JPH06236850A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH06236850A JPH06236850A JP2276793A JP2276793A JPH06236850A JP H06236850 A JPH06236850 A JP H06236850A JP 2276793 A JP2276793 A JP 2276793A JP 2276793 A JP2276793 A JP 2276793A JP H06236850 A JPH06236850 A JP H06236850A
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- Japan
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- plasma
- gas
- film
- substrate
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜物等に対しダメージを生じることなく、
また均一な膜厚分布をもって成膜することが可能であ
り、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ処理装置
を提供する。 【構成】 プラズマ生成部１と処理部２とが分離されて
成るプラズマ処理装置において、プラズマ生成部１と処
理部２との境界近傍からプラズマ処理すべき基板２０に
向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイド３を
設ける構成とする。
また均一な膜厚分布をもって成膜することが可能であ
り、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ処理装置
を提供する。 【構成】 プラズマ生成部１と処理部２とが分離されて
成るプラズマ処理装置において、プラズマ生成部１と処
理部２との境界近傍からプラズマ処理すべき基板２０に
向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイド３を
設ける構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマガスと反応ガ
スを分離するリモートプラズマ法によるプラズマ処理装
置であり、特に大面積のプラズマＣＶＤやプラズマエッ
チングに用いて好適な装置である。
スを分離するリモートプラズマ法によるプラズマ処理装
置であり、特に大面積のプラズマＣＶＤやプラズマエッ
チングに用いて好適な装置である。
【０００２】
【従来の技術】半導体層等をプラズマ処理によって成膜
やエッチング処理を行う際に、その処理物に対するプラ
ズマによるダメージを低減化するために、リモートプラ
ズマ法が提案されている。このリモートプラズマ法にお
いては、例えばプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法に
より成膜する場合、プラズマ発生室と膜堆積室とを分離
して、その各室の境界でプラズマを引き出して成膜材料
ガスを分解するようにしたものである。このリモートプ
ラズマ法によれば、膜が堆積されるべき基板にはプラズ
マの直接的な照射が抑制されて、プラズマによるダメー
ジが抑制される（例えば“A.Matsuda et al.Applied Ph
ysics Letters 47(10), 1061(1985)”）。
やエッチング処理を行う際に、その処理物に対するプラ
ズマによるダメージを低減化するために、リモートプラ
ズマ法が提案されている。このリモートプラズマ法にお
いては、例えばプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法に
より成膜する場合、プラズマ発生室と膜堆積室とを分離
して、その各室の境界でプラズマを引き出して成膜材料
ガスを分解するようにしたものである。このリモートプ
ラズマ法によれば、膜が堆積されるべき基板にはプラズ
マの直接的な照射が抑制されて、プラズマによるダメー
ジが抑制される（例えば“A.Matsuda et al.Applied Ph
ysics Letters 47(10), 1061(1985)”）。
【０００３】従来のリモートプラズマ法による処理装置
では、一般にプラズマ発生室からラディカルや前駆体
（成膜される直前の状態の分子等）を処理室に引き出し
た後は自由に拡散させているため、例えば成膜処理を行
う場合その膜厚分布はガスの流れ方をそのまま反映して
しまい、ガス導入口や排気口の位置等装置内の構成に影
響を受けてしまう。また均一な膜厚分布が得られにく
く、成膜速度もガス分子が拡散する分だけ遅くなり、処
理装置の内壁に汚れが付着する等の恐れがある。
では、一般にプラズマ発生室からラディカルや前駆体
（成膜される直前の状態の分子等）を処理室に引き出し
た後は自由に拡散させているため、例えば成膜処理を行
う場合その膜厚分布はガスの流れ方をそのまま反映して
しまい、ガス導入口や排気口の位置等装置内の構成に影
響を受けてしまう。また均一な膜厚分布が得られにく
く、成膜速度もガス分子が拡散する分だけ遅くなり、処
理装置の内壁に汚れが付着する等の恐れがある。
【０００４】またこのような問題は、平行平板型プラズ
マ処理装置のみならず、無電極放電（誘導結合型）のリ
モートプラズマ処理装置 (例えば“P.D.Richard et al.
Journal of Vacuum Science Technology A3(3),867(198
5)”）においても同様に生じる。
マ処理装置のみならず、無電極放電（誘導結合型）のリ
モートプラズマ処理装置 (例えば“P.D.Richard et al.
