JP4951536B2 - 基板載置台及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は，液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やエレクトロルミネセンスディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板を載置する基板載置台及び基板処理装置に関する。
この種の基板を枚葉処理する基板処理装置では，処理室内に設けられた載置台上に未処理の基板を一枚ずつ搬送アームなどにより搬入し，処理済みの基板を処理室から搬出する必要がある。このため，処理室の載置台に対してロード及びアンロードをアシストするのに基板を載置台の載置面よりも上にリフターピンで押し上げるためのリフターピン機構が多く用いられている。
このような従来のリフターピン機構としては，例えば特許文献１に示すように１枚の電極板からなる載置台では，その電極板の熱膨張によるリフターピン孔とリフターピンとの位置ずれを防止するため，電極板の下側にリフターピン機構の昇降ガイドを取付けたものが知られている。また，特許文献２に示すように，上板と下板を積層してなる電極にリフターピンを挿通し，処理室の底部にリフターピンの昇降ガイド（支持機構）を取付けたものもある。
ところで，特許文献２に記載の載置台のように，複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台では，電極の温度を調整したり，プラズマを発生させたりすることによって，各プレートの温度は上昇するので，これらはいずれも熱膨張する。この場合，最上部に配置されるプレートは，処理室内にその上側の表面が露出しているので，プラズマの生成に伴う影響や処理室内の温度の影響などを受けやすいことから，最上部のプレートとその下側のプレートには温度差が生じる。このため，これらのプレートの熱膨張量に差がでるので，最上部のプレートとその下側のプレートとの間に水平方向の位置ずれが生じる。
従って，このような複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台では，特許文献１，２の場合と同様に，電極すなわち各プレートを貫通するピン挿通孔にリフターピンを配置すると，最上部のプレートのピン挿通孔とその下側のプレートのピン挿通孔との間に水平方向の位置ずれが発生し，その中に挿通されるリフターピンに剪断力が働く虞がある。リフターピンにこのような剪断力が働いている状態で，リフターピンを昇降させると，リフターピンが破損したり，プレートが破損したりする虞がある。
特に，近年では基板のサイズも益々大型化しており，これを載置する載置台の各プレートのサイズも大型化している。このような載置台を構成するプレートのサイズが大きいほど，その熱膨張量も大きくなるので，最上部のプレートとその下側のプレートとの水平方向の位置ずれも無視できないほど大きくなり，リフターピンには剪断力が発生し易くなる。
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台に設けられるリフターピンの破損や電極の破損を防止することができる基板載置台等を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，前記昇降ガイド体は，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されるとともに，前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制されることを特徴とする基板載置台が提供される。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，真空引可能に構成された処理室と，処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と，前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と，前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え，前記基板載置台は，複数のプレートを上下に積層してなる電極と，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと，前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制され，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備える基板載置台とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような本発明にかかる基板載置台においては，最上部プレートの方が下側プレートよりも大きく熱膨張することによって，これらの間に水平方向の相対的な位置ずれが生じても，昇降ガイド体は水平方向に位置規制されているので，最上部プレートに追従して移動する。従って，昇降ガイド体によって昇降されるリフターピンと最上部プレートのピン挿通孔とは常に一定のクリアランスが保持させることができる。これにより，最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ（破損）や電極プレートの破損を防止することができる。
また，上記昇降ガイド体は，例えば昇降ガイド体の上面と前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿された位置決め部材（例えば位置決めピン）により位置規制する。このような位置決め部材を用いることによって，昇降ガイド体を最上部プレートの下面に対して水平方向の位置を簡単に規制することができる。
また，上記下側プレートの通し孔の内径は，前記昇降ガイド体の外径よりも大きく形成され，前記内径と前記外形との差は前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量に応じて決定することが好ましい。これにより，処理条件（例えば設定温度，処理室内圧力，下部電極に印加する高周波電力）によって最上部プレートの熱膨張量が異なる場合に，どの処理条件で基板処理を実行する場合にも対応することができる。
また，上記昇降ガイド体は，前記下側プレートに水平方向に移動可能に取付けるようにしてもよい。このように，昇降ガイド体を下側プレートの方に取付けられるようにすることで，組み立てを容易にすることができる。
