JP2017168589A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017168589A JP2017168589A JP2016051596A JP2016051596A JP2017168589A JP 2017168589 A JP2017168589 A JP 2017168589A JP 2016051596 A JP2016051596 A JP 2016051596A JP 2016051596 A JP2016051596 A JP 2016051596A JP 2017168589 A JP2017168589 A JP 2017168589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- film
- container
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】一の実施形態によれば、半導体製造装置は、基板を収容する容器を備える。さらに、前記装置は、前記容器内にガスを供給するガス供給部を備える。さらに、前記装置は、前記ガスからプラズマを生成して、前記プラズマにより前記基板に窒化物膜を形成するプラズマ生成部を備える。さらに、前記装置は、前記容器の内壁面または前記容器内の部材の表面に設けられた窒素含有膜を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
図5は、第2実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
11:反応容器本体、11a:排気口、12:ライナー、13:平板電極、
13a:ガス流路、13b:ガス供給孔、14:絶縁体壁、15:誘電体窓、
21:プラズマ遮蔽板、21a:通過孔、22:シャワープレート、
22a:ガス流路、22b、22c、22d:通過孔、23:サセプタ、
31:第1ガス供給部、32:高周波電源、33:マッチングボックス、
34:第2ガス供給部、34a:ガスノズル、35:コイル、
41、42、43、44、45、46、47、48:保護膜
Claims (6)
- 基板を収容する容器と、
前記容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記ガスからプラズマを生成して、前記プラズマにより前記基板に窒化物膜を形成するプラズマ生成部と、
前記容器の内壁面または前記容器内の部材の表面に設けられた窒素含有膜と、
を備える半導体製造装置。 - 前記ガス供給部は、前記容器内に窒素ガスと、水素ガスと、金属元素を含有するガスとを供給し、
前記プラズマ生成部は、前記窒素ガスと前記水素ガスから前記プラズマを生成して、前記プラズマにより前記金属元素を含有する前記窒化物膜を形成する、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記窒素含有膜は、アルミニウムまたはガリウムを含有している、請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記容器の内壁面は、
前記容器の金属壁の表面に設けられた絶縁部材の表面、
前記プラズマ生成部を構成する電極の表面、
前記金属壁と前記電極との間に設けられた前記容器の絶縁体壁の表面、
前記プラズマ生成部を構成するコイルの付近に設けられた誘電体窓の表面、および
前記金属壁と前記誘電体窓との間に設けられた前記容器の絶縁体壁の表面、
の少なくともいずれかである請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記容器内の部材は、
前記プラズマを遮蔽するプラズマ遮蔽板、
前記ガス供給部を構成するシャワープレート、および
前記ガス供給部を構成するガスノズル、
の少なくともいずれかである請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 基板を容器内に収容し、
ガス供給部から前記容器内にガスを供給し、
前記容器の内壁面または前記容器内の部材の表面に窒素含有膜が設けられた状態で、プラズマ生成部により前記ガスからプラズマを生成して、前記プラズマにより前記基板に窒化物膜を形成する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016051596A JP6515050B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016051596A JP6515050B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168589A true JP2017168589A (ja) | 2017-09-21 |
JP6515050B2 JP6515050B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=59913992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016051596A Active JP6515050B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6515050B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210131300A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-11-02 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
JP2008255471A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 窒化ガリウム等のiii族窒化物の成膜方法 |
JP2012517711A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | スコット アレクサンダー ブッチャー ケネス | マイグレーション及びプラズマ増強化学蒸着 |
JP2012256905A (ja) * | 2007-08-17 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JP2015099866A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
US20150311044A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
-
2016
- 2016-03-15 JP JP2016051596A patent/JP6515050B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
JP2008255471A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 窒化ガリウム等のiii族窒化物の成膜方法 |
JP2012256905A (ja) * | 2007-08-17 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JP2012517711A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | スコット アレクサンダー ブッチャー ケネス | マイグレーション及びプラズマ増強化学蒸着 |
JP2015099866A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
US20150311044A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210131300A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-11-02 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
KR102521388B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2023-04-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6515050B2 (ja) | 2019-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101601662B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
KR101256120B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
TWI691613B (zh) | 包含流動隔離環的處理套組 | |
KR101204211B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
JP2020017697A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US10612135B2 (en) | Method and system for high temperature clean | |
KR101289770B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US10961626B2 (en) | Plasma processing apparatus having injection ports at both sides of the ground electrode for batch processing of substrates | |
TW201810354A (zh) | 基板支撐組件、具有其之處理腔室以及處理基板之方法 | |
CN109314055A (zh) | 原子层生长装置及原子层生长方法 | |
JP6363385B2 (ja) | 封止膜の形成方法及び封止膜製造装置 | |
TW392211B (en) | Processing method for object to be processed | |
JP6515050B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
KR20180014656A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN110010465B (zh) | 去除方法和处理方法 | |
TWI682425B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 | |
JP4850762B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP5333804B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP6156850B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の部材の交換判断方法 | |
TW202214046A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及電漿生成裝置 | |
JP5725911B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR102615569B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US20240003012A1 (en) | Substrate processing apparatus, heating apparatus, method of processing substrate and method of manufacturing semiconductor device | |
WO2022264922A1 (ja) | プラズマ処理装置用部材 | |
JP2010097993A (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170907 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170911 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180907 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20181105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6515050 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |