CN113345786A - 等离子体处理系统和边缘环的更换方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理系统和边缘环的更换方法。该等离子体处理系统包括等离子体处理装置、输送装置和控制装置，控制装置进行控制以执行以下步骤：将支承着边缘环的覆盖环向升降部件交接的步骤；使被支承部支承的治具在环状部件载置面与覆盖环之间移动的步骤；将治具向其他升降部件交接的步骤；支承部退避后，使升降部件和其他升降部件相对地移动，将边缘环从覆盖环向治具交接的步骤；仅使升降部件下降，将覆盖环向环状部件载置面交接的步骤；将支承着边缘环的治具从其他升降部件交接到支承部的步骤；和将支承着边缘环的治具从处理容器送出的步骤。根据本发明，能够选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换和边缘环单体的更换。

Description

等离子体处理系统和边缘环的更换方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理系统和边缘环的更换方法。
背景技术
专利文献1中公开有一种基片处理装置，在处理室内配置基片，且以包围该基片的周围的方式配置聚焦环，并对基片实施等离子体处理。该基片处理装置包括载置台和多个定位销，其中，载置台包括具有载置基片的基片载置面和载置聚焦环的聚焦环载置面的承载件。定位销由通过加热而在径向膨胀的材料构成为销状，并在聚焦环以从其下表面伸出的方式安装，插入形成于承载件的聚焦环载置面的定位孔，通过加热沿径向膨胀并嵌合，由此，定位聚焦环。另外，专利文献1中公开的基片处理装置包括升降销和输送臂。升降销在载置台被设置成从聚焦环载置面伸出或没入，使聚焦环与定位销一起升起，并从聚焦环载置面脱离。输送臂设置于处理室的外侧，经由设置于处理室的送入送出口，在与升降销之间将聚焦环以保持安装有定位销的状态进行更换。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-54933号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的技术在使用边缘环和覆盖环双方的等离子体处理系统中的边缘环的更换时，选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换和边缘环单体的更换。
用于解决问题的技术手段
本发明一方式包括：包括：等离子体处理装置，其具有基片支承台和在内部能够设置所述基片支承台的可减压的处理容器，所述等离子体处理装置对所述基片支承台上的基片进行等离子体处理；输送装置，其具有支承所述基片的支承部，通过使所述支承部向所述处理容器插入或抽出来使所述基片相对于所述处理容器送入送出；和控制装置，所述基片支承台具有：载置所述基片的基片载置面；在覆盖环支承着边缘环的状态下载置所述覆盖环的环状部件载置面，其中，所述边缘环以包围被保持于所述基片载置面的基片的方式配置，所述覆盖环覆盖所述边缘环的外侧面；升降部件，其以能够从所述环状部件载置面中的俯视时与所述覆盖环重叠的部分伸出的方式升降；升降机构，其能够使所述升降部件升降；其他升降部件，其以能够从所述基片载置面伸出的方式升降；和其他升降机构，其能够使所述其他升降部件升降，所述输送装置的所述支承部构成为能够对支承着所述边缘环的所述覆盖环进行支承，且能够支承具有比所述边缘环的内径长的部分的治具，所述控制装置控制所述升降机构、所述输送装置和所述其他升降机构，以执行以下步骤：使所述升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述环状部件载置面向所述升降部件交接的步骤；使被所述支承部支承的所述治具在所述基片载置面和所述环状部件载置面与支承着所述边缘环的所述覆盖环之间移动的步骤；使所述其他升降部件上升，将所述治具从所述支承部向所述其他升降部件交接的步骤；所述支承部退避后，使所述升降部件和所述其他升降部件相对地移动，将所述边缘环从所述覆盖环向所述治具交接的步骤；仅使所述升降部件下降，将所述覆盖环从所述升降部件向所述环状部件载置面交接的步骤；使所述支承部移动到所述覆盖环与支承着所述边缘环的所述治具之间后，使所述其他升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述治具从所述其他升降部件交接到所述支承部的步骤；和将所述支承部从所述处理容器抽出，来将支承着所述边缘环的所述治具从所述处理容器送出的步骤。
发明效果
根据本发明，在使用边缘环和覆盖环双方的等离子体处理系统中的边缘环的更换时，能够选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换和边缘环单体的更换。
附图说明
图1是表示参考的实施方式1的等离子体处理系统的结构的概略的主视图。
图2是表示图1的处理组件的结构的概略的纵向剖视图。
图3是图2的局部放大图。
图4是晶片支承台的周向上的与图2不同的部分的局部剖视图。
图5是示意性地表示边缘环的安装处理中的处理组件内的状态的图。
图6是示意性地表示边缘环的安装处理中的处理组件内的状态的图。
图7是示意性地表示边缘环的安装处理中的处理组件内的状态的图。
图8是用于说明升降销的另一例的图。
图9是用于说明静电吸盘的另一例的图。
图10是表示参考的实施方式2的作为基片支承台的晶片支承台的结构的概略的局部放大剖视图。
图11是表示参考的实施方式3的作为基片支承台的晶片支承台的结构的概略的局部放大剖视图。
图12是表示本实施方式的等离子体处理系统的结构的概略的主视图。
图13是表示本实施方式的作为基片支承台的晶片支承台的结构的概略的局部放大剖视图。
图14是表示晶片支承台的另一例的局部放大剖视图。
图15是表示晶片支承台的另一例的局部放大剖视图。
图16是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图17是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图18是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图19是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图20是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图21是示意性地表示边缘环单体的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图22是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图23是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图24是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图25是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图26是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
图27是示意性地表示支承着边缘环的覆盖环的拆卸处理中的处理组件内的状态的图。
附图标记的说明
60 处理组件
70 输送装置
71 输送臂
80 控制装置
100 等离子体处理腔室
104a 上表面
106 升降销
110 升降机构
114 升降机构
400 晶片支承台
402a 上表面
403a 上表面
405 升降部件
Ca 覆盖环
Fa 边缘环
J 治具
W 晶片
具体实施方式
(参考的实施方式)
在半导体器件等的制造工艺中，对于半导体晶片(以下，称为“晶片”。)等基片，使用等离子体进行蚀刻及成膜等等离子体处理。等离子体处理在设置于可减压地构成的处理室内的基片支承台上保持有晶片的状态下被进行。