また，上記最上部プレートは，例えば電極本体を構成する電極プレートであり，上記下側プレートは，例えば電極プレートの温度を調整するための温度調整用プレートである。温度調整用プレートは，通常，一定の温度に保持されるのに対して，電極プレートは最上部にあるため，プラズマや周囲温度の影響を受けやすいので，電極プレートと温度調整用プレートとの間には特に熱膨張量の差が生じ易いので，温度調整用プレートに対する電極プレートの位置ずれが生じやすい。従って，このような構成の載置台に本発明を適用する効果は大きい。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，前記昇降ガイド体は，その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板載置台が提供される。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，真空引可能に構成された処理室と，処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と，前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と，前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え，前記基板載置台は，複数のプレートを上下に積層してなる電極と，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，前記昇降ガイド体は，その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような本発明にかかる基板載置台においては，最上部プレートの方が下側プレートよりも大きく熱膨張することによって，これらの間に水平方向の相対的な位置ずれが生じても，昇降ガイド体は最上部プレートに位置決めされるとともに固定され，水平方向に位置規制されているので，最上部プレートに追従して移動する。従って，昇降ガイド体によって昇降されるリフターピンと最上部プレートのピン挿通孔とは常に一定のクリアランスが保持させることができる。これにより，最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ（破損）や電極プレートの破損を防止することができる。
また，最上部プレートの位置決め孔に昇降ガイド体の上部をはめ込んで固定するだけで，容易に昇降ガイド体を最上部プレートに位置決めできる。これにより，例えば下側プレートの方にリフターピンを取り付けるとともに，最上部プレートの方に昇降ガイド体を取り付け，昇降ガイド体内にリフターピンが挿入されるように，下側プレートの上に最上部プレートを取り付けることができるので，容易に組み立てることができる。
本発明によれば，複数のプレートからなる電極を有する載置台にリフターピンを配設する場合に，例えば熱膨張によって最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ（破損）や電極プレートの破損を防止することができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（基板処理装置）
先ず，本発明にかかる基板載置台を適用可能な基板処理装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは，基板処理装置として，基板載置台に載置されたＦＰＤ用基板（以下，単に「基板」とも称する）Ｇに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図２は，載置台を上方から見た図であり，図１に示す載置台の断面図は図２に示すＰ−Ｐ′断面図に相当する。
先ず，本発明にかかる基板載置台を適用可能な基板処理装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは，基板処理装置として，基板載置台に載置されたＦＰＤ用基板（以下，単に「基板」とも称する）Ｇに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図２は，載置台を上方から見た図であり，図１に示す載置台の断面図は図２に示すＰ−Ｐ′断面図に相当する。
図１に示すように，プラズマ処理装置１００は，処理室（チャンバ）１０２を備える。処理室１０２は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる略角筒形状の処理容器により構成される。処理室１０２はグランドに接地されている。処理室１０２内の底部には，下部電極として機能する載置台２００が配設されている。載置台２００は，矩形の基板Ｇを載置する基板載置台として機能する。載置台２００は図２に示すように矩形形状に形成される。この載置台２００の形状は基板Ｇの形状に応じて決定される。このような載置台２００の具体的構成の詳細については後述する。
載置台２００の上方には，これと平行に対向するように，上部電極として機能するガス導入手段としてのシャワーヘッド１１０が対向配置されている。シャワーヘッド１１０は処理室１０２の上部に支持されており，内部にバッファ室１２２を有するとともに，載置台２００と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔１２４が形成されている。上部電極であるシャワーヘッド１１０はグランドに接地されており，下部電極である載置台２００とともに一対の平行平板電極を構成している。
シャワーヘッド１１０の上面にはガス導入口１２６が設けられ，ガス導入口１２６にはガス導入管１２８が接続されている。ガス導入管１２８には，開閉バルブ１３０，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３２を介して処理ガス供給源１３４からなるガス供給手段が接続されている。
処理ガス供給源１３４からの処理ガスは，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３２によって所定の流量に制御され，ガス導入口１２６を通ってシャワーヘッド１１０のバッファ室１２２に導入される。処理ガス（エッチングガス）としては，例えばＣＦ４ガスなどのハロゲン系のガス，Ｏ２ガス，Ａｒガスなど，通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
処理室１０２の側壁には基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また，処理室１０２の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気装置１０９が接続される。この排気装置１０９により処理室１０２の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室１０２内を所定の真空雰囲気（たとえば１０ｍＴｏｒｒ＝約１．３３Ｐａ）に維持することができる。
（載置台の構成）
次に，本実施形態にかかる載置台２００の具体的構成について説明する。載置台２００は，複数（ここでは２つ）のプレートを上下に積層して構成される。具体的には，載置台２００は，その最上部に配置される最上部プレートとしての電極プレート２１０と，その下側に積層される下側プレートとしての温度調整用プレート２２０とにより構成される。これらのうち電極プレート２１０は下部電極の本体を構成するプレートであり，温度調整用プレート２２０は電極プレート２１０の温度を調整するためのプレートである。これら電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０とは密着して取り付けられている。
次に，本実施形態にかかる載置台２００の具体的構成について説明する。載置台２００は，複数（ここでは２つ）のプレートを上下に積層して構成される。具体的には，載置台２００は，その最上部に配置される最上部プレートとしての電極プレート２１０と，その下側に積層される下側プレートとしての温度調整用プレート２２０とにより構成される。これらのうち電極プレート２１０は下部電極の本体を構成するプレートであり，温度調整用プレート２２０は電極プレート２１０の温度を調整するためのプレートである。これら電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０とは密着して取り付けられている。
電極プレート２１０は，例えばセラミックや石英の絶縁部材からなるベース部材２３０を介して処理室１０２内の底部に取付けられている。また，載置台２００の外枠を構成し，電極プレート２１０，温度調整用プレート２２０，ベース部材２３０の周りを囲むように，例えばセラミックや石英の絶縁部材からなる矩形枠状の外枠部２０２が配設される。
電極プレート２１０は，例えば板状のアルミニウムより構成されており，基板Ｇの載置面２１２が形成される表面はアルマイト処理されている。電極プレート２１０には，整合器１１４を介して高周波電源１１６の出力端子が電気的に接続されている。高周波電源１１６の出力周波数は，比較的高い周波数たとえば１３．５６ＭＨｚに選ばれる。高周波電源１１６からの高周波電力は電極プレート２１０に印加されることにより，載置台２００の載置面２１２に載置された基板Ｇの上には処理ガスのプラズマが生成されて，基板Ｇ上に所定のプラズマエッチング処理が施される。
温度調整用プレート２２０は，電極プレート２１０と同様の部材例えば板状のアルミニウムより構成されており，その内部には温度調整用媒体が流れる流路２２２が形成されている。図示しない媒体供給源から所定の温度に調整された温度調整用媒体が流路２２２を流れることにより，電極プレート２１０の温度を所定の温度に調整することができる。なお，温度調整用プレート２２０は，上記の構成に限られるものではなく，例えば内部にヒータを設け，電極プレート２１０を加熱するようにしてもよい。
載置台２００の複数箇所に載置面２１２に対する基板Ｇのロード及びアンロードをアシストするのに基板Ｇを押し上げるための複数のリフターピン（押し上げピン）２４２が設けられている。例えば図２に示すように，載置台２００の載置面２１２の中央部に１つのリフターピン（中央部リフターピン）２４２が設けられるとともに，載置面２１２の周辺部に１０個のリフターピン（周辺部リフターピン）２４２が各辺ごとに複数離間して設けられている。図２に示す例では，周辺部リフターピン２４２は，載置面２１２の長手方向の互いに平行な２つの辺にはそれぞれ３つずつ離間して設けられ，他の平行な２つの辺にはそれぞれ２つずつ離間して設けられている。なお，リフターピン２４２の数はこれに限られるものではなく，基板Ｇのサイズに合わせて決定することが好ましい。
各リフターピン２４２は載置面２１２から同時に突没して，協働して基板Ｇを水平に支持するための支持レベルを提供する。例えば図示しない搬送アームによって基板Ｇを載置面２１２に対してロード及びアンロードする際には，図１に示すように基板Ｇは載置面２１２から浮いた状態で各リフターピン２４２に支持される。
各リフターピン２４２は，図１に示すように電極プレート２１０に上下に貫通して形成されたピン挿通孔２１４を昇降自在に構成される。各リフターピン２４２の中間部には，リフターピン２４２の昇降を案内する昇降ガイド体３００が設けられている。この昇降ガイド体３００の具体的構成例は後述する。各リフターピン２４２の下端部は水平方向にスライド移動自在に構成された支持体２４３を介してスライドプレート２５０に支持されている。これにより，後述するようにリフターピン２４２が昇降ガイド体３００ごと電極プレート２１０に追従して水平方向に移動しても，支持体２４３が水平方向にスライドするので，リフターピン２４２の昇降ガイド体３００より下方も常に鉛直に保持することができる。
スライドプレート２５０は，処理室１０２の底部の下側に各リフターピン２４２ごとに設けられたスライドガイド２５２に沿って昇降するようになっている。処理室１０２の底部下側には，スライドプレート２５０を昇降駆動させるためのモータ２５４が取付けられている。モータ２５４は，プラズマ処理装置を制御する図示しない制御部に接続されている。制御部からの指令によりモータ２５４を駆動してスライドプレート２５０を昇降させることによって，これに伴って各リフターピン２４２が昇降し，各リフターピン２４２の先端を載置面２１２から突没させることができる。
（リフターピンと昇降ガイド体の配設位置）
ところで，本実施形態の載置台２００のように，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０を上下に積層した下部電極を有する載置台では，リフターピン２４２と昇降ガイド体３００の配設する位置によっては，後述するようにリフターピン２４２の破損などの問題を招く虞があるので，本実施形態の載置台２００では，そのような問題が発生しないようにリフターピン２４２と昇降ガイド体３００を配設している。
ところで，本実施形態の載置台２００のように，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０を上下に積層した下部電極を有する載置台では，リフターピン２４２と昇降ガイド体３００の配設する位置によっては，後述するようにリフターピン２４２の破損などの問題を招く虞があるので，本実施形態の載置台２００では，そのような問題が発生しないようにリフターピン２４２と昇降ガイド体３００を配設している。
ここで，本実施形態のリフターピン２４２と昇降ガイド体３００の配設位置について，比較例と比較しながら説明する。図３Ａ，図３Ｂは，本実施形態の場合と比較するためのリフターピンと昇降ガイド体の配設例とその作用を示す図であり，図４Ａ，図４Ｂは，本実施形態におけるリフターピンと昇降ガイド体の配設例とその作用を示す図である。
図３Ａは，リフターピン２４２を電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０をそれぞれ貫通するピン挿通孔２１４，２２４に配置するとともに，昇降ガイド体３００を下側の温度調整用プレート２２０に対して水平方向に移動できないように位置規制した場合である。この場合は，例えば昇降ガイド体３００を温度調整用プレート２２０の下側に固定して水平方向に位置規制する。なお，昇降ガイド体３００の上面と温度調整用プレート２２０の下面に位置決めピンを設けて水平方向に位置規制するようにしてもよい。
もし，仮に図３Ａに示すようにリフターピン２４２と昇降ガイド体３００を配設すると，次のような問題が生じる。以下，その問題点について説明する。載置台２００の温度調整用プレート２２０の流路２２２に温度調整用媒体を流通させて温度調整を行ったり，プラズマを発生させたりすると，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０の温度は上昇するので，これらはいずれも熱膨張する。
