JP5333804B2 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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合がある。
内部が減圧空間とされる処理容器と、
前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、
カーボンを主成分とする材料により構成されるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、
前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、
前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間されて設置される断熱材と、
前記減圧空間を、前記基板保持部と前記断熱材が設けられる成膜ガス供給空間と、前記処理容器と前記断熱材との間に画成される断熱空間と、に分離する断熱材保持構造体と、を有し、
前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成され、
前記基板保持部は、複数の前記被処理基板を保持可能な被加熱載置台と、該被加熱載置台の周囲に該載置台を囲むように形成される被加熱構造体とを含むことを特徴とする成膜装置により、解決する。
101A 減圧空間
101B 処理容器
101C ガス供給手段
101a 成膜ガス供給空間
101b 断熱空間
102 基板保持部
103 載置台
104 被加熱構造体
105 断熱材
106 断熱材保持構造体
107 コイル
108 軸部
109 稼働手段
110 搬送板
111 圧力計
112 排気ライン
113 圧力調整手段
114 排気手段
120 制御手段
121 CPU
122 記憶媒体
123 入力部
124 メモリ
125 通信部
126 表示部
130,130A,130B,130C,130D,130E,130F,130G,134 ガスライン
131A,131B,131C,131D,131E,131F,131G,135 MFC
132A,132B,132C,132D,132E,132F,132G,136 バルブ
133A,133B,133C,133D,133F,133F,133G,137 ガス供給源
Claims (14)
- 内部が減圧空間とされる処理容器と、
前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、
前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、
前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、
前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間されて設置される断熱材と、
前記減圧空間を、前記基板保持部と前記断熱材が設けられる成膜ガス供給空間と、前記処理容器と前記断熱材との間に画成される断熱空間と、に分離する断熱材保持構造体と、を有し、
前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成され、
前記基板保持部は、複数の前記被処理基板を載せた搬送板が載置される被加熱載置台と、該被加熱載置台の周囲に該載置台を囲むように形成される被加熱構造体とを含むことを特徴とする成膜装置。 - 前記被加熱載置台は、前記搬送板を所定の回転軸を中心として回転するように構成されていることを特徴とする、請求項1記載の成膜装置。
- 前記断熱材はカーボンを主成分として構成され、前記断熱材のカーボン密度が、前記基板保持部のカーボン密度より小さいことを特徴とする、請求項1又は2記載の成膜装置。
- 前記断熱材の表面には、カーボン系のコーティング膜が形成されていることを特徴とする請求項3記載の成膜装置。
- 前記処理容器は、石英により構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記被加熱構造体には、対向する2つの開口部が形成され、一方の開口部から前記成膜ガスが供給され、他方の開口部から当該成膜ガスが排出されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記処理容器は、搬送手段を内部に有する搬送室に接続され、当該搬送手段により、前記搬送板が前記被加熱載置台上に搬出入されることを特徴とする請求項6記載の成膜装置。
- 前記搬送板は、前記被加熱載置台と同じ材料で構成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記被処理基板上には、前記成膜ガスを用いたエピタキシャル成長が行われることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の成膜装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項記載の成膜装置を用い、エピタキシャル成長を行うことにより前記被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、
円盤状の搬送板に、複数の前記被処理基板を載置する工程と、
複数の前記被処理基板が前記搬送板に載置された状態で、搬送手段により前記搬送板を被加熱載置台上に搬送する工程と、
前記被加熱載置台を所定速度で回転させる工程と、
前記成膜ガス供給空間に前記成膜ガスを供給する工程と、
前記コイルにより前記基板保持部を加熱する工程と、
前記搬送手段により複数の前記被処理基板が載置された前記搬送板を前記処理容器から搬出する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記断熱空間に前記処理容器を冷却する冷却媒体を供給する工程をさらに有することを特徴とする請求項10記載の成膜方法。
- 前記エピタキシャル成長を行う工程では、前記被処理基板上にSiとCを主成分とする膜が形成されることを特徴とする請求項10または11記載の成膜方法。
- 前記成膜ガスは、CxHy(x、yは整数)により示されるガスを含むことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項記載の成膜方法。
- 前記エピタキシャル成長を行う工程では、前記被処理基板が1200℃以上となるように前記基板保持部が誘導加熱されることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項記載の成膜方法。
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