Journal of Vacuum Science Technology A3(3),867(198
5)”）においても同様に生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな問題を解決して、処理物等に対しダメージを生じる
ことなく、また膜厚分布やエッチング処理の均一化をは
かると共に、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ
処理装置を提供する。
うな問題を解決して、処理物等に対しダメージを生じる
ことなく、また膜厚分布やエッチング処理の均一化をは
かると共に、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ
処理装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、その一例の構
成図を図１に示すように、プラズマ生成部１と処理部２
とが分離されて成るプラズマ処理装置において、プラズ
マ生成部１と処理部２との境界近傍からプラズマ処理す
べき基板２０に向かって反応に寄与するガス分子を引き
出すガイド３を設ける構成とする。
成図を図１に示すように、プラズマ生成部１と処理部２
とが分離されて成るプラズマ処理装置において、プラズ
マ生成部１と処理部２との境界近傍からプラズマ処理す
べき基板２０に向かって反応に寄与するガス分子を引き
出すガイド３を設ける構成とする。
【０００７】また本発明は、上述の構成において、ガイ
ド３を基板２０に向かって径が徐々に広がるほぼ円錐形
状として構成する。
ド３を基板２０に向かって径が徐々に広がるほぼ円錐形
状として構成する。
【０００８】
【作用】上述したように本発明によれば、プラズマ生成
部１と処理部２との境界近傍からプラズマ処理すべき基
板２０に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガ
イド３を設けることから、このようなラディカル、前駆
体等のガスはガイド３の内側の空間に限定された状態で
攪拌されて基板に到達するので、ガスの導入方向や排気
口の方向に影響されにくく、その結果膜厚分布やエッチ
ング処理の均一化をはかることができる。更に、ガイド
３によってガスの自由な拡散を抑制することができるの
で成膜速度やエッチング速度が向上し、一方処理装置の
内壁に汚れが付着することが防ぐことができて、装置の
メンテナンスの簡略化をはかることができる。
部１と処理部２との境界近傍からプラズマ処理すべき基
板２０に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガ
イド３を設けることから、このようなラディカル、前駆
体等のガスはガイド３の内側の空間に限定された状態で
攪拌されて基板に到達するので、ガスの導入方向や排気
口の方向に影響されにくく、その結果膜厚分布やエッチ
ング処理の均一化をはかることができる。更に、ガイド
３によってガスの自由な拡散を抑制することができるの
で成膜速度やエッチング速度が向上し、一方処理装置の
内壁に汚れが付着することが防ぐことができて、装置の
メンテナンスの簡略化をはかることができる。
【０００９】また、このガイド３の形状を、基板２０に
向かって径が徐々に広がる円錐形状、いわゆるコーン型
とすることによって、より均一に成膜又はエッチング処
理を行うことができ、また成膜を行う場合は均一な膜質
をもって成膜することができる。
向かって径が徐々に広がる円錐形状、いわゆるコーン型
とすることによって、より均一に成膜又はエッチング処
理を行うことができ、また成膜を行う場合は均一な膜質
をもって成膜することができる。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照して本発明実施例を図面を参
照して詳細に説明する。本実施例は、三極型（トライオ
ード）構成の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に本発明
を適用した例で、図１はその構成を模式的に示したもの
である。装置はプラズマ生成部１と処理部２とより成
り、境界部のメッシュ電極４の孔部を通して反応に寄与
するガス分子を処理部２に導入するようになされてい
る。
照して詳細に説明する。本実施例は、三極型（トライオ
ード）構成の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に本発明
を適用した例で、図１はその構成を模式的に示したもの
である。装置はプラズマ生成部１と処理部２とより成
り、境界部のメッシュ電極４の孔部を通して反応に寄与
するガス分子を処理部２に導入するようになされてい
る。
【００１１】図１において１０はガラス管体を示し、そ
の下部は例えば金属性の隔壁部材によって外気と隔離さ
れ、上部には金属製の例えば円板状の上部電極５が設け
られ、ガラス管体１０の内部は、下部の隔壁部材に設け
られた排気口９1 、９2 から図示しないが排気手段によ
り矢印ｃ1 、ｃ2 で示すように排気されて、所定の真空
度に保持される。また装置内のこの場合底部には、基板
２０を載置する載置台８が設けられる。
の下部は例えば金属性の隔壁部材によって外気と隔離さ
れ、上部には金属製の例えば円板状の上部電極５が設け
られ、ガラス管体１０の内部は、下部の隔壁部材に設け
られた排気口９1 、９2 から図示しないが排気手段によ
り矢印ｃ1 、ｃ2 で示すように排気されて、所定の真空
度に保持される。また装置内のこの場合底部には、基板
２０を載置する載置台８が設けられる。
【００１２】そして上部電極５の例えば中央部には、こ
の電極５自体と電気的に絶縁されたガス導入口６が設け
られ、このガス導入口６1 から供給したガスを図示しな
いが複数の分岐管に導入させて、上部電極５の下面にお
いて、矢印ａで示すように所定間隔で材料ガスを分散さ
せてプラズマ生成部１に供給するようになされている。
の電極５自体と電気的に絶縁されたガス導入口６が設け
られ、このガス導入口６1 から供給したガスを図示しな
いが複数の分岐管に導入させて、上部電極５の下面にお
いて、矢印ａで示すように所定間隔で材料ガスを分散さ
せてプラズマ生成部１に供給するようになされている。
【００１３】またメッシュ電極４の孔部近傍の下側即ち
処理部２側に、成膜材料ガスの供給口７1 及び７2 を、
この場合図１において左右に設け、例えば装置の下部に
設けられるガス導入口６2 及び６3 から、成膜材料ガス
が矢印ｂ1 、ｂ2 で示すように導入される。このような
構成とする場合、メッシュ電極４の孔部の近傍で反応が
行われることとなり、プラズマ処理の効率の向上をはか
ることができる。
処理部２側に、成膜材料ガスの供給口７1 及び７2 を、
この場合図１において左右に設け、例えば装置の下部に
設けられるガス導入口６2 及び６3 から、成膜材料ガス
が矢印ｂ1 、ｂ2 で示すように導入される。このような
構成とする場合、メッシュ電極４の孔部の近傍で反応が
行われることとなり、プラズマ処理の効率の向上をはか
ることができる。
【００１４】そして特に本実施例においては、ガス供給
口７1 及び７2 の下部から、処理部２の底部の載置台８
に載置された基板２０に向かって、反応に寄与するガス
分子、即ち成膜材料に限らずこれを分解する材料を含む
ガス分子を引き出すガイド３を設ける構成とする。この
場合、ガイド３の形状は、基板２０に向かって径が徐々
に広がるほぼ円錐形状のいわゆるコーン型として構成す
る。
口７1 及び７2 の下部から、処理部２の底部の載置台８
に載置された基板２０に向かって、反応に寄与するガス
分子、即ち成膜材料に限らずこれを分解する材料を含む
ガス分子を引き出すガイド３を設ける構成とする。この
場合、ガイド３の形状は、基板２０に向かって径が徐々
に広がるほぼ円錐形状のいわゆるコーン型として構成す
る。
【００１５】このような構成において、上部電極に電源
１３から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を印加し、またメ
ッシュ電極４と載置台８とを接地して、成膜材料ガスと
してＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ガスを用いてＲＦプラズマＣＶＤに
よりＳｉＯ2 膜を成膜した。この場合、上部側のガス導
入口６1 からＯ2 ガスを矢印ｃで示すように導入してプ
ラズマ生成部１内においてプラズマを発生させ、一方下
部側のガス導入口６2、６3 から矢印ｄ1 、ｄ2 で示す
ようにＳｉＨ4 と例えばＡｒガスを導入して、メッシュ
電極４の孔部から抜け出た酸素ラディカルによってメッ
シュ電極４の下部近傍に導入したＳｉＨ4 を分解し、基
板２０にＳｉＯ2 を成膜した。
１３から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を印加し、またメ
ッシュ電極４と載置台８とを接地して、成膜材料ガスと
してＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ガスを用いてＲＦプラズマＣＶＤに
よりＳｉＯ2 膜を成膜した。この場合、上部側のガス導
入口６1 からＯ2 ガスを矢印ｃで示すように導入してプ
ラズマ生成部１内においてプラズマを発生させ、一方下
部側のガス導入口６2、６3 から矢印ｄ1 、ｄ2 で示す
ようにＳｉＨ4 と例えばＡｒガスを導入して、メッシュ
電極４の孔部から抜け出た酸素ラディカルによってメッ
シュ電極４の下部近傍に導入したＳｉＨ4 を分解し、基
板２０にＳｉＯ2 を成膜した。
【００１６】上述したように本実施例においては、ガイ
ド３を設けることから、ＳｉＯ2 の前駆体及び酸素ラデ
ィカル等の励起種、即ち反応に寄与する分子がこのガイ
ド３の内側の空間に限定されて拡散し、基板２０の近傍
まで攪拌されながら基板２０に到達する。その結果、成
膜された膜の膜厚分布は、ＳｉＨ4 ガスの導入口６1、
６2 の位置や、導入方法、排気口９1 、９2 の位置等に
よる影響を受けにくくなり、より均一な成膜が可能とな
ると共に、成膜速度の向上をはかることができた。以下
これを説明する。
ド３を設けることから、ＳｉＯ2 の前駆体及び酸素ラデ
ィカル等の励起種、即ち反応に寄与する分子がこのガイ
ド３の内側の空間に限定されて拡散し、基板２０の近傍
まで攪拌されながら基板２０に到達する。その結果、成
