WO2024071020A1 - 基板処理システム及び搬送方法 - Google Patents

基板処理システム及び搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024071020A1
WO2024071020A1 PCT/JP2023/034678 JP2023034678W WO2024071020A1 WO 2024071020 A1 WO2024071020 A1 WO 2024071020A1 JP 2023034678 W JP2023034678 W JP 2023034678W WO 2024071020 A1 WO2024071020 A1 WO 2024071020A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ring
substrate
unit
vacuum
control unit
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/034678
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
樹 岡村
正知 北
永泰 宋
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Publication of WO2024071020A1 publication Critical patent/WO2024071020A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing system and a transport method.
  • Patent Document 1 proposes a method for replacing a ring assembly arranged to surround a substrate in a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate supported by a substrate support.
  • This disclosure provides technology that can suppress contamination of substrates.
  • a substrate processing system includes a plurality of processing sections, each having a substrate support section for supporting a substrate and a ring disposed around the substrate, a vacuum transfer section connected to the plurality of processing sections, a storage section for storing the ring, and a control section, the vacuum transfer section having a transfer robot for transporting the substrate or the ring, and the control section controls the system to perform a process of removing all substrates from the plurality of processing sections and the vacuum transfer section, and a process of transporting the ring between at least one of the plurality of processing sections and the storage section after the removing process.
  • This disclosure makes it possible to suppress contamination of the substrate.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a ring storage section.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a plasma processing apparatus.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a portion of FIG. 3 .
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another example of a plasma processing apparatus.
  • 4 is a flowchart illustrating a conveying method according to a first example of an embodiment.
  • 10 is a flowchart showing a conveying method according to a second example of the embodiment.
  • 13 is a flowchart illustrating a conveying method according to a third example of an embodiment.
  • 13 is a flowchart illustrating a conveying method according to a fourth example of an embodiment.
  • 13 is a flowchart illustrating a conveying method according to a fifth example of an embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a substrate processing system PS according to an embodiment.
  • the substrate processing system PS is a system capable of performing various processes such as plasma processing on a substrate W.
  • the substrate W may be, for example, a semiconductor wafer.
  • the substrate processing system PS has a vacuum transfer unit TM, multiple processing units PM1-PM7, a ring storage unit RSM, multiple vacuum reserve units LL1-LL3, an atmospheric transfer unit LM, load ports LP1-LP4, an aligner AN, and a control unit CU.
  • the vacuum transfer unit TM is also called a transfer module.
  • the processing units PM1-PM7 are also called process modules.
  • the ring storage unit RSM is also called a ring stocker module.
  • the vacuum reserve units LL1-LL3 are also called load lock modules.
  • the atmospheric transfer unit LM is also called a loader module.
  • the vacuum transfer unit TM has a rectangular shape in a plan view.
  • the vacuum transfer unit TM is connected to the processing units PM1 to PM7, the vacuum reserve units LL1 to LL3, and the ring storage unit RSM.
  • the vacuum transfer unit TM has a vacuum transfer chamber. The interior of the vacuum transfer chamber is maintained in a vacuum atmosphere.
  • the vacuum transfer robot TR1 is provided inside the vacuum transfer chamber.
  • the vacuum transport robot TR1 is configured to be able to rotate, extend, retract and rise and fall freely.
  • the vacuum transport robot TR1 has an upper fork FK1 and a lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 holds and transports the substrate W, inner ring 113a, outer ring 113b, lower ring 221 and upper ring 222 with the upper fork FK1 and lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 holds and transports the substrate W, inner ring 113a, outer ring 113b, lower ring 221 and upper ring 222 between processing units PM1-PM7, vacuum reserve units LL1-LL3 and ring storage unit RSM.
  • a position detection sensor S1 is provided on the upper fork FK1.
  • a position detection sensor S2 is provided on the lower fork FK2.
  • the position detection sensors S1 and S2 detect the positions of the inner ring 113a, the outer ring 113b, the lower ring 221, and the upper ring 222 provided in the processing units PM1 to PM7.
  • the position detection sensors S1 and S2 may be, for example, optical sensors or cameras.
  • the inner ring 113a, the outer ring 113b, the lower ring 221, and the upper ring 222 will be described later.
  • Position detection sensors S11, S12 may be provided in the vacuum transport unit TM.
  • the position detection sensors S11, S12 are provided on the transport path of the substrate W and inner ring 113a transported from the vacuum transport unit TM to the processing unit PM1.
