JPH06124906A - プラズマ電極装置 - Google Patents
プラズマ電極装置Info
- Publication number
- JPH06124906A JPH06124906A JP4276121A JP27612192A JPH06124906A JP H06124906 A JPH06124906 A JP H06124906A JP 4276121 A JP4276121 A JP 4276121A JP 27612192 A JP27612192 A JP 27612192A JP H06124906 A JPH06124906 A JP H06124906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- plasma
- chamber
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ、エッチング、アッシング、その他の
表面処理において、より均一な処理面の得られるプラズ
マ電極装置を提供する。 【構成】 ＲＦ電極またはアース電極のどちらか一方
の、基板と相対向する面に、内径デバイ長さ以下の複数
のガス排気口を全面にわたって分布させる。
表面処理において、より均一な処理面の得られるプラズ
マ電極装置を提供する。 【構成】 ＲＦ電極またはアース電極のどちらか一方
の、基板と相対向する面に、内径デバイ長さ以下の複数
のガス排気口を全面にわたって分布させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として、真空槽内にお
けるプラズマを利用した化学的気相蒸着（以下、ＣＶＤ
と略記する）、薄膜のエッチング、アッシング、その他
の表面処理に用いられる、交流または直流によるプラズ
マ電極装置に関するものである。
けるプラズマを利用した化学的気相蒸着（以下、ＣＶＤ
と略記する）、薄膜のエッチング、アッシング、その他
の表面処理に用いられる、交流または直流によるプラズ
マ電極装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ＣＶＤ、エッチング、アッシング、接着性改良のた
めの表面処理等において、均一な処理面を得るために様
々な工夫がなされている。
り、ＣＶＤ、エッチング、アッシング、接着性改良のた
めの表面処理等において、均一な処理面を得るために様
々な工夫がなされている。
【０００３】例えば小沼光晴春著「プラズマと成膜の基
礎」（日刊工業新聞社）に挙げられているように、電極
の中心よりガスを吹き出す方法、電極の周囲にリング状
のガス吹き出し口を配置する方法、あるいは電極表面に
小穴をたくさん設けて、その小穴より処理ガスをシャワ
ー状に吹き出す方法等が提案されている。
礎」（日刊工業新聞社）に挙げられているように、電極
の中心よりガスを吹き出す方法、電極の周囲にリング状
のガス吹き出し口を配置する方法、あるいは電極表面に
小穴をたくさん設けて、その小穴より処理ガスをシャワ
ー状に吹き出す方法等が提案されている。
【０００４】しかし従来の装置では、ガスの吹き出し方
法にのみ工夫が凝らされており、ガスの排気方法として
は、いずれも電極の中心や電極の周囲から排気する方法
を採っている。
法にのみ工夫が凝らされており、ガスの排気方法として
は、いずれも電極の中心や電極の周囲から排気する方法
を採っている。
【０００５】この排気方法によると、プラズマ空間内に
ガス濃度の不均一が生じるのは避けられず、その結果、
基板の処理状態も不均一になり、処理が十分な所と不十
分な所の分布が生じる。すなわちこれがプラズマＣＶＤ
における膜厚分布、プラズマエッチングにおけるエッチ
ング分布、プラズマアッシングにおけるアッシング分
布、その他の表面処理における反応効果分布と言われる
ものである。
ガス濃度の不均一が生じるのは避けられず、その結果、
基板の処理状態も不均一になり、処理が十分な所と不十
分な所の分布が生じる。すなわちこれがプラズマＣＶＤ
における膜厚分布、プラズマエッチングにおけるエッチ
ング分布、プラズマアッシングにおけるアッシング分
布、その他の表面処理における反応効果分布と言われる
ものである。
【０００６】この傾向は、当然のことながら電極および
基板が大きくなるほど増大し、表面処理技術上、大きな
問題になっている。
基板が大きくなるほど増大し、表面処理技術上、大きな
問題になっている。
【０００７】本発明は上記に鑑みてなされたものであ
り、より均一な処理表面が得られるプラズマ電極装置を
提供するものである。
り、より均一な処理表面が得られるプラズマ電極装置を
提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載されたプラズマ電極装置は、ＲＦ
電極またはアース電極のどちらか一方の、基板と相対向
する面に、内径がデバイ長さ以下の複数のガス排気口を
全面にわたって分布させることを特徴とする。
めに、請求項１に記載されたプラズマ電極装置は、ＲＦ
電極またはアース電極のどちらか一方の、基板と相対向
する面に、内径がデバイ長さ以下の複数のガス排気口を
全面にわたって分布させることを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載されたプラズマ電極装置
は、真空槽内部にアースシールドにより仕切られたプラ
ズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内部にはＲＦ電
極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管が設けられ、
前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板の配置が可能
なように基板支持部が設けられたプラズマ電極装置にお
いて、前記ＲＦ電極内部にはガス室が形成され、このガ
ス室にはガス導入管が接続され、前記ＲＦ電極表面に
は、前記ガス室からプラズマ空間へガスを放出するため
の内径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの複数のガス吹き出し
口が設けられ、前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズ
マ空間内のガスを排気するための、内径がデバイ長さ以
下でＲＦ電極を表面から裏面まで貫通する複数の筒状の
排気ノズルが設けられ、前記アースシールドは、前記Ｒ
Ｆ電極の側面および裏面をデバイ長さ以下の距離を保つ
ように包囲し、前記アースシールドと前記ＲＦ電極の裏
面との間には、前記排気ノズルからガスが送り込まれる