このとき，温度調整用プレート２２０の流路２２２には所定の温度に調整された温度調整用媒体が流れているため，一定の温度に保たれる。これに対して，電極プレート２１０は，処理室内にその上側の表面が露出しているので，プラズマの生成に伴う影響や処理室内の温度の影響などを受けやすい。このため，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０とは温度差が生じて，熱膨張量に差がでる蓋然性が高い。
例えばプラズマが生成され，電極プレート２１０の温度上昇が発生した場合には，電極プレート２１０の方が温度調整用プレート２２０よりも温度が高くなるので，電極プレート２１０の方が温度調整用プレート２２０よりも熱膨張量も大きくなる。
このような熱膨張量の違いにより，図３Ｂに示すように電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０との接触面には水平方向に相対的な位置ずれが生じるため，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４と温度調整用プレート２２０のピン挿通孔２２４との間に位置ずれが生じる。
近年では，基板のサイズも益々大型化しており，これを載置する載置台２００の各プレートのサイズも大型化している。このような載置台２００を構成する電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０のサイズが大きいほど，その熱膨張量も大きくなるので，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０との水平方向の位置ずれも無視できないほど大きくなる。
このように，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０の位置ずれが大きくなるに連れて電極プレート２１０のピン挿通孔２１４とリフターピン２４２とのクリアランスが崩れる。そして，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４の壁がリフターピン２４２に接触して，電極プレート２１０がリフターピン２４２を水平方向に押しつけるようになると，リフターピン２４２自体に図３Ｂの矢印に示すような剪断力が働く。
このため，図３Ｂに点線に示すようにリフターピン２４２が曲ってしまう虞がある。また，これよりもさらに位置ずれが大きくなると，リフターピン２４２が破損してしまう虞もある。また，リフターピン２４２に上述したような剪断力が働いている状態で，リフターピン２４２を昇降させると，リフターピン２４２が破損したり，電極プレート２１０が破損したりする虞がある。
そこで，本実施形態では，図４Ａに示すようにリフターピン２４２を電極プレート２１０を貫通するピン挿通孔２１４に配置するとともに，温度調整用プレート２２０に昇降ガイド体３００の径よりも大きな径の通し孔２２６を形成し，この通し孔２２６に昇降ガイド体３００を通して，上側の電極プレート２１０に対して水平方向に移動できないように位置規制する。例えば昇降ガイド体３００の上面と電極プレート２１０の下面に位置決めピンを設けて水平方向に位置規制する。また昇降ガイド体３００を電極プレート２１０の下側に固定して水平方向に位置規制してもよい。
これにより，たとえ電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０との接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても，図４Ｂに示すように，昇降ガイド体３００が電極プレート２１０とともに移動するので，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４とリフターピン２４２とのクリアランスは保持される。このため，リフターピン２４２が傾くことはなく，またリフターピン２４２に剪断力が働くこともないので，リフターピン２４２を昇降させても，リフターピン２４２が破損したり，電極プレート２１０が破損したりすることはない。
（昇降ガイド体の具体的構成例）
次に，このような本実施形態にかかる昇降ガイド体３００の具体的な構成を図面を参照しながら説明する。図５は，本実施形態における昇降ガイド体の構成例を示す断面図である。ここでは，昇降ガイド体３００を温度調整用プレート２２０に対して水平方向に移動可能に取付けるとともに，電極プレート２１０に対しては水平方向に移動不能に位置規制した場合の具体例を挙げて説明する。
次に，このような本実施形態にかかる昇降ガイド体３００の具体的な構成を図面を参照しながら説明する。図５は，本実施形態における昇降ガイド体の構成例を示す断面図である。ここでは，昇降ガイド体３００を温度調整用プレート２２０に対して水平方向に移動可能に取付けるとともに，電極プレート２１０に対しては水平方向に移動不能に位置規制した場合の具体例を挙げて説明する。
先ず，昇降ガイド体３００の内部構成について説明する。図５に示すように昇降ガイド体３００は略円筒状のガイド本体３０２を備え，その内部にリフターピン２４２が挿設される。図５に示すリフターピン２４２は，先端に配置されるピン本体２４４と，このピン本体２４４の下端部を支持する支持棒２４６とを有する。ピン本体２４４の先端は，基板Ｇの裏側に接触することから，例えば球面状に成形される。支持棒２４６は，ピン本体２４４よりも径が若干大きく形成されており，その下端には拡径された基部２４８が設けられている。さらに基部２４８の下端には，補助棒２４９が設けられている。
ガイド本体３０２内には，上記ピン本体２４４と支持棒２４６とが上下に挿通可能な挿通孔３１２が形成されている。この挿通孔３１２の上部のピン孔３１４は電極プレート２１０のピン挿通孔２１４と同じ径（又は若干大きな径）に構成されており，挿通孔３１２の下部の芯出し孔３１６は上部のピン挿通孔２１４よりさらに拡径されている。具体的には挿通孔３１２の上部のピン孔３１４はピン本体２４４が遊嵌可能な径で構成され，挿通孔３１２の下部の芯出し孔３１６は支持棒２４６が遊嵌可能な径で構成される。
芯出し孔３１６には，支持棒２４６に嵌挿された芯出し用リフタブッシュ３２０が配設されている。この芯出し用リフタブッシュ３２０は，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４の中心にリフターピン２４２の中心を合わせるためのものである。
ところで，リフターピン２４２の下方（昇降ガイド体３００の下方）は，通常，大気圧雰囲気（常圧雰囲気）に晒されており，これに対してリフターピン２４２の上方（電極プレート２１０の上方）の処理室１０２は真空圧雰囲気になることから，これらの間の連通を断つ必要がある。このため，ガイド本体３０２の下端と，支持棒２４６の基部２４８との間には，支持棒２４６を包囲するように，例えば金属製の伸縮可能なベローズ３２２が配設される。具体的には，ベローズ３２２の底部は支持棒２４６の基部２４８に固定されている一方，ベローズ３２２の頂部にはフランジ３２４が配設される。フランジ３２４はガイド本体３０２の下端に取付けられている。
