TWI445119B - A substrate stage and a substrate processing device - Google Patents

A substrate stage and a substrate processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI445119B
TWI445119B TW097133365A TW97133365A TWI445119B TW I445119 B TWI445119 B TW I445119B TW 097133365 A TW097133365 A TW 097133365A TW 97133365 A TW97133365 A TW 97133365A TW I445119 B TWI445119 B TW I445119B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
mounting table
substrate mounting
lift pin
processing
Prior art date
Application number
TW097133365A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200926337A (en
Inventor
Joichi Ushioda
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200926337A publication Critical patent/TW200926337A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI445119B publication Critical patent/TWI445119B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

基板載置台及基板處理裝置
本發明係關於對液晶顯示裝置(LCD)等之平面面板顯示器(FPD)製造用之玻璃基板或半導體晶圓等之基板施予乾蝕刻等之處理之基板處理裝置中，在處理容器內載置基板之基板載置台及適用該基板載置台之基板處理裝置。
例如，在FPD或半導體之製造過程中，對於屬於被處理基板之玻璃基板或半導體晶圓，執行乾蝕刻或濺鍍、CVD(化學氣相沉積)等之各種處理。
如此之處理，係在被設置在腔室內之基板載置台載置基板之狀態下執行，對基板載置台之基板的裝載及卸載係藉由使基板載置台所具備之多數升降銷升降而執行。即是，於裝載基板之時，在使升降銷從載置台本體表面突出之狀態下，將載置在搬運臂之基板轉移至插銷上，使升降銷下降。再者，於將基板卸載時，從基板被載置在載置台本體之狀態，使升降銷上升而自載置台本體表面使基板上升，在其狀態下將基板轉移至搬運臂。如此之技術為慣用技術，例如揭示於專利文獻1。
但是，代表LCD之FPD用之玻璃基板則有大型化之傾向，被要求一邊超過2m之巨大基板，基板載置台也為大型化。再者，因支撐大型基板，故也需要多數升降銷。因此，基板載置台本體成為極高價者。尤其，於對FPD用之玻璃基板執行電漿蝕刻的蝕刻裝置之時，因在腔室內配置一對平行平板電極(上部及下部電極)，並且基板載置台當作下部電極而發揮功能，故為了安裝有冷卻機構或供電機構等則成為更高價者。
如此之基板載置台因在載置台本體內升降多數設置之升降銷，故在升降銷自載置台本體突出之狀態下，產生搬運臂接觸於升降銷等之故障時，則有使基板載置台本體損傷之虞。
尤其隨著基板大型化，於升降銷需要強度及基板載置台當作下部電極發揮功能之時，為了實現在基板面內均勻之製程，藉由將升降銷設為導電性材料之情形等，於使用不銹鋼(SUS)般之金屬製之升降銷當作升降銷之時，升降銷本體藉由搬運臂之接觸等之橫方向之力彎折，在一連串搬運動作中升降銷彎曲而直接執行升降動作，提高損傷高價之基板載置台之可能性。當如此在載置台本體產生損傷之時，必須交換高價之基板載置台，成為裝置成本上升之主要原因。
[專利文獻1]日本特開11-340208號公報