另外，在进行等离子体处理时，为了在基片的中央部和周缘部得到良好且均匀的处理结果，有时以包围基片支承台上的基片周围的方式配置称为边缘环和聚焦环的环状部件。在使用边缘环的情况下，为了在基片周缘部得到周向上均匀的处理结果，边缘环被高精度地定位并配置。例如，专利文献1中，在边缘环使用以从其下表面伸出的方式安装且被插入形成于边缘环载置面的定位孔的定位销，进行边缘环的定位。
边缘环消耗了的情况下的更换通常由作业者进行，但也考虑使用输送边缘环的输送装置进行更换。例如，专利文献1中，使用以从载置台的边缘环载置面伸出或没入的方式设置且将边缘环升起并从边缘环载置面脱离的升降销，以及可向处理室送入送出晶片和边缘环双方的输送臂，进行边缘环的更换。
但是，在使用输送装置进行边缘环的更换的情况下，如果边缘环的输送精度差，则边缘环的一部分作用于基片支承台的基片载置面等，有时在基片支承台的边缘环载置面上不能适当载置边缘环。例如，在边缘环的内径和基片载置面的直径的差比边缘环的输送精度(输送误差)小的情况下，如果基片载置面的位置比边缘环载置面的位置高，则边缘环的内侧勾挂于基片载置面，有时不能在边缘环载置面上载置边缘环。
另外，在进行等离子体处理时，有时配置覆盖边缘环的周向外侧面的被称为覆盖环的环状部件。在该情况下，如果在覆盖环的更换中使用输送装置，则也有时不能在相对于覆盖环的载置面上适当高精度地载置覆盖环。
因此，参考的实施方式的技术是：在基片支承台的相对于环状部件的载置面上，不管环状部件的输送精度，将环状部件定位并适当地载置。
以下，参照附图对参考的实施方式的基片支承台及等离子体处理系统、边缘环的更换方法进行说明。此外，在本说明书及附图中，对于实际上具有相同的功能结构的要素，标注相同的符号，由此，省略重复说明。
(参考的实施方式1)
图1是表示参考的实施方式1的等离子体处理系统的结构的概略的主视图。
图1的等离子体处理系统1中，对于作为基片的晶片W，使用等离子体进行例如蚀刻、成膜、扩散等的等离子体处理。
如图1所示，等离子体处理系统1具有大气部10和减压部11，这些大气部10和减压部11经由负载锁定组件20、21一体地连接。大气部10包括在大气压气氛下对晶片W进行希望的处理的大气组件。减压部11包括在减压气氛下对晶片W进行希望的处理的减压组件。
负载锁定组件20、21设置成经由闸阀(未图示)将大气部10的后述的装载组件30与减压部11的后述的传输组件50连结。负载锁定组件20、21构成为暂时性地保持晶片W。另外，负载锁定组件20、21构成为将内部切换成大气压气氛和减压气氛(真空状态)。
大气部10具有：包括后述的输送装置40的装载组件30；载置环箍31a、31b的装载端口32。环箍31a可保管多个晶片W，环箍31b可保管多个边缘环F。此外，也可以在装载组件30中相邻地设置有调节晶片W及边缘环F的水平方向的朝向的定向组件(未图示)、及保存多个晶片W的保存组件(未图示)等。
装载组件30的内部由矩形的壳体构成，壳体的内部被维持成大气压气氛。在装载组件30的构成壳体的长边的一侧面上并排设置有多个例如5个装载端口32。在装载组件30的构成壳体的长边的另一侧面上并排设置有负载锁定组件20、21。
在装载组件30的内部设置有输送晶片W或边缘环F的输送装置40。输送装置40具有：支承晶片W或边缘环F并移动的输送臂41；可旋转地支承输送臂41的旋转台42；搭载旋转台42的基台43。另外，在装载组件30的内部设置有沿装载组件30的长边方向延伸的导轨44。基台43被设置于导轨44上，输送装置40构成为可沿着导轨44移动。
减压部11具有：输送晶片W或边缘环F的传输组件50；对从传输组件50输送的晶片W进行希望的等离子体处理的作为等离子体处理装置的处理组件60。传输组件50及处理组件60的内部分别被维持成减压气氛。相对于一个传输组件50，设置有多个例如8个处理组件60。此外，处理组件60的数量及配置不限定于本参考的实施方式，能够任意地设定，只要设置需要边缘环F的更换的至少一个处理组件即可。
传输组件50的内部由多边形(图示的例子中，五边形)的框体构成，如上述那样连接于负载锁定组件20、21。传输组件50将送入负载锁定组件20的晶片W输送至一个处理组件60，并且将在处理组件60中进行了希望的等离子体的处理的晶片W经由负载锁定组件21向大气部10送出。另外，传输组件50将送入负载锁定组件20的边缘环F输送至一个处理组件60，并且将处理组件60内的更换对象的边缘环F经由负载锁定组件21向大气部10送出。
处理组件60对于晶片W，使用等离子体进行例如蚀刻、成膜、扩散等的等离子体处理。处理组件60中能够任意地选择进行目的的等离子体处理的组件。另外，处理组件60经由闸阀61连接于传输组件50。此外，该处理组件60的结构进行后述。
在传输组件50的内部设置有输送晶片W或边缘环F的输送装置70。输送装置70具有：支承晶片W或边缘环F并移动的作为支承部的输送臂71、可旋转地支承输送臂71的旋转台72、搭载旋转台72的基台73。另外，在传输组件50的内部设置有沿传输组件50的长边方向延伸的导轨74。基台73被设置于导轨74上，输送装置70构成为可沿着导轨74移动。
传输组件50中，将保持在负载锁定组件20内的晶片W或边缘环F利用输送臂71接收，并送入处理组件60。另外，将保持在处理组件60内的晶片W或边缘环F利用输送臂71接收，并送出至负载锁定组件21。
另外，等离子体处理系统1具有控制装置80。在一实施方式中，控制装置80处理使等离子体处理系统1执行本发明中叙述的各种步骤的计算机可执行的命令。控制装置80可构成为，控制等离子体处理系统1的其他各要素，以执行在此叙述的各种步骤。在一实施方式中，控制装置80的一部分或全部也可以包含于等离子体处理系统1的其他要素中。控制装置80也可以包含例如计算机90。计算机90也可以包含例如处理部(CPU：CentralProcessing Unit)91、存储部92和通信接口93。处理部91可构成为，基于存储部92中储存的程序进行各种控制动作。存储部92也可以包含RAM(Random Access Memory)、ROM(ReadOnly Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、或它们的组合。通信接口93也可以经由LAN(Local Area Network)等通信线路在与等离子体处理系统1的其他要素之间进行通信。
接着，对使用以上那样构成的等离子体处理系统1进行的晶片处理进行说明。
首先，利用输送装置40，从希望的环箍31a取出晶片W，并送入负载锁定组件20。当晶片W被送入负载锁定组件20时，负载锁定组件20内被密闭且减压。然后，使负载锁定组件20的内部和传输组件50的内部连通。
接着，晶片W被输送装置70保持，且从负载锁定组件20被输送至传输组件50。
接着，将闸阀61开放，利用输送装置70向希望的处理组件60送入晶片W。然后，关闭闸阀61，在处理组件60中对晶片W进行希望的处理。此外，后述在该处理组件60中对晶片W进行的处理。
接着，将闸阀61开放，利用输送装置70从处理组件60送出晶片W。然后，关闭闸阀61。
接着，利用输送装置70，向负载锁定组件21送入晶片W。当向负载锁定组件21送入晶片W时，负载锁定组件21内被密闭，被大气开放。然后，使负载锁定组件21的内部与装载组件30的内部连通。
接着，晶片W被输送装置40保持，从负载锁定组件21经由装载组件30返回至希望的环箍31a并被收容。因此，等离子体处理系统1中的一连串的晶片处理结束。
此外，更换边缘环时的在环箍31b与希望的处理组件60之间的边缘环的输送，与上述的晶片处理时的在环箍31a与希望的处理组件60之间的晶片的输送同样地进行。
接着，使用图2～图4对处理组件60进行说明。图2是表示处理组件60的结构的概略的纵向剖视图。图3是图2的局部放大图。图4是后述的晶片支承台101的周向的与图2不同的部分的局部剖视图。
如图2所示，处理组件60包含作为处理容器的等离子体处理腔室100、气体供给部130、RF(Radio Frequency：高频)电力供给部140及排气系统150。另外，处理组件60还包含后述的气体供给部120(参照图4)。处理组件60进一步包含作为基片支承台的晶片支承台101及上部电极喷头102。