  • the position detection sensors S11, S12 are used to correct the position of the substrate W and inner ring 113a transported from the vacuum transport unit TM to the processing unit PM1.
  • the position detection sensors S11, S12 are provided, for example, near a gate valve (not shown) that separates the vacuum transport unit TM and the processing unit PM1.
  • the position detection sensors S11, S12 are positioned, for example, such that the distance between them is smaller than the outer diameter of the substrate W and smaller than the inner diameter of the inner ring 113a.
  • the vacuum transfer section TM may be provided with position detection sensors S21, S22, S31, S32, S41, S42, S51, S52, S61, S62, S71, and S72, in addition to the position detection sensors S11
  • the processing units PM1 to PM7 are connected to the vacuum transfer unit TM.
  • the processing units PM1 to PM7 have a vacuum processing chamber.
  • a substrate support unit (not shown) is provided inside the vacuum processing chamber. After the substrate W is placed on the substrate support unit, the processing units PM1 to PM7 reduce the pressure inside, introduce a processing gas, apply RF power to generate plasma, and use the plasma to perform plasma processing on the substrate W.
  • the vacuum transfer unit TM and the processing units PM1 to PM7 are separated by a gate valve (not shown) that can be opened and closed.
  • a gate valve not shown
  • an inner ring 113a and an outer ring 113b are arranged on the substrate support unit.
  • a lower ring 221 and an upper ring 222 may be arranged on the substrate support unit.
  • the ring storage unit RSM is connected to the vacuum transfer unit TM.
  • the ring storage unit RSM is configured to store, for example, the inner ring 113a and the outer ring 113b.
  • the ring storage unit RSM may be configured to store only the inner ring 113a.
  • the ring storage unit RSM may be configured to store only the outer ring 113b. Details of the ring storage unit RSM will be described later.
  • the inner ring 113a and the outer ring 113b are transported between the processing units PM1 to PM7 and the ring storage unit RSM by the vacuum transfer robot TR1.
  • the vacuum transfer unit TM and the ring storage unit RSM are separated by a gate valve (not shown) that can be opened and closed freely.
  • the ring storage unit RSM is an example of a storage unit.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 are provided between the vacuum transfer unit TM and the atmospheric transfer unit LM.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 are connected to the vacuum transfer unit TM and the atmospheric transfer unit LM.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 have an internal pressure variable chamber whose interior can be switched between vacuum and atmospheric pressure.
  • a stage is provided inside the internal pressure variable chamber. The stage is configured to support the substrate W, lower ring 221 and upper ring 222.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 transfer the substrate W from the vacuum transfer unit TM to the atmospheric transfer unit LM, they receive the substrate W from the vacuum transfer unit TM while maintaining a vacuum inside, and then raise the pressure inside to atmospheric pressure before transferring the substrate W to the atmospheric transfer unit LM.
  • the process for transferring the lower ring 221 and the upper ring 222 may be similar to that for transferring the substrate W.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 and the vacuum transfer unit TM are separated by a gate valve (not shown) that can be opened and closed freely.
  • the vacuum reserve units LL1 to LL3 and the atmospheric transfer unit LM are separated by a gate valve (not shown) that can be opened and closed freely.
  • the atmospheric transfer unit LM is provided opposite the vacuum transfer unit TM.
  • the atmospheric transfer unit LM may be, for example, an EFEM (Equipment Front End Module).
  • the atmospheric transfer unit LM has a rectangular shape in a plan view.
  • the atmospheric transfer unit LM has an atmospheric transfer chamber. The interior of the atmospheric transfer chamber is maintained at atmospheric pressure.
  • An atmospheric transfer robot TR2 is provided inside the atmospheric transfer chamber. The atmospheric transfer robot TR2 holds and transfers the substrate W, lower ring 221, and upper ring 222 between the load ports LP1 to LP4, the aligner AN, and the vacuum reserve units LL1 to LL3.
  • the atmospheric transfer unit LM may have an FFU (Fan Filter Unit).
  • the load ports LP1 to LP4 are connected to the atmospheric transfer unit LM.
  • Various containers are placed on the load ports LP1 to LP4.
  • the various containers may include a substrate storage container CS1 and a ring storage container CS2.
  • the substrate storage container CS1 may be, for example, a FOUP (Front-Opening Unified Pod) that stores a plurality of substrates W (for example, 25 sheets).