本發明係鑑於如此之事情而研究出，其目的在於提供難以使升降銷對載置台本體產生損傷之基板載置台，及具備有如此之基板載置台之基板處理裝置。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板的基板載置台，其特徵為具備：載置台本體；和被垂直插通於上述載置台本體，且被設置成升降自如使對上述載置台本體表面伸縮，在其前端支撐基板並使予以升降的升降銷，上述升降銷具有上構件和下構件，具有在該些境界部之周圍設置輔助構件而構成之彎折部，並且能夠取得縮入至上述載置台本體內之退避位置，和自上述載置台本體突出而支撐基板之支撐位置，上述升降銷位於支撐位置之時，上述彎折部存在於上述載置台本體之表面位置或是更上方位置，上述彎折部於對上述升降銷施加橫方向之力時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折。
在上述第1觀點中，上述上構件和上述下構件係在上述境界部接合為佳。再者，上述輔助構件係以構成覆蓋上述境界部之周圍的環狀為佳。並且，上述輔助構件係與上述上構件及上述下構件接合為佳。再者，上述輔助構件係形成為在對應於上述上構件和上述下構件之境界部之位置，具有形成縮頸之縮頸部之構成為佳。
上述上構件和上述下構件和上述輔助構件以金屬製為佳，尤其，以不鏽鋼製為佳。再者，上述上構件可以採用具有金屬製之芯材和覆蓋其周圍及上部之樹脂構件的構成。
本發明之第2觀點係提供一種基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板的基板載置台，其特徵為具備：載置台本體；和被垂直插通於上述載置台本體，且被設置成升降自如使對上述載置台本體表面伸縮，在其前端支撐基板並使予以升降的升降銷，上述升降銷能夠取得縮入至上述載置台本體內之退避位置，和自上述載置台本體突出而支撐基板之支撐位置，位於上述支撐位置之時，具有在上述載置台本體之表面位置或更上方位置形成縮頸之縮頸部，上述縮頸部於對上述升降銷施加橫方向之力時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折。
在上述第2觀點中，上述升降銷以金屬製為佳，尤其，以不鏽鋼製為佳。再者，上述升降銷可以採用在上述縮頸部之上方具有金屬製之芯材和覆蓋其周圍及上部之樹脂構件的構成。再者，上述升降銷係上述縮頸部之上下可以由不同構件所構成。
在上述第1、第2觀點中，上述處理裝置執行雷漿處理，上述載置台本體可以設為當作下部電極而發揮功能之構成。
本發明之第3觀點係提供一種基板處理裝置，具備有收容基板之處理容器，和被設置在上述處理容器內，載置基板之基板載置台，和在上述處理室內對基板施予特定處理之處理機構，上述基板載置台具有上述第1或第2觀點之構成。
在上述第3觀點中，上述處理機構具有將處理氣體供給至上述處理容器內之氣體供給機構；和將上述處理容器內予以排氣之排氣機構；和在上述處理容器內生成上述處理氣體之電漿的雷漿生成機構。上述電漿生成機構之構成可以為具有：當作下部電極發揮功能之上述基板載置台；和與基板載置台對向設置之上部電極；和對基板載置台施加高頻電力之高頻電源。
若藉由本發明，升降銷因具有上構件和下構件，並具有在該些境界部之周圍設置輔助構件而構成之彎折部，能夠取得縮入至上述載置台本體內之退避位置，和自上述載置台本體突出而支撐基板之支撐位置，於位於上述支撐位置之時，上述彎折部存在於上述載置台本體之表面位置或是更上方位置，上述彎折部於對上述升降銷施加橫方向之力之時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折，故當升降銷支撐基板而予以升降之時，則可以藉由輔助構件保持充分之強度，並且於施加橫方向之力之時，因於升降銷變形前，在彎折部彎折，故可以防止升降銷變形直接對載置台本體產生損傷，或升降銷在變形之狀態下直接執行升降動作而對載置台本體產生損傷之情形。尤其，藉由在對應於輔助構件之上構件和下構件之境界部的位置形成縮頸部，輔助環則可以確實從縮頸部斷裂，於施加大於特定以上之橫方向之力時，可以確實使升降銷在彎折部彎折。
並且，若藉由本發明，升降銷位於上述支撐位置之時，具有在上述載置台本體之表面位置或是更上方位置形成縮頸之縮頸部，上述縮頸部因於對上述升降銷施加橫方向之力之時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折，故當升降銷支撐基板而予以升降之時，則可以保持充分強度，於施加橫方向之力時，因於升降銷變形前，在縮頸部彎折，故可以防止升降銷變形而直接對載置台本體產生損傷，或升降銷在變形之狀態下直接執行升降動作而對載置台本體產生損傷之情形。