排気室が形成され、前記アースシールドの前記排気室に
面した面には排気孔が設けられ、前記アースシールドの
排気口を有する面に面した前記真空槽には、排気孔から
排出されるガスを吸引するためのポンプ引き口が設けら
れたことを特徴とする。
は、真空槽内部にアースシールドにより仕切られたプラ
ズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内部にはＲＦ電
極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管が設けられ、
前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板の配置が可能
なように基板支持部が設けられたプラズマ電極装置にお
いて、前記ＲＦ電極内部にはガス室が形成され、このガ
ス室にはガス導入管が接続され、前記ＲＦ電極表面に
は、前記ガス室からプラズマ空間へガスを放出するため
の内径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの複数のガス吹き出し
口が設けられ、前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズ
マ空間内のガスを排気するための、内径がデバイ長さ以
下でＲＦ電極を表面から裏面まで貫通する複数の筒状の
排気ノズルが設けられ、前記アースシールドは、前記Ｒ
Ｆ電極の側面および裏面をデバイ長さ以下の距離を保つ
ように包囲し、前記アースシールドと前記ＲＦ電極の裏
面との間には、前記排気ノズルからガスが送り込まれる
排気室が形成され、前記アースシールドの前記排気室に
面した面には排気孔が設けられ、前記アースシールドの
排気口を有する面に面した前記真空槽には、排気孔から
排出されるガスを吸引するためのポンプ引き口が設けら
れたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項３に記載されたプラズマ電極
装置は、真空槽内部にアースシールドにより側面を囲ま
れたプラズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内部に
はＲＦ電極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管が設
けられ、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板の配
置が可能なようにアースシールド上端部に基板支持部が
設けられたプラズマ電極装置において、前記ＲＦ電極内
部にはガス室が形成され、このガス室にはガス導入管が
接続され、前記ＲＦ電極表面には、前記ガス室からプラ
ズマ空間へガスを放出するための内径が０．１ｍｍ〜
１．０ｍｍの複数のガス吹き出し口が設けられ、前記ガ
ス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内のガスを排気
するための、内径がデバイ長さ以下でＲＦ電極を表面か
ら裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズルが設けら
れ、前記アースシールドは、前記ＲＦ空間の側面および
裏面と前記プラズマ空間の側面とをデバイ長さ以下の距
離を保つように包囲し、前記アースシールドと前記ＲＦ
電極の裏面との間には、前記排気ノズルからガスが送り
込まれる排気室が形成され、前記アースシールドの前記
排気室に面した面には、前記排気室からガスを真空槽外
に排気する排気管が設けられ、前記排気管には排出され
るガスを吸引するためのポンプ引き口が設けられたこと
を特徴とする。
装置は、真空槽内部にアースシールドにより側面を囲ま
れたプラズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内部に
はＲＦ電極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管が設
けられ、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板の配
置が可能なようにアースシールド上端部に基板支持部が
設けられたプラズマ電極装置において、前記ＲＦ電極内
部にはガス室が形成され、このガス室にはガス導入管が
接続され、前記ＲＦ電極表面には、前記ガス室からプラ
ズマ空間へガスを放出するための内径が０．１ｍｍ〜
１．０ｍｍの複数のガス吹き出し口が設けられ、前記ガ
ス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内のガスを排気
するための、内径がデバイ長さ以下でＲＦ電極を表面か
ら裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズルが設けら
れ、前記アースシールドは、前記ＲＦ空間の側面および
裏面と前記プラズマ空間の側面とをデバイ長さ以下の距
離を保つように包囲し、前記アースシールドと前記ＲＦ
電極の裏面との間には、前記排気ノズルからガスが送り
込まれる排気室が形成され、前記アースシールドの前記
排気室に面した面には、前記排気室からガスを真空槽外
に排気する排気管が設けられ、前記排気管には排出され
るガスを吸引するためのポンプ引き口が設けられたこと
を特徴とする。
【００１１】さらに、請求項４に記載されたプラズマ電
極装置は、真空槽内部にアースシールドを備えたＲＦ電
極が配され、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に、ガ
ス導入管を有するアース電極が設けられて、前記ＲＦ電
極と前記アース電極との間にプラズマ空間が形成され、
前記ＲＦ電極の表面に基板の配置が可能なように基板支
持部が設けられたプラズマ電極装置において、前記アー
ス電極内部にはガス室が形成され、このガス室にはガス
導入管が接続され、前記アース電極表面には、前記ガス
室からプラズマ空間へガスを放出するための内径が０．
１ｍｍ〜１．０ｍｍの複数のガス吹き出し口が設けら
れ、前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内の
ガスを排気するための、内径がデバイ長さ以下でアース
電極を表面から裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズ
ルが設けられ、前記アース電極の裏面と真空槽の間には
前記排気ノズルからガスが送り込まれる排気室が形成さ
れ、排気室に面した前記真空槽には、排気室のガスを吸
引するためのポンプ引き口が設けられたことを特徴とす
る。
極装置は、真空槽内部にアースシールドを備えたＲＦ電
