JPH07292475A - プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 - Google Patents
プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置Info
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- JPH07292475A JPH07292475A JP6107760A JP10776094A JPH07292475A JP H07292475 A JPH07292475 A JP H07292475A JP 6107760 A JP6107760 A JP 6107760A JP 10776094 A JP10776094 A JP 10776094A JP H07292475 A JPH07292475 A JP H07292475A
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- electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＥ−ＣＶＤ装置の上部電極の上面に不完全
な反応物が堆積されないようにする。 【構成】 反応室１０内に反応ガスを導入しながら反応
室１０内を所定の真空度に減圧し、この反応室１０内に
相対向して配置した上部電極１１と下部電極１２間に高
周波電力を印加して低圧反応ガスのプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより下部電極１２上の半導体ウェハ
１６に薄膜を形成するＰＥ−ＣＶＤ装置であって、上部
電極１１の上面ほぼ中央部に、その上部電極１１の周方
向に間隔を置いた複数の外縁箇所に向けてガスを吹き出
すガス吹出部１３を設け、このガス吹出部１３の吹出口
１３ｂから不活性ガスを噴出することにより、上部電極
１１の上面に気流を発生させ、上部電極１１の上面に堆
積しようとする不完全な反応物を排除する。
な反応物が堆積されないようにする。 【構成】 反応室１０内に反応ガスを導入しながら反応
室１０内を所定の真空度に減圧し、この反応室１０内に
相対向して配置した上部電極１１と下部電極１２間に高
周波電力を印加して低圧反応ガスのプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより下部電極１２上の半導体ウェハ
１６に薄膜を形成するＰＥ−ＣＶＤ装置であって、上部
電極１１の上面ほぼ中央部に、その上部電極１１の周方
向に間隔を置いた複数の外縁箇所に向けてガスを吹き出
すガス吹出部１３を設け、このガス吹出部１３の吹出口
１３ｂから不活性ガスを噴出することにより、上部電極
１１の上面に気流を発生させ、上部電極１１の上面に堆
積しようとする不完全な反応物を排除する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの成
膜工程に用いるプラズマエンハンスメント気相成長（以
下、ＰＥ−ＣＶＤと略称する）方法及びその装置に関
し、特にその反応室内の上部電極と下部電極間に高周波
電力を印加し、低圧反応ガスのプラズマを発生させて、
下部電極上に載置された被表面処理基板に薄膜を形成す
るときに、不完全な反応物が上部電極上面に形成されな
いようにしたＰＥ−ＣＶＤ方法及びその装置に関する。
膜工程に用いるプラズマエンハンスメント気相成長（以
下、ＰＥ−ＣＶＤと略称する）方法及びその装置に関
し、特にその反応室内の上部電極と下部電極間に高周波
電力を印加し、低圧反応ガスのプラズマを発生させて、
下部電極上に載置された被表面処理基板に薄膜を形成す
るときに、不完全な反応物が上部電極上面に形成されな
いようにしたＰＥ−ＣＶＤ方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】平行平板型のＰＥ−ＣＶＤ装置は、一般
に、反応室内に平板状の上部電極と下部電極を平行に対
向配置し、反応室内に反応ガスを供給しながら排気系で
吸引することにより反応室内を所定の真空度まで減圧
し、両電極間に高周波電力を印加して低圧反応ガスのプ
ラズマを発生させることにより、下部電極上の半導体ウ
ェハなどの被表面処理基板に反応生成物の薄膜を形成す
るものである。
に、反応室内に平板状の上部電極と下部電極を平行に対
向配置し、反応室内に反応ガスを供給しながら排気系で
吸引することにより反応室内を所定の真空度まで減圧
し、両電極間に高周波電力を印加して低圧反応ガスのプ
ラズマを発生させることにより、下部電極上の半導体ウ
ェハなどの被表面処理基板に反応生成物の薄膜を形成す
るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＰＥ−ＣＶＤ装置では、稼動時間の経過に伴い被表
面処理基板の処理数が多くなってくると、上部電極の上
面に不完全な低温反応物が堆積し、この反応物が処理中
の被表面処理基板上に落下し、被表面処理基板上に形成
される薄膜にパターン不良を発生させる割合が大きくな
り、例えば、半導体ウェハやガラス基板などの被表面処
理基板の歩留が低下するという問題があった。この発明
は、この不都合な点を解決することを課題とするもので
ある。
来のＰＥ−ＣＶＤ装置では、稼動時間の経過に伴い被表
面処理基板の処理数が多くなってくると、上部電極の上
面に不完全な低温反応物が堆積し、この反応物が処理中
の被表面処理基板上に落下し、被表面処理基板上に形成
される薄膜にパターン不良を発生させる割合が大きくな
り、例えば、半導体ウェハやガラス基板などの被表面処
理基板の歩留が低下するという問題があった。この発明
は、この不都合な点を解決することを課題とするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】従って、この発明は、反
応室内に反応ガスを導入しながら該反応室内を所定の真
空度に減圧し、この反応室内に相対向して配置した上部
電極と下部電極間に高周波電力を印加して低圧反応ガス
のプラズマを発生させ、このプラズマにより下部電極上
の被処理基板に薄膜を形成するＰＥ−ＣＶＤ方法に適用
されるものであって、前記上部電極のほぼ中央からその
上部電極の周辺に向かう気流を生じさせ、この気流によ
りその上部電極の上面に堆積しようとする不完全な反応
物を排除するようにして、前記課題を解決した。
応室内に反応ガスを導入しながら該反応室内を所定の真
空度に減圧し、この反応室内に相対向して配置した上部
電極と下部電極間に高周波電力を印加して低圧反応ガス
のプラズマを発生させ、このプラズマにより下部電極上
の被処理基板に薄膜を形成するＰＥ−ＣＶＤ方法に適用
されるものであって、前記上部電極のほぼ中央からその
上部電極の周辺に向かう気流を生じさせ、この気流によ
りその上部電極の上面に堆積しようとする不完全な反応
物を排除するようにして、前記課題を解決した。
【０００５】また、前記ＰＥ−ＣＶＤ方法を実現させる
ことができるこの発明のＰＥ−ＣＶＤ装置は、反応室
と、前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下
部電極と、前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を
印加する高周波電源と、前記反応室内に反応ガスを導入
する反応ガス導入手段と、前記反応室内を減圧する減圧
手段とを備え、前記上部電極の上面のほぼ中央部に、そ
の上部電極の周方向に間隔を置いた複数の外縁箇所に向
けて気流を噴出する気流噴出手段を設けて前記課題を解
決した。
ことができるこの発明のＰＥ−ＣＶＤ装置は、反応室
と、前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下
部電極と、前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を
印加する高周波電源と、前記反応室内に反応ガスを導入
する反応ガス導入手段と、前記反応室内を減圧する減圧
手段とを備え、前記上部電極の上面のほぼ中央部に、そ
の上部電極の周方向に間隔を置いた複数の外縁箇所に向
けて気流を噴出する気流噴出手段を設けて前記課題を解
決した。
【０００６】さらに、前記ＰＥ−ＣＶＤ方法を実現させ
ることができるこの発明のＰＥ−ＣＶＤ装置は、反応室
と、前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下
部電極と、前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を
印加する高周波電源と、前記反応室内に反応ガスを導入
する反応ガス導入手段と、前記反応室内を減圧する減圧
手段とを備え、前記上部電極の周方向に間隔を置いた複
数外縁箇所に、その上部電極のほぼ中央から気体を吸引
する吸気手段を設けて前記課題を解決した。
ることができるこの発明のＰＥ−ＣＶＤ装置は、反応室
と、前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下
部電極と、前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を
印加する高周波電源と、前記反応室内に反応ガスを導入
する反応ガス導入手段と、前記反応室内を減圧する減圧
手段とを備え、前記上部電極の周方向に間隔を置いた複
数外縁箇所に、その上部電極のほぼ中央から気体を吸引
する吸気手段を設けて前記課題を解決した。
【０００７】
【作用】この発明の方法及び装置においては、上部電極
のほぼ中央からその上部電極の周辺に向かう気流によ
り、上部電極の上面に堆積しようとする不完全な反応物
を排除できる。
のほぼ中央からその上部電極の周辺に向かう気流によ
り、上部電極の上面に堆積しようとする不完全な反応物
を排除できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明のＰＥ−ＣＶＤ方法をＰＥ−
ＣＶＤ装置と共に図面に基づいて説明する。図１は、こ
の発明の第１実施例であるＰＥ−ＣＶＤ装置の概略構成
図である。図１において、符号１０は気相成長が行われ
る反応室であり、この反応室１０内は、図示していない
反応ガス供給源からの反応ガスを反応室１０の上部の給
気口１０ａから反応室１０内に供給しながら、反応室１
０内の空気を反応室１０下部の排気口１０ｂから反応室
１０外に図示していない排気装置で排出し、反応室１０
内を所定の真空度に減圧する構成になっている。また、
反応室１０内には、円板状の上部電極１１と下部電極１
２が所定の間隔を開けて互いに平行に対向配置されてお
り、この上部電極１１と下部電極１２との間には、図示
していない高周波電源から高周波電力を印加し、これに
より、上部電極１１と下部電極１２間にプラズマを発生
させる構成になっている。
ＣＶＤ装置と共に図面に基づいて説明する。図１は、こ
の発明の第１実施例であるＰＥ−ＣＶＤ装置の概略構成
図である。図１において、符号１０は気相成長が行われ
る反応室であり、この反応室１０内は、図示していない
反応ガス供給源からの反応ガスを反応室１０の上部の給
気口１０ａから反応室１０内に供給しながら、反応室１
０内の空気を反応室１０下部の排気口１０ｂから反応室
１０外に図示していない排気装置で排出し、反応室１０
内を所定の真空度に減圧する構成になっている。また、
反応室１０内には、円板状の上部電極１１と下部電極１
２が所定の間隔を開けて互いに平行に対向配置されてお
り、この上部電極１１と下部電極１２との間には、図示
していない高周波電源から高周波電力を印加し、これに
より、上部電極１１と下部電極１２間にプラズマを発生
させる構成になっている。
【０００９】前記上部電極１１の上面ほぼ中央には、図
１および図２に示すように、柱状の支持部１１ａが立設
され、この支持部１１ａにより上部電極１１が反応室１
０内で支持されている。また、前記上部電極１１の上面
ほぼ中央には、前記支持部１１ａを囲むように環状のガ
ス吹出部１３が形成されている。更にまた、このガス吹
出部１３にはガス供給管１４が連結され、このガス供給
管１４は反応室１０の上部を貫通してアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガス供給源１５に接続されている。前記ガ
ス吹付部１３は環状管１３ａで構成されており、この環
状管１３ａの外周表面には、その周方向の複数箇所に等
間隔で、上部電極１１の上面に沿い、その上部電極１１
の外縁部に向けて気流を噴出する複数のガス吹出口１３
ｂが形成されている。なお、この実施例では、前記ガス
吹出部１３、ガス供給管１４、及び不活性ガス供給源１
５が気流噴出手段である。また、図１中、符号１６は下
部電極１２の上面に載置した被処理用の半導体ウェハで
ある。
１および図２に示すように、柱状の支持部１１ａが立設
され、この支持部１１ａにより上部電極１１が反応室１
０内で支持されている。また、前記上部電極１１の上面
ほぼ中央には、前記支持部１１ａを囲むように環状のガ
ス吹出部１３が形成されている。更にまた、このガス吹
出部１３にはガス供給管１４が連結され、このガス供給
管１４は反応室１０の上部を貫通してアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガス供給源１５に接続されている。前記ガ
ス吹付部１３は環状管１３ａで構成されており、この環
状管１３ａの外周表面には、その周方向の複数箇所に等
間隔で、上部電極１１の上面に沿い、その上部電極１１
の外縁部に向けて気流を噴出する複数のガス吹出口１３
ｂが形成されている。なお、この実施例では、前記ガス
吹出部１３、ガス供給管１４、及び不活性ガス供給源１
５が気流噴出手段である。また、図１中、符号１６は下
部電極１２の上面に載置した被処理用の半導体ウェハで
ある。
【００１０】次に、このＰＥ−ＣＶＤ装置の作用を説明
する。反応室１０内に反応ガス供給源から反応ガスを供
給しながら排気装置で吸引して、反応室１０内を所定の
真空度に減圧し、この状態で上部電極１１と下部電極１
２との間に高周波電源から高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、このプラズマで反応ガスを分解して下部
電極１２上の半導体ウェハ１６の表面に、例えば、半導
体層、層間絶縁膜などの薄膜を形成する。この薄膜の形
成時、不活性ガス供給源１５から所定流量の不活性ガス
をガス供給管１４を通してガス吹出部１３に供給するこ
とにより、不活性ガスをガス吹出部１３の各ガス吹出口
１３ｂから上部電極１１の上面に沿い外周方向に噴出さ
せる。
する。反応室１０内に反応ガス供給源から反応ガスを供
給しながら排気装置で吸引して、反応室１０内を所定の
真空度に減圧し、この状態で上部電極１１と下部電極１
２との間に高周波電源から高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、このプラズマで反応ガスを分解して下部
電極１２上の半導体ウェハ１６の表面に、例えば、半導
体層、層間絶縁膜などの薄膜を形成する。この薄膜の形
成時、不活性ガス供給源１５から所定流量の不活性ガス
をガス供給管１４を通してガス吹出部１３に供給するこ
とにより、不活性ガスをガス吹出部１３の各ガス吹出口
１３ｂから上部電極１１の上面に沿い外周方向に噴出さ
せる。
【００１１】薄膜の形成時、プラズマによる反応ガスの
分解で生じた不完全な反応物の一部が排気装置により吸
引されずに上部電極１１の上面に堆積しようとするが、
この上部電極１１の上面には、その中央部から外周方向
に前記不活性ガスの気流が生じているため、上部電極１
１の上面に堆積しようとする不完全な反応物はこの気流
によって上部電極１１の外周囲に吹き飛ばされ、上部電
極１１の上面に堆積しない。従って、半導体ウェハ１６
へのプラズマ気相成長法による薄膜形成時に、上部電極
１１上面の不完全な反応物が半導体ウェハ１６上に落下
するという現象はなくなり、半導体ウェハ１６の表面に
形成される薄膜のパターン欠陥を大幅に低減でき、その
不良発生率を０．３％以下にできることが認められた。
分解で生じた不完全な反応物の一部が排気装置により吸
引されずに上部電極１１の上面に堆積しようとするが、
この上部電極１１の上面には、その中央部から外周方向
に前記不活性ガスの気流が生じているため、上部電極１
１の上面に堆積しようとする不完全な反応物はこの気流
によって上部電極１１の外周囲に吹き飛ばされ、上部電
極１１の上面に堆積しない。従って、半導体ウェハ１６
へのプラズマ気相成長法による薄膜形成時に、上部電極
１１上面の不完全な反応物が半導体ウェハ１６上に落下
するという現象はなくなり、半導体ウェハ１６の表面に
形成される薄膜のパターン欠陥を大幅に低減でき、その
不良発生率を０．３％以下にできることが認められた。
【００１２】図３は、半導体ウェハ１６への付着ダスト
数（不完全な反応物数）とウェハ処理数との相関関係を
示すもので、この図から明らかなように、従来では、ウ
ェハ処理数が増加すると付着ダスト数が直線的に増加す
るのに対し、この実施例では、ウェハ処理数が増加して
も付着ダスト数はほとんど変化せず、かつ付着ダスト数
も少ないことが認められる。
数（不完全な反応物数）とウェハ処理数との相関関係を
示すもので、この図から明らかなように、従来では、ウ
ェハ処理数が増加すると付着ダスト数が直線的に増加す
るのに対し、この実施例では、ウェハ処理数が増加して
も付着ダスト数はほとんど変化せず、かつ付着ダスト数
も少ないことが認められる。
【００１３】図４は、この発明の第２実施例のＰＥ−Ｃ
ＶＤ装置の上部電極の概略構成図である。この実施例の
ＰＥ−ＣＶＤ装置では、上部電極１１の上面外縁に環状
の壁部２０ａが形成され、この壁部２０ａの内部に吸引
通路２０が形成されている。前記吸引通路２０には吸気
管２１が接続され、この吸気管２１は、上部電極１１の
上面に沿ってそのほぼ中央に至り、さらに、前記支持部
１１ａに沿って反応室１０の上部に至り、反応室１０を
貫通して排気装置に接続される。前記壁部２０ａの内周
面で周方向に間隔を置いた複数箇所には、上部電極１１
の上面に沿い、その上部電極１１のほぼ中央から気体を
吸引する複数の吸気口２０ｂが形成されている。なお、
この実施例では、前記吸引通路２０、吸気管２１、及び
排気装置で吸気手段を構成する。
ＶＤ装置の上部電極の概略構成図である。この実施例の
ＰＥ−ＣＶＤ装置では、上部電極１１の上面外縁に環状
の壁部２０ａが形成され、この壁部２０ａの内部に吸引
通路２０が形成されている。前記吸引通路２０には吸気
管２１が接続され、この吸気管２１は、上部電極１１の
上面に沿ってそのほぼ中央に至り、さらに、前記支持部
１１ａに沿って反応室１０の上部に至り、反応室１０を
貫通して排気装置に接続される。前記壁部２０ａの内周
面で周方向に間隔を置いた複数箇所には、上部電極１１
の上面に沿い、その上部電極１１のほぼ中央から気体を
吸引する複数の吸気口２０ｂが形成されている。なお、
この実施例では、前記吸引通路２０、吸気管２１、及び
排気装置で吸気手段を構成する。
【００１４】前記のように構成された第２実施例のＰＥ
−ＣＶＤ装置において、吸気管２１に接続された排気装
置が動作すると、吸引通路２０の各吸気口２０ｂから上
部電極１１の上面表層部のガスを吸引することにより、
図４の矢印に示すようなガスの流れが生じ、このガス流
により上部電極１１の上面に堆積する不完全な反応物が
吸引通路２０内に吸引され、吸気管２１を通って反応室
１０外に排出される。従って、上部電極１１の上面に不
完全な反応物が堆積することがなく、第１実施例と同様
に薄膜のパターン欠陥を大幅に低減することができるほ
か、半導体ウェハの歩留も向上させることができる。
−ＣＶＤ装置において、吸気管２１に接続された排気装
置が動作すると、吸引通路２０の各吸気口２０ｂから上
部電極１１の上面表層部のガスを吸引することにより、
図４の矢印に示すようなガスの流れが生じ、このガス流
により上部電極１１の上面に堆積する不完全な反応物が
吸引通路２０内に吸引され、吸気管２１を通って反応室
１０外に排出される。従って、上部電極１１の上面に不
完全な反応物が堆積することがなく、第１実施例と同様
に薄膜のパターン欠陥を大幅に低減することができるほ
か、半導体ウェハの歩留も向上させることができる。
【００１５】なお、この発明における気流噴出手段や吸
気手段は、前記実施例に示す構成のものに限定されず、
請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、種々の変形が
可能である。
気手段は、前記実施例に示す構成のものに限定されず、
請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、種々の変形が
可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
上部電極の上面に成膜中、常時、気流を発生させている
ので、この気流により上部電極の上面に堆積しようとす
る不完全な反応物を排除できる。このため、従来のＰＥ
−ＣＶＤ装置で見受けられたような、上部電極上面の不
完全な反応物が被処理基板上に落下するという現象がな
くなり、被処理基板の表面に形成される薄膜のパターン
欠陥を大幅に低減でき、被処理基板の歩留を向上できる
という効果がある。
上部電極の上面に成膜中、常時、気流を発生させている
ので、この気流により上部電極の上面に堆積しようとす
る不完全な反応物を排除できる。このため、従来のＰＥ
−ＣＶＤ装置で見受けられたような、上部電極上面の不
完全な反応物が被処理基板上に落下するという現象がな
くなり、被処理基板の表面に形成される薄膜のパターン
欠陥を大幅に低減でき、被処理基板の歩留を向上できる
という効果がある。
【図１】この発明の第１実施例であるＰＥ−ＣＶＤ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】図１に示したＰＥ−ＣＶＤ装置における気流噴
出手段の要部拡大断面図である。
出手段の要部拡大断面図である。
【図３】第１実施例のＰＥ−ＣＶＤ装置におけるウェハ
の付着ダスト数とウェハ処理数との相関関係を示す図で
ある。
の付着ダスト数とウェハ処理数との相関関係を示す図で
ある。
【図４】この発明の第２実施例であるＰＥ−ＣＶＤ装置
の上部電極の概略構成図である。
の上部電極の概略構成図である。
１０ 反応室 １１ 上部電極 １２ 下部電極 １３ ガス吹出部 １３ａ 環状管 １３ｂ ガス吹出口 １４ ガス供給管 １５ 不活性ガス供給源 １６ 半導体ウェハ（被処理基板） ２０ 吸引通路 ２０ｂ 吸気口 ２１ 吸気管
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に反応ガスを導入しながら該反
応室内を所定の真空度に減圧し、この反応室内に相対向
して配置した上部電極と下部電極間に高周波電力を印加
して低圧反応ガスのプラズマを発生させ、このプラズマ
により下部電極上の被処理基板に薄膜を形成するプラズ
マエンハンスメント気相成長方法において、 前記上部電極のほぼ中央からその上部電極の周辺に向か
う気流を生じさせ、この気流によりその上部電極の上面
に堆積しようとする不完全な反応物を排除するようにし
た、 ことを特徴とするプラズマエンハンスメント気相成長方
法。 - 【請求項２】 反応室と、 前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下部電
極と、 前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を印加する高
周波電源と、 前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入手段
と、 前記反応室内を減圧する減圧手段と、 を備えるプラズマエンハンスメント気相成長装置におい
て、 前記上部電極の上面のほぼ中央部に、その上部電極の周
方向に間隔を置いた複数の外縁箇所に向けて気流を噴出
する気流噴出手段を設けた、 ことを特徴とするプラズマエンハンスメント気相成長装
置。 - 【請求項３】 反応室と、 前記反応室内に相対向して配置した上部電極及び下部電
極と、 前記上部電極及び下部電極間に高周波電力を印加する高
周波電源と、 前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入手段
と、 前記反応室内を減圧する減圧手段と、 を備えるプラズマエンハンスメント気相成長装置におい
て、 前記上部電極の周方向に間隔を置いた複数外縁箇所に、
その上部電極のほぼ中央から気体を吸引する吸気手段を
設けた、 ことを特徴とするプラズマエンハンスメント気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107760A JPH07292475A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107760A JPH07292475A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07292475A true JPH07292475A (ja) | 1995-11-07 |
Family
ID=14467302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107760A Pending JPH07292475A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07292475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011162036A1 (ja) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、成膜方法、および制御装置 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6107760A patent/JPH07292475A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011162036A1 (ja) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、成膜方法、および制御装置 |
| US9991102B2 (en) | 2010-06-25 | 2018-06-05 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, film deposition method, and control device |
| US10636634B2 (en) | 2010-06-25 | 2020-04-28 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, film deposition method, and control device |
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