以下參照附件圖面說明本發明之實施型態。第1圖為表示本發明之一實施型態所涉及之設置有當作基板載置台之承載器的處理裝置之一例的雷漿蝕刻裝置之剖面圖。該電漿蝕刻裝置1為執行FPD用玻璃基板G之特定處理之裝置的剖面圖，構成電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。在此，就以FPD而言例示有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，電漿顯示面板(PDP)等。
該電漿蝕刻裝置1具有例如表面被施予防蝕鋁處理(陽極氧化處理)之由鋁所構成且成形為角筒形狀的腔室2。
在該腔室2內之底部設置有用以載置屬於被處理基板之玻璃基板G之基板載置台的承載器4。該承載器4具有承載器本體4a，和對承載器本體4a執行裝載及卸載玻璃基板G之升降銷30。
在承載器本體4a連接有用以供給高頻電力之供雷線23，在該供電線23連接有整合器24及高頻電源25。自高頻電源25供給例如13.56MHz之高頻電力至承載器4。
在上述承載器4之上方設置有與該承載器4平行對向而當作上部電極發揮功能之噴淋頭11。噴淋頭11被支撐於腔室2之上部，在內部具有內部空間12，並且在與承載器4之對向面形成吐出處理氣體之多數吐出孔13。該噴淋頭11被接地，與承載器4一起構成一對平行平板雷極。
在噴淋頭11之上面設置氣體導入口14，該氣體導入口14連接有處理氣體供給管15，在該處理氣體供給管15經閥16及質量流量控制器17，連接有處理氣體供給源18。自處理氣體供給源18供給蝕刻用之處理氣體。作為處理氣體可以使用鹵系之氣體、O2 氣體、Ar氣體等，通常在該領域所使用之氣體。
在上述腔室2之底部形成有排氣管19，在該排氣管19連接排氣裝置20。排氣裝置20具備有渦輪式分子泵等之真空泵，依此構成可將腔室2內抽真空至特定減壓環境。再者，在腔室2之側壁設置有基板搬入搬出口21、開關該基板搬入搬出口21之閘閥22，在使該閘閥22打開之狀態下，基板G在與鄰接之裝載鎖定室(無圖式)之間被搬運。
接著，針對本發明之一實施型態所涉及之基板載置台之承載器4，也參照第2圖所示之放大圖予以詳細說明。
該承載器4係如上述般，具有承載器本體4a和升降銷30，承載器本體4a，具有金屬製之基材5和被設置在基材5邊緣之絕緣構件6。
在腔室2之底壁2a，以對應於承載器本體4a之周緣部之方式設置有由絕緣體所構成之間隔構件7，在其上方載置承載器本體4a。在間隔構件7和底壁2a之間，間隔構件7和承載器本體4a之間被氣密封閉，在承載器本體4a和底壁2a之間形成有大氣環境之空間31。然後，藉由該空間31以求大氣絕緣。在底壁2a埋設有支撐承載器本體4a之由陶瓷等之絕緣體所構成之多數絕緣構件32，藉由被插入至垂直設置於該些絕緣構件32中心之貫通孔的螺桿33，固定底壁2a和承載器本體4a。
在承載器本體4a之上面即是基材5之表面，突起狀形成由介電質材料所構成之多數凸部5a，該些凸部5a成為在絕緣構件6包圍周圍之狀態。絕緣構件6a之上面和凸部5a之上面成為相同高度，於將玻璃基板G載置於承載器本體4a之時，成為接觸於絕緣構件6之上面及凸部5a之上面之狀態。
升降銷30被插通於設置於承載器2之底壁的孔2b及設置於承載器本體4a之基材5的孔5b，如第3圖所示般，在相當於玻璃基板G之周緣部的位置設置有10根，在中央部設置有3根，合計設置有13根。升降銷30係以無圖式之驅動機構而升降，於不執行處理中等之玻璃基板G之搬運時，則位於縮入至承載器本體4a內之退避位置，並且於玻璃基板G之裝載及卸載之時，如第2圖所示般，再從承載器本體4a表面突出至上方之狀態下，位於支撐玻璃基板G之支撐位置。再者，在升降銷30之下端螺鎖著導雷性制動器60。在制動器60和承載器本體4a之間設置有用以隔斷真空環境和大氣環境之導電性波紋管62。因此，於升降銷30為導雷性之時，升降銷30經波紋管62及制動器60而與承載器本體4a雷性連接，被保持同雷位。在制動器60之下方設置有絕緣構件61。
升降銷30具有下構件30a和上構件30b，該些境界部分成為於施加橫方向之力之時彎折之彎折部35。該彎折部35被設置成升降銷30位於支撐位置(第2圖之狀態)時，則在承載器本體4a之表面位置或僅比此些許上方之位置。另外，被構成升降銷30位於支撐位置之時，於較升降銷30變形之力小的特定大小之橫方向的力被施加於升降銷30之突出部分之時，則自彎折部35彎折。
具體而言，如第4圖所示般，彎折部35中，於被設置在下構件30a之上端部中央的凸部36，和被設置在上構件30b之下端部中央之凸部37之間形成境界部38，在該境界部38藉由黏接劑接合兩者。然後，在含有境界部38之凸部36和凸部37之周圍設置有構成環狀之輔助構件39。輔助構件39和凸部36、37之間藉由黏接劑被接合。再者，於對應於輔助構件39之外周之境界部38的部份形成有縮頸部40。
藉由調節輔助構件39之長度(即是凸部36、37之長度)或輔助構件39之厚度、縮頸部40之深度等，或是藉由在境界部38設置間隙，則可以調整自彎折部35彎折時之力的最小值，於玻璃基板G之升降動作之時，彎折部35不變形，可執行通常般之動作，但是於由於搬運臂從橫方向衝突於升降銷30等，施加特定值以上之力時，升降銷30變形前輔助構件39容易在縮頸部40斷裂，升降銷30在彎折部35之境界部38彎折。
在彎折部35之正下方位置，設置有用以安裝拆卸升降銷30等之維修時供板手等工具的維修部41。以往該種維修係在支撐玻璃基板G之支撐位置執行，因此，維修部41於玻璃基板G位於支撐位置之時，則如第5圖(a)所示般，必須突出較承載器本體4a表面更上方。當將如此之狀態適用於本實施型態時，施加橫方向之力之時彎折的彎折部35則在較承載器本體4a之表面更上方位置。但是，升降銷之彎折位置理想係以越接近承載器本體4a之表面為佳。因此，如第5圖(b)所示般，在支撐位置，使彎折部35之高度位置成為承載器本體4a之表面高度或比此些許的上方而確保最佳位置，並且另設置較該支撐位置更上升之維修位置，又可當作升降銷30之停止位置，如第5圖(c)所示般，藉由使升降銷30位於該維修位置，使維修部41位於較承載器本體4a表面更上方而可施行升降銷30之維修。當然即使如以往般僅以退避位置和支撐位置之兩個位置而言，在支撐位置執行升降銷之安裝拆卸亦可。
升降銷30確實被安裝於腔室2之下方之無圖式之安裝部，並且於玻璃基板G之升降動作之時，以持有所需之強度為佳，自如此觀點來看下構件30a、上構件30b、輔助構件39皆以不鏽鋼(SUS)等之金屬構成為佳。再者，從在基板面內執行均勻之蝕刻處理之觀點來看，升降銷30之下構件30a及上構件30b為具有導電性，使經彎折部35從上構件30b之前端雷性導通至下構件30a之下端，成為與承載器本體4a同電位為佳，自如此觀點，也以不鏽鋼(SUS)等金屬構成升降銷30為佳。自確實取得導通之觀點來看，黏接劑以使用導電性黏接劑為佳。如此一來，藉由使升降銷30成為導電性，則如上述般，升降銷30經導電性之波紋管62及制動器60而與承載器本體4a雷性連接，成為與承載器本體4a同電位。
但是，於上構件30b為金屬之時，則有產生因孔5b與承載器本體4a之摩擦或在玻璃基板G上之刮傷等所引起之故障之虞，再者於生成雷漿之時有產生異常放電之虞。從防止如此之摩擦或玻璃基板G之刮傷及異常放電之觀點來看，上構件30b為樹脂構件為佳。另外，藉由以導電性樹脂構成上構件30b，雖然無法防止異常放雷，但是可以使防止因與承載器本體4a之摩擦、刮傷所產生之故障及蝕刻之均勻性並存。但是，單將上構件30b設為樹脂製之時，則有強度不充分之虞。
為了確保強度，並且防止上述摩擦或玻璃基板G之刮傷及異常放電，如第6圖所示般，將上構件30b設為以樹脂材43覆蓋由不鏽鋼(SUS)所構成之芯材42之周圍的構造為佳。
接著，針對如此所構成之電漿蝕刻裝置1中之處理動作予以說明。
首先，將被處理基板之玻璃基板G藉由無圖式之搬運臂從無圖式之裝載鎖定室經基板搬入搬出口21搬入至腔室2內，載置在承載器本體4a上，即是載置在形成於承載器本體4a之表面的由介電質材料所構成之凸部5a及絕緣構件6上。此時，升降銷30突出於上方而位在支撐位置，將搬運臂上之玻璃基板G在升降銷30之上交接。之後，使升降銷30下降而將玻璃基板G載置在承載器本體4a之上。
之後，關閉閘閥22，藉由排氣裝置20將腔室2內抽真空至特定真空度。然後，打開閥16，藉由質量流量控制器17將處理氣體自處理氣體供給源18調整其流量，通過處理氣體供給管15、氣體導入口14而導入至噴淋頭11之內部空間12，並通過吐出孔13而對基板G均勻吐出，一邊調節排氣量一邊將腔室2內控制成特定壓力。
在該狀態下自高頻電源25經整合器24將高頻電力施加至承載器本體4a，使在當作下部電極之承載器4和當作上部電極之噴淋頭11之間產生高頻電場，而產生處理氣體之電漿，藉由該電漿對玻璃基板G施予蝕刻處理。
如此一來施予蝕刻處理之後，停止施加來自高頻電源25之高頻電力，並停止導入處理氣體之後，將腔室2內之壓力調整至特定壓力，並藉由升降銷30使玻璃基板G上升至支撐位置。在該狀態下打開閘閥22將無圖式之搬運臂插入至腔室2內，將位於升降銷30上之玻璃基板G交接至搬運臂。然後，將玻璃基板G經基板搬入搬出口21從腔室2內搬出至無圖式之裝載鎖定室。
