノードの前面に、シールド板を設
け、プラズマから引き出された電子が真空チャンバーに
引き出される前にアノードに流れ込むことを防止するよ
うに構成した。この結果、プラズマ源から真空チャンバ
ー内に効率良く電子を供給することができ、チャンバー
内に濃いプラズマを形成することができる。また、アノ
ードへの電子の流れ込みを防ぐために磁場強度を増加さ
せる必要がないので、真空チャンバー内の狭い範囲にの
み電子が導入されるような従来装置の問題点は解消され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のプラズマ発生装置を示す図である。
【図2】本発明に基づくプラズマ発生装置の一実施例を
示す図である。
【符号の説明】
1 プラズマ源 2 カソード 3 アノード 4 磁場発生用コイル 5 ケース 6 ガス導入口 7 真空チャンバー 8 加熱電源 9 碍子 10 放電電源 11 ガス導入口 12 シールド板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−17594(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05H 1/24 H05H 1/46

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部にプラズマガスが供給されるケース
    と、カソードとアノードを備えており、カソードを加熱
    することによって発生した熱電子によってケース内にプ
    ラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、プラ
    ズマ源のケース内で発生したプラズマからアノードによ
    って引き出され加速された電子が導入される真空チャン
    バーとを備え、プラズマ源の放電回路と真空チャンバー
    とを高抵抗で接続したプラズマ発生装置において、前記
    ケース内に形成されたプラズマに面したアノードの前面
    に、アノードおよびケースと絶縁され、且つ、フローテ
    ィング電位とされたシールド板を設けたことを特徴とす
    るプラズマ発生装置。
  2. 【請求項2】 内部にプラズマガスが供給されるケース
    と、カソードとアノードを備えており、カソードを加熱
    することによって発生した熱電子によってケース内にプ
    ラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、プラ
    ズマ源のケース内で発生したプラズマからアノードによ
    って引き出され加速された電子が導入される真空チャン
    バーとを備えたプラズマ発生装置において、前記ケース
    内に形成されたプラズマに面したアノードの前面に、高
    抵抗を介して接地されたシールド板を設けたことを特徴
    とするプラズマ発生装置。
  3. 【請求項3】 アノードから真空チャンバーに引き出さ
    れた電子ビームがUターンしてアノードに戻されるよう
    に、アノードの真空チャンバーに対向する面の前には、
    前記シールド板を配置しないように構成したことを特徴
    とする請求項1又は2記載のプラズマ発生装置
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JP5350911B2 (ja) * 2008-07-31 2013-11-27 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ発生装置及び成膜装置並びに成膜方法及び表示素子の製造方法

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