極が配され、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に、ガ
ス導入管を有するアース電極が設けられて、前記ＲＦ電
極と前記アース電極との間にプラズマ空間が形成され、
前記ＲＦ電極の表面に基板の配置が可能なように基板支
持部が設けられたプラズマ電極装置において、前記アー
ス電極内部にはガス室が形成され、このガス室にはガス
導入管が接続され、前記アース電極表面には、前記ガス
室からプラズマ空間へガスを放出するための内径が０．
１ｍｍ〜１．０ｍｍの複数のガス吹き出し口が設けら
れ、前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内の
ガスを排気するための、内径がデバイ長さ以下でアース
電極を表面から裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズ
ルが設けられ、前記アース電極の裏面と真空槽の間には
前記排気ノズルからガスが送り込まれる排気室が形成さ
れ、排気室に面した前記真空槽には、排気室のガスを吸
引するためのポンプ引き口が設けられたことを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】上記の構成よりなる請求項１に記載されたプラ
ズマ電極装置は、プラズマ空間からのガスの排出が滞り
なく行われるため、プラズマ空間内のガス濃度が均一に
なり、その結果、発生するプラズマの密度が均一にな
る。
ズマ電極装置は、プラズマ空間からのガスの排出が滞り
なく行われるため、プラズマ空間内のガス濃度が均一に
なり、その結果、発生するプラズマの密度が均一にな
る。
【００１３】請求項２に記載されたプラズマ電極装置
は、ガス導入管よりガス室に供給された原料ガスが、Ｒ
Ｆ電極表面の全てのガス吹き出し口から均等に吹き出
し、ＲＦ電極表面と基板との間の空間に密度の均一なプ
ラズマが発生する。このプラズマ空間から排気されるガ
スは、ＲＦ電極の排気ノズルを経てＲＦ電極裏面とアー
スシールドの間に形成された排気室に入り、さらにアー
スシールドに設けられた排気孔を経て、ポンプ引き口か
らポンプによって吸引される。
は、ガス導入管よりガス室に供給された原料ガスが、Ｒ
Ｆ電極表面の全てのガス吹き出し口から均等に吹き出
し、ＲＦ電極表面と基板との間の空間に密度の均一なプ
ラズマが発生する。このプラズマ空間から排気されるガ
スは、ＲＦ電極の排気ノズルを経てＲＦ電極裏面とアー
スシールドの間に形成された排気室に入り、さらにアー
スシールドに設けられた排気孔を経て、ポンプ引き口か
らポンプによって吸引される。
【００１４】また請求項３に記載されたプラズマ電極装
置も同様に、ガス導入管よりガス室に供給された原料ガ
スが、全てのガス吹き出し口から均等に吹き出し、ＲＦ
電極表面と基板との間の空間に密度の均一なプラズマが
発生する。プラズマ空間から排気されるガスは、ＲＦ電
極の排気ノズルを経てＲＦ電極裏面とアースシールドの
間に形成された排気室に入り、さらにガス排気管を経て
ポンプ引き口からポンプによって吸引される。
置も同様に、ガス導入管よりガス室に供給された原料ガ
スが、全てのガス吹き出し口から均等に吹き出し、ＲＦ
電極表面と基板との間の空間に密度の均一なプラズマが
発生する。プラズマ空間から排気されるガスは、ＲＦ電
極の排気ノズルを経てＲＦ電極裏面とアースシールドの
間に形成された排気室に入り、さらにガス排気管を経て
ポンプ引き口からポンプによって吸引される。
【００１５】この請求項３のプラズマ電極装置では、プ
ラズマが発生するのはアースシールドと基板によって囲
まれた閉じた空間であり、また排気されるガスも排気室
からガス排気管を経て排気されるので、真空槽の内壁は
汚れない。
ラズマが発生するのはアースシールドと基板によって囲
まれた閉じた空間であり、また排気されるガスも排気室
からガス排気管を経て排気されるので、真空槽の内壁は
汚れない。
【００１６】請求項４に記載されたプラズマ電極装置
は、アース電極表面のガス吹き出し口からＲＦ電極との
間に形成されるプラズマ空間に原料ガスが供給され、そ
こで密度の均一なプラズマが発生する。プラズマ空間か
ら排気されるガスは、アース電極の排気ノズルを経てア
ース電極裏面と真空槽の間に形成された排気室に入り、
ポンプ引き口からポンプによって吸引される。
は、アース電極表面のガス吹き出し口からＲＦ電極との
間に形成されるプラズマ空間に原料ガスが供給され、そ
こで密度の均一なプラズマが発生する。プラズマ空間か
ら排気されるガスは、アース電極の排気ノズルを経てア
ース電極裏面と真空槽の間に形成された排気室に入り、
ポンプ引き口からポンプによって吸引される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明のプラズマ電極装置を、図を用
いてさらに詳細に説明する。
いてさらに詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の第一の実施例であるプラズ
マ電極装置Ａの縦断面図であり、図２はこのプラズマ電
極装置Ａに用いられるＲＦ電極１０の表面構造を示す横
断面図である。
マ電極装置Ａの縦断面図であり、図２はこのプラズマ電
極装置Ａに用いられるＲＦ電極１０の表面構造を示す横
断面図である。
【００１９】図１に示すように、プラズマ電極装置Ａ
は、アースシールド２０によって仕切られたプラズマ空
間１内に、ＲＦ電極１０、およびＲＦ電極１０の表面か
ら一定の空間を隔てた位置に基板２を平行に固定する基
板支持部３２などが配された基本構造をもっている。Ｒ
Ｆ電極１０は、真空槽３０の外部で電力導入端子１６に
接続されている。
は、アースシールド２０によって仕切られたプラズマ空
間１内に、ＲＦ電極１０、およびＲＦ電極１０の表面か
ら一定の空間を隔てた位置に基板２を平行に固定する基
板支持部３２などが配された基本構造をもっている。Ｒ
Ｆ電極１０は、真空槽３０の外部で電力導入端子１６に
接続されている。
【００２０】ＲＦ電極１０は裏面のほぼ中央部にはガス
導入管１５が設けられ、ＲＦ電極１０内部には、このガ
ス導入管１５から導入したガスを収容するガス室１７
ａ、１７ｂが形成されている。このガス室１７ａ、１７
ｂは整流板１３によって隔てられており、両室の容積は
ほぼ等しい。整流板１３には、整流孔１４がほぼ碁盤目
状に設けられ、この整流孔１４の内径と数は、ガス室１
７ａの気圧がガス室１７ｂの気圧よりわずかに高くなる
よう設計されている。
導入管１５が設けられ、ＲＦ電極１０内部には、このガ
ス導入管１５から導入したガスを収容するガス室１７
ａ、１７ｂが形成されている。このガス室１７ａ、１７