在以上之處理中，於玻璃基板G之搬入及搬出之時，升降銷30雖然位於由承載器本體4a表面突出之支撐位置，但是此時會有產生搬運臂等衝撞升降銷之事故而影響至橫方向之力的情形。然後，此時之力為對升降銷影響變形之大小者時，在以往，產生由於此時之力使升降銷30變形而直接對承載器本體4a造成損傷，或是持續使用變形的升降銷30而使得對承載器本體4a造成損傷之事態。
對此，於本實施型態之時，於搬運臂衝撞等之橫方向之力作用於升降銷30之時，當其力成為特定值以上時，升降銷30變形前，輔助構件39之縮頸部40斷裂，升降銷30在彎折部35之境界部38彎折。因此可以防止承載器本體4a損傷。
另外，升降銷30必須具有某程度之強度使於支撐玻璃基板G時不會折彎或不會彎曲。自如此之觀點來看，於升降銷30支撐玻璃基板G時，以不會自境界部38彎折之方式，在境界部38以黏接劑接合下部構件30a和上部構件30b，並且使輔助構件39當作補強材而發揮功能。即是，輔助構件39於通常使用時當作補強材發揮功能，於施加橫方向之力之時，當作斷裂誘導構件發揮功能，使從縮頸部40斷裂。
如此一來，在本實施型態中，自補強升降銷30之觀點來看，雖然在境界部38中以黏接劑接合下構件30a和上構件30b，但輔助構件39之補強功能若相當充份時，不一定要以黏接劑接合亦可。再者，在輔助構件39和下構件30a及上構件30b之間不一定需要黏接劑之接合。
再者，輔助構件39之縮頸部之形狀並不限定於第4圖般之形狀，可以採用兼顧當作補強材之功能及當作斷裂誘導構件之功能的各種形狀，例如可採用第7圖(a)所示般之形狀之縮頸部40’或(b)所示般之形狀之縮頸部40”。
並且，輔助構件39之縮頸部40並非必須。即是，若構成於搬運臂衝撞至升降銷30之時輔助構件39確實斷裂，並且自接合部38彎折時，則如第8圖所示般，即使不設置縮頸部40亦可。
再者，不限定於如此完全覆蓋境界部38周圍之環狀輔助構件39，若具有當作上述補強劑之功能及當作斷裂誘導構件之功能時，則如第9圖之橫斷面圖所示般，即使為覆蓋境界部38周圍之一部份的輔助構件39’亦可。
再者，升降銷30即使為不設置如此之輔助構件39亦可。例如，即使如第10圖所示般，一體性設置下構件30a和上構件30b，在該些之間形成縮頸部50而當作彎折部35亦可。此時，縮頸部50必須形成升降玻璃基板G之時，確保充分強度使不變形，升降銷30位於支撐位置時接受橫方向之力之時，於升降銷30變形前，在該處斷裂彎折。因此，必須考慮構成升降銷30之材料之強度，調整縮頸部之縮頸量或形狀等。從如此之觀點，縮頸部之形狀並不限定於第10圖般之縮頸部50，可以採用各種形狀，例如第11圖(a)所示之形狀的縮頸部50’或(b)所示般之形狀之縮頸部50”。
並且，於重視防止確保升降銷30支撐玻璃基板G之時之強度而彎折，且防止承載器本體4a之摩擦、玻璃基板G之刮傷、異常放電之時，則如第12圖所示般，不設置彎折部35，可以將升降銷30之上部設為以樹脂材62覆蓋不鏽鋼製之芯材61之周圍的構造。
並且，本發明並限定於上述實施型態，當然可作各種之變形。
例如，在本實施型態中，雖然例示將本發明之基板載置台適用於下部電極施加高頻電力之RIE型雷容耦合平行平板雷漿蝕刻裝置中之當作下部電極之承載器的例，但是不限定於此，可適用於灰化、CVD成膜等之其他電漿處理裝置，即使為對上部雷極供給高頻電力之類型亦可，再者不限於電容耦合型即使為雷感耦合型亦可。再者，並不限定於電漿處理，亦可適用於其他處理裝置。
再者，被處理基板並不限定於FPD用玻璃基板G，即使為半導體晶圓等之其他基板亦可。
1．．．處理裝置(電漿蝕刻裝置)
2．．．腔室(處理容器)
3．．．絕緣板
4．．．承載器(基板載置台)
4a．．．承載器本體(載置台本體)
5．．．基材
5a．．．凸部
6．．．絕緣構件
7．．．間隔構件
11．．．噴淋頭(氣體供給手段)
20．．．排氣裝置
25．．．高頻雷源(電漿生成手段)
30．．．升降銷
30a．．．下構件
30b．．．上構件
35．．．彎折部
36、37．．．凸部
38．．．境界部
39．．．輔助構件
40、40’、40”．．．縮頸部
41．．．維修部
42．．．芯材
43．．．樹脂材
50、50’、50”．．．縮頸部
G．．．玻璃基板
第1圖為表示本發明之一實施型態所涉及之設置有當作基板載置台之承載器的處理裝置之一例的電漿蝕刻裝置之剖面圖。
第2圖為放大表示第1圖之處理裝置中之承載器的剖面圖。
第3圖為用以說明承載器本體中之升降銷之配置的平面圖。
第4圖為表示本發明之一實施型態所涉及之使用於當作基板載置台之承載器的升降銷構造之一例圖。