晶片支承台101配置于构成为可减压的等离子体处理腔室100内的等离子体处理空间100s的下部区域。上部电极喷头102配置于晶片支承台101的上方，可作为等离子体处理腔室100的顶部(ceiling)的一部分发挥作用。
晶片支承台101构成为在等离子体处理空间100s支承晶片W。在一实施方式中，晶片支承台101包含下部电极103、静电吸盘104、绝缘体105、升降销106和升降销107。虽然省略图示，但在一实施方式中，晶片支承台101也可以包含构成为能够将静电吸盘104和晶片W中至少一者调节成目标温度的温度调节组件。温度调节组件也可以包含加热器、流路或它们的组合。在流路中流动制冷剂、传热气体那样的温度调节流体。
下部电极103例如由铝等导电性材料形成。在一实施方式中，上述的温度调节组件也可以设置于下部电极103。
静电吸盘104是构成为通过静电力可吸附保持晶片W和边缘环F双方的部件，设置于下部电极103上。静电吸盘104的中央部的上表面形成为比周缘部的上表面高。静电吸盘104的中央部的上表面104a成为载置晶片W的基片载置面，静电吸盘104的周缘部的上表面104b成为载置作为环状部件的边缘环F的环状部件载置面。边缘环F是以包围载置于静电吸盘104的中央部的上表面104a的晶片W的方式配置的环状部件。
在静电吸盘104的中央部设置有用于吸附保持晶片W的电极108，在静电吸盘104的周缘部设置有用于吸附保持边缘环F的电极109。静电吸盘104具有在由绝缘材料构成的绝缘材之间夹着电极108、109的结构。
对电极108施加来自直流电源(未图示)的直流电压。通过由此产生的静电力，在静电吸盘104的中央部的上表面104a吸附保持晶片W。同样，对电极109施加来自直流电源(未图示)的直流电压。通过由此产生的静电力，在静电吸盘104的周缘部的上表面104b吸附保持边缘环F。如图3所示，电极109为包含一对电极109a、109b的双极型。
在本参考的实施方式中，设置有电极108的静电吸盘104的中央部和设置有电极109的周缘部成为一体，但这些中央部和周缘部也可以是分体。
另外，在本参考的实施方式中，用于吸附并保持边缘环F的电极109设为双极型，但也可以是单极型。
另外，静电吸盘104的中央部例如形成为直径比晶片W的直径小，如图2所示，在将晶片W载置于上表面104a时，使晶片W的周缘部从静电吸盘104的中央部伸出。
此外，边缘环F在其上部形成有台阶，并将外周部的上表面形成为比内周部的上表面高。边缘环F的内周部形成为潜入从静电吸盘104的中央部伸出的晶片W的周缘部的下侧。即，边缘环F将其内径形成为比晶片W的外径小。
绝缘体105是由陶瓷等形成的圆筒状的部件，支承静电吸盘104。绝缘体105例如被形成为具有与下部电极103的外径相等的外径，支承下部电极103的周缘部。另外，绝缘体105设置为其内周面位于比后述的升降机构114靠静电吸盘104的径向的外侧。
升降销106是以从静电吸盘104的中央部的上表面104a伸出或没入的方式升降的柱状的部件，例如由陶瓷形成。升降销106沿着静电吸盘104的周向，即上表面104a的周向，相互隔开间隔地设置3个以上。升降销106例如沿着上述周向以等间隔设置。升降销106设置为沿着上下方向延伸。
升降销106连接于使升降销106升降的升降机构110。升降机构110例如具有支承多个升降销106的支承部件111、产生使支承部件111升降的驱动力并使多个升降销106升降的驱动部112。驱动部112具有产生上述驱动力的马达(未图示)。
升降销106被插通于从静电吸盘104的中央部的上表面104a向下方延伸且到达至下部电极103的底面的贯通孔113。换言之，贯通孔113形成为贯通静电吸盘104的中央部及下部电极103。
升降销107是以能够从静电吸盘104的周缘部的上表面104b伸出或没入的方式升降的柱状的部件，例如由氧化铝或石英、SUS等形成。升降销107沿着静电吸盘104的周向，即中央部的上表面104a及周缘部的上表面104b的周向，相互隔开间隔地设置3个以上。升降销107例如沿着上述周向以等间隔设置。升降销107设置为沿着上下方向延伸。
此外，升降销107的粗细例如为1～3mm。
升降销107连接于驱动升降销107的升降机构114。升降机构114例如具有对每个升降销107设置且可在水平方向移动地支承升降销107的支承部件115。支承部件115可在水平方向移动地支承升降销107，因此，例如具有推力轴承。另外，升降机构114具有产生使支承部件111升降的驱动力，且使升降销107升降的驱动部116。驱动部116具有产生上述驱动力的马达(未图示)。
升降销107插通于从静电吸盘104的周缘部的上表面104b向下方延伸且到达至下部电极103的底面的贯通孔117。换言之，贯通孔117形成为贯通静电吸盘104的周缘部及下部电极103。
该贯通孔117以至少比输送装置70的边缘环的输送精度高的位置精度形成。
除上端部之外，升降销107例如形成为圆柱状，上端部形成为向上方逐渐变细的半球状。升降销107的上端部在上升时与边缘环F的底面抵接且支承边缘环F。如图3所示，在边缘环F的底面的与升降销107各自对应的位置设置有由向上方凹陷的凹面F1a形成的凹部F1。
俯视时，边缘环F的凹部F1(的开口径)的大小D1比朝向静电吸盘104的上表面104b的上方的由输送装置70进行的边缘环F的输送精度(误差)(±Xμm)大，且比升降销107的上端部的大小D2大。例如，满足D1＞D2、D1＞2X的关系，D1约为0.5mm。另一例中，D1也可以为0.5～3mm。
另外，如上述，升降销107的上端部被形成为向上方逐渐变细的半球状，结果，形成边缘环F的凹部F1的凹面F1a的曲率被设定为比升降销107的上端部的形成上述半球状的凸面(即上端面)107a小。即，凹面F1a的曲率半径比凸面107a大。
此外，在边缘环F的外周部的厚度为3～5mm的情况下，凹部F1的深度例如设为0.5～1mm。
另外，在边缘环F的材料中可使用例如Si及SiC。
另外，如图4所示，对于静电吸盘104的周缘部的上表面104b，形成传热气体供给路径118。传热气体供给路径118向载置于上表面104b的边缘环F的背面供给氦气等传热气体。传热气体供给路径118设置成与上表面104b流体连通。另外，传热气体供给路径118的与上表面104b相反侧与气体供给部120进行流体连通。气体供给部120也可以包含一个或一个以上的气源121及一个或一个以上的流量控制器122。在一实施方式中，气体供给部120构成为例如从气源121经由流量控制器122供给至传热气体供给路径。各流量控制器122例如也可以包含质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。
虽然省略图示，但对于静电吸盘104的中央部的上表面104a，也向载置于该上表面104a的晶片W的背面供给传热气体，因此，形成与传热气体供给路径118同样的结构。
另外，也可以形成对被载置于静电吸盘104的周缘部的上表面104b的边缘环F进行真空吸附的吸气路径。吸气路径例如被设置于静电吸盘104，以与上表面104b进行流体连通。上述的传热气体供给路径和吸气路径的全部或一部分也可以共用。
返回图2的说明。上部电极喷头102构成为将来自气体供给部130的一个或一个以上的处理气体供给至等离子体处理空间100s。在一实施方式中，上部电极喷头102具有气体入口102a、气体扩散室102b和多个气体出口102c。气体入口102a例如与气体供给部130及气体扩散室102b进行流体连通。多个气体出口102c与气体扩散室102b及等离子体处理空间100s进行流体连通。在一实施方式中，上部电极喷头102构成为将一个或一个以上的处理气体从气体入口102a经由气体扩散室102b及多个气体出口102c供给至等离子体处理空间100s。
