JP6515050B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
図5は、第2実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
11:反応容器本体、11a:排気口、12:ライナー、13:平板電極、
13a:ガス流路、13b:ガス供給孔、14:絶縁体壁、15:誘電体窓、
21:プラズマ遮蔽板、21a:通過孔、22:シャワープレート、
22a:ガス流路、22b、22c、22d:通過孔、23:サセプタ、
31:第1ガス供給部、32:高周波電源、33:マッチングボックス、
34:第2ガス供給部、34a:ガスノズル、35:コイル、
41、42、43、44、45、46、47、48:保護膜
Claims (4)
- 基板を収容する容器と、
前記容器内に第1ガスを供給する第1ガス供給部と、
前記第1ガスからプラズマを生成して、前記プラズマにより前記基板に窒化物膜を形成するプラズマ生成部と、
前記容器内に第2ガスを供給する第2ガス供給部と、
前記容器の内壁面または前記容器内の部材の表面に設けられた窒素含有膜と、
を備え、
前記容器の内壁面は、
前記プラズマ生成部を構成する電極の表面、
前記プラズマ生成部の誘電体窓の表面、
の少なくともいずれかを含み、
前記電極または前記誘電体窓は、前記第1ガスを流通させるガス流路と、前記第1ガスを前記ガス流路から前記容器内に供給するガス供給孔とを有し、
前記窒素含有膜は、前記ガス流路の表面と、前記ガス供給孔の表面と、前記ガス流路および前記ガス供給孔の外部における前記電極または前記誘電体窓の表面のうち、前記ガス流路および前記ガス供給孔の外部における前記電極または前記誘電体窓の表面のみに設けられている、
半導体製造装置。 - 前記容器内の前記基板を保持する保持部と、
前記容器内において前記第1ガス供給部と前記保持部との間に設けられ、前記プラズマを遮蔽し、前記プラズマに含まれるラジカルが通過可能なプラズマ遮蔽板と、
前記容器内において前記プラズマ遮蔽板と前記保持部との間に設けられ、前記第2ガスを前記基板に供給するシャワープレートまたはガスノズルと、
をさらに備え、
前記シャワープレートは、前記ラジカルが通過可能な孔を有し、
前記シャワープレートと前記保持部との距離は、前記シャワープレートと前記プラズマ遮蔽板との距離よりも短い、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記窒素含有膜は、少なくとも前記第1ガス供給部と前記プラズマ遮蔽板との間において、前記容器の内壁面または前記容器内の部材の表面に設けられている、請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記誘電体窓は、前記プラズマ生成部を構成するコイルの付近に設けられている、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016051596A JP6515050B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017168589A JP2017168589A (ja) | 2017-09-21 |
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JP (1) | JP6515050B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102521388B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2023-04-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
WO2008111401A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 窒化ガリウム等のiii族窒化物の成膜方法 |
JP5058909B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマcvd装置及び薄膜トランジスタの作製方法 |
CA2653581A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-11 | Kenneth Scott Alexander Butcher | Migration and plasma enhanced chemical vapour deposition |
JP6406811B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2018-10-17 | 国立大学法人名古屋大学 | Iii 族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
US9869013B2 (en) * | 2014-04-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
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2016
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Publication number | Publication date |
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JP2017168589A (ja) | 2017-09-21 |
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