第5圖為用以說明本實施型態之承載器中之升降銷之維修手法的概略圖。
第6圖為表示將第4圖之升降銷之上構件設為以樹脂材覆蓋不鏽鋼製之芯材之構造的例圖。
第7圖為表示本實施型態之承載器中之形成在升降銷之輔助構件之縮頸部之其他例的剖面圖。
第8圖為表示升降銷之變形例之圖式。
第9圖為表示設置在升降銷之輔助構件之其他例的水平剖面圖。
第10圖為表示升降銷之其他變形例之圖式。
第11圖為表示被形成在第10圖之升降銷之縮頸部之其他例的側面圖。
第12圖為表示升降銷之構造之其他例的圖式。
30．．．升降銷
30a．．．下構件
30b．．．上構件
35．．．彎折部
36、37．．．凸部
38．．．境界部
39．．．輔助構件
40．．．縮頸部
41．．．維修部

Claims (17)

  1. 一種基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和被垂直插通於上述載置台本體，且被設置成升降自如使對上述載置台本體表面伸縮，在其前端支撐基板並使予以升降的升降銷；上述升降銷具有上構件和下構件，具有在該些境界部之周圍設置能夠斷裂的輔助構件而構成之彎折部，並且能夠取得縮入至上述載置台本體內之退避位置，和自上述載置台本體突出而支撐基板之支撐位置，上述升降銷位於上述支撐位置之時，上述彎折部存在於上述載置台本體之表面位置或是更上方位置，上述彎折部於對上述升降銷施加橫方向之力時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中，上述上構件和上述下構件係在上述境界部接合。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述輔助構件構成覆蓋上述境界部之周圍的環狀。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述輔助構件係與上述上構件及上述下構件接合。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述輔助構件係在對應於上述上構件和上述下構件之境界部之位置具有形成縮頸之縮頸部。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述上構件和上述下構件和上述輔助構件為金屬製。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之基板載置台，其中，上述上構件和上述下構件和上述輔助構件為不鏽鋼製。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述上構件具有金屬製之芯材和覆蓋其周圍及上部之樹脂構件。
  9. 一種基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和被垂直插通於上述載置台本體，且被設置成升降自如使對上述載置台本體表面伸縮，在其前端支撐基板並使予以升降的升降銷；上述升降銷能夠取得縮入至上述載置台本體內之退避位置，和自上述載置台本體突出而支撐基板之支撐位置，位於上述支撐位置之時，具有在上述載置台本體之表面位 置或更上方位置形成縮頸之縮頸部，上述縮頸部於對上述升降銷施加橫方向之力時，被形成以較上述升降銷變形之力小的力彎折。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之基板載置台，其中，上述升降銷為金屬製。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之基板載置台，其中，上述升降銷為不鏽鋼製。
  12. 如申請專利範圍第9項所記載之基板載置台，其中，上述升降銷係上述縮頸部之上方部分具有金屬製之芯材和覆蓋其周圍及上部之樹脂構件。
  13. 如申請專利範圍第9項所記載之基板載置台，其中，上述升降銷係上述縮頸部之上下由不同構件所構成。
  14. 如申請專利範圍第1或9項所記載之基板載置台，其中，上述處理裝置為執行電漿處理者，上述載置台本體係當作下部電極發揮功能。