  • the ring storage container CS2 may be, for example, a container that stores a plurality of lower rings 221 and upper rings 222.
  • a ring storage shelf may be provided inside the atmospheric transfer chamber, and the ring storage shelf may be configured to store a plurality of lower rings 221 and upper rings 222.
  • the ring storage container CS2 and the ring storage shelf are examples of a storage unit.
  • the example of FIG. 1 shows a case where the substrate storage container CS1 is placed on the load port LP1, and the ring storage container CS2 is placed on the load port LP4.
  • the aligner AN is connected to the atmospheric transfer unit LM.
  • the aligner AN is configured to adjust the position of the substrate W.
  • the aligner AN may be configured to adjust the positions of the lower ring 221 and the upper ring 222.
  • the aligner AN may be provided inside the atmospheric transfer chamber.
  • the control unit CU controls each part of the substrate processing system PS.
  • the control unit CU controls, for example, the operation of the vacuum transfer robot TR1, the operation of the atmospheric transfer robot TR2, and the opening and closing of the gate valve.
  • the control unit CU may be, for example, a computer.
  • the control unit CU has a CPU (Central Processing Unit), RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), auxiliary storage device, etc.
  • the CPU operates based on a program stored in the ROM or the auxiliary storage device, and controls each part of the substrate processing system PS.
  • ring storage portion RSM The ring storage portion RSM will be described with reference to Fig. 2.
  • Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the ring storage portion RSM.
  • the ring storage unit RSM has a chamber 70 installed on a frame 60, and a machine room 81 on the upper part of the chamber 70.
  • the chamber 70 is configured so that the inside of the chamber 70 can be depressurized. Nitrogen ( N2 ) gas, for example, is supplied to the chamber 70 as a purge gas. This allows the pressure inside the chamber 70 to be adjusted.
  • the machine room 81 has, for example, an atmospheric pressure atmosphere.
  • a storage 75 is installed, which has a stage 73 and a cage 74 attached to the bottom of the stage 73.
  • the storage 75 is configured so that it can be raised and lowered by a ball screw 76.
  • a line sensor 82 that detects the position and orientation of the inner ring 113a and the outer ring 113b, and a motor 77 that drives the ball screw 76 are installed.
  • a window 84 made of quartz or the like is provided so that the line sensor 82 can receive light from a light-emitting unit 83 described below.
  • the line sensor 82 detects the amount of light emitted from the light-emitting unit 83 and outputs the detected amount of light to the control unit CU.
  • the control unit CU detects the orientation flats of the inner ring 113a and the outer ring 113b by utilizing the fact that the detected amount of light changes depending on the presence or absence of orientation flats on the inner ring 113a and the outer ring 113b.
  • the control unit CU detects the orientations of the inner ring 113a and the outer ring 113b based on the detected orientation flats.
  • the line sensor 82 is, for example, a line sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor).
  • the basket 74 is provided at the bottom of the stage 73.
  • a cassette 78 is placed inside the basket 74.
  • the cassette 78 is a storage container that can be removed from the basket 74.
  • the cassette 78 stores a plurality of inner rings 113a and outer rings 113b with some spacing between them in the vertical direction. In the example of FIG. 2, the cassette 78 stores a plurality of inner rings 113a.
  • the storage 75 has a guide 79 on its side that is supported by a ball screw 76.
  • the ball screw 76 connects the upper and lower surfaces of the chamber 70, and passes through the upper surface of the chamber 70 to be connected to a motor 77 in the machine room 81. The penetration in the upper surface of the chamber 70 is sealed so that the ball screw 76 can rotate. The ball screw 76 can be rotated by the motor 77 to move the storage 75 up and down (Z-axis direction).
  • the upper fork FK1 and lower fork FK2 of the vacuum transport robot TR1 can be inserted into the chamber 70.
  • the upper fork FK1 and lower fork FK2 for example, carry the inner ring 113a and the outer ring 113b into the cassette 78 and carry the inner ring 113a and the outer ring 113b placed in the cassette 78 out.
  • the upper fork FK1 and lower fork FK2 for example, place the inner ring 113a and the outer ring 113b on the stage 73 and retrieve the inner ring 113a and the outer ring 113b placed on the stage 73.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the plasma processing apparatus.
  • Fig. 4 is an enlarged view of a part of Fig. 3.
