JP6435090B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本体容器2Aは、底壁2bと4つの側壁2cとを有する角筒形状の容器である。なお、本体容器2Aは、円筒形状の容器であってもよい。本体容器2Aの材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等の導電性材料が用いられる。本体容器2Aの材料としてアルミニウムを用いた場合には、本体容器2Aの内壁面から汚染物が発生しないように、本体容器2Aの内壁面にアルマイト処理(陽極酸化処理)が施される。また、本体容器2Aは接地されている。本体容器2Aには複数の貫通開口部が形成されている。これらの貫通開口部の構成については、後述する。
上部容器2Bは、天井部分2aと、本体容器2Aの上部に配置されて、処理容器2内の空間を上下の2つの空間に区画する誘電体壁6と、誘電体壁6を支持する支持部材として、蓋部材7及び支持梁16とを備えている。
本体容器2Aの外部には、更に、ガス供給装置20が設置されている。ガス供給装置20は、例えば、中央のサスペンダ8の中空部に挿入されたガス供給管21を介して支持梁16の図示しないガス流路に接続されている。ガス供給装置20は、プラズマ処理に用いられる処理ガスを供給するためのものである。プラズマ処理が行われる際には、処理ガスは、ガス供給管21、支持梁16内のガス流路および開口部を通して、処理室5内に供給される。処理ガスとしては、例えばSF6ガスが用いられる。
誘導結合プラズマ処理装置1は、更に、アンテナ室4の内部、すなわち処理室5の外部であって誘電体壁6の上方に配置された高周波アンテナ(以下、単に「アンテナ」と記す。)13を備えている。アンテナ13は、例えば略正方形の平面角形渦巻き形状をなしている。アンテナ13は、誘電体壁6の上面の上に配置されている。
誘導結合プラズマ処理装置1は、更に、基板Sを載置するためのサセプタ(載置台)22と、絶縁体枠24と、支柱25と、ベローズ26とを備えている。支柱25は、本体容器2Aの下方に設置された図示しない昇降装置に接続され、本体容器2Aの底壁2bに形成された開口部2b1を通して、処理室5内に突出している。また、支柱25は、中空部を有している。絶縁体枠24は、支柱25の上に設置されている。この絶縁体枠24は、上部が開口した箱状をなしている。絶縁体枠24の底部には、支柱25の中空部に続く開口部が形成されている。ベローズ26は、支柱25を包囲し、絶縁体枠24および本体容器2Aの底壁2bの内壁に気密に接続されている。これにより、処理室5の気密性が維持される。
処理容器2の外部には、更に、整合器28と、高周波電源29とが設置されている。サセプタ22は、絶縁体枠24の開口部および支柱25の中空部に挿通された通電棒を介して整合器28に接続され、更に、この整合器28を介して高周波電源29に接続されている。基板Sに対してプラズマ処理が行われる際には、サセプタ22には、高周波電源29からバイアス用の高周波電力(例えば、380kHzの高周波電力)が供給される。この高周波電力は、プラズマ中のイオンを、サセプタ22上に載置された基板Sに効果的に引き込むために使用されるものである。
処理容器2の外部には、更に、複数の排気装置30が設置されている。排気装置30は、本体容器2Aの底壁2bの複数箇所に形成された排気口2b2に接続された排気管31を介して、処理室5に接続されている。基板Sに対してプラズマ処理が行われる際には、排気装置30は、処理室5内の空気を排気し、処理室5内を真空若しくは減圧雰囲気に維持する。
図2は、図1の誘導結合プラズマ処理装置1の内部からみた本体容器2Aの2つの側壁2cの構成を示す斜視図である。なお、説明の便宜上、図2では、後述する絶縁部材45、カバー部材47及び電磁波シールドプレート49は図示を省略している。本体容器2Aの一つの側壁2cには、貫通開口部としてのゲート開口部41が形成されている。ゲート開口部41は、横長に形成されており、基板Sが通過できるように、基板Sの幅よりも大きな横幅を有している。ゲート開口部41は、貫通開口を画する壁面として、互いに対向する開口底面41a及び開口天井面41bと、2つの開口側面41cとを有している。
ゲートバルブ50は、本体容器2Aの側壁2cの外側に設けられている。ゲートバルブ50は、図示しない駆動部によってゲート開口部41を開閉する機能を有している。ゲートバルブ50は、閉状態でゲート開口部41を気密に封止する。従って、ゲートバルブ50は、閉状態で処理室5の気密性を維持すると共に、開状態で処理室5と外部との間で基板Sの移送を可能する。
本体容器2Aの4つの側壁2cの内側には、各側壁2cの内壁面に沿って、該内壁面を覆ってプラズマから保護する絶縁性の保護部材として、ライナー60が配備されている。ライナー60は、例えば石英、アルマイト処理されたアルミニウム等の材質で形成されている。ゲート開口部41が形成された側壁2cに設けられたライナー60は、当該ゲート開口部41に対応する開口を有している。観測用開口部43が形成された側壁2cに設けられたライナー60は、当該観測用開口部43に対応する開口を有している。
次に、図3を参照しながら、ゲート開口部41に配備されるインピーダンス調整部材について詳細に説明する。図3は、ゲートバルブ50及びゲート開口部41を含む側壁2cの要部断面図である。ゲート開口部41の開口底面41aには、インピーダンス調整部材としての絶縁部材45が配設されている。絶縁部材45は、例えば、板状又はシート状の形態とすることができる。