ｂは整流板１３によって隔てられており、両室の容積は
ほぼ等しい。整流板１３には、整流孔１４がほぼ碁盤目
状に設けられ、この整流孔１４の内径と数は、ガス室１
７ａの気圧がガス室１７ｂの気圧よりわずかに高くなる
よう設計されている。
【００２１】ＲＦ電極１０の表面には、図２に示すよう
に、ガス吹き出し口１１が碁盤目状に設けられ、このガ
ス吹き出し口１１の間隙には排気ノズル１２がやはり碁
盤目状に設けられている。ガス吹き出し口１１の内径は
０．１ｍｍ〜１．０ｍｍであり、ガス吹き出し口１１の
相互の間隔は好ましくは１０ｍｍ〜７５ｍｍである。ま
た排気ノズル１２の内径はフォロー・カソード放電防止
のためにデバイ長さ以下になっている。
に、ガス吹き出し口１１が碁盤目状に設けられ、このガ
ス吹き出し口１１の間隙には排気ノズル１２がやはり碁
盤目状に設けられている。ガス吹き出し口１１の内径は
０．１ｍｍ〜１．０ｍｍであり、ガス吹き出し口１１の
相互の間隔は好ましくは１０ｍｍ〜７５ｍｍである。ま
た排気ノズル１２の内径はフォロー・カソード放電防止
のためにデバイ長さ以下になっている。
【００２２】図１からわかるように、前記ガス吹き出し
口１１はガス室１７ｂからプラズマ空間１に繋がり、排
気ノズル１２はＲＦ電極１０を表面から裏面まで貫通し
ており、筒状になっていてガス室１７ａ、１７ｂとは隔
離されている。
口１１はガス室１７ｂからプラズマ空間１に繋がり、排
気ノズル１２はＲＦ電極１０を表面から裏面まで貫通し
ており、筒状になっていてガス室１７ａ、１７ｂとは隔
離されている。
【００２３】ＲＦ電極１０は、表面以外の部分、すなわ
ち側面、裏面、ガス導入管１５の周りがアースシールド
２０によって覆われている。ここでＲＦ電極１０とアー
スシールド２０の間に形成される間隙の厚み、すなわち
図２におけるｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４は、デバイ長さ以
下になっている。アースシールド２０の四方の壁面上端
部は外側へ折り曲げられ、その端部は真空槽３０の内壁
に間隙なく内接している。またアースシールド２０とＲ
Ｆ電極１０にはさまれた空間のうち、ＲＦ電極１０の裏
面の角部とガス導入管１５の周囲に絶縁物２２が間隙な
く配され、ＲＦ電極１０の裏面とアースシールド２０の
間に排気室２３が形成されている。アースシールド２０
の底面には内径がデバイ長さ以下の排気孔２１がほぼ碁
盤目状に設けられ、前記アースシールド２０の底面に面
した真空槽３０の面にポンプ引き口３１が設けられてい
る。排気孔２１の内径と数は、その総断面積が排気ノズ
ル１２の総断面積よりも大きくなるよう設計されてい
る。
ち側面、裏面、ガス導入管１５の周りがアースシールド
２０によって覆われている。ここでＲＦ電極１０とアー
スシールド２０の間に形成される間隙の厚み、すなわち
図２におけるｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４は、デバイ長さ以
下になっている。アースシールド２０の四方の壁面上端
部は外側へ折り曲げられ、その端部は真空槽３０の内壁
に間隙なく内接している。またアースシールド２０とＲ
Ｆ電極１０にはさまれた空間のうち、ＲＦ電極１０の裏
面の角部とガス導入管１５の周囲に絶縁物２２が間隙な
く配され、ＲＦ電極１０の裏面とアースシールド２０の
間に排気室２３が形成されている。アースシールド２０
の底面には内径がデバイ長さ以下の排気孔２１がほぼ碁
盤目状に設けられ、前記アースシールド２０の底面に面
した真空槽３０の面にポンプ引き口３１が設けられてい
る。排気孔２１の内径と数は、その総断面積が排気ノズ
ル１２の総断面積よりも大きくなるよう設計されてい
る。
【００２４】プラズマ電極装置Ａは上記の構成よりな
り、ガス導入管１５より供給された原料ガスは、ガス室
１７ａ、１７ｂで均等化されてガス吹き出し口１１から
プラズマ空間１に供給される。プラズマ空間１から排気
されるガスは排気ノズル１２、排気孔２１を通り、ポン
プ引き口３１からポンプによって吸引される。
り、ガス導入管１５より供給された原料ガスは、ガス室
１７ａ、１７ｂで均等化されてガス吹き出し口１１から
プラズマ空間１に供給される。プラズマ空間１から排気
されるガスは排気ノズル１２、排気孔２１を通り、ポン
プ引き口３１からポンプによって吸引される。
【００２５】ガス導入管１５から導入されたガスは整流
板１３によって一旦流れを遮断されてからガス室１７ｂ
に流入するので、全てのガス吹き出し口１１から均等に
吹き出し、一方、排気ノズル１２を碁盤目状に多数設け
たことにより、ガスの排出もまんべんなく行われる。そ
の結果、プラズマ空間１内のガス濃度は常に一定に保た
れる。
板１３によって一旦流れを遮断されてからガス室１７ｂ
に流入するので、全てのガス吹き出し口１１から均等に
吹き出し、一方、排気ノズル１２を碁盤目状に多数設け
たことにより、ガスの排出もまんべんなく行われる。そ
の結果、プラズマ空間１内のガス濃度は常に一定に保た
れる。
【００２６】このようにプラズマ空間１内にガスを供給
しながら、電導入端子１６から高周波電力（ＲＦ）を印
加すると、空間内のガス濃度が一定になっているので、
均一なプラズマが発生し、基板２に薄膜が均等に蒸着さ
れる。
しながら、電導入端子１６から高周波電力（ＲＦ）を印
加すると、空間内のガス濃度が一定になっているので、
均一なプラズマが発生し、基板２に薄膜が均等に蒸着さ
れる。
【００２７】本実施例のプラズマ電極装置Ａを用いて薄
膜を形成した結果を以下に示す。なお、比較例として従
来型のプラズマ電極装置である５層プラズマＣＶＤ装置
（ヒラノ光音（株）製）を用いて同じ条件で薄膜形成し
た結果を併せて示す。
膜を形成した結果を以下に示す。なお、比較例として従
来型のプラズマ電極装置である５層プラズマＣＶＤ装置
（ヒラノ光音（株）製）を用いて同じ条件で薄膜形成し
た結果を併せて示す。
【００２８】（１） 薄膜形成条件 薄膜の種類：アモルファスシリコン ガラス基板の寸法：４５０ｍｍ×６６０ｍｍ 原料ガス：ＳｉＨ４，４０ｓｃｃｍ 成膜時の圧力：４９．２１Ｐａ ＲＦパワー：４０Ｗ 平均膜厚：１４００オングストローム 基板温度：２５０℃ （２） 薄膜形成結果（膜厚分布） 比較例 基板の４３０ｍｍ×６４０ｍｍの範囲に於いて
±１５％ 実施例 基板の４３０ｍｍ×６４０ｍｍの範囲に於いて
±５％ 成膜速度が比較例に対して２０％向上 上記の結果から明らかなように、本発明のプラズマ電極
装置によれば、従来よりはるかに厚さの均一な膜が形成
され、また成膜速度も大幅に向上している。
±１５％ 実施例 基板の４３０ｍｍ×６４０ｍｍの範囲に於いて