膜された膜の膜厚分布は、ＳｉＨ4 ガスの導入口６1、
６2 の位置や、導入方法、排気口９1 、９2 の位置等に
よる影響を受けにくくなり、より均一な成膜が可能とな
ると共に、成膜速度の向上をはかることができた。以下
これを説明する。
【００１７】図２に示すように、上述の図１において説
明したプラズマ処理装置と同様の構成とするも、ガイド
３を設けない装置を用いて、この装置との比較により本
発明構成による効果を確認した。図２において、図１に
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
明したプラズマ処理装置と同様の構成とするも、ガイド
３を設けない装置を用いて、この装置との比較により本
発明構成による効果を確認した。図２において、図１に
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００１８】先ず、図２に示す構成の装置をもって下記
の表１に示す通常の成膜条件をもってＳｉＯ2 の成膜を
行った。この場合、堆積速度は１５ｎｍ／ｍｉｎ（平
均）であり、直径３インチの基板において膜厚分布は±
２０％であった。
の表１に示す通常の成膜条件をもってＳｉＯ2 の成膜を
行った。この場合、堆積速度は１５ｎｍ／ｍｉｎ（平
均）であり、直径３インチの基板において膜厚分布は±
２０％であった。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記表１においてＳｉＨ4 の流量における
パーセンテージは全体のガス流量に対するＳｉＨ4 ガス
の流量を示し、残り９０％はこの場合Ａｒガスを導入し
たことを示すものである。以下の表２及び表３において
も同様に示す。
パーセンテージは全体のガス流量に対するＳｉＨ4 ガス
の流量を示し、残り９０％はこの場合Ａｒガスを導入し
たことを示すものである。以下の表２及び表３において
も同様に示す。
【００２１】尚、前述の図２に示す装置においては上記
表１の条件が膜厚分布の均一化をはかるためには最適の
条件であり、上述の条件に対し減圧条件又は加圧条件と
しても良好な結果は得られなかった。
表１の条件が膜厚分布の均一化をはかるためには最適の
条件であり、上述の条件に対し減圧条件又は加圧条件と
しても良好な結果は得られなかった。
【００２２】これに対し、上述の図１において説明した
本発明構成の装置による成膜を行ったところ、堆積速度
は４６ｎｍ／ｍｉｎ程度となり、図２の装置による場合
に比し成膜速度を３倍程度とすることができた。しかし
ながらこの場合膜厚分布はやや低いか同程度であった。
本発明構成の装置による成膜を行ったところ、堆積速度
は４６ｎｍ／ｍｉｎ程度となり、図２の装置による場合
に比し成膜速度を３倍程度とすることができた。しかし
ながらこの場合膜厚分布はやや低いか同程度であった。
【００２３】更に、下記の表２に示す成膜条件をもって
図１に示す本発明構成の装置によってＳｉＯ2 を成膜し
た。この場合、堆積速度は１８ｎｍ／ｍｉｎとなり、３
インチ基板内において膜厚分布を±１％とすることがで
きた。
図１に示す本発明構成の装置によってＳｉＯ2 を成膜し
た。この場合、堆積速度は１８ｎｍ／ｍｉｎとなり、３
インチ基板内において膜厚分布を±１％とすることがで
きた。
【００２４】
【表２】
【００２５】また、図１に示す本発明構成の装置におい
ては、下記の表３に示す成膜条件とした場合でも同様に
膜厚分布を３インチ基板内で±１％程度とすることがで
きた。
ては、下記の表３に示す成膜条件とした場合でも同様に
膜厚分布を３インチ基板内で±１％程度とすることがで
きた。
【００２６】
【表３】
【００２７】この表３に示す成膜条件での３インチ基板
内の膜厚分布と屈折率分布をそれぞれ図３及び図４に示
す。図３及び図４において一点鎖線ａ1 及びａ2 はそれ
ぞれ平均値を示す。この結果から、膜厚分布をほぼ±１
％以下とすると共に、特にその屈折率分布を均一化する
ことができた。
内の膜厚分布と屈折率分布をそれぞれ図３及び図４に示
す。図３及び図４において一点鎖線ａ1 及びａ2 はそれ
ぞれ平均値を示す。この結果から、膜厚分布をほぼ±１
％以下とすると共に、特にその屈折率分布を均一化する
ことができた。
【００２８】即ち、成膜したＳｉＯ2 膜中に例えばＳｉ
Ｏx （ｘ＝１〜２）が多く含まれると屈折率が変動する
等の不都合が生じる恐れがあるが、本発明によればその
膜質をもほぼ均一とすることができることがわかる。
Ｏx （ｘ＝１〜２）が多く含まれると屈折率が変動する
等の不都合が生じる恐れがあるが、本発明によればその
膜質をもほぼ均一とすることができることがわかる。
【００２９】尚、この例においては、屈折率平均値を
１．４６８程度としたものであるが、この屈折率値は主
原料であるＯ2 ガスとＳｉＨ4 ガスとの流量比を適切に
選定することによって、所望の値に制御することができ
る。
１．４６８程度としたものであるが、この屈折率値は主
原料であるＯ2 ガスとＳｉＨ4 ガスとの流量比を適切に
選定することによって、所望の値に制御することができ
る。
【００３０】前述の表１の条件による比較例の成膜結果
と表２の最適条件による本発明実施例の成膜結果との比