气体供给部130也可以包含一个或一个以上的气源131及一个或一个以上的流量控制器132。在一实施方式中，气体供给部130构成为，例如将一个或一个以上的处理气体从分别对应的气源131经由分别对应的流量控制器132供给至气体入口102a。各流量控制器132例如也可以包含质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。另外，气体供给部130也可以包含对一个或一个以上的处理气体的流量进行调制或脉冲化的一个或一个以上的流量调制器件。
RF电力供给部140构成为，将RF电力例如一个或一个以上的RF信号供给至下部电极103、上部电极喷头102、或下部电极103及上部电极喷头102双方那样的一个或一个以上的电极。由此，由被供给至等离子体处理空间100s的一个或一个以上的处理气体生成等离子体。因此，RF电力供给部140可作为以在等离子体处理腔室中由一个或一个以上的处理气体生成等离子体的方式构成的等离子体生成部的至少一部分发挥作用。RF电力供给部140例如包含两个RF生成部141a、141b及两个匹配电路142a、142b。在一实施方式中，RF电力供给部140构成为将第一RF信号从第一RF生成部141a经由第一匹配电路142a供给至下部电极103。例如，第一RF信号也可以具有27MHz～100MHz的范围内的频率。
另外，在一实施方式中，RF电力供给部140构成为将第二RF信号从第二RF生成部141b经由第二匹配电路142b供给至下部电极103。例如，第二RF信号也可以具有400kHz～13.56MHz的范围内的频率。也可以取而代之，使用DC(Direct Current)脉冲生成部代替第二RF生成部141b。
另外，虽然省略图示，但在本发明中考虑另一实施方式。例如，也可以在代替实施方式中，RF电力供给部140构成为，将第一RF信号从RF生成部供给至下部电极103，将第二RF信号从另一RF生成部供给至下部电极103，将第三RF信号从又一RF生成部供给至下部电极103。另外，也可以在另一代替实施方式中，对上部电极喷头102施加DC电压。
另外，在各种实施方式中，也可以将一个或一个以上的RF信号(即，第一RF信号、第二RF信号等)的振幅进行脉冲化或调制。振幅调制也可以包含在接通状态与断开状态之间，或者两个或两个以上不同的接通状态之间对RF信号振幅进行脉冲化。
排气系统150例如可与设置于等离子体处理腔室100的底部的排气口100e连接。排气系统150也可以包含压力阀及真空泵。真空泵也可以包含涡轮分子泵、粗牵引泵或它们的组合。
接着，对使用以上那样构成的处理组件60进行的晶片处理的一例进行说明。此外，处理组件60中，对于晶片W进行例如蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等处理。
首先，将晶片W送入等离子体处理腔室100的内部，通过升降销106的升降，在静电吸盘104上载置晶片W。然后，对静电吸盘104的电极108施加直流电压，由此，通过静电力在静电吸盘104上静电吸附并保持晶片W。另外，晶片W的送入后，利用排气系统150将等离子体处理腔室100的内部减压至规定的真空度。
接着，从气体供给部130经由上部电极喷头102向等离子体处理空间100s供给处理气体。另外，从RF电力供给部140向下部电极103供给等离子体生成用的高频电力HF，由此，使处理气体激发，并生成等离子体。此时，也可以从RF电力供给部140供给离子引入用的高频电力LF。而且，通过所生成的等离子体的作用，对晶片W实施等离子体处理。
此外，等离子体处理中，向被静电吸盘104吸附保持的晶片W及边缘环F的底面，经由传热气体供给路径118等供给He气或Ar气等传热气体。
在结束等离子体处理时，也可以停止传热气体向晶片W的底面的供给。另外，停止高频电力HF从RF电力供给部140的供给及处理气体从气体供给部130的供给。在等离子体处理中供给高频电力LF的情况下，也停止该高频电力LF的供给。接着，停止静电吸盘104所进行的晶片W的吸附保持。
然后，利用升降销106使晶片W上升，使晶片W从静电吸盘104脱离。在该脱离时，也可以进行晶片W的除电处理。然后，从等离子体处理腔室100送出晶片W，一连串的晶片处理结束。
此外，边缘环F在晶片处理中，被静电力吸附保持，具体而言，在等离子体处理中也被静电力吸附保持，在等离子体处理的前后也被静电力吸附保持。在等离子体处理的前后，以在电极109a与电极109b之间产生电位差的方式，对电极109a及电极109b施加相互不同的电压，通过由此产生的与电位差对应的静电力，边缘环F被吸附保持。与之相对，等离子体处理中，对电极109a和电极109b施加同电压(例如正的同电压)，通过等离子体在设为接地电位的边缘环F与电极109a及电极109b之间产生电位差。通过由此产生的、与电位差对应的静电力，边缘环F被吸附保持。此外，在边缘环F被静电力吸附的期间，升降销107设为从静电吸盘104的周缘部的上表面104b没入的状态。
如上述，边缘环F被静电力吸附保持，因此，在开始传热气体向边缘环F的底面的供给时，在边缘环F与静电吸盘104之间未产生错位。
接着，对于使用上述的等离子体处理系统1进行的、边缘环F向处理组件60内的安装处理的一例，使用图5～图7进行说明。图5～图7是示意性地表示安装处理中的处理组件60内的状态的图。此外，在由控制装置80的控制下进行以下的处理。另外，例如在静电吸盘104为室温的状态下进行以下的处理。
首先，从等离子体处理系统1的真空气氛的传输组件50，经由送入送出口(未图示)，向作为边缘环F的安装对象的处理组件60所具有的被减压的等离子体处理腔室100内，插入保持边缘环F的输送臂71。然后，如图5所示，向静电吸盘104的周缘部的上表面104b的上方输送由输送臂71保持的边缘环F。此外，边缘环F的周向的朝向被调节地保持于输送臂71。
接着，进行所有的升降销107的上升，如图6所示，使边缘环F从输送臂71向升降销107交接。具体而言，进行所有的升降销107的上升，首先，升降销107的上端部与被输送臂71保持的边缘环F的底面抵接。此时，在设置于边缘环F的底面的凹部F1收纳升降销107的上端部。这是由于，如上述，凹部F1被设置于边缘环F的底面的与升降销107各自对应的位置，另外，在俯视时，凹部F1的大小比输送装置70的边缘环F的输送精度大，且比升降销107的上端部的大小大。当升降销107的上端部与边缘环F的底面的抵接后也继续升降销107的上升时，如图6所示，将边缘环F向升降销107交接并支承。
然后，如上述，将形成边缘环F的凹部F1的凹面F1a设定为其曲率比升降销107的上端部的形成上述半球状的凸面107a小。因此，边缘环F在向升降销107的交接之后，即使相对于升降销107的位置偏移，也如下移动，并相对于升降销107定位。即，边缘环F以升降销107的上端部的顶部在边缘环F的凹面F1a上相对滑动的方式相对移动。而且，边缘环F在凹部F1的中心和升降销107的上端部的中心俯视时一致的部位停止，即，在凹部F1的最深部和升降销107的上端部的顶部俯视时一致的部位停止，在该位置相对于升降销107定位。
此外，为了在边缘环F向升降销107的交接后促进用于上述定位的移动，可以使升降销107各自细微地上下移动，也可以针对每个升降销107以不同的速度下降，或以高速下降。
在边缘环F相对于升降销107定位后，进行输送臂71的从等离子体处理腔室100的抽出和升降销107的下降，由此，如图7所示，边缘环F载置于静电吸盘104的周缘部的上表面104a。
边缘环F如上述相对于升降销107定位，另外，将贯通孔117及升降销107相对于静电吸盘104的中心以高精度设置，因此，边缘环F在相对于静电吸盘104的中心定位的状态下，被载置于上述上表面104a。
此外，升降销107的下降例如进行至升降销107的上端面从静电吸盘104的周缘部的上表面104a没入。
然后，对设置于静电吸盘104的周缘部的电极109施加来自直流电源(未图示)的直流电压，通过由此产生的静电力，将边缘环F吸附保持于上表面104b。具体而言，对电极109a及电极109b施加相互不同的电压，通过由此产生的与电位差对应的静电力，将边缘环F吸附保持于上表面104b。
由此，一连串的边缘环F的安装处理完成。