  • the plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, an RF power supply unit 30, an exhaust system 40, a lifter 50, and a control unit 90.
  • the plasma processing chamber 10 includes a substrate support 11 and an upper electrode 12.
  • the substrate support 11 is disposed in a lower region of the plasma processing space 10s in the plasma processing chamber 10.
  • the upper electrode 12 is disposed above the substrate support 11 and can function as part of the top plate of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support 11 supports the substrate W in the plasma processing space 10s.
  • the substrate support 11 includes a lower electrode 111, an electrostatic chuck 112, a ring assembly 113, and an insulating member 115.
  • the electrostatic chuck 112 is disposed on the lower electrode 111.
  • the electrostatic chuck 112 has an upper surface including a substrate support surface 112a and a ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 supports the substrate W on the substrate support surface 112a.
  • the electrostatic chuck 112 supports the inner ring 113a on the ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 has an insulating member 112c, a first adsorption electrode 112d, and a second adsorption electrode 112e.
  • the first adsorption electrode 112d and the second adsorption electrode 112e are embedded in the insulating member 112c.
  • the first adsorption electrode 112d is located below the substrate support surface 112a.
  • the electrostatic chuck 112 adsorbs and holds the substrate W on the substrate support surface 112a by applying a voltage to the first adsorption electrode 112d.
  • the second adsorption electrode 112e is located below the ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 attracts and holds the inner ring 113a on the ring support surface 112b by applying a voltage to the second attraction electrode 112e.
  • the electrostatic chuck 112 includes a monopolar electrostatic chuck that attracts and holds the substrate W, and a bipolar electrostatic chuck that attracts and holds the inner ring 113a.
  • a bipolar electrostatic chuck may be used instead of the monopolar electrostatic chuck, and a monopolar electrostatic chuck may be used instead of the bipolar electrostatic chuck.
  • the ring assembly 113 includes an inner ring 113a and an outer ring 113b.
  • the inner ring 113a has a circular ring shape.
  • the inner ring 113a is arranged around the substrate W on the upper peripheral surface of the lower electrode 111.
  • the inner ring 113a improves the uniformity of the plasma processing on the substrate W.
  • the inner ring 113a is formed of a conductive material such as silicon (Si) or silicon carbide (SiC).
  • the inner ring 113a may be formed of an insulating material such as quartz.
  • the outer ring 113b has a circular ring shape.
  • the outer ring 113b is arranged on the outer periphery of the inner ring 113a.
  • the outer ring 113b protects the upper surface of the insulating member 115 from, for example, plasma.
  • the outer ring 113b is formed of an insulating material such as quartz.
  • the outer ring 113b may be formed of a conductive material such as silicon or silicon carbide.
  • the inner circumference of the outer ring 113b is located inside the outer circumference of the inner ring 113a, and the outer circumference of the inner ring 113a is located outside the inner circumference of the outer ring 113b, so that the inner ring 113a and the outer ring 113b partially overlap.
  • the outer circumference of the inner ring 113a overlaps with the inner circumference of the outer ring 113b in a top view.
  • the outer ring 113b and the inner ring 113a are raised and lowered as a unit.
  • the ring assembly 113 may be a single ring.
  • the insulating member 115 is arranged to surround the lower electrode 111.
  • the insulating member 115 is fixed to the bottom of the plasma processing chamber 10 and supports the lower electrode 111.
  • the upper electrode 12 and the insulating member 13 constitute the plasma processing chamber 10.
  • the upper electrode 12 supplies one or more types of processing gas from the gas supply unit 20 to the plasma processing space 10s.
  • the upper electrode 12 includes a top plate 121 and a support 122.
  • the lower surface of the top plate 121 defines the plasma processing space 10s.
  • the top plate 121 is provided with a plurality of gas inlets 121a. Each of the plurality of gas inlets 121a penetrates the top plate 121 in the plate thickness direction (vertical direction).
  • the support 122 supports the top plate 121 in a removable manner.
  • a gas diffusion chamber 122a is provided inside the support 122.
  • a plurality of gas inlets 122b extend downward from the gas diffusion chamber 122a.
  • the plurality of gas inlets 122b are each connected to the plurality of gas inlets 121a.
  • the support 122 is provided with a gas supply port 122c.
  • the upper electrode 12 supplies one or more processing gases from the gas supply port 122c through the gas diffusion chamber 122a, the multiple gas inlets 122b, and the multiple gas inlets 121a to the plasma processing space 10s.
  • a loading/unloading port 10p is provided on the side wall of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate W is transported between the plasma processing space 10s and the outside of the plasma processing chamber 10 via the loading/unloading port 10p.
  • the loading/unloading port 10p is opened and closed by a gate valve G.
  • the gas supply unit 20 includes one or more gas sources 21 and one or more flow rate controllers 22.
  • the gas supply unit 20 supplies one or more types of process gas from each gas source 21 to the gas supply port 122c via each flow rate controller 22.
  • the flow rate controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow rate controller.
  • the gas supply unit 20 may include one or more flow rate modulation devices that modulate or pulse the flow rate of one or more process gases.
  • the RF power supply unit 30 includes two RF power sources (first RF power source 31a, second RF power source 31b) and two matchers (first matcher 32a, second matcher 32b).
  • the first RF power source 31a supplies the first RF power to the lower electrode 111 via the first matcher 32a.
  • the frequency of the first RF power may be, for example, 13 MHz to 150 MHz.
  • the second RF power source 31b supplies the second RF power to the lower electrode 111 via the second matcher 32b.
  • the frequency of the second RF power may be, for example, 400 kHz to 13.56 MHz.
  • a DC power source may be used instead of the second RF power source 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • the lifter 50 includes a first lifter 51 and a second lifter 52.
  • the first lifter 51 includes a plurality of support pins 511 and an actuator 512.
  • the plurality of support pins 511 are inserted into through holes H1 formed in the lower electrode 111 and the electrostatic chuck 112, and can be protruded and retracted from the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the plurality of support pins 511 protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 112, and support the substrate W by abutting their upper ends against the lower surface of the substrate W.
  • the actuator 512 raises and lowers the plurality of support pins 511.
  • the actuator 512 for example, a motor such as a DC motor, a stepping motor, or a linear motor, an air-driven mechanism such as an air cylinder, or a piezoelectric actuator can be used.
  • the first lifter 51 raises and lowers the plurality of support pins 511, for example, when transferring the substrate W between the vacuum transport robot TR1 and the substrate support unit 11.
  • the second lifter 52 includes a plurality of support pins 521 and an actuator 522.
  • the support pin 521 is a stepped support pin formed from a cylindrical (solid rod-like) member.
  • the support pin 521 has a lower pin 523 and an upper pin 524.
  • the upper pin 524 is provided on the lower pin 523.
  • the outer diameter of the lower pin 523 is larger than the outer diameter of the upper pin 524.
  • a step is formed by the upper end surface 523a of the lower pin 523.
  • the lower pin 523 and the upper pin 524 are, for example, integrally molded.
  • the support pin 521 is inserted through a through hole H11 formed in the lower electrode 111, a through hole H12 formed in the insulating member 115, and a through hole H13 formed in the outer ring 113b, and can protrude and retract relative to the upper surface of the insulating member 115 and the upper surface of the outer ring 113b.
  • the inner diameters of the through holes H11 and H12 are slightly larger than the outer diameter of the lower pin 523.
  • the inner diameter of the through hole H13 is slightly larger than the outer diameter of the upper pin 524 and smaller than the outer diameter of the lower pin 523.
  • the support pin 521 can be displaced between a standby position, a first support position, and a second support position.
  • the standby position is a position where the upper end surface 524a of the upper pin 524 is lower than the lower surface of the inner ring 113a.
  • the first support position is a position above the standby position.
  • the first support position is a position where the upper end surface 524a of the upper pin 524 protrudes above the upper surface of the outer ring 113b and the upper end surface 523a of the lower pin 523 is below the lower surface of the outer ring 113b.
  • the support pin 521 supports the inner ring 113a by abutting the upper end surface 524a of the upper pin 524 against a recess formed in the lower surface of the inner ring 113a.
  • the second support position is a position above the first support position.
  • the second support position is a position where the upper end surface 523a of the lower pin 523 protrudes above the upper surface of the insulating member 115.
  • the support pin 521 abuts the upper end surface 524a of the upper pin 524 against the recess to support the inner ring 113a, and also abuts the upper end surface 523a of the lower pin 523 against the lower surface of the outer ring 113b to support the outer ring 113b.
  • Actuator 522 raises and lowers the multiple support pins 521. Actuator 522 may be configured similarly to actuator 512.
  • the second lifter 52 When transferring the inner ring 113a between the vacuum transfer robot TR1 and the substrate support unit 11, the second lifter 52 lifts the inner ring 113a by moving the multiple support pins 521 to a first support position. When transferring the inner ring 113a and the outer ring 113b between the vacuum transfer robot TR1 and the substrate support unit 11, the second lifter 52 lifts the inner ring 113a and the outer ring 113b by moving the multiple support pins 521 to a second support position.
  • the control unit 90 controls each part of the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 90 includes, for example, a computer 91.
  • the computer 91 includes, for example, a CPU 911, a memory unit 912, and a communication interface 913.
  • the CPU 911 can be configured to perform various control operations based on programs stored in the memory unit 912.
  • the memory unit 912 includes at least one memory type selected from a group consisting of auxiliary storage devices such as RAM, ROM, HDD (Hard Disk Drive), and SSD (Solid State Drive).
  • the communication interface 913 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • the control unit 90 may be provided separately from the control unit CU, or may be included in the control unit CU.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a plasma processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus 1A shown in FIG. 5 differs from the plasma processing apparatus 1 in that it has a substrate support portion 16 instead of the substrate support portion 11, and a ring assembly 220 instead of the ring assembly 113.
  • the rest of the configuration may be the same as that of the plasma processing apparatus 1. The following description will focus on the differences from the plasma processing apparatus 1.
  • the plasma processing apparatus 1A has a substrate support part 16.
  • the substrate support part 16 is provided inside the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support part 16 supports the substrate W.
  • the substrate support part 16 is supported by a support part 17.
  • the support part 17 extends upward from the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the support part 17 has a cylindrical shape.
  • the support part 17 is formed from an insulating material such as quartz.
  • the substrate support 16 has a first region 161 and a second region 162.
  • the first region 161 supports the substrate W.
  • the first region 161 is a substantially circular region in a plan view.
  • the first region 161 may include a base 18 and an electrostatic chuck 19.
  • the first region 161 may be formed of a portion of the base 18 and a portion of the electrostatic chuck 19.
  • the base 18 and the electrostatic chuck 19 are provided inside the plasma processing chamber 10.
  • the base 18 is formed of a conductive material such as aluminum.
  • the base 18 has a substantially disc shape.
  • the base 18 constitutes a lower electrode.
  • the substrate support section 16 has a main body section 2 and a ring assembly 220.
  • the main body section 2 has a base 18 and an electrostatic chuck 19.
  • the main body section 2 has a substrate support region 2a for supporting the substrate W, an annular region 2b for supporting the ring assembly 220, and a sidewall 2c extending in the vertical direction between the substrate support region 2a and the annular region 2b.
  • the annular region 2b surrounds the substrate support region 2a.
  • the annular region 2b is located lower than the substrate support region 2a. Therefore, the upper end of the sidewall 2c is connected to the substrate support region 2a, and the lower end of the sidewall 2c is connected to the annular region 2b.
  • a flow path 18f is formed within the base 18.
  • the flow path 18f is a flow path through which a heat exchange medium flows.
  • a heat exchange medium e.g., freon
  • a heat exchange medium supply device e.g., a chiller unit
  • the supply device is provided outside the plasma processing chamber 10.
  • the heat exchange medium is supplied from the supply device to the flow path 18f.
  • the heat exchange medium supplied to the flow path 18f is returned to the supply device.
  • the electrostatic chuck 19 is provided on the base 18. When the substrate W is processed in the plasma processing chamber 10, it is placed on the first region 161 and on the electrostatic chuck 19.
  • the second region 162 extends radially outward from the first region 161 and surrounds the first region 161.
  • the second region 162 is a region that is approximately ring-shaped in a plan view.
  • a ring assembly 220 is placed on the second region 162.
  • the second region 162 may include a base 18.
  • the second region 162 may also include an electrostatic chuck 19.
  • the second region 162 may be composed of another part of the base 18 and another part of the electrostatic chuck 19.
  • the substrate W is placed within the region surrounded by the ring assembly 220 and on the electrostatic chuck 19. Details of the ring assembly 220 will be described later.
  • a through hole 162h is formed in the second region 162.
  • the main body 2 has a through hole 162h formed between the annular region 2b and the lower surface 2d of the main body 2.
  • the through hole 162h is formed in the second region 162 so as to extend along the vertical direction.
  • a plurality of through holes 162h are formed in the second region 162.
  • the number of through holes 162h may be the same as the number of lift pins 720 of the lift mechanism 700 described below.
  • Each through hole 162h is arranged so as to be aligned in a straight line with a corresponding lift pin 720.
  • the electrostatic chuck 19 has a body 19m and an electrode 19e.
  • the body 19m is formed of a dielectric material such as aluminum oxide or aluminum nitride.
  • the body 19m has an approximately disk shape.
  • the electrode 19e is provided inside the body 19m.
  • the electrode 19e has a film shape.
  • a DC power supply is electrically connected to the electrode 19e via a switch. When a voltage from the DC power supply is applied to the electrode 19e, an electrostatic attractive force is generated between the electrostatic chuck 19 and the substrate W. Due to the generated electrostatic attractive force, the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 19 and held by the electrostatic chuck 19.
  • the plasma processing apparatus 1A further has an outer peripheral member 27.
  • the outer peripheral member 27 extends circumferentially radially outward from the substrate support portion 16 so as to surround the substrate support portion 16.
  • the outer peripheral member 27 may also extend circumferentially radially outward from the support portion 17 so as to surround the support portion 17.
  • the outer peripheral member 27 may be composed of one or more parts.
  • the outer peripheral member 27 may be formed from an insulating material such as quartz.
  • the ring assembly 220 and the substrate support 16 will now be described in more detail.
  • the ring assembly 220 includes a lower ring 221 and an upper ring 222.
  • the lower ring 221 and the upper ring 222 each have a circular ring shape.
  • the lower ring 221 and the upper ring 222 each are made of a material appropriately selected depending on the plasma processing performed in the plasma processing apparatus 1A.
  • the lower ring 221 and the upper ring 222 each are made of a conductive material such as silicon or silicon carbide.
  • the lower ring 221 and the upper ring 222 each may be made of an insulating material such as quartz.
  • the lower ring 221 is disposed on the annular region 2b.
  • the lower ring 221 can be placed on the second region 162 and on the electrostatic chuck 19.
  • the lower ring 221 may also be placed on a component other than the electrostatic chuck 19 in the second region 162.
  • the lower surface of the upper ring 222 is generally flat.
  • the lower surface of the upper ring 222 includes a tapered surface and defines a recess.
  • the lower surface of the upper ring 222 defines a plurality of recesses.
  • the number of tapered surfaces and the number of recesses of the upper ring 222 can be the same as the number of lift pins 720 of the lift mechanism 700.
  • Each recess has a size such that the tip of the second columnar portion 722 of the corresponding lift pin 720 fits into it.
  • the upper ring 222 is positioned on the lower ring 221 such that each recess is aligned in a straight line with the corresponding lift pin 720 and the corresponding through hole 221h.
  • the upper ring 222 is accommodated in a recess in the lower ring 221.
  • the lower ring 221 and the upper ring 222 are configured so that when placed on the annular region 2b, the upper surface of the outer portion of the lower ring 221 and the upper surface of the upper ring 222 are at approximately the same height as the upper surface of the substrate W on the substrate support region 2a.
  • the upper ring 222 has an inner peripheral surface 222a that faces the edge surface of the substrate W on the substrate support region 2a when the lower ring 221 and the upper ring 222 are placed on the annular region 2b.
  • the ring assembly 220 may also be a single ring.
  • the substrate support 16 has a lift mechanism 700.
  • the lift mechanism 700 includes lift pins 720 and is configured to raise and lower the lower ring 221 and the upper ring 222.
  • the lift mechanism 700 includes a plurality of lift pins 720.
  • the number of lift pins 720 can be any number as long as they are capable of supporting and raising and lowering the ring assembly 220.
  • the number of lift pins 720 can be, for example, three.
  • Each lift pin 720 may be formed from an insulating material. Each lift pin 720 may be formed from, for example, sapphire, alumina, quartz, silicon nitride, aluminum nitride, or resin. Each lift pin 720 includes a first columnar portion 721 and a second columnar portion 722. The first columnar portion 721 extends in the vertical direction. The first columnar portion 721 has a first upper end surface 721t. The first upper end surface 721t is capable of abutting against the lower surface of the lower ring 221.
  • the second columnar portion 722 extends vertically above the first columnar portion 721.
  • the second columnar portion 722 is narrowed relative to the first columnar portion 721 so as to expose the first upper end surface 721t.