このような昇降ガイド体３００内の構成により，リフターピン２４２は昇降ガイド体３００内の芯出し用リフタブッシュ３２０によって電極プレート２１０のピン挿通孔２１４の中心を通るように昇降させることができる。
次に，昇降ガイド体３００の配設例について説明する。昇降ガイド体３００は，その上面が電極プレート２１０の下面に密着するように，温度調整用プレート２２０の通し孔２２６に遊嵌された状態で温度調整用プレート２２０の上面に取付けられる。
具体的には，昇降ガイド体３００の上部にはフランジ部３３０が形成されており，温度調整用プレート２２０の上側表面に開口する通し孔２２６の上部はフランジ部３３０が遊嵌可能な程度に拡径されている。この拡径されたフランジ挿入孔２２８にフランジ部３３０が挿入されて，温度調整用プレート２２０のフランジ挿入孔２２８が形成される表面にボルト３４０で取付けられている。
このボルト３４０は，フランジ部３３０に形成されたボルト孔３３２の底面に，滑り易く表面加工がされているワッシャ３４２を介して取り付けてもよい。これにより，フランジ部３３０がボルト３４０で温度調整用プレート２２０に固定されていても，ボルト３４０とフランジ部３３０との間に介在するワッシャ３４２の表面が滑り易くなっているので，昇降ガイド体３００は温度調整用プレート２２０に対して水平方向に移動可能となる。
また，昇降ガイド体３００の上面は，昇降ガイド体３００のピン孔３１４の中心が電極プレート２１０のピン挿通孔２１４の中心に合うように，水平方向に移動不能に位置規制されている。具体的には，昇降ガイド体３００の上面と電極プレート２１０の下面に形成された位置決め孔３５２に挿入された位置決め部材の一例としての位置決めピン３５０により，水平方向に移動不能に位置規制されている。
このような位置決め部材を用いることによって，昇降ガイド体３００を電極プレート２１０の下面に対して水平方向の位置を簡単に規制することができる。なお，位置決めピン３５０は，ピン孔３１４の周りに複数（ここでは２つ）設けることが好ましい。
位置決め孔３５２の径は，位置決めピン３５０がはめ込みで固定されるようになっており，位置決め孔３５２は位置決めピン３５０の長さよりも若干深くなるように形成されている。これにより，位置決めピン３５０は水平方向には移動不能になるとともに，位置決めピン３５０の長手方向に空間ができるため，位置決めピン３５０が熱膨張しても位置決め孔３５２に内部応力が発生しないようにすることができる。
なお，昇降ガイド体３００やその近傍には，大気圧雰囲気と真空圧雰囲気との気密性を保持したり，プラズマの侵入を防止したりするため，複数の気密保持部材例えばＯリングが取付けられる。
具体的には例えば昇降ガイド体３００のピン孔３１４には，ピン本体２４４との間にＯリング３６２が介在している。また，昇降ガイド体３００の上面には，電極プレート２１０の下面との間に，ピン孔３１４を囲むようにＯリング３６４が介在している。これらＯリング３６２，３６４は，主にピン挿通孔２１４からのプラズマの侵入を防ぐために設けられている。
また，昇降ガイド体３００の上面には，電極プレート２１０の下面との間に，位置決めピン３５０よりも外側を囲むようにＯリング３６６が介在している。温度調整用プレート２２０の上面には，電極プレート２１０の下面との間に，昇降ガイド体３００のフランジ部３３０の周りを囲むようにＯリング３６８が介在している。これらＯリング３６６，３６８は，主にリフターピン２４２の下方（昇降ガイド体３００の下方）の大気圧雰囲気（常圧雰囲気）と，リフターピン２４２の上方（電極プレート２１０の上方）の処理室１０２との間の気密性を保持するために設けられている。
このような構成の昇降ガイド体３００においては，上述したように電極プレート２１０の方が温度調整用プレート２２０よりも大きく熱膨張することによって，これらの接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても，昇降ガイド体３００は位置決めピン３５０によって水平方向に位置規制されているので，電極プレート２１０に追従して移動する。従って，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４と昇降ガイド体３００のピン孔３１４とは位置ずれしないため，この状態でリフターピン２４２を昇降させても，リフターピン２４２が破損したり，電極プレート２１０が破損したりすることはない。このように，本実施形態にかかる載置台２００によれば，電極プレート２１０が温度調整用プレート２２０に対して位置ずれすることに起因するリフターピン２４２や電極プレート２１０の破損を防止することができる。
なお，昇降ガイド体３００が挿通される通し孔２２６の大きさは，電極プレート２１０と温度調整用プレート２２０とが水平方向に相対的な位置ずれする場合に想定される最大の位置ずれ量に応じて決定することが好ましい。例えば温度調整用プレート２２０に対する電極プレート２１０の最大位置ずれ量をＬとすれば，昇降ガイド体３００の外径よりも通し孔２２６の内径の方が少なくとも２Ｌ以上大きくなるようにすればよい。これにより，例えば処理条件（例えば設定温度，処理室内圧力，下部電極に印加する高周波電力）によって電極プレート２１０の熱膨張量が異なる場合に，どの処理条件で基板処理を実行する場合にも対応することができる。
図５に示す昇降ガイド体３００は，温度調整用プレート２２０の方に取付けるので，例えば温度調整用プレート２２０に昇降ガイド体３００を取り付けてから，その上に電極プレート２１０を取り付けることができるので，組み立てを容易にすることができる。
なお，図５における昇降ガイド体３００は，温度調整用プレート２２０の方に取付けるようにしているが，例えば図６に示すように昇降ガイド体３００を電極プレート２１０の方にボルト３４４などで固定するようにしてもよい。この場合，電極プレート２１０の下面に位置決めピンを設ける代わりに，電極プレート２１０の下面に位置決め孔としてのザグリ２１６を設け，このザグリ２１６にフランジ部３３０の上部を嵌挿するようにしてもよい。これにより，昇降ガイド体３００は電極プレート２１０の下面に位置決めされ，水平方向に位置規制される。
また，昇降ガイド体３００は，図６に示すようにフランジ部３３０とガイド本体３０２とを別体にしてこれらをボルトなどで連結して構成してもよく，一体で構成してもよい。
また，ベローズ３２２は，そのフランジ３２４を，昇降ガイド体３００に取り付ける代わりに，温度調整用プレート２２０の下に設けた取付部材３０４に取り付けるようにしてもよい。この取付部材３０４は，温度調整用プレート２２０から下方に突出したガイド本体３０２を隙間をあけて覆う形状（例えばカップ状）に形成し，通し孔２２６の下側の開口を囲うように設けられる。そして，取付部材３０４の下面に形成された貫通孔からリフターピン２４２の支持棒２４６が貫通するように温度調整用プレート２２０に取り付ける。ベローズ３２２のフランジ３２４は，取付部材３０４の下面に形成された貫通孔を囲むように取り付けられる。
なお，温度調整用プレート２２０と取付部材３０４との間にはシール用のＯリング３０６を設けることが好ましい。また，芯出し用リフタブッシュ３２０は，図６に示すように離間して複数（例えば２つ）設けるようにしてもよい。これにより，リフターピン２４２の芯出し精度をより向上させることができる。