  15. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備收容基板之處理容器；和被配置在上述處理容器內，載置基板之基板載置台；和 在上述處理容器內對基板施予特定處理之處理機構，上述基板載置台具有申請專利範圍第1或9項所記載之構成。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之基板處理裝置，其中，上述處理機構具有將處理氣體供給至上述處理容器內之氣體供給機構；和將上述處理容器內予以排氣之排氣機構；和在上述處理容器內生成上述處理氣體之電漿的電漿生成機構。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之基板處理裝置，其中，上述電漿生成機構具有：當作下部電極發揮功能之上述基板載置台；和與基板載置台對向設置之上部電極；和對基板載置台施加高頻電力之高頻電源。
TW097133365A 2007-08-31 2008-08-29 A substrate stage and a substrate processing device TWI445119B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225497A JP4783762B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 基板載置台および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200926337A TW200926337A (en) 2009-06-16
TWI445119B true TWI445119B (zh) 2014-07-11

Family

ID=40421497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097133365A TWI445119B (zh) 2007-08-31 2008-08-29 A substrate stage and a substrate processing device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4783762B2 (zh)
KR (2) KR101035249B1 (zh)
CN (1) CN101378031B (zh)
TW (1) TWI445119B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8608146B2 (en) 2009-12-18 2013-12-17 Lam Research Ag Reinforced pin for being used in a pin chuck, and a pin chuck using such reinforced pin
US9190310B2 (en) * 2010-04-16 2015-11-17 Lam Research Ag Grounded chuck
CN109872965B (zh) * 2017-12-04 2022-01-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置和反应腔室
WO2019124119A1 (ja) * 2017-12-21 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板支持部材、基板処理装置及び基板搬送装置
JP2020177967A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN111824771A (zh) * 2019-04-20 2020-10-27 天津庚辰精密机械有限责任公司 一种玻璃支撑防护构件
JP7329960B2 (ja) * 2019-05-14 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 載置台およびプラズマ処理装置
JP7267111B2 (ja) * 2019-05-31 2023-05-01 東京エレクトロン株式会社 位置決め機構及び位置決め方法
JP7438018B2 (ja) * 2020-05-11 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置機構
KR102241646B1 (ko) * 2020-09-21 2021-04-16 엘지디스플레이 주식회사 기판 지지 장치
KR102651374B1 (ko) * 2021-02-01 2024-03-26 가부시키가이샤 아마야 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04736A (ja) * 1990-04-17 1992-01-06 Tokyo Electron Ltd ウエハ押上げ装置