±５％ 成膜速度が比較例に対して２０％向上 上記の結果から明らかなように、本発明のプラズマ電極
装置によれば、従来よりはるかに厚さの均一な膜が形成
され、また成膜速度も大幅に向上している。
【００２９】次に本発明の第二の実施例であるプラズマ
電極装置Ｂについて説明する。
電極装置Ｂについて説明する。
【００３０】図３はプラズマ電極装置Ｂの縦断面図であ
る。
る。
【００３１】プラズマ電極装置ＢのＲＦ電極１０は、プ
ラズマ電極装置ＡのＲＦ電極と同一である。すなわち、
底面のほぼ中央部にはガス導入管１５が設けられ、ＲＦ
電極１０内部には、整流板１３を有するガス室１７ａ、
１７ｂが形成されている。また、ＲＦ電極１０の表面に
は、ガス吹き出し口１１、排気ノズル１２が設けられて
いる。
ラズマ電極装置ＡのＲＦ電極と同一である。すなわち、
底面のほぼ中央部にはガス導入管１５が設けられ、ＲＦ
電極１０内部には、整流板１３を有するガス室１７ａ、
１７ｂが形成されている。また、ＲＦ電極１０の表面に
は、ガス吹き出し口１１、排気ノズル１２が設けられて
いる。
【００３２】ＲＦ電極１０は、表面以外の部分、すなわ
ち側面、裏面、ガス導入管１５の周りがアースシールド
４０によって覆われている。アースシールド４０は、側
壁４１が上方に伸び、その上端に基板支持部４２が設け
られている。また、ＲＦ電極１０の裏面とアースシール
ド４０の間には、排気ノズル１２からガスが送り込まれ
る排気室４３が形成されている。排気室４３は、間隙な
く配された絶縁物４５によってプラズマ空間３と遮断さ
れている。
ち側面、裏面、ガス導入管１５の周りがアースシールド
４０によって覆われている。アースシールド４０は、側
壁４１が上方に伸び、その上端に基板支持部４２が設け
られている。また、ＲＦ電極１０の裏面とアースシール
ド４０の間には、排気ノズル１２からガスが送り込まれ
る排気室４３が形成されている。排気室４３は、間隙な
く配された絶縁物４５によってプラズマ空間３と遮断さ
れている。
【００３３】ガス導入管１５の周りには排気室４３から
ガスを外部に排気するガス排気管４４が形成され、ガス
排気管４４は真空槽５０に設けられたポンプ引き口５１
に繋がっている。また、真空槽５０には、アースシール
ド４０の外側の空間を減圧するためのポンプ引き口５２
も設けられている。
ガスを外部に排気するガス排気管４４が形成され、ガス
排気管４４は真空槽５０に設けられたポンプ引き口５１
に繋がっている。また、真空槽５０には、アースシール
ド４０の外側の空間を減圧するためのポンプ引き口５２
も設けられている。
【００３４】上記の構成からなるプラズマ電極装置Ｂ
は、プラズマ電極装置Ａと異なり、基板４をアースシー
ルド４０に蓋をするようにして基板支持部４２に取り付
けることにより、ＲＦ電極１０表面に平行に配置するこ
とができる。また、アースシールド４０の底面には排気
孔はなく、排気ノズル１２からのガスは、ガス導入管１
５の周りに形成されたガス排気管４４を経由してポンプ
引き口５１から吸引される。
は、プラズマ電極装置Ａと異なり、基板４をアースシー
ルド４０に蓋をするようにして基板支持部４２に取り付
けることにより、ＲＦ電極１０表面に平行に配置するこ
とができる。また、アースシールド４０の底面には排気
孔はなく、排気ノズル１２からのガスは、ガス導入管１
５の周りに形成されたガス排気管４４を経由してポンプ
引き口５１から吸引される。
【００３５】すなわち、プラズマ電極装置Ｂの特徴は、
基板４とアースシールド４０によって閉じたプラズマ空
間３を形成していることであり、この方法によると、真
空槽５０の内壁および電極以外の槽内部品を汚すことな
く、薄膜形成ができるという長所がある。
基板４とアースシールド４０によって閉じたプラズマ空
間３を形成していることであり、この方法によると、真
空槽５０の内壁および電極以外の槽内部品を汚すことな
く、薄膜形成ができるという長所がある。
【００３６】次に本発明の第三の実施例であるプラズマ
電極装置Ｃについて説明する。
電極装置Ｃについて説明する。
【００３７】図４はプラズマ電極装置Ｃの縦断面図であ
る。
る。
【００３８】プラズマ電極装置Ｃでは、アース電極６０
がプラズマ電極装置ＡおよびＢにおけるＲＦ電極１０と
同様の同様の構造を有し、ガス室６６ａ、６６ｂ、ガス
吹き出し口６１、排気ノズル６２、整流板６３などが設
けられている。
がプラズマ電極装置ＡおよびＢにおけるＲＦ電極１０と
同様の同様の構造を有し、ガス室６６ａ、６６ｂ、ガス
吹き出し口６１、排気ノズル６２、整流板６３などが設
けられている。
【００３９】アース電極６０表面と相対向するように基
板６を配置できる基板支持部７１がＲＦ電極７０の表面
に形成され、ＲＦ電極７０の表面を除く部分には、絶縁
物８１を介してアースシールド８０が設けられている。
アース電極６０の裏面角部と真空槽９０の間にはスペー
サー９１が設けられ、アース電極６０裏面と真空槽９０
の間の空間が排気室９２として形成される。排気室９２
に面した真空槽壁にはポンプ引き口９３が設けられてい
る。
板６を配置できる基板支持部７１がＲＦ電極７０の表面
に形成され、ＲＦ電極７０の表面を除く部分には、絶縁
物８１を介してアースシールド８０が設けられている。
アース電極６０の裏面角部と真空槽９０の間にはスペー
サー９１が設けられ、アース電極６０裏面と真空槽９０
の間の空間が排気室９２として形成される。排気室９２
に面した真空槽壁にはポンプ引き口９３が設けられてい
る。
【００４０】上記の構成よりなるプラズマ電極装置Ｃ
は、アース電極６０のガス吹き出し口６１から原料ガス
が供給され、ＲＦ電極７０との間に形成されるプラズマ
空間５でプラズマが発生する。プラズマ空間５から排気
されるガスは、排気ノズル６２を経て、排気室９２に入
り、ポンプ引き口９３からポンプによって吸引される。
は、アース電極６０のガス吹き出し口６１から原料ガス
が供給され、ＲＦ電極７０との間に形成されるプラズマ
空間５でプラズマが発生する。プラズマ空間５から排気
されるガスは、排気ノズル６２を経て、排気室９２に入
り、ポンプ引き口９３からポンプによって吸引される。
【００４１】プラズマ電極装置Ｃを用いてＳｉＮｘ膜の
エッチングを行った結果を以下に示す。なお、比較例と
して従来型のプラズマ電極装置である５層プラズマＣＶ
Ｄ装置（ヒラノ光音（株）製）を用いて同じ条件でエッ
チングを行った結果を併せて示す。
エッチングを行った結果を以下に示す。なお、比較例と
して従来型のプラズマ電極装置である５層プラズマＣＶ
Ｄ装置（ヒラノ光音（株）製）を用いて同じ条件でエッ
チングを行った結果を併せて示す。
【００４２】（１） エッチング条件 基板サイズ：４５０ｍｍ×４５０ｍｍ 反応ガス：ＣＦ４（１００ｓｃｃｍ）＋Ｏ２（１０ｓｃ
