CN117672794A - 一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，所述等离子体边缘刻蚀设备包括：升降装置，用于升降上电极组件；牵拉装置，用于连接顶盖与上电极组件；当顶盖升降时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件与下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。本发明中升降装置的位置不受开关腔的影响，在顶盖降至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。

Description

一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法。

背景技术

在晶圆经等离子体刻蚀加工出设计图案的过程中，晶圆外边缘区域会堆积一些多余膜层，如多晶硅层、氮化物层、金属层等，而这些多余膜层可能会破裂并掉落，对后续工艺和设备造成污染，因此需要通过边缘刻蚀工艺将其去除。

目前采用边缘刻蚀设备进行边缘刻蚀工艺。边缘刻蚀设备通常采用可移动上电极组件的设计，在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件升起；对晶圆进行工艺处理时，上电极组件下降并与晶圆之间保持微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在径向方向距离相等，才能实现均匀的刻蚀，从而保证边缘刻蚀的效果。

现有技术中，边缘刻蚀设备中用于升降上电极组件的升降装置安装在反应腔的顶盖上。日常运维工作时，需要经常打开顶盖对腔内结构进行调整、维护；因此，开腔时，顶盖、上电极组件和升降装置会一同被翻转或者移位，再次关闭腔体时，上电极组件的位置会因为开关腔而改变，进而导致上电极组件和下电极组件的同心度被破坏，影响刻蚀效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，使得上电极组件能够与相对的下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。

为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：

腔体；

顶盖，设置在所述腔体顶部；

下电极组件，设置在所述腔体底部，并设置有承载晶圆的承载面；

上电极组件，可升降地设置在所述顶盖下方，并且与所述顶盖之间设置有可伸缩的密封结构；

还包括：

升降装置，用于升降所述上电极组件；

牵拉装置，用于连接所述顶盖与所述上电极组件；

当所述顶盖升降时，所述上电极组件通过所述牵拉装置随所述顶盖移动；所述顶盖移动至预设位置后，所述升降装置承接所述上电极组件并带动所述上电极组件下降，并在所述上电极组件下降到工作位置时，所述上电极组件与所述下电极组件分别设置有相互配合的对准单元以实现自动对心。

优选地，所述上电极组件包括上电极环，所述下电极组件包括边缘环，所述对准单元分别设置于所述上电极环与所述边缘环上。

优选地，所述对准单元包括所述边缘环上设置的第一环形斜面及所述上电极环上设置的与所述第一环形斜面配合的第二环形斜面，通过所述第一环形斜面与所述第二环形斜面实现自动对心。

优选地，所述对准单元包括所述边缘环上设置的定位销及所述上电极环上设置的与所述定位销匹配的定位孔，通过所述定位销与所述定位孔实现自动对心。

优选地，对心后，所述上电极环和所述边缘环接触以在所述晶圆边缘区域形成等离子体约束空间。

优选地，所述上电极环或所述边缘环上设有多个抽气孔。

优选地，所述上电极环或所述边缘环采用金属材质制造。

优选地，所述边缘环与承载所述晶圆的静电吸盘之间设有隔离环。

优选地，所述牵拉装置为弹性元件。

优选地，所述上电极组件下降至工作位置的过程中所述弹性元件处于拉伸状态。

优选地，所述牵拉装置为锁紧结构或卡扣结构。

优选地，所述顶盖移动前，通过所述锁紧结构或所述卡扣结构连接所述顶盖与所述上电极组件；所述顶盖移动至所述升降装置承接所述上电极组件后，解除所述锁紧结构或卡扣结构使所述顶盖与所述上电极组件断开连接。

优选地，所述牵拉装置为多个，且其在所述顶盖上的连接位置均匀分布。

优选地，所述顶盖的中心区域设有通孔，所述密封结构为波纹管，所述波纹管连接在所述通孔周围。

优选地，所述牵拉装置位于所述波纹管内。

优选地，所述升降装置设置在所述腔体底部，所述升降装置为顶升杆。

另一方面，本发明还提供一种开关腔方法，应用于如上述的等离子体边缘刻蚀设备，包括以下步骤：

当打开所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖向上移动，所述牵拉装置处于受力状态，所述顶盖通过所述牵拉装置带动所述上电极组件一起移动；

当关闭所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖向下移动，所述顶盖通过所述牵拉装置带动所述上电极组件一起移动至所述升降装置承接所述上电极组件，所述牵拉装置受力状态改变；所述升降装置带动所述上电极组件下降到工作位置，所述上电极组件通过所述对准单元与所述下电极组件自动对心。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

本发明提供一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，升降装置可以升降上电极组件，牵拉装置用于连接上电极组件与顶盖；当顶盖移动时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；且顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件能够与相对的下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。

本发明中升降装置设置在等离子体边缘刻蚀设备的腔体底部，且升降装置的位置不受开关腔的影响，则在顶盖移动至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。

本发明中下电极组件的边缘环上和上电极组件的上电极环上设有相互配合的对准单元，使得上电极环和边缘环可以通过相互配合的对准单元实现自动对心；由于边缘环上对准单元的位置同样不受开关腔的影响，则可以进一步保证上电极组件与所述下电极组件的同心度。

本发明中上电极环和边缘环对心后，两者接触以在晶圆边缘区域形成等离子体约束空间；且通过上电极环及边缘环的射频回路可以将等离子体约束空间内的工艺气体电离为等离子体，以对晶圆边缘区域进行刻蚀处理；同时，通过上电极环或边缘环上的抽气孔可以对等离子体约束空间进行抽气，使得等离子体约束空间中的等离子体分布较为均匀，从而保证晶圆边缘区域的刻蚀均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：

图1是本发明一实施例提供的一种等离子体边缘刻蚀设备刻蚀晶圆且对准单元为定位销和定位孔时的结构示意图；

图2是本发明一实施例提供的一种等离子体边缘刻蚀设备传送晶圆时的结构示意图；

图3是本发明一实施例提供的一种等离子体边缘刻蚀设备开腔时的结构示意图；

图4是本发明一实施例提供的一种等离子体边缘刻蚀设备中等离子体约束空间的结构示意图；

图5是本发明一实施例提供的一种等离子体边缘刻蚀设备刻蚀晶圆且对准单元为第一锥形斜面和第二锥形斜面时的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的方案作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施方式的目的。为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。

结合附图1～5所示，本实施例提供一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：腔体100；顶盖101，设置在所述腔体100顶部；下电极组件104，设置在所述腔体100底部，并设置有承载晶圆的承载面；上电极组件103，可升降地设置在所述顶盖101下方，并且与所述顶盖101之间设置有可伸缩的密封结构102；所述等离子体边缘刻蚀设备还包括：升降装置210，用于升降所述上电极组件103；牵拉装置220，用于连接所述顶盖101与所述上电极组件103；当所述顶盖101移动以实现所述等离子体边缘刻蚀设备的开关腔时，所述上电极组件103通过所述牵拉装置220随所述顶盖101移动；所述顶盖101移动至预设位置后，所述升降装置210承接所述上电极组件103，并能够带动所述上电极组件103继续下降；在所述上电极组件103下降到工作位置时，所述上电极组件103与所述下电极组件104分别设置有相互配合的对准单元以实现自动对心。

请继续参考图1，所述上电极组件103包括上电极环1031及介质板(图1至5中未示出)等，所述下电极组件104包括边缘环1041及介质环(图1至5中未示出)等，当所述上电极组件103降至工作位置时，所述上电极环1031和所述边缘环1041自动对心。

可以理解的是，所述升降装置220设置在所述腔体100底部，所述升降装置220为顶升杆。

在本实施例中，所述上电极组件103还包括用于安装所述上电极环1031的安装基板1032，且所述安装基板1032的上端(即靠近所述顶盖的一端)与所述牵拉装置220连接，所述安装基板1032的下端(即靠近所述升降装置的一端)安装所述上电极环1031；且所述上电极组件103降至工作位置时会减小所述晶圆上表面的空间，以限制等离子体进入，防止所述晶圆的中间区域被刻蚀。更具体的，所述安装基板1032上还设有与所述升降装置210一一对应的盲孔，所述盲孔位于所述上电极环1031的径向外侧；当所述顶盖101移动至预设位置(即关腔)时，所述安装基板1032通过所述盲孔与所述升降装置210抵接，这样既可以使所述升降装置210承接所述安装基板1032及承接上电极组件103，还可以通过所述盲孔与所述升降装置210的匹配实现对所述上电极组件103的定位，但本发明不以此为限。

在本实施例中，所述升降装置210设置在所述腔体100底部，使得所述升降装置210的位置不受开关腔的影响，则所述升降装置210与所述盲孔的配合能够使所述上电极组件103下降到工作位置时与所述下电极组件104自动对心，从而保证所述上电极组件103与所述下电极组件104的同心度，进而保证所述上电极环1031和所述边缘环1041的同心度，以实现晶圆边缘刻蚀的均匀性。所述升降装置210的数量至少为两个，优选地，所述升降装置210的数量为三个，且所述升降装置210在基座外围周向均匀的设置于所述腔体100底部，以稳固地承接所述上电极组件103并提高上电极组件103的对心精度，但本发明不以此为限。