このような構成の昇降ガイド体３００においては，上述したように電極プレート２１０の方が温度調整用プレート２２０よりも大きく熱膨張することによって，これらの接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても，昇降ガイド体３００は電極プレート２１０に固定されているとともに，ザグリ２１６によって水平方向に位置規制されているので，電極プレート２１０に追従して移動する。従って，電極プレート２１０のピン挿通孔２１４と昇降ガイド体３００のピン孔３１４とは位置ずれしないため，この状態でリフターピン２４２を昇降させても，リフターピン２４２が破損したり，電極プレート２１０が破損したりすることはない。
また，電極プレート２１０のザグリ２１６にフランジ部３３０の上部をはめ込んでボルト３４４で固定するだけで，容易に昇降ガイド体３００を電極プレート２１０に位置決めできる。これにより，電極プレート２１０の方に昇降ガイド体３００を取り付けるとともに，温度調整用プレート２２０の方にリフターピン２４２をベローズ３２２を介して取り付けて，昇降ガイド体３００内にリフターピン２４２が挿入されるように，温度調整プレート２２０の上に電極プレート２１０を取り付けることができるので，容易に組み立てることができる。
ところで，上述したような載置台２００に設けられる複数のリフターピン２４２のうち，すべてのリフターピン２４２について図４Ａ，図５，図６に示すような構成にしてもよく，また熱膨張によって温度調整用プレート２２０に対する電極プレート２１０の位置ずれ量が大きくなる蓋然性が高い位置に配置されているリフターピン２４２についてのみ，図４Ａ，図５，図６に示すような構成にしてもよい。
例えば図２に示すように配置される複数のリフターピン２４２のうち，載置台２００の載置面２１２の中央部に配置されるリフターピン２４２については，熱膨張による電極プレート２１０の位置ずれがほとんど発生しないのに対して，中央部から離れるほど電極プレート２１０の位置ずれが大きくなる傾向がある。これは電極プレート２１０の熱膨張がその中央部から周辺部へ向けて放射状に膨張するからである。
従って，電極プレート２１０の位置ずれが大きくなる載置面２１２の周辺部に配置される周辺部リフターピン２４２だけを図４Ａ，図５，図６に示すような構成にするようにしてもよい。この場合，載置面２１２の中央部に配置される中央部リフターピン２４２は例えば図３Ａに示すような構成にしてもよい。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は，液晶ディスプレイ用基板などの基板を載置する載置台及び基板処理装置に適用可能である。
１００ プラズマ処理装置
１０２ 処理室
１０４ 基板搬入出口
１０６ ゲートバルブ
１０８ 排気管
１０９ 排気装置
１１０ シャワーヘッド
１１４ 整合器
１１６ 高周波電源
１２２ バッファ室
１２４ 吐出孔
１２６ ガス導入口
１２８ ガス導入管
１３０ 開閉バルブ
１３２ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１３４ 処理ガス供給源
２００ 載置台
２０２ 外枠部
２１０ 電極プレート
２１２ 載置面
２１４，２２４ ピン挿通孔
２１６ ザグリ
２２０ 温度調整用プレート
２２２ 流路
２２６ 通し孔
２２８ フランジ挿入孔
２３０ ベース部材
２４２ リフターピン（中央部リフターピン，周辺部リフターピン）
２４３ 支持体
２４４ ピン本体
２４６ 支持棒
２４８ 基部
２５０ スライドプレート
２５２ スライドガイド
２５４ モータ
３００ 昇降ガイド体
３０２ ガイド本体
３０４ 取付部材
３０６ Ｏリング
３１２ 挿通孔
３１４ ピン孔
３１６ 芯出し孔
３２０ 芯出し用リフタブッシュ
３２２ ベローズ
３２４ フランジ
３３０ フランジ部
３３２ ボルト孔
３４０ ボルト
３４２ ワッシャ
３４４ ボルト
３５０ 位置決めピン
３５２ 位置決め孔
３６２，３６４ Ｏリング
３６６，３６８ Ｏリング
３６９ Ｏリング
Ｇ 基板
１０２ 処理室
１０４ 基板搬入出口
１０６ ゲートバルブ
１０８ 排気管
１０９ 排気装置
１１０ シャワーヘッド
１１４ 整合器
１１６ 高周波電源
１２２ バッファ室
１２４ 吐出孔
１２６ ガス導入口
１２８ ガス導入管
１３０ 開閉バルブ
１３２ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１３４ 処理ガス供給源
２００ 載置台
２０２ 外枠部
２１０ 電極プレート
２１２ 載置面
２１４，２２４ ピン挿通孔
２１６ ザグリ
２２０ 温度調整用プレート
２２２ 流路
２２６ 通し孔
２２８ フランジ挿入孔
２３０ ベース部材
２４２ リフターピン（中央部リフターピン，周辺部リフターピン）
２４３ 支持体
２４４ ピン本体
２４６ 支持棒
２４８ 基部
２５０ スライドプレート
２５２ スライドガイド
２５４ モータ
３００ 昇降ガイド体
３０２ ガイド本体
３０４ 取付部材
３０６ Ｏリング
３１２ 挿通孔
３１４ ピン孔
３１６ 芯出し孔
３２０ 芯出し用リフタブッシュ
３２２ ベローズ
３２４ フランジ
３３０ フランジ部
３３２ ボルト孔
３４０ ボルト
３４２ ワッシャ
３４４ ボルト
３５０ 位置決めピン
３５２ 位置決め孔
３６２，３６４ Ｏリング
３６６，３６８ Ｏリング
３６９ Ｏリング
Ｇ 基板
Claims (8)
- 複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって，
前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔に挿入される上端部及び前記電極の下方から昇降自在に支持される下端部を有するリフターピンと，
前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，
前記昇降ガイド体は，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置され，前記下側プレートに水平方向に移動可能に取付けられるとともに，前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制され，
前記下側プレートの通し孔の内径は前記昇降ガイド体の外径よりも，少なくとも前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量の２倍以上大きくしたことを特徴とする基板載置台。 - 前記昇降ガイド体は，その上面と前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿された位置決め部材により位置規制されることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台。
- 前記リフターピンの下端部は，水平方向に移動自在な支持体を介して昇降自在なスライドプレートに支持されることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