ｃｍ） 圧力：６．６５Ｐａ ＲＦパワー：２００Ｗ 基板温度：室温 測定点数：対角線上の２０点 （２） エッチング結果 実施例 ４４０ｍｍ×４４０ｍｍの範囲でエッチング分
布 ±５．４％ エッチング速度 平均９１０オングストローム／ｍｉｎ 比較例 ４４０ｍｍ×４４０ｍｍの範囲でエッチング分
布 ±１６．５％ エッチング速度 平均７２４．６オングストローム／ｍ
ｉｎ すなわち、エッチング分布で約３倍、エッチング速度で
約２５％の改善が見られた。
ｃｍ） 圧力：６．６５Ｐａ ＲＦパワー：２００Ｗ 基板温度：室温 測定点数：対角線上の２０点 （２） エッチング結果 実施例 ４４０ｍｍ×４４０ｍｍの範囲でエッチング分
布 ±５．４％ エッチング速度 平均９１０オングストローム／ｍｉｎ 比較例 ４４０ｍｍ×４４０ｍｍの範囲でエッチング分
布 ±１６．５％ エッチング速度 平均７２４．６オングストローム／ｍ
ｉｎ すなわち、エッチング分布で約３倍、エッチング速度で
約２５％の改善が見られた。
【００４３】
【発明の効果】上記のようにこれらのプラズマ電極装置
によれば、プラズマ空間内にガスが均等に供給され、均
等に排気されるため、ガス濃度に偏りが生じず、プラズ
マ密度が均一になる。従って、ＣＶＤ、エッチング、ア
ッシング、その他の表面処理がむらなく行われ、従来よ
りはるかに均等な処理面が得られる。また処理速度も著
しく速くなる。
によれば、プラズマ空間内にガスが均等に供給され、均
等に排気されるため、ガス濃度に偏りが生じず、プラズ
マ密度が均一になる。従って、ＣＶＤ、エッチング、ア
ッシング、その他の表面処理がむらなく行われ、従来よ
りはるかに均等な処理面が得られる。また処理速度も著
しく速くなる。
【００４４】また、請求項３のプラズマ電極装置によれ
ば、真空槽の内壁が汚れないという効果がある。
ば、真空槽の内壁が汚れないという効果がある。
【図１】第一の実施例のプラズマ電極装置Ａを示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】同上のＲＦ電極の表面構造を示す横断面図であ
る。
る。
【図３】第二の実施例のプラズマ電極装置Ｂを示す縦断
面図である。
面図である。
【図４】第三の実施例のプラズマ電極装置Ｃを示す縦断
面図である。
面図である。
Ａ、Ｂ、Ｃ……プラズマ電極装置 １、３、５……プラズマ空間 ２、４、６……基板 １０……ＲＦ電極 １１……ガス吹き出し口 １２……排気ノズル １３……整流板 １４……整流孔 １５……ガス導入管 １６……電力導入端子 １７ａ，１７ｂ……ガス室 ２０……アースシールド ２１……排気孔 ２２……絶縁物 ２３……排気室 ３０……真空槽 ３１……ポンプ引き口 ３２……基板支持部 ４０……アースシールド ４１……アースシールド側壁 ４２……基板支持部 ４３……排気室 ４４……ガス排気管 ４５……絶縁物 ５０……真空槽 ５１……ポンプ引き口 ５２……ポンプ引き口 ６０……アース電極 ６１……ガス吹き出し口 ６２……排気ノズル ６３……整流板 ６４……整流孔 ６５……ガス導入管 ６６ａ，６６ｂ……ガス室 ７０……ＲＦ電極 ７１……基板支持部 ８０……アースシールド ８１……絶縁物 ９０……真空槽 ９１……スペーサー ９２……排気室 ９３……ポンプ引き口
Claims (4)
- 【請求項１】ＲＦ電極またはアース電極のどちらか一方
の、基板と相対向する面に、内径がデバイ長さ以下の複
数のガス排気口を全面にわたって分布させることを特徴
とするプラズマ電極装置。 - 【請求項２】真空槽内部にアースシールドにより仕切ら
れたプラズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内部に
はＲＦ電極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管が設
けられ、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板の配
置が可能なように基板支持部が設けられたプラズマ電極
装置において、 前記ＲＦ電極内部にはガス室が形成され、このガス室に
はガス導入管が接続され、 前記ＲＦ電極表面には、前記ガス室からプラズマ空間へ
ガスを放出するための内径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの
複数のガス吹き出し口が設けられ、 前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内のガス
を排気するための、内径がデバイ長さ以下でＲＦ電極を
表面から裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズルが設
けられ、 前記アースシールドは、前記ＲＦ電極の側面および裏面
をデバイ長さ以下の距離を保つように包囲し、 前記アースシールドと前記ＲＦ電極の裏面との間には、
前記排気ノズルからガスが送り込まれる排気室が形成さ
れ、 前記アースシールドの前記排気室に面した面には排気孔
が設けられ、 前記アースシールドの排気口を有する面に面した前記真
空槽には、排気孔から排出されるガスを吸引するための
ポンプ引き口が設けられたことを特徴とするプラズマ電
極装置。 - 【請求項３】真空槽内部にアースシールドにより側面を
囲まれたプラズマ空間が形成され、前記プラズマ空間内
部にはＲＦ電極が配され、前記ＲＦ電極にはガス導入管
が設けられ、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に基板
の配置が可能なようにアースシールド上端部に基板支持
部が設けられたプラズマ電極装置において、 前記ＲＦ電極内部にはガス室が形成され、このガス室に
はガス導入管が接続され、 前記ＲＦ電極表面には、前記ガス室からプラズマ空間へ
ガスを放出するための内径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの
複数のガス吹き出し口が設けられ、 前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内のガス
を排気するための、内径がデバイ長さ以下でＲＦ電極を
表面から裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズルが設
けられ、 前記アースシールドは、前記ＲＦ空間の側面および裏面
と前記プラズマ空間の側面とをデバイ長さ以下の距離を
保つように包囲し、 前記アースシールドと前記ＲＦ電極の裏面との間には、
前記排気ノズルからガスが送り込まれる排気室が形成さ
れ、 前記アースシールドの前記排気室に面した面には、前記