请继续参考图1，所述对准单元分别设置于所述上电极环1031与所述边缘环1041上。

可以理解的是，所述对准单元包括所述边缘环1041上设置的定位销230，且所述定位销230的顶部为圆锥形或圆球形，及所述上电极环1031上设置的与所述定位销230匹配的定位孔；在所述升降装置210承接所述上电极组件103下降至工作位置的过程中，所述定位销230与所述定位孔实现自动对心。

在本实施例中，所述升降装置210与所述安装基板1032抵接，且带动所述上电极组件103继续下降至工作位置时，所述上电极环1031和所述边缘环1041可以通过对应的所述定位销230和所述定位孔实现自动对心；由于所述定位销230的位置同样不受开关腔的影响，可以进一步保证所述上电极组件103与所述下电极组件104的同心度，从而保证所述上电极环1031和所述边缘环1041的同心度。更为具体地，当所述升降装置210具体为顶升杆时，所述顶升杆的顶部为圆锥形或圆球形，所述安装基板1032上设有与所述顶升杆匹配的盲孔，所述顶升杆与所述安装基板1032的所述盲孔之间为初次对心，所述定位销230与所述定位孔之间为再次对心，即所述顶升杆与所述盲孔之间的误差大于所述定位销与所述定位孔之间的误差，以在保证所述上电极组件103与所述下电极组件104同心度的同时，提高其对心效率，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，所述定位销230也可以设置在所述上电极环1031上，与所述定位销230匹配的所述定位孔则可以设置在所述边缘环1041上，此时所述定位孔的位置不受开关腔的影响，通过所述定位销230与所述定位孔同样可以保证所述上电极环1031和所述边缘环1041的同心度。

在一些实施例中，所述对准单元包括所述边缘环1041上设置的第一斜面及所述上电极环1031上设置的与所述第一斜面配合的第二斜面；优选地，所述第一斜面和所述第二斜面皆为环形斜面，即所述第一斜面为第一环形斜面，所述第二斜面为第二环形斜面。如图5所示，所述边缘环1041的上部也可设置为第一锥形斜面，所述上电极环1031的下部为与之匹配的第二锥形斜面，从而在所述升降装置210承接所述上电极组件103下降至工作位置的过程中，所述第一锥形斜面与所述第二锥形斜面实现自动对心；优选的，所述边缘环1041的上部可设置为外锥形斜面，所述上电极环1031的下部为与之匹配的内锥形斜面，如此设置可使容易受到等离子影响的侧壁仅为上电极环1031，从而延长边缘环1041的使用时间。

请继续参考图1和图4，对心后，所述上电极环1031和所述边缘环1041接触以在所述晶圆边缘区域形成等离子体约束空间240。

可以理解的是，所述上电极环1031和/或所述边缘环1041上设有多个抽气孔250或者所述上电极环1031和所述边缘环1041之间形成有多个抽气孔。

在本实施例中，所述边缘环1041与承载所述晶圆的静电吸盘1042之间设有隔离环，以使所述边缘环1041与所述静电吸盘1042之间电性隔离。当所述边缘环1041与所述上电极环1031接触时，所述上电极环1031可通过所述边缘环1041接地，形成射频RF回路，从而避免了所述上电极环1031从所述上电极组件上方接地带来的复杂结构。其中，为了避免等离子体对上电极环1031的刻蚀，可对上电极环1031进行阳极氧化处理。优选地，所述隔离环的材料为陶瓷，所述上电极环1031或所述边缘环1041采用金属材质(例如铝合金等)制造；且初次安装时可以通过工装定位安装所述边缘环1041并锁紧，以保证所述边缘环1041与所述静电吸盘1042的同心度，但本发明不以此为限。

在本实施例中，所述安装基板1032内设有与所述等离子体约束空间240连通的进气通道，以向所述等离子体约束空间240内供应工艺气体；通过所述上电极环1031及所述边缘环1041的射频回路则可以将所述等离子体约束空间240内的工艺气体电离为等离子体，以对所述晶圆边缘区域进行刻蚀处理。同时，可以通过所述抽气孔250对所述等离子体约束空间240进行抽气，通过对所述抽气孔250的设计可以使所述等离子体约束空间240内的等离子体分布较为均匀，从而保证所述晶圆边缘区域的刻蚀均匀性，但本发明不以此为限。

