JP2015099866A - Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.III 族窒化物半導体装置の製造装置
図1は、本実施形態におけるIII 族窒化物半導体装置の製造装置1000の概略構成図である。製造装置1000は、窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスをプラズマ化して、そのプラズマ化したプラズマ生成物を成長基板に供給するとともに、III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで成長基板に供給する装置である。
製造装置1000における製造条件を表1に示す。表1で挙げた数値範囲は、あくまで目安であり、必ずしもこの数値範囲である必要はない。RFパワーは、100W以上1000W以下の範囲内である。RF電源1600がシャワーヘッド電極1100に付与する周期的な電位の周波数は、30MHz以上300MHz以下の範囲内である。基板温度は、400℃以上900℃以下の範囲内である。また、基板温度は、室温以上であってもよい。製造装置1000の内圧は、1Pa以上10000Pa以下の範囲内である。
RFパワー 100W以上 1000W以下
周波数 30MHz以上 300MHz以下
基板温度 400℃以上 900℃以下
内圧 1Pa以上 10000Pa以下
3−1.基板のクリーニング
ここで、本実施形態の製造装置1000を用いた半導体ウエハの製造方法について説明する。まず、基板Sa1を準備する。基板Sa1として、例えば、c面サファイア基板を用いることができる。また、その他の基板を用いてもよい。基板Sa1を、製造装置1000の内部に配置し、水素ガスを供給しながら基板温度を400℃程度まで上昇させる。これにより、基板Sa1の表面を還元するとともに、基板Sa1の表面をクリーニングする。基板温度をこれ以上の温度にしてもよい。
次に、RF電源1610をONにする。そして、第2のガス供給管1420から、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを供給する。そして、シャワーヘッド電極1100の貫通孔から炉本体1001の内部に供給された混合ガスは、シャワーヘッド電極1100の直下でプラズマ化する。そのため、シャワーヘッド電極1100の直下にプラズマ発生領域が生成される。この際に、窒素ラジカルと水素ラジカルとが生成される。そして、窒素ラジカルと水素ラジカルとが反応して、窒化水素系の化合物が生成されると考えられる。また、電子やその他の荷電粒子も生成される。
こうして、基板Sa1の主面にIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。これにより、半導体ウエハが製造される。この半導体ウエハにおけるIII 族窒化物半導体の結晶性はよい。
このように、基板温度を高い温度とすることなく、III 族窒化物半導体を成長させることができる。そのため、基板温度が高いと結晶成長が困難な高In濃度のInGaN層等を成長させるのに好適である。また、大量のアンモニアガスを流す必要がない。そのため、アンモニアガスを除去する除害装置を設ける必要はない。そのため、製造装置そのもののコストが低い。また、ランニングコストを抑制することもできる。
5−1.リング部の貫通孔
本実施形態では、第1のガス供給管1300は、リング部1310の内側に貫通孔を有することとした。しかし、この貫通孔の位置を、リングの内側でかつ下向きにしてもよい。リング部1310を含む面と、貫通孔の開口部の方向とのなす角の角度は、例えば45°である。この角の角度は、例えば、0°以上60°以下の範囲内で変えてもよい。この角度は、もちろん、リング部1310の径や、リング部1310とサセプター1200との間の距離にも依存する。また、貫通孔の数は、1以上であればよい。もちろん、リング部1310に、等間隔で貫通孔が形成されていることが好ましい。
本実施形態の製造装置1000は、成長基板の上にIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。窒素ガスと水素ガスとの混合気体をプラズマ化するとともに、III 族金属ガスを含む有機金属ガスをプラズマ化しないで成長基板に供給する。窒素ガスを水素ガスと混合させつつプラズマ化しているため、基板温度を高くすることなく、III 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる。成長させたIII 族窒化物半導体の結晶性は十分である。また、アンモニアガスを用いる必要がない。そのため、本実施形態の製造装置には、アンモニアを除去するための除害装置を設ける必要がない。
第2の実施形態について説明する。本実施形態の半導体デバイスは、III 族窒化物半導体層を有する半導体発光素子である。
本実施形態の発光素子100を図2に示す。発光素子100は、III 族窒化物半導体層を有する。発光素子100は、基板110と、バッファ層120と、n−GaN層130と、発光層140と、p−AlGaN層150と、p−GaN層160と、p電極P1と、n電極N1と、を有する。発光層140は、井戸層と障壁層とを有する。井戸層は、例えば、InGaN層を有している。障壁層は、例えば、AlGaN層を有している。これらの積層構造は、例示であり、上記以外の積層構造であってもよい。
2−1.半導体層形成工程
本実施形態の製造装置1000を用いて、基板110の上にIII 族窒化物半導体層を形成する。ここで用いる条件は、第1の実施形態で説明した半導体ウエハの製造方法とほぼ同様である。基板110の上に、バッファ層120と、n−GaN層130と、発光層140と、p−AlGaN層150と、p−GaN層160と、を形成する。上記の各半導体層を形成するために、適宜原料ガスを切り替えればよい。
次に、ICP等のエッチングにより、p−GaN層160からn−GaN層130の途中まで達する凹部を形成する。これより、n−GaN層130の露出部131が露出する。
次に、n−GaN層130の露出部の上にn電極N1を形成する。また、p−GaN層160の上にp電極P1を形成する。
アニール工程や、絶縁膜を形成する工程等、その他の工程を実施してもよい。
第3の実施形態について説明する。本実施形態の半導体デバイスは、III 族窒化物半導体層を有するMIS型半導体素子である。
図3に示すように、MIS型半導体素子200は、基板210と、バッファ層220と、GaN層230と、AlGaN層240と、絶縁膜250と、ソース電極S1と、ゲート電極G1と、ドレイン電極D1と、を有している。ソース電極S1およびドレイン電極D1は、AlGaN層240の上に形成されている。ゲート電極G1と、AlGaN層240の溝241との間には、絶縁膜250がある。
2−1.半導体層形成工程
本実施形態の製造装置1000を用いて、基板210の上にIII 族窒化物半導体層を形成する。ここで用いる条件は、第1の実施形態で説明した半導体ウエハの製造方法とほぼ同様である。基板210の上に、バッファ層220と、GaN層230と、AlGaN層240と、を形成する。上記の各半導体層を形成するために、適宜原料ガスを切り替えればよい。
次に、ICP等のエッチングにより、AlGaN層240に溝241を形成する。
次に、溝241に、絶縁膜250を形成する。
次に、AlGaN層240の上にソース電極S1およびドレイン電極D1を形成する。また、溝241の箇所に、絶縁膜250を介してゲート電極G1を形成する。なお、ソース電極S1およびドレイン電極D1については、絶縁膜250を形成する前に形成してもよい。以上により、MIS型半導体素子200が製造される。
本実験では、図1に示す製造装置1000を用いて実験を行った。RFパワーは、400Wであった。プラズマガスとして、窒素ガス750sccmと、水素ガス250sccmと、を混合した混合ガスを供給した。III 族金属の有機金属ガスについては、0.025sccmから2.0sccmの間に設定して供給した。製造装置1000の内圧は、100Paであった。
本実験では、通常のMOCVD炉を用いて実験を行った。III 族金属の有機金属ガスのキャリアガスとして、水素ガスを流速3.5m/secで流した。MOCVD炉の内圧は、25Torrであった。
上記のように、実施例では、一様で厚みの十分なGaN結晶を、十分な成膜速度で成長させることができた。このGaN結晶の結晶性は、十分なものであった。また、基板温度も、比較例に比べて低い。このため、製造装置1000は、III 族窒化物半導体装置を量産するのに適している。また、アンモニアガスを用いる必要はない。
1001…炉本体
1100…シャワーヘッド電極
1200…サセプター
1210…加熱器
1300…第1のガス供給管
1410…ガス導入室
1420…第2のガス供給管
1500…金属メッシュ
1600…RF電源
1610…マッチングボックス
Claims (10)
- III 族窒化物半導体装置の製造装置において、
第1の電極と、
成長基板を支持するための基板支持部と、
前記基板支持部に第1のガスを供給する第1のガス供給管と、
前記基板支持部に第2のガスを供給する第2のガス供給管と、
を有し、
前記第1のガス供給管は、
少なくとも1以上の第1のガス噴出口を有するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスを第1のガスとして供給するものであり、
前記第2のガス供給管は、
窒素ガスを含むガスを第2のガスとして供給するものであり、
前記第1の電極は、
前記基板支持部からみて前記第1のガス供給管の前記第1のガス噴出口よりも遠い位置に配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第2のガス供給管は、
窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを第2のガスとして供給すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第1の電極は、
第1面から第2面に貫通する複数の貫通孔を設けられた平板電極であり、
前記第2のガス供給管は、
前記第1の電極の前記複数の貫通孔と連通していること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第1の電極と前記第1のガス噴出口との間の距離が、
30mm以上であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第1の電極と前記基板支持部との間の距離が、
40mm以上であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第1のガス供給管は、
リング形状のリング部を有するとともに、
前記第1のガス噴出口は、
前記リング部の内側に向けて設けられていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
金属メッシュ部材を有し、
前記金属メッシュ部材は、
前記第1のガス供給管と前記第1の電極との間の位置に配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体装置の製造装置において、
前記第1の電極に30MHz以上300MHz以下の周波数の電位を付与するRF電源を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造装置。 - 成長基板の主面にIII 族窒化物半導体から成る半導体層を形成する半導体層形成工程を有するIII 族窒化物半導体装置の製造方法において、
窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスをプラズマ化し、
プラズマ化した前記混合ガスを前記成長基板に供給するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで前記成長基板に供給すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造方法。 - ウエハの主面にIII 族窒化物半導体から成る半導体層を形成する半導体層形成工程を有する半導体ウエハの製造方法において、
窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスをプラズマ化し、
プラズマ化した前記混合ガスを前記成長基板に供給するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで前記成長基板に供給すること
を特徴とする半導体ウエハの製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045856A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
JP2017168524A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
JP2017168589A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2019145803A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-08-29 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019153690A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 成膜装置 |
JP2019153691A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
WO2019225184A1 (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
JP2019212714A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243413A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH06236850A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10321619A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Nec Corp | 酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置 |
JP2002094106A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 紫外線光量測定装置および紫外線光量測定方法、並びに紫外線光源制御装置 |
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
JP2007300001A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
JP2012517711A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | スコット アレクサンダー ブッチャー ケネス | マイグレーション及びプラズマ増強化学蒸着 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1136078A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマmocvd装置 |
JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US6132552A (en) * | 1998-02-19 | 2000-10-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of a gas distribution plate in a process reactor |
CN1328766C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
JP2003253449A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体/液晶製造装置 |