排気室からガスを真空槽外に排気する排気管が設けら
れ、前記排気管には排出されるガスを吸引するためのポ
ンプ引き口が設けられたことを特徴とするプラズマ電極
装置。 - 【請求項４】真空槽内部にアースシールドを備えたＲＦ
電極が配され、前記ＲＦ電極表面と相対向する位置に、
ガス導入管を有するアース電極が設けられて、前記ＲＦ
電極と前記アース電極との間にプラズマ空間が形成さ
れ、前記ＲＦ電極の表面に基板の配置が可能なように基
板支持部が設けられたプラズマ電極装置において、 前記アース電極内部にはガス室が形成され、このガス室
にはガス導入管が接続され、 前記アース電極表面には、前記ガス室からプラズマ空間
へガスを放出するための内径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ
の複数のガス吹き出し口が設けられ、 前記ガス吹き出し口の間隙には、プラズマ空間内のガス
を排気するための、内径がデバイ長さ以下でアース電極
を表面から裏面まで貫通する複数の筒状の排気ノズルが
設けられ、 前記アース電極の裏面と真空槽の間には前記排気ノズル
からガスが送り込まれる排気室が形成され、 排気室に面した前記真空槽には、排気室のガスを吸引す
るためのポンプ引き口が設けられたことを特徴とするプ
ラズマ電極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276121A JPH0831421B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | プラズマ電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276121A JPH0831421B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | プラズマ電極装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124906A true JPH06124906A (ja) | 1994-05-06 |
| JPH0831421B2 JPH0831421B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17565089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276121A Expired - Fee Related JPH0831421B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | プラズマ電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831421B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203843A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| KR100436072B1 (ko) * | 2000-03-23 | 2004-06-12 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막 형성용 플라즈마 성막 장치 |
| JP2007115757A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極、薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
| KR100737228B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2007-07-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 분배 장치 및 그 가스 분배 장치를 포함하는 챔버 |
| JP2007266094A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる半導体薄膜の成膜方法 |
| JP2008053650A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極、薄膜製造装置、及び太陽電池の製造方法 |
| WO2010110099A1 (ja) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 東レ株式会社 | プラズマ処理装置およびこれを用いたアモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
| WO2011052463A1 (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 東レ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、および、シリコン薄膜の製造方法 |
| JP2014075606A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-04-24 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2016197652A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 株式会社島津製作所 | プロセス処理装置 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4276121A patent/JPH0831421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737228B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2007-07-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 분배 장치 및 그 가스 분배 장치를 포함하는 챔버 |
| KR100436072B1 (ko) * | 2000-03-23 | 2004-06-12 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막 형성용 플라즈마 성막 장치 |
| JP2002203843A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2007115757A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極、薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