请同时参考图1、图2和图3，所述顶盖101的中心区域设有通孔，所述密封结构102为波纹管，所述波纹管连接在所述通孔周围；且所述牵拉装置220位于所述波纹管内。

可以理解的是，所述牵拉装置220为多个，且其在所述顶盖101上的连接位置均匀分布，以使所述上电极组件103随所述顶盖101移动时受力均匀。

在本实施例中，所述牵拉装置220为弹性元件；且所述上电极组件103下降至工作位置的过程中所述弹性元件处于拉伸状态。

在本实施例中，所述等离子体边缘刻蚀设备处于关腔状态时，所述顶盖101和所述腔体100通过所述波纹管配合形成密封环境，以保证腔内处于真空或者低压环境，从而能够对腔内的晶圆进行边缘刻蚀工艺处理。所述牵拉装置220位于所述波纹管内，则可以使所述牵拉装置220相对于所述腔体100进行上下移动时不影响所述等离子体边缘刻蚀设备内部的气密性，但本发明不以此为限。

在本实施例中，当所述等离子体边缘刻蚀设备处于关腔状态且所述静电吸盘1042上放置有待处理的晶圆时，所述升降装置210带动所述上电极组件103降至工作位置(如图1所示)，此时所述弹性元件处于拉伸状态；由于所述牵拉装置220始终处于大气压环境，则所述上电极组件103受力平衡为：大气压力F₁+上电极组件重力G＝弹性元件拉力F₂+升降装置支撑力F₃。显然，此时的弹性元件拉力可减小所述升降装置210的负载，从而减小所述升降装置210的变形，提升定位精度。

当所述等离子体边缘刻蚀设备处于关腔状态且需要传送晶圆时，所述升降装置210带动所述上电极组件103从工作位置上升至传送位置(如图2所示)，且所述传送位置位于所述腔体100的传送口之上，以使机械臂可以通过传送口及所述上电极组件103让出的空间送入待处理的晶圆或取出已处理的晶圆；此时所述弹性元件处于放松或压缩状态，不提供拉力，则所述上电极组件103受力平衡为：大气压力F₁+上电极组件重力G＝升降装置支撑力F₃。

当所述等离子体边缘刻蚀设备处于开腔状态以进行维护、修理及部件更换等操作时，所述顶盖101被移动至预设位置的上方(如图3所示)，此时所述腔体100内为大气压环境，所述上电极组件103与所述升降装置210不再接触，且所述弹性元件处于拉伸状态，则所述上电极组件受力平衡为：上电极组件重力G＝弹性元件拉力F₂。

在一些实施例中，所述牵拉装置220也可为锁紧结构或卡扣结构。所述顶盖101移动前，通过所述锁紧结构或所述卡扣结构连接所述顶盖101与所述上电极组件103；所述顶盖101移动至所述升降装置210承接所述上电极组件103后，解除所述锁紧结构或卡扣结构使所述顶盖101与所述上电极组件103断开连接。

在该实施例中，对所述等离子体边缘刻蚀设备进行开关腔时，需要保持所述上电极组件103与所述顶盖101一起移动，此时可以通过所述锁紧结构或所述卡扣结构连接所述顶盖101与所述上电极组件103；所述等离子体边缘刻蚀设备处于关腔状态后，所述顶盖101与所述腔体100抵接，此时可以解除所述锁紧结构或卡扣结构使所述顶盖101与所述上电极组件103断开连接，以便于所述升降装置210承接并带动所述上电极组件103单独进行上下移动，从而实现对所述晶圆的传送或刻蚀工艺处理，但本发明不以此为限。

另一方面，本实施例还提供一种开关腔方法，应用于如上述的等离子体边缘刻蚀设备，包括以下步骤：S1、当打开所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖101向上移动，所述牵拉装置220处于受力状态，所述顶盖101通过所述牵拉装置220带动所述上电极组件103一起移动；S2、当关闭所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖101向下移动，所述顶盖101通过所述牵拉装置220带动所述上电极组件103一起移动至所述升降装置210承接所述上电极组件103，所述牵拉装置220受力状态改变；所述升降装置210带动所述上电极组件103下降到工作位置，所述上电极组件103与所述下电极组件104通过相互配合的对准单元自动对心。

在本实施例中，所述步骤S1中，开腔时，所述顶盖101向上移动至预设位置的上方(如图3所示)，使得所述顶盖101与所述腔体100分离，可以对所述等离子体边缘刻蚀设备的内部结构进行调整(例如维护、修理及部件更换等操作)。所述步骤S2中，关腔时，所述顶盖101向下移动至预设位置(如图1和图2所示)，使得所述顶盖101与所述腔体100抵接且所述升降装置210承接所述上电极组件103，可以对腔内的晶圆进行边缘刻蚀工艺处理。此外，所述步骤S2中，所述升降装置210还可以带动所述上电极组件103从工作位置上升至传送位置，以使机械臂可以通过传送口及所述上电极组件103让出的空间送入待处理的晶圆或取出已处理的晶圆，从而实现晶圆的传送。优选地，所述顶盖101的移动可以通过升降机构105等完成。在其他的实施例中，所述顶盖101的移动也可以由人工完成(例如用手提升或下放顶盖)，但本发明不以此为限。