JP2004096012A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Sony Corp | 窒化物半導体素子の製造方法 |
TW200537695A (en) * | 2004-03-19 | 2005-11-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Insulating film forming method, insulating film forming apparatus, and plasma film forming apparatus |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7381291B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-06-03 | Asm Japan K.K. | Dual-chamber plasma processing apparatus |
JP4820864B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-24 | 三井造船株式会社 | プラズマ原子層成長方法及び装置 |
US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
WO2011011532A2 (en) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | Applied Materials, Inc. | Hollow cathode showerhead |
KR20120090996A (ko) * | 2009-08-27 | 2012-08-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법 |
JP5851804B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2016-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置 |
KR101391960B1 (ko) * | 2012-05-07 | 2014-05-12 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 저결함 질화물 반도체층을 갖는 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법 |
JP6008611B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2015095551A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッドアセンブリ及びプラズマ処理装置 |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013239590A patent/JP6406811B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-17 KR KR1020140159905A patent/KR102330144B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-19 US US14/548,121 patent/US9773667B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243413A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH06236850A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10321619A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Nec Corp | 酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置 |
JP2002094106A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 紫外線光量測定装置および紫外線光量測定方法、並びに紫外線光源制御装置 |
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
JP2007300001A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
JP2012517711A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | スコット アレクサンダー ブッチャー ケネス | マイグレーション及びプラズマ増強化学蒸着 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045856A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
JP2017168524A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
US11031212B2 (en) | 2016-03-14 | 2021-06-08 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2017168589A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2019153690A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 成膜装置 |
JP2019153691A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
KR20210006985A (ko) * | 2018-05-21 | 2021-01-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2019203155A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
WO2019225184A1 (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
JP7126381B2 (ja) | 2018-05-21 | 2022-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US11578407B2 (en) | 2018-05-21 | 2023-02-14 | Tokyo Electron Limited | Film-forming apparatus and film-forming method |
KR102571839B1 (ko) | 2018-05-21 | 2023-08-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2019212714A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
JP7066178B2 (ja) | 2018-06-01 | 2022-05-13 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
JP2019145803A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-08-29 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102330144B1 (ko) | 2021-11-22 |
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