此外，在设置有上述的吸气路径的情况下，也可以在将边缘环F载置于上表面104b后且由静电力进行吸附保持前，使用吸气路径真空吸附于该上表面104b。然后，也可以在从使用了吸气路径的真空吸附切换至静电力的吸附保持后，测定吸气路径的真空度，基于其测定结果，将边缘环F载置于上表面104b并决定是否修改。
以与上述的边缘环F的安装处理相反的顺序进行边缘环F的拆卸处理。
此外，也可以在拆卸边缘环F时，进行边缘环F的清洗处理之后，将边缘环F从等离子体处理腔室100送出。
如上所述，本参考的实施方式的晶片支承台101具有：载置晶片W的上表面104a；载置以包围保持于上表面的晶片W的方式配置的边缘环F的上表面104b；以从上表面104b伸出或没入的方式升降的3个以上的升降销107；使升降销107升降的升降机构114。另外，在边缘环F的底面的与升降销107各自对应的位置设置有由向上方凹陷的凹面F1a形成的凹部F1。而且，在俯视时，凹部F1的大小形成为比边缘环F向上表面104b的上方的输送误差大，且比升降销107的上端部的大小大。因此，在使升降销107上升且抵接于边缘环F的底面时，能够将升降销107的上端部收纳于边缘环F的凹部F1。另外，本参考的实施方式中，将升降销107的上端部形成为向上方逐渐变细的半球状，形成凹部F1的凹面F1a曲率比升降销107的上端部的形成上述半球状的凸面小。因此，在利用升降销107支承边缘环F时，能够在凹部F1的最深部和升降销107的上端部的顶部俯视时一致的位置，将边缘环F相对于升降销107定位。因此，在使支承着边缘环F的升降销107下降时，能够将升降销107相对于静电吸盘104定位，并载置于上表面104b。即，根据本参考的实施方式，不管边缘环F的输送精度，均能够将边缘环F相对于晶片支承台101定位并载置。
另外，如果将本参考的实施方式的晶片支承台101设置于等离子体处理装置，则能够不经由作业者，而使用输送装置70更换边缘环F。在作业者更换边缘环的情况下，需要将配置边缘环的处理容器进行大气开放，但如果设置本参考的实施方式的晶片支承台101，则能够使用输送装置70进行边缘环F的更换，因此，不需要在更换时将等离子体处理腔室100进行大气开放。因此，根据本参考的实施方式，能够大幅缩短更换所需的时间。另外，本参考的实施方式中，设置有3个以上的升降销，因此，能够不仅进行边缘环F的径向(从晶片支承台101的中心朝向外周的方向)的对位，还进行边缘环F的周向的对位。
另外，本参考的实施方式中，对每个升降销107设置升降机构114，还具有使升降销107可在水平方向移动地支承的支承部件115。因此，在静电吸盘104进行热膨胀或热收缩时，能够根据该热膨胀或热收缩，升降销107沿水平方向移动。因此，在静电吸盘104进行热膨胀或热收缩时，升降销107不会破损。
另外，本参考的实施方式中，在边缘环F的载置后，使用电极109，并通过静电力进行吸附保持。因此，不需要在边缘环F的底面或边缘环F的载置面(静电吸盘104的上表面104b)设置用于抑制载置后的边缘环F的错位的突起或凹部等。特别是不需要在静电吸盘104的上表面104b设置上述那样的突起等，因此，能够抑制静电吸盘104的结构的复杂化。
另外，本参考的实施方式中，在晶片支承台101的静电吸盘104与边缘环F之间没有其他部件，因此，累积公差较少。
图8是用于说明升降销的另一例的图。
图8的升降销160除了具有被形成为半球状的上端部161之外，还具有柱状部162和连结部163。
柱状部162被形成为比上端部161粗的柱状，具体而言，例如，被形成为比上端部161粗的圆柱状。
连结部163是将上端部161和柱状部162连结的部分。该连结部被形成为向上方逐渐变细的棱锥状，具体而言，例如，被形成为其下端的直径与柱状部162相同，其上端的直径与上端部161相同的截圆锥状。
通过使用升降销160，能够进一步提高边缘环F相对于升降销160的定位精度。
此外，通过使用上述的升降销107，能够使凹部F1更浅，因此，能够减薄边缘环F并轻量化。
图9是用于说明静电吸盘的另一例的图。
图9的静电吸盘170在升降销107所插通的贯通孔117中设置有绝缘性的导向件180。
导向件180例如为树脂制的圆筒状部件，并嵌合于贯通孔117。静电吸盘170中，升降销107被插通于设置于贯通孔117的导向件180进行使用，升降销107的升降时的移动方向被导向件180限定成上下方向。因此，相对于静电吸盘170更高精度地定位升降销107的上端部。因此，在使定位并支承边缘环F的状态的升降销107下降，且将边缘环F载置于静电吸盘170的上表面104b时，能够将边缘环F在相对于静电吸盘170更高精度地定位的状态下载置于上表面104b。
(参考的实施方式2)
图10是表示参考的实施方式2的作为基片支承台的晶片支承台200的结构的概略的局部放大剖视图。
参考的实施方式1中，边缘环F为更换对象，但在本参考的实施方式中，覆盖环C成为更换对象。覆盖环C是覆盖边缘环F的周向外侧面的环状部件。
图10的晶片支承台200具有下部电极201、静电吸盘202、支承体203、绝缘体204、升降销205。
在图2等所示的下部电极103及静电吸盘104设置有贯通孔117，以贯通下部电极103及静电吸盘104，但在下部电极201及静电吸盘202没有设置贯通孔117。在该点上，下部电极201及静电吸盘202与下部电极103及静电吸盘104不同。
支承体203是例如使用石英等，形成为俯视时环状的部件，支承下部电极201，并且支承覆盖环C。支承体203的上表面203a成为载置更换对象的作为环状部件的覆盖环C的环状部件载置面。
绝缘体204是由陶瓷等形成的圆筒状的部件，对支承体203进行支承。绝缘体204例如以具有与支承体203的外径相等的外径的方式形成，并对支承体203的周缘部进行支承。
图2等的升降销107被插通于以贯通下部电极103及静电吸盘104的方式设置的贯通孔117，与此不同，升降销205被插通于将支承体203从上表面203a沿上下方向贯通的贯通孔206。在该点，升降销205和升降销107不同。升降销205与升降销107同样，在静电吸盘202的周向上相互隔开间隔地设置3个以上。
升降销205与升降销107同样，上端部形成为向上方逐渐变细的半球状。升降销205的上端部在上升时抵接于覆盖环C的底面而支承覆盖环C。在覆盖环C的底面的与升降销205各自对应的位置设置有由向上方凹陷的凹面C1a形成的凹部C1。
在俯视时，覆盖环C的凹部C1的大小比输送装置70进行的覆盖环C的输送精度大，且比升降销205的上端部的大小大。
另外，如上述，升降销205的上端部形成为向上方逐渐变细的半球状，与此相应地，形成覆盖环C的凹部C1的凹面C1a设定为其曲率比升降销205的上端部的形成上述半球状的凸面205a小。
覆盖环C的安装处理及拆卸处理与参考的实施方式1的边缘环F的安装处理及拆卸处理同样，因此，省略其说明。
此外，图2等所示的、相对于边缘环F的升降销107构成为可从静电吸盘104的周缘部的上表面104b伸出或没入。而且，在通过静电力吸附边缘环F时，升降销107的上端面从静电吸盘104的周缘部的上表面104a没入。与此不同地，相对于覆盖环C的升降销205如果构成为可从支承体203的上表面203a伸出且该伸出量可调节，则也可以构成为可从支承体203的上表面203a伸出或没入。另外，在通过静电力吸附边缘环F时，升降销205的上端面也可以从支承体203的上表面203a伸出。
(参考的实施方式3)
图11是表示参考的实施方式3的作为基片支承台的晶片支承台300的结构的概略的局部放大剖视图。
在参考的实施方式1中，边缘环F为更换对象，在参考的实施方式2中，覆盖环C为更换对象，在本参考的实施方式中，边缘环F及覆盖环C双方成为更换对象。
此外，本参考的实施方式中，边缘环F及覆盖环C分别被分开地更换。因此，相对于边缘环F设置有升降销107和贯通孔117，相对于覆盖环C，设置有升降销205和贯通孔206。另外，上述的凹部F1、C1分别被形成于边缘环F的底面、覆盖环C的底面。
本参考的实施方式中的、边缘环F的安装处理及拆卸处理、覆盖环C的安装处理及拆卸处理，与参考的实施方式1的边缘环F的安装处理及拆卸处理同样，因此省略其说明。
(本实施方式)