综上所述，本实施例提供一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，等离子体边缘刻蚀设备包括腔体，设置在腔体顶部的顶盖，设置在腔体底部的下电极组件，以及可升降地设置在顶盖下方的上电极组件，且上电极组件与顶盖之间设置有可伸缩的密封结构；等离子体边缘刻蚀设备还包括：升降装置，用于升降上电极组件以及牵拉装置，用于连接上电极组件与顶盖；当顶盖移动时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；且顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件能够与相对的下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。本实施例中升降装置设置在等离子体边缘刻蚀设备的腔体底部，且升降装置的位置不受开关腔的影响，则在顶盖移动至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。下电极组件及上电极组件分别设置有相互配合的对准单元，使得上电极组件和下电极组件可以通过对应的对准单元实现自动对心；由于边缘环的位置同样不受开关腔的影响，则可以进一步保证上电极组件与所述下电极组件的同心度。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (17)

1.一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：

腔体；

顶盖，设置在所述腔体顶部；

下电极组件，设置在所述腔体底部，并设置有承载晶圆的承载面；

上电极组件，可升降地设置在所述顶盖下方，并且与所述顶盖之间设置有可伸缩的密封结构；

其特征在于，还包括：

升降装置，用于升降所述上电极组件；

牵拉装置，用于连接所述顶盖与所述上电极组件；

当所述顶盖升降时，所述上电极组件通过所述牵拉装置随所述顶盖移动；所述顶盖移动至预设位置后，所述升降装置承接所述上电极组件并带动所述上电极组件下降，并在所述上电极组件下降到工作位置时，所述上电极组件与所述下电极组件分别设置有相互配合的对准单元以实现自动对心。

2.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上电极组件包括上电极环，所述下电极组件包括边缘环，所述对准单元分别设置于所述上电极环与所述边缘环上。

3.如权利要求2所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述对准单元包括所述边缘环上设置的第一环形斜面及所述上电极环上设置的与所述第一环形斜面配合的第二环形斜面，通过所述第一环形斜面与所述第二环形斜面实现自动对心。

4.如权利要求2所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述对准单元包括所述边缘环上设置的定位销及所述上电极环上设置的与所述定位销匹配的定位孔，通过所述定位销与所述定位孔实现自动对心。

5.如权利要求3或者4所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，对心后，所述上电极环和所述边缘环接触以在所述晶圆边缘区域形成等离子体约束空间。

6.如权利要求3或者4所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上电极环或所述边缘环上设有多个抽气孔。

7.如权利要求3或者4所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上电极环或所述边缘环采用金属材质制造。

8.如权利要求3或者4所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述边缘环与承载所述晶圆的静电吸盘之间设有隔离环。

9.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述牵拉装置为弹性元件。

10.如权利要求9所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上电极组件下降至工作位置的过程中所述弹性元件处于拉伸状态。

11.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述牵拉装置为锁紧结构或卡扣结构。

12.如权利要求11所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述顶盖移动前，通过所述锁紧结构或所述卡扣结构连接所述顶盖与所述上电极组件；所述顶盖移动至所述升降装置承接所述上电极组件后，解除所述锁紧结构或卡扣结构使所述顶盖与所述上电极组件断开连接。

13.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述牵拉装置为多个，且其在所述顶盖上的连接位置均匀分布。

14.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述顶盖的中心区域设有通孔，所述密封结构为波纹管，所述波纹管连接在所述通孔周围。

15.如权利要求14所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述牵拉装置位于所述波纹管内。

16.如权利要求1所述的等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，所述升降装置设置在所述腔体底部，所述升降装置为顶升杆。

17.一种开关腔方法，其特征在于，应用于如权利要求1～16中任一项所述的等离子体边缘刻蚀设备，包括以下步骤：

当打开所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖向上移动，所述牵拉装置处于受力状态，所述顶盖通过所述牵拉装置带动所述上电极组件一起移动；

当关闭所述等离子体边缘刻蚀设备时，所述顶盖向下移动，所述顶盖通过所述牵拉装置带动所述上电极组件一起移动至所述升降装置承接所述上电极组件，所述牵拉装置受力状态改变；所述升降装置带动所述上电极组件下降到工作位置，所述上电极组件与所述下电极组件通过所述对准单元自动对心。