JPH06188305A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Tokyo Electron Ltd 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置
JP3736264B2 (ja) * 2000-02-29 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2002093890A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Olympus Optical Co Ltd リフトピン及びステージ装置
JP2004259974A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp リフトピン
JP2006313766A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Nikon Corp 基板保持装置及びステージ装置並びに露光装置
KR20060130966A (ko) * 2005-06-14 2006-12-20 삼성전자주식회사 리프트 핀
JP2007109703A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Japan Steel Works Ltd:The 基板ステージ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101035249B1 (ko) 2011-05-18
CN101378031A (zh) 2009-03-04
CN101378031B (zh) 2011-06-15
TW200926337A (en) 2009-06-16
JP4783762B2 (ja) 2011-09-28
JP2009059867A (ja) 2009-03-19
KR20090023273A (ko) 2009-03-04
KR20100115722A (ko) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI445119B (zh) A substrate stage and a substrate processing device
JP5219377B2 (ja) 基板載置台および基板処理装置
TWI427733B (zh) A substrate stage and a substrate processing device
KR102002216B1 (ko) 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치
JP6010433B2 (ja) 基板載置台および基板処理装置
JP4795899B2 (ja) 基板載置機構および基板受け渡し方法
CN100477147C (zh) 基板载置台及基板处理装置
JP4782733B2 (ja) 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置
TWI529842B (zh) Substrate collection method
JP2009152434A (ja) 基板処理装置
JP2008235430A (ja) プラズマ処理装置内構造体及びプラズマ処理装置
JP6010296B2 (ja) 静電チャック
TWI642868B (zh) Gate valve device and plasma processing device
JP3880896B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TWI759470B (zh) 閘閥裝置及基板處理系統
JP6435090B2 (ja) プラズマ処理装置
TW202401634A (zh) 基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法(二)
TW202435279A (zh) 基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法