JPH04293235A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
- Publication number
- JPH04293235A JPH04293235A JP3058721A JP5872191A JPH04293235A JP H04293235 A JPH04293235 A JP H04293235A JP 3058721 A JP3058721 A JP 3058721A JP 5872191 A JP5872191 A JP 5872191A JP H04293235 A JPH04293235 A JP H04293235A
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- JP
- Japan
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- anode
- plasma
- substrate holder
- cathodes
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波プラズマを利用し
て基板をエッチングもしくはCVD等の生膜処理をする
装置で、詳しくはスループット向上のためアノード兼基
板ホルダの両面に基板を保持し、各々の面に対向するカ
ソードに高周波電力を供給して高周波プラズマを発生し
、基板を処理するプラズマ発生装置に係り、特にアノー
ド兼基板ホルダの両側に発生するプラズマの相互干渉防
止に関する。
て基板をエッチングもしくはCVD等の生膜処理をする
装置で、詳しくはスループット向上のためアノード兼基
板ホルダの両面に基板を保持し、各々の面に対向するカ
ソードに高周波電力を供給して高周波プラズマを発生し
、基板を処理するプラズマ発生装置に係り、特にアノー
ド兼基板ホルダの両側に発生するプラズマの相互干渉防
止に関する。
【0002】
【従来の技術】図1に示すように1つの反応室1内に平
行する2つのカソード2,3とこれに対応する1つのア
ノード兼基板ホルダ7を有するプラズマ発生装置では、
アノード兼基板ホルダ7の両側に発生するプラズマが相
互干渉し、放電が不安定になったり、各々の側の放電の
独立性が減少したりすることで、エッチングやCVDな
ど意図する処理の制御性が悪化する。
行する2つのカソード2,3とこれに対応する1つのア
ノード兼基板ホルダ7を有するプラズマ発生装置では、
アノード兼基板ホルダ7の両側に発生するプラズマが相
互干渉し、放電が不安定になったり、各々の側の放電の
独立性が減少したりすることで、エッチングやCVDな
ど意図する処理の制御性が悪化する。
【0003】従来は、アノード兼基板ホルダ7の両側に
発生するプラズマの相互干渉を防止・低減するためにア
ノード兼基板ホルダ7の面積を拡大したり、反応室1側
壁にシールド板を取付けるなどの構成となっている。
発生するプラズマの相互干渉を防止・低減するためにア
ノード兼基板ホルダ7の面積を拡大したり、反応室1側
壁にシールド板を取付けるなどの構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあっては
、反応室1内の構造を複雑にし、パーティクルの発生,
コストアップの要因となる上、電極の形状、大きさ、ガ
ス導入方法などに応じて設計変更せざるを得ないという
課題がある。
、反応室1内の構造を複雑にし、パーティクルの発生,
コストアップの要因となる上、電極の形状、大きさ、ガ
ス導入方法などに応じて設計変更せざるを得ないという
課題がある。
【0005】本発明の目的は、反応室内に、平行する2
つのカソードとこれに対応する1つのアノード兼基板ホ
ルダが収納され、カソードに高周波電力を供給しプラズ
マを発生させるプラズマ発生装置において、アノード兼
基板ホルダの両側に発生するプラズマの相互干渉を防止
もしくは低減することにある。
つのカソードとこれに対応する1つのアノード兼基板ホ
ルダが収納され、カソードに高周波電力を供給しプラズ
マを発生させるプラズマ発生装置において、アノード兼
基板ホルダの両側に発生するプラズマの相互干渉を防止
もしくは低減することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明装置は上記の課題
を解決し上記の目的を達成するため、図1に示すように
反応室1内に、基板8,9を両面に保持したアノード兼
基板ホルダ7を設置し、このアノード兼基板ホルダ7の
両面に対向して平行にカソード2,3を配置し、前記反
応室1内を排気口6より排気しつつガス導入口4,5よ
り反応ガスを流通させ、前記アノード兼基板ホルダ7と
両カソード2,3間に高周波電力を印加して高周波プラ
ズマを発生させ、前記基板8,9を処理するプラズマ発
生装置において、前記両カソード2,3に高周波電源1
0の高周波電力を交互にパルス的に供給する構成とする
。
を解決し上記の目的を達成するため、図1に示すように
反応室1内に、基板8,9を両面に保持したアノード兼
基板ホルダ7を設置し、このアノード兼基板ホルダ7の
両面に対向して平行にカソード2,3を配置し、前記反
応室1内を排気口6より排気しつつガス導入口4,5よ
り反応ガスを流通させ、前記アノード兼基板ホルダ7と
両カソード2,3間に高周波電力を印加して高周波プラ
ズマを発生させ、前記基板8,9を処理するプラズマ発
生装置において、前記両カソード2,3に高周波電源1
0の高周波電力を交互にパルス的に供給する構成とする
。
【0007】
【作用】このように両カソード2,3に高周波電力を交
互にパルス的に供給することにより、アノード兼基板ホ
ルダ7の両側に発生するプラズマの相互干渉を防止もし
くは低減できることになる。
互にパルス的に供給することにより、アノード兼基板ホ
ルダ7の両側に発生するプラズマの相互干渉を防止もし
くは低減できることになる。
【0008】
【実施例】図1は本発明装置の1実施例の構成を示す簡
略断面図、図2はその作用の説明図である。1は反応室
、7はこの反応室1内に設置されたアノード兼基板ホル
ダで、その両面に基板8,9が保持されている。このア
ノード兼基板ホルダ7の両面に対向して平行にカソード
2,3が配置されている。
略断面図、図2はその作用の説明図である。1は反応室
、7はこの反応室1内に設置されたアノード兼基板ホル
ダで、その両面に基板8,9が保持されている。このア
ノード兼基板ホルダ7の両面に対向して平行にカソード
2,3が配置されている。
【0009】4,5はガス導入口で、それぞれカソード
2,3に連通している。6は排気口で、これに連結され
た排気装置(図示せず)により反応室1内を排気する。 10はアノード兼基板ホルダ7と両カソード2,3間に
それぞれ整合器11,12を介して接続された制御器付
き高周波電源であり、両カソード2,3に高周波電力を
交互にパルス的に供給する。
2,3に連通している。6は排気口で、これに連結され
た排気装置(図示せず)により反応室1内を排気する。 10はアノード兼基板ホルダ7と両カソード2,3間に
それぞれ整合器11,12を介して接続された制御器付
き高周波電源であり、両カソード2,3に高周波電力を
交互にパルス的に供給する。
【0010】上記の構成において反応室1内を排気口6
より排気しつつ反応ガスをガス導入口4,5からカソー
ド2,3を通して反応室1内に流入させる。制御器付き
高周波電源10の高周波電力が整合器11,12を通じ
て2つのカソード2,3に供給される。高周波電力は、
図2に示すように一方のカソード2と他方のカソード3
に交互にパルス的に供給され、プラズマが発生する。
より排気しつつ反応ガスをガス導入口4,5からカソー
ド2,3を通して反応室1内に流入させる。制御器付き
高周波電源10の高周波電力が整合器11,12を通じ
て2つのカソード2,3に供給される。高周波電力は、
図2に示すように一方のカソード2と他方のカソード3
に交互にパルス的に供給され、プラズマが発生する。
【0011】1つのアノード兼基板ホルダ7をカソード
2側とカソード3側で同時に使用することがないので、
プラズマの相互干渉は発生しない。また、例えば図2で
一方のカソード2への電力オフと他方のカソード3への
電力オンの間にデッドタイムΔtを設けることにより、
プラズマの相互干渉防止効果を更に高めることが可能で
ある。
2側とカソード3側で同時に使用することがないので、
プラズマの相互干渉は発生しない。また、例えば図2で
一方のカソード2への電力オフと他方のカソード3への
電力オンの間にデッドタイムΔtを設けることにより、
プラズマの相互干渉防止効果を更に高めることが可能で
ある。
【0012】なお、本発明で用いたパルス放電プラズマ
の発生技術は従来より1つの反応室内に1対のアノード
とカソードを有するプラズマ発生装置において使用され
ることがあるが、その目的はアフタグロープラズマによ
って電子温度の低いプラズマを発生させたり、大電流パ
ルス放電による高温高密度のプラズマを発生させること
にあり、本発明のように1つの反応室内に2つのカソー
ドと1つのアノードを有するプラズマ発生装置において
、プラズマの相互干渉防止を図るためには用いられてい
ないのが現状である。
の発生技術は従来より1つの反応室内に1対のアノード
とカソードを有するプラズマ発生装置において使用され
ることがあるが、その目的はアフタグロープラズマによ
って電子温度の低いプラズマを発生させたり、大電流パ
ルス放電による高温高密度のプラズマを発生させること
にあり、本発明のように1つの反応室内に2つのカソー
ドと1つのアノードを有するプラズマ発生装置において
、プラズマの相互干渉防止を図るためには用いられてい
ないのが現状である。
【0013】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、■2つの
カソード2,3へ交互に高周波電力を供給し、1つの反
応室1内にプラズマを発生させる場合にプラズマの相互
干渉を防止することができる。■プラズマの相互干渉が
なくなることで、従来使用されていたシールド板が不要
になり、またアノード電極を不必要に拡大する必要がな
くなり、反応室構造が単純になる。これはパーティクル
の低減やコスト低減につながる。
カソード2,3へ交互に高周波電力を供給し、1つの反
応室1内にプラズマを発生させる場合にプラズマの相互
干渉を防止することができる。■プラズマの相互干渉が
なくなることで、従来使用されていたシールド板が不要
になり、またアノード電極を不必要に拡大する必要がな
くなり、反応室構造が単純になる。これはパーティクル
の低減やコスト低減につながる。
【図1】本発明装置の1実施例の構成を示す簡略断面図
である。
である。
【図2】その作用の説明図である。
1 反応室
2,3 カソード
4,5 ガス導入口
6 排気口
7 アノード兼基板ホルダ
8,9 基板
10 制御器付き高周波電源
Claims (3)
- 【請求項1】 反応室(1)内に、基板(8,9)を
両面に保持したアノード兼基板ホルダ(7)を設置し、
このアノード兼基板ホルダ(7)の両面に対向して平行
にカソード(2,3)を配置し、前記反応室(1)内を
排気口(6)より排気しつつガス導入口(4,5)より
反応ガスを流通させ、前記アノード兼基板ホルダ(7)
と両カソード(2,3)間に高周波電力を印加して高周
波プラズマを発生させ、前記基板(8,9)を処理する
プラズマ発生装置において、前記両カソード(2,3)
に高周波電源(10)の高周波電力を交互にパルス的に
供給する構成とすることを特徴とするプラズマ発生装置
。 - 【請求項2】 アノード兼基板ホルダ(7)に対し制
御器付き高周波電源(10)を各カソード(2,3)に
接続してなる請求項1のプラズマ発生装置。 - 【請求項3】 一方のカソード(2)への電力オフと
他方のカソード(3)への電力オンの間にデットタイム
(Δt)を設けることを特徴とする請求項1,2のプラ
ズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3058721A JPH04293235A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3058721A JPH04293235A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04293235A true JPH04293235A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13092365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3058721A Pending JPH04293235A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04293235A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995026427A1 (de) * | 1994-03-29 | 1995-10-05 | Schott Glaswerke | Pcvd-verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gewölbten substraten |
WO1996027690A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Essilor International | Procede et appareil pour le depot assiste par plasma sur un substrat a deux faces |
JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009102705A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置及び磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3058721A patent/JPH04293235A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995026427A1 (de) * | 1994-03-29 | 1995-10-05 | Schott Glaswerke | Pcvd-verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gewölbten substraten |
WO1996027690A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Essilor International | Procede et appareil pour le depot assiste par plasma sur un substrat a deux faces |
FR2731370A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-13 | Cie Generale D Optique Essilor | Procede pour le depot assiste par plasma d'au moins une couche mince sur un substrat a deux faces, et reacteur correspondant |
JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009102705A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置及び磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
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