- 前記最上部プレートは，前記電極本体を構成する電極プレートであり，前記下側プレートは，前記電極プレートの温度を調整するための温度調整用プレートであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板載置台。
- 基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，
真空引可能に構成された処理室と，
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と，
前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と，
前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え，
前記基板載置台は，複数のプレートを上下に積層してなる電極と，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔に挿入される上端部及び前記電極の下方から昇降自在に支持される下端部を有するリフターピンと，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，
前記昇降ガイド体は，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置され，前記下側プレートに水平方向に移動可能に取付けられるとともに，前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制され，
前記下側プレートの通し孔の内径は前記昇降ガイド体の外径よりも，少なくとも前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量の２倍以上大きくしたことを特徴とする基板処理装置。 - 複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって，
前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔に挿入される上端部及び前記電極の下方から昇降自在に支持される下端部を有するリフターピンと，
前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，
前記昇降ガイド体は，その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して前記下側プレートに対して水平方向に移動可能に配置され，
前記下側プレートの通し孔の内径は前記昇降ガイド体の外径よりも，少なくとも前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量の２倍以上大きくしたことを特徴とする基板載置台。 - 前記リフターピンの下端部は，水平方向に移動自在な支持体を介して昇降自在なスライドプレートに支持されることを特徴とする請求項６に記載の基板載置台。
- 基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって，
真空引可能に構成された処理室と，
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と，
前記処理室内の上方に配置され，前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と，
前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え，
前記基板載置台は，複数のプレートを上下に積層してなる電極と，前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔に挿入される上端部及び前記電極の下方から昇降自在に支持される下端部を有するリフターピンと，前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え，
前記昇降ガイド体は，その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに，前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して前記下側プレートに対して水平方向に移動可能に配置され，
前記下側プレートの通し孔の内径は前記昇降ガイド体の外径よりも，少なくとも前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量の２倍以上大きくしたことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200111102A (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 리프트 기구, 기판 지지기, 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101591771B (zh) * | 2008-05-30 | 2011-03-16 | 财团法人工业技术研究院 | 真空设备的基座定位支撑装置 |
| US20090314211A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Applied Materials, Inc. | Big foot lift pin |
| US9011602B2 (en) * | 2009-01-29 | 2015-04-21 | Lam Research Corporation | Pin lifting system |
| KR20150013627A (ko) * | 2012-04-26 | 2015-02-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Ｅｓｃ 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치 |
| KR101594928B1 (ko) * | 2014-03-06 | 2016-02-17 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR101748252B1 (ko) * | 2015-06-10 | 2017-06-19 | 에이피티씨 주식회사 | 리프트핀을 갖는 반도체 제조설비 및 반도체 제조설비의 조립방법 |
| CN107851600A (zh) * | 2015-07-29 | 2018-03-27 | 堺显示器制品株式会社 | 支承销和成膜装置 |
| WO2017126534A1 (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| CN106582915A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | 一种超净台自动电极探入装置 |
| CN106582914A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | 一种用于超净台的电极探入装置 |