在参考的实施方式1中，边缘环F为更换对象，在参考的实施方式2，覆盖环C为更换对象，在参考的实施方式3中，边缘环F及覆盖环C的双方为更换对象。与此不同，在本实施方式中，以支承着边缘环的覆盖环或边缘环单体为更换对象。
即，本实施方式中，与参考的实施方式3同样，使用边缘环和覆盖环双方。而且，本实施方式的技术是在使用边缘环和覆盖环双方的等离子体处理系统中的边缘环的更换时，用于选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换(即与覆盖环一体的状态下的更换)和边缘环单体的更换的技术。
图12是表示本实施方式的等离子体处理系统的结构的概略的主视图。
图12的等离子体处理系统1a与图1的等离子体处理系统1不同，减压部11除了具有传输组件50及处理组件60之外，还具有收纳支承着边缘环的覆盖环及边缘环单体的更换中使用的后述的治具的至少任一者的收纳组件62。
图例中，相对于一个传输组件50设置有两个收纳组件62。在两个收纳组件62中至少任一者收纳支承边缘环的覆盖环，在至少任意另一者收纳治具。此外，收纳组件62的数量及配置不限定于本实施方式，能够任意地设定，只要设置至少一个即可。
收纳组件62经由闸阀63连接于传输组件50。而且，收纳组件62的内部也与传输组件50及处理组件60的内部同样，被维持成减压气氛。
等离子体处理系统1a的传输组件50中，将收纳组件62中收纳的、支承着边缘环的覆盖环或治具利用输送臂71接收，并输送至处理组件60。另外，传输组件50中，将被保持在处理组件60内的支承着边缘环的覆盖环或治具利用输送臂71接收，并输送至收纳组件62。
另外，图12的等离子体处理系统1a和图1的等离子体处理系统1中，处理组件60内的作为基片支承台的晶片支承台的结构不同。
图13是表示本实施方式的作为基片支承台的晶片支承台400的结构的概略的局部放大剖视图。
图13的晶片支承台400具有下部电极401、静电吸盘402、支承体403、绝缘体404、升降部件405。
在下部电极401及静电吸盘402上设置有被升降部件405插通的插通孔406。插通孔406形成为从例如静电吸盘402的周缘部的上表面402a向下方延伸且到达下部电极401的底面。
此外，图例中，在静电吸盘402设置有用于吸附保持边缘环Fa的双极型的电极109，但用于吸附保持边缘环Fa的电极也可以为单极型。另外，也可以从静电吸盘402省略用于吸附保持边缘环Fa的电极。
另外，在静电吸盘设置用于吸附边缘环Fa的电极的情况下，静电吸盘中的设置用于吸附边缘环Fa的电极的周缘部和设置用于吸附晶片W的电极108的中央部可以为一体，也可以为分体。
支承体403是例如使用石英等，形成为俯视时环状的部件，支承下部电极401。
该支承体403的上表面403a和静电吸盘402的周缘部的上表面402a成为本实施方式的更换对象的环状部件之一的载置支承着边缘环Fa的覆盖环Ca的环状部件载置面。
绝缘体404为由陶瓷等形成的圆筒状的部件，对支承体403进行支承。绝缘体404形成为例如具有与支承体403的外径相等的外径，对支承体403的周缘部进行支承。
在本实施方式中，覆盖环Ca构成为可支承边缘环Fa，并形成为俯视时与该边缘环Fa至少一部分重叠。覆盖环Ca例如在与该覆盖环Ca大致同心的状态下支承边缘环Fa。在一实施方式中，覆盖环Ca的最内周部的直径比边缘环Fa的最外周部的直径小，在将覆盖环Ca和边缘环Fa配置成大致同心时，在俯视时，覆盖环Ca的内周部与边缘环Fa的外周至少一部分重叠。例如，在一实施方式中，边缘环Fa在底部的外周部具有向径向内侧凹陷的凹部Fa1，覆盖环Ca在其底部具有向径向内侧伸出的凸部Ca1，通过凸部Ca1和凹部Fa1的卡合，来支承边缘环Fa。
此外，在本实施方式中，边缘环Fa与图2的边缘环F同样，在其上部形成有台阶，将外周部的上表面形成为比内周部的上表面高，另外，将其内径形成为比晶片W的外径小。
另外，在一实施方式中，也可以为了抑制覆盖环Ca和边缘环Fa的错位，在任一者设置突起，且在任意另一者设置与该突起卡合的凹部。具体而言，如图14所示，也可以在覆盖环Ca的上表面形成与该覆盖环Ca同心的环状突起Ca2，在边缘环Fa的下表面的与环状突起Ca2对应的位置形成与该边缘环Fa同心的环状凹部Fa2。通过环状突起Ca2和环状凹部Fa2的卡合，能够抑制覆盖环Ca和边缘环Fa的错位。另外，也可以代替上述的例子，在覆盖环Ca的上表面形成环状凹部，在边缘环Fa的下表面形成环状突起，通过它们的卡合，抑制覆盖环Ca和边缘环Fa的错位。
此外，边缘环Fa可以为一体物，也可以为二体物(即由多个部件构成)。
升降部件405是以能够从静电吸盘402的周缘部的上表面402a的俯视时与覆盖环C重叠的位置伸出的方式升降的部件。升降部件405在从上述位置伸出的状态下进行升降，由此，能够将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca支承并使其升降。一实施方式中，升降部件405是与上述的升降销107同样，为长条柱状的部件。
另外，升降部件405设置为，在后述的治具利用升降销106(参照后述的图16)进行升降时，不阻碍该治具的升降。此外，升降销106是以能够从静电吸盘402的中央部的上表面(即基片载置面)104a伸出的方式升降的相对于晶片W的升降部件的一例。
升降部件405例如从静电吸盘402的周缘部的上表面402a的、与覆盖环Ca的凸部Ca1对应的位置进行伸出或没入。供升降部件405插通的插通孔406形成于与覆盖环Ca的凸部Ca1对应的位置。此外，图例中，升降部件405为长条柱状的部件，因此，插通孔406贯通静电吸盘402及下部电极401。但是，也可以根据升降部件405的形状，插通孔406不贯通静电吸盘402及下部电极401。
升降部件405与图2的升降销107同样，在静电吸盘402的周向上相互隔开间隔地设置3个以上。
使升降部件405升降的升降机构可以被设置于每个升降部件405，也可以对于多个升降部件405设置共用的升降机构。
升降部件405也可以与升降销107同样，将上端部形成为向上方逐渐变细的半球状。升降部件405的上端部例如在上升时抵接于覆盖环Ca的凸部Ca1的底面，而对支承着边缘环F的覆盖环C进行支承。如图15所示，也可以在覆盖环C的凸部Ca1的底面的与升降部件405各自对应的位置设置由向上方凹陷的凹面Ca3a形成的凹部Ca3。
在设置凹部Ca3的情况下，其大小例如在俯视时比输送装置70进行的覆盖环C的输送精度大，且比升降部件405的上端部的大小大。
另外，如上述，在将升降部件405的上端部形成为向上方逐渐变细的半球状的情况下，形成凹部Ca3的凹面Ca3a也可以将其曲率设定为比升降部件405的上端部的形成上述半球状的凸面405a小。
接着，对使用等离子体处理系统1a进行的、支承着边缘环Fa的状态下的覆盖环Ca的安装处理的一例进行说明。此外，以下的处理在控制装置80的控制下进行。
首先，利用等离子体处理系统1a的真空气氛的传输组件50的输送臂71，从收纳组件62取出并保持支承着边缘环Fa的覆盖环Ca。接着，向安装对象的处理组件60所具有的被减压的等离子体处理腔室100内，经由送入送出口(未图示)插入保持有支承着边缘环Fa的覆盖环Ca的输送臂71。接着，利用输送臂71向静电吸盘402的周缘部的上表面402a和支承体403的上表面403a(以下，有时简称为“晶片支承台400的环状部件载置面”。)的上方输送支承着边缘环Fa的覆盖环Ca。
接着，进行所有的升降部件405的上升，从输送臂71向升降部件405交接支承着边缘环Fa的覆盖环Ca。具体而言，进行所有的升降部件405的上升，首先，升降部件405的上端部与输送臂71所保持的覆盖环Ca的底面抵接。当该抵接后也继续升降部件405的上升时，将支承着边缘环的覆盖环Ca向升降部件405交接并支承。
然后，进行输送臂71的从等离子体处理腔室100的抽出即退避，然后，进行升降部件405的下降，由此，将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca载置于晶片支承台400的环状部件载置面。
因此，一连串的支承着边缘环Fa的覆盖环Ca的安装处理完成。
接着，对使用等离子体处理系统1a进行的、支承着边缘环Fa的状态下的覆盖环Ca的拆卸处理的一例进行说明。此外，以下的处理在控制装置80的控制下进行。
首先，进行所有的升降部件405的上升，将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca从晶片支承台400的环状部件载置面向升降部件405交接。然后，也继续升降部件405的上升，支承着边缘环Fa的覆盖环Ca向上方移动。
接着，从等离子体处理系统1a的真空气氛的传输组件50向被减压的等离子体处理腔室100内，经由送入送出口(未图示)插入输送臂71。然后，在晶片支承台400的环状部件载置面与支承着边缘环Fa的覆盖环Ca之间移动输送臂71。
接着，进行升降部件405的下降，将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca从升降部件405向输送臂71交接。然后，将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出，将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca向处理组件60外送出。然后，支承着边缘环Fa的覆盖环Ca利用输送臂71收纳于收纳组件62。
因此，一连串的支承着边缘环Fa的覆盖环Ca的拆卸处理完成。
接着，使用图16～图21，对使用等离子体处理系统1a进行的边缘环Fa单体的拆卸处理的一例进行说明。此外，以下的处理在控制装置80的控制下进行。另外，边缘环Fa单体的安装处理中，使用治具J。治具J构成为可不支承覆盖环Ca而仅支承边缘环Fa，例如，是具有比边缘环Fa的内径长且比覆盖环Ca的内径短的部分的板状的部件。具体而言，治具J是例如具有俯视时比边缘环Fa的内径长且比覆盖环Ca的内径短的对角线的大致矩形状的板状部件，另外，也可以是具有比边缘环Fa的内径长且比覆盖环Ca的内径短的直径的圆板状的部件。
在边缘环Fa单体的拆卸处理中，首先，进行所有的升降部件405的上升，将支承着边缘环F的覆盖环C从静电吸盘402的周缘部的上表面402a和支承体403的上表面403a(即，晶片支承台400的环状部件载置面)向升降部件405交接。然后，也继续升降部件405的上升，如图16所示，支承着边缘环Fa的覆盖环Ca移动至上方。
接着，从等离子体处理系统1的真空气氛的传输组件50，向被减压的等离子体处理腔室100内，经由送入送出口(未图示)插入从处理组件60取出并保持了治具J的输送臂71。然后，如图17所示，在静电吸盘402的周缘部的上表面402a及支承体403的上表面403a与支承着边缘环Fa的覆盖环Ca之间移动由输送臂71保持的治具J。
接着，进行相对于晶片W的升降部件的一例即升降销106的上升，如图18所示，从输送臂71向升降销106交接治具J。
接着，进行输送臂71的从等离子体处理腔室100的抽出即退避，然后，使升降部件405和升降销106相对性地移动，具体而言，仅使升降部件405下降。由此，如图19所示，将边缘环Fa从覆盖环Ca向治具J交接。然后，仅使升降部件405连续下降，由此，从升降部件405向环状部件载置面交接覆盖环Ca。
接着，向等离子体处理腔室100内，经由送入送出口(未图示)插入输送臂71。然后，如图20所示，在覆盖环Ca与支承着边缘环Fa的治具J之间移动输送臂71。
接着，将升降销106下降，如图21所示，从升降销106向输送臂71交接支承着边缘环Fa的治具J。
然后，将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出，来将支承着边缘环Fa的治具J从等离子体处理腔室100送出。支承着边缘环Fa的治具J利用输送臂71被收纳于收纳组件62。因此，一连串的边缘环Fa单体的拆卸处理完成。
接着，对使用等离子体处理系统1a进行的边缘环Fa单体的安装处理的一例进行说明。此外，以下的处理在控制装置80的控制下被进行。另外，如以下说明，在边缘环Fa单体的安装处理中也与拆卸处理同样，使用治具J。
首先，利用等离子体处理系统1a的真空气氛的传输组件50的输送臂71，从收纳组件62，取出并保持支承着边缘环Fa的治具J。接着，向安装对象的处理组件60所具有的被减压的等离子体处理腔室100内，经由送入送出口(未图示)插入保持有支承着边缘环Fa的治具J的输送臂71。然后，如图22所示，利用输送臂71向静电吸盘402的中央部的上表面104a的上方输送支承着边缘环Fa的治具J。
接着，进行升降销106的上升，如图23所示，从输送臂71向升降销106交接支承着边缘环Fa的治具J。
接着，进行输送臂71的从等离子体处理腔室100的抽出即退避，然后，进行仅支承着覆盖环Ca的升降部件405的上升，由此，如图24所示，从升降销106上的治具J向覆盖环Ca交接边缘环Fa。
接着，经由送入送出口(未图示)，向等离子体处理腔室100内再次插入输送臂71。然后，如图25所示，在静电吸盘402的中央部的上表面(即基片载置面)104a与治具J之间移动输送臂71。
接着，将升降销106下降，如图26所示，从升降销106向输送臂71交接未支承边缘环Fa的治具J。
然后，将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出，将治具J从等离子体处理腔室100送出。治具J利用输送臂71被收纳于收纳组件62。
另外，进行升降部件405的下降，由此，如图27所示，支承着边缘环Fa的覆盖环Ca以跨静电吸盘402的周缘部的上表面402a和支承体403的上表面403a的方式载置。
因此，一连串的边缘环Fa单体的拆卸处理完成。
如上所述，根据本实施方式，在使用边缘环Fa和覆盖环Ca双方的等离子体处理系统1a中的边缘环Fa的更换时，能够选择性地进行被支承于覆盖环Ca的状态下的更换和边缘环单体的更换。另外，根据本实施方式，由于边缘环Fa的更换能够在被支承于覆盖环Ca的状态下进行，即，能够同时更换边缘环Fa和覆盖环Ca，因此，能够进一步缩短这些更换所需的时间。另外，不需要设置使边缘环Fa升降的机构，因此，能够实现低成本化。另外，根据本实施方式，在不需要覆盖环Ca的更换，仅需要边缘环Fa的更换的情况下，即使不设置使边缘环Fa直接升降的机构，也能够仅更换边缘环Fa。
此外，也可以将支承着边缘环Fa的覆盖环Ca和治具J的至少任一者收纳于载置于装载端口32的容器内。
另外，边缘环为以下的第一环状部件的一例，覆盖环为以下的第二环状部件的一例。第一环状部件是以包围载置于晶片支承台的基片的方式配置的环状部件，第二环状部件是以俯视时与第一环状部件至少一部分重叠的方式形成的环状部件。更具体而言，第二环状部件构成为可支承第一环状部件，且形成为俯视时与该第一环状部件至少一部分重叠。第二环状部件在例如与该第二环状部件大致同心的状态下支承第一环状部件。
以上，通过使用边缘环和覆盖环的例子对本实施方式的技术进行了说明，但本实施方式的技术如果是使用上述第一环状部件及第二环状部件的等离子体处理系统，则能够应用。
通过相对于使用这些第一环状部件及第二环状部件的等离子体处理系统，应用本实施方式的技术，能够在更换第一环状部件时，选择性地进行被支承于第二环状部件的状态下的更换和第一环状部件单体的更换。
以上，对各种示例的实施方式进行了说明，但不限定于上述的示例的实施方式，也可以进行各种追加、省略、置换及变更。另外，可组合不同的实施方式的要素并形成其他的实施方式。
除了以上的实施方式之外，还公开以下的备注。
[备注1]
一种基片支承台，其具有：
载置基片的基片载置面；
以包围被保持于基片载置面的基片的方式载置环状部件的环状部件载置面；
3个以上的升降销，其构成为可从环状部件载置面伸出，且以可调节从环状部件载置面伸出的伸出量的方式升降；和
使升降销升降的升降机构，
在上述环状部件的底面的与升降销各自对应的位置设置有由向上方凹陷的凹面形成的凹部，
升降销的上端部的曲率比凹部的曲率大。
[备注2]
根据备注1所记载的基片支承台，在俯视时，凹部的开口部比环状部件向环状部件载置面的上方去的输送误差大。
[备注3]
根据备注1或2所记载的基片支承台，升降机构使升降销分别独立地升降。

Claims (5)

1.一种等离子体处理系统，其特征在于，包括：
等离子体处理装置，其具有基片支承台和在内部能够设置所述基片支承台的可减压的处理容器，所述等离子体处理装置对所述基片支承台上的基片进行等离子体处理；
输送装置，其具有支承所述基片的支承部，通过使所述支承部向所述处理容器插入或抽出来使所述基片相对于所述处理容器送入送出；和
控制装置，
所述基片支承台具有：
载置所述基片的基片载置面；
在覆盖环支承着边缘环的状态下载置所述覆盖环的环状部件载置面，其中，所述边缘环以包围被保持于所述基片载置面的基片的方式配置，所述覆盖环覆盖所述边缘环的外侧面；
升降部件，其以能够从所述环状部件载置面中的俯视时与所述覆盖环重叠的部分伸出的方式升降；
升降机构，其能够使所述升降部件升降；
其他升降部件，其以能够从所述基片载置面伸出的方式升降；和
其他升降机构，其能够使所述其他升降部件升降，
所述输送装置的所述支承部构成为能够对支承着所述边缘环的所述覆盖环进行支承，且能够支承具有比所述边缘环的内径长的部分的治具，
所述控制装置控制所述升降机构、所述输送装置和所述其他升降机构，以执行以下步骤：
使所述升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述环状部件载置面向所述升降部件交接的步骤；
使被所述支承部支承的所述治具在所述基片载置面和所述环状部件载置面与支承着所述边缘环的所述覆盖环之间移动的步骤；
使所述其他升降部件上升，将所述治具从所述支承部向所述其他升降部件交接的步骤；
所述支承部退避后，使所述升降部件和所述其他升降部件相对地移动，将所述边缘环从所述覆盖环向所述治具交接的步骤；
仅使所述升降部件下降，将所述覆盖环从所述升降部件向所述环状部件载置面交接的步骤；
使所述支承部移动到所述覆盖环与支承着所述边缘环的所述治具之间后，使所述其他升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述治具从所述其他升降部件交接到所述支承部的步骤；和
将所述支承部从所述处理容器抽出，来将支承着所述边缘环的所述治具从所述处理容器送出的步骤。
2.一种等离子体处理系统中的边缘环的更换方法，其特征在于：
所述等离子体处理系统包括：
等离子体处理装置，其具有基片支承台和在内部能够设置所述基片支承台的可减压的处理容器，所述等离子体处理装置对所述基片支承台上的基片进行等离子体处理；和
输送装置，其具有支承所述基片的支承部，通过使所述支承部向所述处理容器插入或抽出来使所述基片相对于所述处理容器送入送出，
所述基片支承台具有：
载置所述基片的基片载置面；
在覆盖环支承着边缘环的状态下载置所述覆盖环的环状部件载置面，其中，所述边缘环以包围被保持于所述基片载置面的基片的方式配置，所述覆盖环覆盖所述边缘环的外侧面；
升降部件，其以能够从所述环状部件载置面中的俯视时与所述覆盖环重叠的部分伸出的方式升降；和
其他升降部件，其以能够从所述基片载置面伸出的方式升降，
所述边缘环的更换方法包含拆卸所述边缘环的步骤，
拆卸所述边缘环的步骤包含：
使所述升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述环状部件载置面向所述升降部件交接的步骤；
使被所述支承部支承的治具在所述基片载置面和所述环状部件载置面与支承着所述边缘环的所述覆盖环之间移动的步骤；
使所述其他升降部件上升，将所述治具从所述支承部向所述其他升降部件交接的步骤；
所述支承部退避后，使所述升降部件和所述其他升降部件相对地移动，将所述边缘环从所述覆盖环向所述治具交接的步骤；
仅使所述升降部件下降，将所述覆盖环从所述升降部件向所述环状部件载置面交接的步骤；
使所述支承部移动到所述覆盖环与支承着所述边缘环的所述治具之间后，使所述其他升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述治具从所述其他升降部件交接到所述支承部的步骤；和
将所述支承部从所述处理容器抽出，来将支承着所述边缘环的所述治具从所述处理容器送出的步骤。
3.根据权利要求2所述的边缘环的更换方法，其特征在于：
包含安装所述边缘环的步骤，
安装所述边缘环的步骤包含：
使支承着所述边缘环且被支承于所述支承部的所述治具向所述基片载置面的上方移动的步骤；
使所述其他升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述治具从所述支承部向所述其他升降部件交接的步骤；
所述支承部退避后，使仅支承着所述覆盖环的所述升降部件上升，从所述治具向所述覆盖环交接所述边缘环的步骤；
使所述支承部移动到所述基片载置面与所述治具之间后，使所述其他升降部件下降，将所述治具从所述其他升降部件交接到所述支承部的步骤；
将所述支承部从所述处理容器抽出，来将所述治具从所述处理容器送出的步骤；和
使所述升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述覆盖环载置于所述环状部件载置面的步骤。
4.根据权利要求2或3所述的边缘环的更换方法，其特征在于：
包含安装所述边缘环的其他步骤，
安装所述边缘环的其他步骤包含：
向所述环状部件载置面的上方输送被支承于所述支承部且支承着所述边缘环的所述覆盖环的步骤；
使所述升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述支承部向所述升降部件交接的步骤；和
所述支承部退避后，使所述升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述覆盖环载置于所述环状部件载置面的步骤。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的边缘环的更换方法，其特征在于：
包含拆卸所述边缘环的其他步骤，
拆卸所述边缘环的其他步骤包含：
使所述升降部件上升，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述环状部件载置面向所述升降部件交接的步骤；
使所述支承部移动到所述覆盖环与所述环状部件载置面之间后，使所述升降部件下降，将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述升降部件向所述支承部交接的步骤；和
将所述支承部从所述处理容器抽出，来将支承着所述边缘环的所述覆盖环从所述处理容器送出的步骤。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7134104B2 (ja) * 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
TW202137326A (zh) * 2020-03-03 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板支持台、電漿處理系統及環狀構件之安裝方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20170263478A1 (en) * 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
CN108369922B (zh) * 2016-01-26 2023-03-21 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
WO2021030184A1 (en) * 2019-08-14 2021-02-18 Lam Research Corporation Moveable edge rings for substrate processing systems
JP2021040011A (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置

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