較から、本発明による場合は材料ガスであるＳｉＨ4 の
流量を半減させているにも係わらず、堆積速度が２０％
増加しているおり、また膜厚分布を±２０％から±１％
と格段に向上していることがわかる。
と表２の最適条件による本発明実施例の成膜結果との比
較から、本発明による場合は材料ガスであるＳｉＨ4 の
流量を半減させているにも係わらず、堆積速度が２０％
増加しているおり、また膜厚分布を±２０％から±１％
と格段に向上していることがわかる。
【００３１】また本発明によれば、ガイド３の外側にガ
ス分子が殆ど拡散しないことから、ガラス管体１０の内
壁の成膜材料の付着等による汚染を格段に抑制すること
ができて、装置のメンテナンス作業の簡略化をはかるこ
とができた。
ス分子が殆ど拡散しないことから、ガラス管体１０の内
壁の成膜材料の付着等による汚染を格段に抑制すること
ができて、装置のメンテナンス作業の簡略化をはかるこ
とができた。
【００３２】また更に、上述の実施例においてはメッシ
ュ電極４を接地してプラズマ処理を行ったものである
が、このメッシュ電極４に適切なバイアス電圧を印加す
ることにより荷電粒子を制御することができて、成膜基
板２０へのＯ2 イオン等によるダメージを抑制すること
ができる。また例えばＳｉ3 Ｎ4 を成膜する場合等、荷
電した前駆体を効率良く基板２０に誘導させて、成膜速
度を向上させ、膜厚の均一化をはかることができる等の
効果が得られる。
ュ電極４を接地してプラズマ処理を行ったものである
が、このメッシュ電極４に適切なバイアス電圧を印加す
ることにより荷電粒子を制御することができて、成膜基
板２０へのＯ2 イオン等によるダメージを抑制すること
ができる。また例えばＳｉ3 Ｎ4 を成膜する場合等、荷
電した前駆体を効率良く基板２０に誘導させて、成膜速
度を向上させ、膜厚の均一化をはかることができる等の
効果が得られる。
【００３３】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、例えばガイド３の形状をコーン型でなく円
筒型とすることもできる。しかしながら、コーン型とす
る場合は、より広い範囲への成膜を効率よく行うことが
できる。
のではなく、例えばガイド３の形状をコーン型でなく円
筒型とすることもできる。しかしながら、コーン型とす
る場合は、より広い範囲への成膜を効率よく行うことが
できる。
【００３４】また成膜材料としても上述のＯ2 ＋ＳｉＨ
4 の他、ＳｉＨ4 にかえてＴＥＯＳ（テトラエチル・オ
ルトシリケート）を用いてＳｉＯ2 を成膜することもで
き、更にａ−Ｓｉ（アモルファス・シリコン）膜の成
膜、各種のプラズマ処理による成膜等に本発明を適用す
ることができる。またエッチング処理装置においても適
用することができ、その処理速度の向上及び処理の均一
化をはかることができる。
4 の他、ＳｉＨ4 にかえてＴＥＯＳ（テトラエチル・オ
ルトシリケート）を用いてＳｉＯ2 を成膜することもで
き、更にａ−Ｓｉ（アモルファス・シリコン）膜の成
膜、各種のプラズマ処理による成膜等に本発明を適用す
ることができる。またエッチング処理装置においても適
用することができ、その処理速度の向上及び処理の均一
化をはかることができる。
【００３５】更に、その他例えば前述の従来例において
説明した平行平板型のプラズマ処理装置や、または誘導
結合型のプラズマ処理装置等への適用も可能であり、ま
たプラズマの生成にあたってマイクロ波を用いる等、各
種変形変更が可能であることはいうまでもない。
説明した平行平板型のプラズマ処理装置や、または誘導
結合型のプラズマ処理装置等への適用も可能であり、ま
たプラズマの生成にあたってマイクロ波を用いる等、各
種変形変更が可能であることはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ガイド
３により反応に寄与するガス分子を効率良く基板２０に
向かわせることから、これらのガス分子はガイド３の内
側の空間に限定された状態で攪拌されて基板２０の表面
に到達し、ガスの導入方向や排気口の方向に処理速度が
影響されにくく、その結果膜厚分布やエッチング処理の
均一化をはかることができる。
３により反応に寄与するガス分子を効率良く基板２０に
向かわせることから、これらのガス分子はガイド３の内
側の空間に限定された状態で攪拌されて基板２０の表面
に到達し、ガスの導入方向や排気口の方向に処理速度が
影響されにくく、その結果膜厚分布やエッチング処理の
均一化をはかることができる。
【００３７】また更に、装置内の汚染を制御することが
できて、装置のメンテナンスの簡略化をはかることがで
きる。
できて、装置のメンテナンスの簡略化をはかることがで
きる。
【図１】本発明実施例の構成図である。
【図２】比較例の構成図である。
【図３】膜厚分布を示す図である。
【図４】屈折率分布を示す図である。
１ プラズマ生成部 ２ 処理部 ３ ガイド ４ メッシュ電極 ５ 上部電極 １３ 電源 ２０ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ生成部と処理部とが分離されて
成り、 上記プラズマ生成部と上記処理部との境界近傍から処理
すべき基板に向かって反応に寄与するガス分子を引き出
すガイドが設けられて成ることを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項２】 上記ガイドが上記基板に向かって径が徐
々に広がるほぼ円錐形状とされて成ることを特徴とする
上記請求項１に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276793A JPH06236850A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276793A JPH06236850A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236850A true JPH06236850A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12091828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276793A Pending JPH06236850A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236850A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383299B1 (en) | 1997-05-21 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
| WO2005028703A1 (ja) * | 2003-09-17 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2010074065A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Canon Anelva Corp | 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法 |
| US20100255667A1 (en) * | 2007-11-02 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corporation | Substrate cleaning method for removing oxide film |
| JP2015099866A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
| JP2015122482A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-07-02 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体装置とその製造方法 |
| WO2020017328A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP2276793A patent/JPH06236850A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383299B1 (en) | 1997-05-21 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
| US6444327B1 (en) | 1997-05-21 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
| US6830786B2 (en) | 1997-05-21 | 2004-12-14 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
| WO2005028703A1 (ja) * | 2003-09-17 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
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| US10083830B2 (en) | 2007-11-02 | 2018-09-25 | Canon Anelva Corporation | Substrate cleaning method for removing oxide film |
| JP2010074065A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Canon Anelva Corp | 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法 |
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| WO2020017328A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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