| JP2007266094A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる半導体薄膜の成膜方法 |
| JP2008053650A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極、薄膜製造装置、及び太陽電池の製造方法 |
| WO2010110099A1 (ja) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 東レ株式会社 | プラズマ処理装置およびこれを用いたアモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
| US8431996B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-04-30 | Toray Industries, Inc. | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same |
| WO2011052463A1 (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 東レ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、および、シリコン薄膜の製造方法 |
| CN102598218A (zh) * | 2009-11-02 | 2012-07-18 | 东丽株式会社 | 等离子体cvd装置、及硅薄膜的制造方法 |
| JP5678883B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2015-03-04 | 東レ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、および、シリコン薄膜の製造方法 |
| US9243327B2 (en) | 2009-11-02 | 2016-01-26 | Toray Industries, Inc. | Plasma CVD device and method of manufacturing silicon thin film |
| JP2014075606A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-04-24 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2016197652A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 株式会社島津製作所 | プロセス処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831421B2 (ja) | 1996-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4590042A (en) | Plasma reactor having slotted manifold | |
| US5885356A (en) | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining | |
| US8097120B2 (en) | Process tuning gas injection from the substrate edge | |
| JPH06124906A (ja) | プラズマ電極装置 | |
| JPH05198517A (ja) | バッチ式ガス処理装置 | |
| JP3682178B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP4730572B2 (ja) | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP2001023957A (ja) | 基板エッチング方法、半導体装置製造方法 | |
| JPS61232612A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH06236850A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001140085A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08115879A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09223672A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2848755B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH02184022A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JP2006324603A (ja) | プラズマ処理方法及び装置並びにプラズマｃｖｄ方法及び装置 | |
| JP2798225B2 (ja) | 高周波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4087674B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001140077A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20010023762A (ko) | 에칭 균일성 향상 장치 및 방법 | |
| JPS6366394B2 (ja) | ||
| JPH065522A (ja) | 高周波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3282326B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0851082A (ja) | 半導体製造装置のサセプタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960910 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |