JP4783762B2 - 基板載置台および基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置において処理容器内で基板を載置する基板載置台およびこの基板載置台を適用した基板処理装置に関する。
例えば、ＦＰＤや半導体の製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板や半導体ウエハに対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の各種処理が行われる。
このような処理は、例えば、チャンバー内に設けられた基板載置台に基板を載置した状態で行われ、基板載置台に対する基板のローディングおよびアンローディングは基板載置台が備えている複数の昇降ピンを昇降させることにより行われる。すなわち、基板をローディングする際には、昇降ピンを載置台本体の表面から突出した状態として、搬送アームに載せられた基板をピンの上に移し替え、昇降ピンを下降させる。また、基板をアンローディングする際には、基板が載置台本体に載置されている状態から昇降ピンを上昇させて基板を載置台本体表面から上昇させ、その状態で基板を搬送アームに移し替える。このような技術は慣用技術であり、例えば特許文献１に開示されている。
ところで、ＬＣＤに代表されるＦＰＤ用のガラス基板は大型化が指向されており、一辺が２ｍを超えるような巨大なものも要求され、基板載置台も極めて大型化している。また、大型基板を支持するため、昇降ピンの数も多数必要となっている。このため、基板載置台自体が極めて高価なものとなっている。特に、ＦＰＤ用のガラス基板に対してプラズマエッチングを行うエッチング装置の場合、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置し、基板載置台が下部電極として機能するため、冷却機構や給電機構等が取り付けられるため一層高価なものとなっている。
このような基板載置台は、多数設けられた昇降ピンが載置台本体内を昇降するため、昇降ピンが載置台本体から突出した状態で、搬送アームが昇降ピンに接触する等のトラブルが発生すると、基板載置台自体を損傷させるおそれがある。
特に、基板の大型化にともない、昇降ピンに強度が必要であること、および基板載置台が下部電極として機能する場合には、基板面内において均一なプロセスを実現するために、昇降ピンを導電性材料とする場合があること等により、昇降ピンとしてステンレス鋼（ＳＵＳ）のような金属製の昇降ピンを用いた場合には、搬送アームの接触等の横方向の力により昇降ピン自体が曲がり、一連の搬送動作において昇降ピンが曲がったまま昇降動作してしまい、高価な基板載置台を損傷する可能性が高まる。このように載置台本体に損傷が生じると高価な基板載置台を交換する必要があり、装置コスト上昇の要因となってしまう。
特開平１１−３４０２０８号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、昇降ピンによる載置台本体への損傷が生じ難い基板載置台、およびそのような基板載置台を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンとを具備し、前記昇降ピンは、上部材と下部材とを有し、これらの境界部の周囲に補助部材が設けられて構成された折れ部を有し、かつ前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記上部材と前記下部材は金属製であり、前記上部材と前記下部材とは前記境界部で導電性接着剤により接着されており、前記昇降ピンが前記支持位置にある時に、前記折れ部が前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に存在し、前記折れ部は、前記昇降ピンに横方向の力が加えられた際に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい力で折れるように形成されていることを特徴とする基板載置台を提供する。
上記第１の観点において、前記補助部材は、前記境界部の周囲を覆うリング状をなしていることが好ましい。さらに、前記補助部材は、前記上部材および前記下部材と接着されていることが好ましい。さらにまた、前記補助部材は、前記上部材と前記下部材との境界部に対応する位置に、括れが形成された括れ部を有する構成とすることが好ましい。
前記上部材と前記下部材は、ステンレス鋼製であることが好ましい。また、前記補助部材は、金属製であることが好ましい。
上記第１の観点において、前記基板処理装置はプラズマ処理を行うものであり、前記載置台本体は下部電極として機能する構成とすることができる。
本発明の第２の観点では、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構とを具備し、前記基板載置台は上記第１の観点の構成を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
上記第２の観点において、前記処理機構は、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを有する構成とすることができる。また、前記プラズマ生成機構は、下部電極として機能する前記基板載置台と、基板載置台に対向して設けられた上部電極と、基板載置台に高周波電力を印加する高周波電源とを有する構成とすることができる。
本発明によれば、昇降ピンは、上部材と下部材とを有し、これらの境界部の周囲に補助部材が設けられて構成された折れ部を有し、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記折れ部が前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に存在し、前記折れ部は、前記昇降ピンに横方向の力が加えられた際に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい力で折れるように形成されているので、昇降ピンが基板を支持して昇降するときには、補助部材により十分な強度を保つことができ、横方向の力が加えられた際には、昇降ピンが変形する前に折部において折れるので、昇降ピンが変形して直接的に載置台本体へ損傷を生じさせることや、昇降ピンが変形した状態のまま昇降動作されて載置台本体へ損傷を生じさせることを防止することができる。特に、補助部材の上部材と下部材との境界部に対応する位置に括れ部を形成することにより、補助リングは確実に括れ部から破断し、所定以上の大きさの横方向の力が加わった際に、昇降ピンを確実に折れ部にて折れるようにすることができる。
さらに、本発明によれば、昇降ピンは、支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に括れが形成された括れ部を有し、前記括れ部は、前記昇降ピンに横方向の力が加えられた際に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい力で折れるように形成されているので、昇降ピンが基板を支持して昇降するときには、十分な強度を保つことができ、横方向の力が加えられた際には、昇降ピンが変形する前に括れ部において折れるので、昇降ピンが変形して直接的に載置台本体へ損傷を生じさせることや、昇降ピンが変形した状態のまま昇降動作されて載置台本体へ損傷を生じさせることを防止することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。このプラズマエッチング装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有している。
このチャンバー２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための基板載置台であるサセプタ４が設けられている。このサセプタ４は、サセプタ本体４ａと、サセプタ本体４ａへのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン３０とを有している。
サセプタ本体４ａには、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されており、この給電線２３には整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給される。
前記サセプタ４の上方には、このサセプタ４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。
シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
前記チャンバー２の底部には排気管１９が形成されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
次に、本発明の一実施形態に係る基板載置台であるサセプタ４について、図２に示す拡大図をも参照して詳細に説明する。
このサセプタ４は、上述したように、サセプタ本体４ａと昇降ピン３０とを有しており、サセプタ本体４ａは、金属製の基材５と基材５の周縁に設けられた絶縁部材６とを有している。
チャンバー２の底壁２ａにはサセプタ本体４ａの周縁部に対応するように絶縁体からなるスペーサ部材７が設けられており、その上にサセプタ本体４ａが載せられている。スペーサ部材７と底壁２ａとの間、スペーサ部材７とサセプタ本体４ａとの間は気密にシールされており、サセプタ本体４ａと底壁２ａとの間に大気雰囲気の空間３１が形成されている。そして、この空間３１により大気絶縁が図られている。底壁２ａには、サセプタ本体４ａを支持するセラミックス等の絶縁体からなる複数の絶縁部材３２が埋設されており、これら絶縁部材３２の中心に鉛直に設けられた貫通孔に挿入されたボルト３３により底壁２ａとサセプタ本体４ａが固定されるようになっている。
サセプタ本体４ａの上面、すなわち基材５の表面には、誘電体材料からなる複数の凸部５ａが突起状に形成されており、これら凸部５ａが絶縁部材６に周囲を囲まれた状態になっている。絶縁部材６ａの上面と凸部５ａの上面とは同じ高さとなっており、ガラス基板Ｇをサセプタ本体４ａに載置する場合には、絶縁部材６の上面および凸部５ａの上面に接触した状態とされる。
昇降ピン３０は、サセプタ２の底壁に設けられた孔２ｂおよびサセプタ本体４ａの基材５に設けられた孔５ｂに挿通されており、図３に示すように、ガラス基板Ｇの周縁部に相当する位置に１０本、中央部に３本、合計１３本設けられている。昇降ピン３０は、図示しない駆動機構で昇降されるようになっており、処理中等のガラス基板Ｇの搬送を行っていない時には、サセプタ本体４ａ内に没した退避位置に位置し、ガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングの際には図２に示すようにサセプタ本体４ａの表面から上方に突出した状態でガラス基板Ｇを支持する支持位置に位置するようになっている。また、昇降ピン３０の下端には導電性のストッパ６０がねじ止めされている。ストッパ６０とサセプタ本体４ａとの間には、真空雰囲気と大気雰囲気を遮断するための導電性のベローズ６２が設けられている。したがって、昇降ピン３０が導電性の場合には、昇降ピン３０はベローズ６２およびストッパ６０を介してサセプタ本体４ａと電気的に繋がることになり、同電位に保持される。ストッパ６０の下には絶縁部材６１が設けられている。
昇降ピン３０は下部材３０ａと上部材３０ｂとを有しており、これらの境界部分は横方向の力が加わった際に折れる折れ部３５となっている。この折れ部３５は、昇降ピン３０が支持位置（図２の状態）にある時に、サセプタ本体４ａの表面位置またはその僅かに上の位置になるように設けられている。そして、昇降ピン３０が支持位置にあるときに、昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が昇降ピン３０の突出した部分に加えられた際に折れ部３５から折れるように構成されている。
具体的には、図４に示すように、折れ部３５においては、下部材３０ａの上端部中央に設けられた凸部３６と、上部材３０ｂの下端部中央に設けられた凸部３７との間に境界部３８が形成され、この境界部３８において両者が接着剤により接着されている。そして、境界部３８を含む凸部３６と凸部３７の周囲にリング状をなす補助部材３９が設けられている。補助部材３９と凸部３６，３７との間は接着剤により接着されている。また、補助部材３９の外周の接着部３８に対応する部分には括れ部４０が形成されている。
補助部材３９の長さ（すなわち凸部３６，３７の長さ）や補助部材３９の厚さ、括れ部４０の深さ等を調節することにより、折れ部３５から折れる際の力の最小値を調整することができ、ガラス基板Ｇの昇降動作の際には、折れ部３５は変形せずに通常通りの動作が可能であるが、昇降ピン３０に横から搬送アームが衝突する等により所定値以上の力が加わった時に、昇降ピン３０が変形する前に補助部材３９が括れ部４０で容易に破断し、昇降ピン３０が折れ部３５の接着部３８で折れるようになっている。
折れ部３５の直下位置には、昇降ピン３０の取り付け取り外し等のメンテナンス時にスパナ等の工具を当てるメンテナンス部４１が設けられている。従来この種のメンテナンスは、ガラス基板Ｇを支持する支持位置で行われており、したがって、メンテナンス部４１はガラス基板Ｇが支持位置にあるときに図５の（ａ）に示すようにサセプタ本体４ａの表面より上に出ている必要がある。このような状態を本実施形態に適用すると横方向の力が加わった際に折れる折れ部３５がサセプタ本体４ａの表面よりもかなり上方位置となる。しかし、昇降ピンの折れ位置は、理想的にはサセプタ本体４ａの表面に近いほど好ましい。したがって、図５の（ｂ）に示すように、支持位置においては、折れ部３５の高さ位置をサセプタ本体４ａの表面高さまたはそれよりも僅かに上になるようにして好ましい位置を確保した上で、昇降ピン３０のさらなる停止位置としてこの支持位置よりもさらに上昇させたメンテナンス位置を新たに設け、図５の（ｃ）に示すように、このメンテナンス位置に昇降ピン３０を位置させることによりメンテナンス部４１をサセプタ本体４ａの表面よりも上に位置させて昇降ピン３０のメンテナンスを可能にした。もちろん、従来のように退避位置と支持位置の２つの位置のみとして支持位置にて昇降ピンの取り付け取り外しを行うようにしてもよい。
昇降ピン３０は、チャンバー２の下方の図示しない取り付け部に確実に取り付けられ、かつガラス基板Ｇの昇降動作の際に必要な強度を持つことが好ましく、そのような観点から下部材３０ａ、上部材３０ｂ、補助部材３９ともに、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属で構成されていることが好ましい。また、基板面内に均一なエッチング処理を行う観点からは、昇降ピン３０の下部材３０ａおよび上部材３０ｂが導電性を有するものとし、折れ部３５を介して上部材３０ｂの先端から下部材３０ａの下端まで電気的に導通するようにして、サセプタ本体４ａと同電位とすることが好ましく、そのような観点からも昇降ピン３０をステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属で構成することが好ましい。確実に導通をとる観点からは接着剤として導電性接着剤を用いることが好ましい。このように昇降ピン３０を導電性にすることにより、上述したように、昇降ピン３０が導電性のベローズ６２およびストッパ６０を介してサセプタ本体４ａと電気的に繋がり、サセプタ本体４ａと同電位となる。
しかし、上部材３０ｂが金属の場合には、孔５ｂにおけるサセプタ本体４ａとの擦れやガラス基板Ｇに傷をつける等によるトラブルを生じるおそれがあり、また、プラズマを生成した際に異常放電を生じるおそれがある。そのような擦れやガラス基板Ｇの傷、および異常放電を防止する観点からは上部材３０ｂが樹脂部材であることが好ましい。一方、上部材３０ｂを導電性樹脂で構成することにより、異常放電は防止できないが、サセプタ本体４ａとの擦れ・傷によるトラブル防止およびエッチングの均一性を両立させることができる。ただし、上部材３０ｂを単に樹脂製とした場合には、強度が不十分になるおそれがある。
強度を確保しつつ、上記擦れやガラス基板Ｇの傷、および異常放電を防止するためには、図６に示すように、上部材３０ｂをステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる心材４２の周囲を樹脂材４３で覆う構造とすることが好ましい。
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理基板であるガラス基板Ｇを、図示しないロードロック室から図示しない搬送アームにより基板搬入出口２１を介してチャンバー２内へと搬入し、サセプタ本体４ａの上、つまり、サセプタ本体４ａの表面に形成された誘電体材料からなる凸部５ａおよび絶縁部材６の上に載置する。この場合に、昇降ピン３０は上方に突出して支持位置に位置しており、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン３０の上に受け渡す。その後、昇降ピン３０を下降させてガラス基板Ｇをサセプタ本体４ａの上に載置する。
その後、ゲートバルブ２２を閉じ、排気装置２０によって、チャンバー２内を所定の真空度まで真空引きする。そして、バルブ１６を開放して、処理ガス供給源１８から処理ガスを、マスフローコントローラ１７によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管１５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部空間１２へ導入し、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバー２内を所定圧力に制御する。
この状態で高周波電源２５から整合器２４を介して高周波電力をサセプタ本体４ａに印加し、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシャワーヘッド１１との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇにエッチング処理を施す。
このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、処理ガス導入を停止した後、チャンバー２内の圧力を所定の圧力に調整し、昇降ピン３０によりガラス基板Ｇを支持位置まで上昇させる。この状態でゲートバルブ２２を開放して図示しない搬送アームをチャンバー２内に挿入し、昇降ピン３０上にあるガラス基板Ｇを搬送アームに受け渡す。そして、ガラス基板Ｇを基板搬入出口２１を介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ搬出する。
以上の処理において、ガラス基板Ｇの搬入および搬出の際には、昇降ピン３０がサセプタ本体４ａの表面から突出した支持位置に位置されるが、そのような場合に、搬送アーム等が昇降ピンに衝突する事故が生じて横方向の力が及ぼされることがある。そして、その際の力が昇降ピンに変形を及ぼす大きさのものである場合、従来では、その際の力により昇降ピン３０が変形してサセプタ本体４ａに直接損傷を与えるか、または昇降ピン３０が変形したまま使用を続けることによりサセプタ本体４ａに損傷を与えるという事態が生じていた。
これに対し、本実施形態の場合には、搬送アームが衝突する等の横方向の力が昇降ピン３０に作用した場合に、その力が所定値以上となると昇降ピン３０が変形する前に補助部材３９の括れ部４０が破断し、昇降ピン３０が折れ部３５の境界部３８で折れる。このため、サセプタ本体４ａが損傷することを防止することができる。
一方、昇降ピン３０はガラス基板Ｇを支持しているときには折れたり撓んだりしないようにある程度の強度を有している必要がある。そのような観点から、昇降ピン３０がガラス基板Ｇを支持しているときに境界部３８から折れないように、境界部３８において下部材３０ａと上部材３０ｂとを接着剤で接着し、さらに、補助部材３９を補強材として機能させている。すなわち、補助部材３９は、通常の使用時には補強材として機能し、横方向の力が加えられた時には括れ部４０から破断するように破断誘導部材として機能する。
このように、本実施形態では、昇降ピン３０を補強する観点から、境界部３８において下部材３０ａと上部材３０ｂとを接着剤で接着しているが、補助部材３９の補強機能が十分であれば必ずしも接着剤で接着しなくてもよい。また、補助部材３９と下部材３０ａおよび上部材３０ｂとの間も必ずしも接着剤での接着は必要ではない。
また、補助部材３９の括れ部の形状は、図４のような形状に限らず、補強材としての機能および破断誘導部材としての機能の兼ね合いで種々の形状を採用することができ、例えば図７の（ａ）に示すような形状の括れ部４０′や（ｂ）に示すような形状の括れ部４０″を採用することが可能である。
さらに、補助部材３９の括れ部４０は必須ではない。すなわち、搬送アームが昇降ピン３０に衝突した際に補助部材３９が確実に破断し、接着部３８から折れるように構成されていれば、図８に示すように、括れ部４０は設けなくてもよい。
さらにまた、このように境界部３８の周囲を完全に覆うリング状の補助部材３９に限らず、上記補強剤としての機能および破断誘導部材としての機能を有していれば、例えば図９の横断面図に示すように、境界部３８の周囲の一部を覆う補助部材３９′であってもよい。
また、昇降ピン３０はこのような補助部材３９を設けないものであってもよい。例えば、図１０に示すように、下部材３０ａと上部材３０ｂを一体的に設け、これらの間に括れ部５０を形成して折れ部３５としてもよい。この場合には、括れ部５０は、ガラス基板Ｇを昇降する際には、変形しないように十分な強度を確保し、昇降ピン３０が支持位置にある時に横方向の力を受けた場合には、昇降ピン３０が変形する前にそこで破断して折れるように形成されることが必要となる。したがって、昇降ピン３０を構成する材料の強度を考慮して括れ部の括れ量や形状等を調整することが必要となる。このような観点から、括れ部の形状は図１０の括れ部５０に限らず、種々の形状を採用することができ、例えば図１１の（ａ）に示すような形状の括れ部５０′や（ｂ）に示すような形状の括れ部５０″を採用することが可能である。
なお、昇降ピン３０がガラス基板Ｇを支持している際の強度を確保して折れるのを防止しつつ、サセプタ本体４ａとの擦れ、ガラス基板Ｇの傷、異常放電の防止することを重視する場合には、図１２に示すように、折れ部３５を設けずに、昇降ピン３０の上部をステンレス鋼製の心材６１の周囲を樹脂材６２を覆う構造とすることができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、本実施形態では、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置における下部電極としてのサセプタに本発明の基板載置台を適用した例について示したが、これに限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。また、プラズマ処理に限らず、他の処理装置に適用することも可能である。
また、被処理基板はＦＰＤ用ガラス基板Ｇに限られず半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図。 図１の処理装置におけるサセプタを拡大して示す断面図。 サセプタ本体における昇降ピンの配置を説明するための平面図。 本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタに用いられた昇降ピンの構造の一例を示す図。 本実施形態のサセプタにおける昇降ピンのメンテナンス手法を説明するための概略図。 図４の昇降ピンの上部材をステンレス鋼製の心材を樹脂材で被覆した構造とした例を示す図。 本実施形態のサセプタにおける昇降ピンの補助部材に形成される括れ部の他の例を示す断面図。 昇降ピンの変形例を示す図。 昇降ピンに設けられた補助部材の他の例を示す水平断面図。 昇降ピンの他の変形例を示す図。 図１０の昇降ピンに形成される括れ部の他の例を示す側面図。 昇降ピンの構造の他の例を示す図。
符号の説明
１；処理装置（プラズマエッチング装置）
２；チャンバー（処理容器）
３；絶縁板
４；サセプタ（基板載置台）
４ａ；サセプタ本体（載置台本体）
５；基材
５ａ；凸部
６；絶縁部材
７；スペーサ部材
１１；シャワーヘッド（ガス供給手段）
２０；排気装置
２５；高周波電源（プラズマ生成手段）
３０；昇降ピン
３０ａ；下部材
３０ｂ；上部材
３５；折部
３６，３７；凸部
３８；境界部
３９；補助部材
４０、４０′、４０″；括れ部
４１；メンテナンス部
４２；心材
４３；樹脂材
５０、５０′、５０″；括れ部
Ｇ；ガラス基板

Claims (10)

  1. 基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
    載置台本体と、
    前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンと
    を具備し、
    前記昇降ピンは、上部材と下部材とを有し、これらの境界部の周囲に補助部材が設けられて構成された折れ部を有し、かつ前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、
    前記上部材と前記下部材は金属製であり、前記上部材と前記下部材とは前記境界部で導電性接着剤により接着されており、
    前記昇降ピンが前記支持位置にある時に、前記折れ部が前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に存在し、前記折れ部は、前記昇降ピンに横方向の力が加えられた際に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい力で折れるように形成されていることを特徴とする基板載置台。
  2. 前記補助部材は、前記境界部の周囲を覆うリング状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台。
  3. 前記補助部材は、前記上部材および前記下部材と接着されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板載置台。
  4. 前記補助部材は、前記上部材と前記下部材との境界部に対応する位置に、括れが形成された括れ部を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板載置台。
  5. 前記上部材と前記下部材は、ステンレス鋼製であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
  6. 前記補助部材は、金属製であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板載置台。
  7. 前記基板処理装置はプラズマ処理を行うものであり、前記載置台本体は下部電極として機能することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板載置台。
  8. 基板を収容する処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、
    前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構と
    を具備し、
    前記基板載置台は請求項１から請求項７のいずれかの構成を有することを特徴とする基板処理装置。
  9. 前記処理機構は、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを有することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記プラズマ生成機構は、下部電極として機能する前記基板載置台と、基板載置台に対向して設けられた上部電極と、基板載置台に高周波電力を印加する高周波電源とを有することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
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