図3に示したように、本実施の形態の誘導結合プラズマ処理装置1は、インピーダンス調整部材としての絶縁部材45の上に、カバー部材47を設けることが好ましい。絶縁部材45に積層してカバー部材47を設け、絶縁部材45の表面を覆うことによって、絶縁部材45をプラズマによるダメージから保護することができる。
上記のとおり、本体容器2Aの内壁面にアルマイト処理(陽極酸化処理)を施し、絶縁性の保護膜としてのアルマイト膜を形成することによって、ライナー60を省略してもよい。図4は、誘導結合プラズマ処理装置1において、ライナー60を設けず、本体容器2Aの内壁面に、絶縁性の保護膜としてのアルマイト膜61を形成した変形例を示している。本体容器2Aの内壁面にアルマイト膜61を形成する場合は、絶縁部材45によって、プラズマから見たゲート開口部41の電気インピーダンスを、本体容器2Aのアルマイト膜61よりも大きくすることができるので、ゲート開口部41における異常放電や局所的プラズマの発生を防止できる。
次に、図5及び図6を参照しながら、貫通開口部としての観測用開口部43に配備される電磁波シールド部材について説明する。図5は、電磁波シールド部材を装着した状態の観測用開口部43を含む側壁2cの正面図である。図6は、図5におけるVI-VI線矢視における断面を示しており、電磁波シールド部材を装着した状態の観測用開口部43を含む側壁2cの要部断面図である。観測用開口部43の開口底面43a、開口天井面43b、2つの開口側面43cには、これらを覆うように、ライナー60が装着されている。
次に、図7を参照しながら、観測用開口部43にインピーダンス調整部材を配設した第2変形例について説明する。上記のとおり、観測用開口部43に、電磁波シールドプレート49を装着することによって(図6参照)、観測用開口部43内における異常放電や局所的プラズマの発生を防止することができる。しかし、観測用開口部43に電磁波シールドプレート49を装着する代わりに、図7に示したように、インピーダンス調整部材としての絶縁部材46を配備してもよい。
Claims (12)
- 処理容器の内部でプラズマを生成させて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器は、貫通開口部が形成された壁を備えており、
前記貫通開口部は、前記基板を搬入出するゲート開口部であり、互いに対向する開口底面及び開口天井面と、2つの開口側面とを有しており、
前記貫通開口部における前記開口底面にのみ、前記貫通開口部の電気インピーダンスを調整するインピーダンス調整部材が設けられ、
前記インピーダンス調整部材の上に、さらに、誘電体からなり、前記インピーダンス調整部材をプラズマから保護するカバー部材が積層して設けられており、
前記インピーダンス調整部材が、前記カバー部材よりも小さい比誘電率を有する材料によって構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記インピーダンス調整部材が樹脂シートであり、前記カバー部材がセラミックス製板材であって、前記樹脂シートと前記セラミックス製板材の合計厚みが20mm以下である請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部材は、比誘電率が10以下の材料によって構成されている請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部材は、比誘電率が4以下の材料によって構成されている請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部材は、比誘電率が4以下の樹脂材料によってシート状に形成されている請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部材は、ポリテトラフルオロエチレンからなるシートである請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記カバー部材がセラミックスからなる請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の内壁面に沿って、該内壁面を前記プラズマから保護する絶縁性の保護部材を備えており、
前記インピーダンス調整部材によって、前記プラズマから見た前記貫通開口部の電気インピーダンスを前記保護部材よりも高くした請求項1から7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記保護部材の電気インピーダンスに対して、前記インピーダンス調整部材の電気インピーダンスが8Ω以上大きい請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の内壁面には、該内壁面を前記プラズマから保護する絶縁性の保護膜が形成されており、
前記インピーダンス調整部材によって、前記プラズマから見た前記貫通開口部の電気インピーダンスを前記保護膜よりも高くした請求項1から7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記絶縁性の保護膜の電気インピーダンスに対して、前記インピーダンス調整部材のインピーダンスが8Ω以上大きい請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器はアルミニウムからなり、前記絶縁性の保護膜はアルマイト膜からなることを特徴とする請求項10又は11に記載のプラズマ処理装置。
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