| JP6863784B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-04-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| KR102445612B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2022-09-20 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼용 서셉터 |
| JP6615153B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法 |
| JP2019052914A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 日本電産サンキョー株式会社 | 検査装置 |
| US11121010B2 (en) * | 2018-02-15 | 2021-09-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP7122212B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN110289242B (zh) * | 2018-03-19 | 2021-08-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座调节装置、腔室及半导体加工设备 |
| JP7174770B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-11-17 | バット ホールディング アーゲー | 支持ピンを受け取り、解放するための連結部を有するピンリフティング装置 |
| DE102018007307A1 (de) * | 2018-09-17 | 2020-03-19 | Vat Holding Ag | Stifthubvorrichtung |
| WO2020111194A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
| KR102503465B1 (ko) * | 2019-01-07 | 2023-02-24 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리 장치, 진공 처리 장치의 클리닝 방법 |
| JP7445386B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2024-03-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材および基板保持機構 |
| CN110610895A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-24 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体 |
| DE102019008104A1 (de) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Vat Holding Ag | Verfahren zur Überwachung, Positionsbestimmung und Positionierung eines Stiffthubsystems |
| CN113035682B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及其等离子体处理装置 |
| KR102372101B1 (ko) * | 2021-06-08 | 2022-03-10 | 주식회사 기가레인 | 리프트 구동 어셈블리 |
| CN113421812B (zh) * | 2021-06-23 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其承载装置 |
| KR102396865B1 (ko) * | 2021-12-08 | 2022-05-12 | 주식회사 미코세라믹스 | 정전척 |
| CN115418625B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-09-29 | 拓荆科技股份有限公司 | 晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191229U (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | 豊興工業株式会社 | 位置決め装置 |
| JP2514005Y2 (ja) * | 1990-04-13 | 1996-10-16 | 富士重工業株式会社 | 塵芥収集車の投入口ドア開閉装置 |
| JP2961997B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1999-10-12 | 株式会社ニコン | 静電吸着装置 |
| JPH06224287A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 静電チャックの製造方法 |
| US5783492A (en) * | 1994-03-04 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus |
| JP3940190B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 真空処理装置 |
| JP4563568B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置 |
| JP2002313700A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | 加熱装置及び冷却装置 |
| JP4153296B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2008-09-24 | 株式会社アルバック | 基板処理装置 |
| KR100694780B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2007-03-14 | 주식회사 제우스 | Ｌｃｄ 글라스 기판용 오븐챔버의 리프트 핀 유닛 |
-
2008
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200111102A (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 리프트 기구, 기판 지지기, 및 기판 처리 장치 |
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