  • the first columnar portion 721 and the second columnar portion 722 each have a cylindrical shape.
  • the diameter of the first columnar portion 721 is larger than the diameter of the second columnar portion 722.
  • the second columnar portion 722 can move up and down through the through hole 221h.
  • the vertical length of the second columnar portion 722 is longer than the vertical thickness of the area of the lower ring 221 on which the upper ring 222 is placed.
  • the second columnar portion 722 has a second upper end surface 722t.
  • the second upper end surface 722t can abut against the upper ring 222.
  • the tip of the second columnar portion 722, including the second upper end surface 722t, may be tapered so as to fit into a corresponding recess in the upper ring 222.
  • the second columnar portion 722 may include a first portion 722a and a second portion 722b.
  • the first portion 722a is columnar and extends upward from the first columnar portion 721.
  • the second portion 722b is columnar and extends above the first portion 722a.
  • the second portion 722b includes a second upper end surface 722t.
  • the width of the first portion 722a is greater than the width of the second portion 722b.
  • Each of the first columnar portion 721, the first portion 722a, and the second portion 722b may have a cylindrical shape.
  • the diameter of the first columnar portion 721 is larger than the diameter of the first portion 722a, and the diameter of the first portion 722a is larger than the diameter of the second portion 722b.
  • the second columnar portion 722 may include a third portion 722c.
  • the third portion 722c extends between the first portion 722a and the second portion 722b.
  • the third portion 722c has a tapered surface.
  • the lift mechanism 700 includes one or more drive devices 740.
  • the one or more drive devices 740 are configured to raise and lower the plurality of lift pins 720.
  • Each of the one or more drive devices 740 may include, for example, a motor.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a transfer method according to a first example of an embodiment.
  • the transfer method according to the first example of an embodiment is a method for replacing both the edge ring FR and the cover ring CR in the above-mentioned substrate processing system PS.
  • the edge ring FR corresponds to the inner ring 113a shown in Fig. 4.
  • the cover ring CR corresponds to the outer ring 113b shown in Fig. 4.
  • the cover ring CR is an example of a first ring
  • the edge ring FR is an example of a second ring.
  • the transport method according to the first example of the embodiment is started, for example, when the control unit CU receives an instruction to replace both the edge ring FR and the covering ring CR.
  • the instruction to replace both the edge ring FR and the covering ring CR includes, for example, information that identifies the processing unit to be replaced.
  • the transport method according to the first example of the embodiment is implemented, for example, when the state of the processing unit to be replaced is in maintenance mode.
  • Maintenance mode is a state in which the loading of substrates into the processing unit, the processing of the substrates in the processing unit, and the removal of the substrates from the processing unit are not automatically performed.
  • the transport method according to the first example of the embodiment may be implemented when the state of the processing unit to be replaced is in production mode.
  • Production mode is a state in which the loading of substrates into the processing unit, the processing of the substrates in the processing unit, and the removal of the substrates from the processing unit are automatically performed.
  • the transport method according to the first example of the embodiment may be implemented, for example, when the state of the processing unit not to be replaced is in maintenance mode, or when the state of the processing unit not to be replaced is in production mode.
  • processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the processing unit to be replaced is one of the other processing units PM2 to PM7, the procedure is the same as when the processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the method in which the processing unit to be replaced is processing unit PM1 is carried out on each of the two or more processing units to be replaced in order.
  • the transfer method according to the first embodiment includes steps S101 to S117 shown in FIG. 6. Steps S101 to S117 are performed by the control unit CU controlling each part of the substrate processing system PS.
  • step S101 when the control unit CU receives a request to replace the ring assembly, it controls the unit to start preparations to replace the ring assembly.
  • the control unit CU waits until the processing is finished, and after processing, controls the processed substrates W to be removed from the processing units PM1-PM7 and transported to the substrate storage container CS1. Also, if there are unprocessed and/or processed substrates W in the vacuum transfer unit TM, vacuum reserve units LL1-LL3, and atmospheric transfer unit LM, the control unit CU controls the unprocessed and/or processed substrates W to be transported to the substrate storage container CS1.
  • the substrates W present in the atmospheric transfer unit LM and vacuum reserve units LL1-LL3 are transported to the substrate storage container CS1 by the atmospheric transfer robot TR2 after, or while, the substrates W present in the vacuum transfer unit TM and/or processing units PM1-PM7 are transported to the vacuum reserve units LL1-LL3 by the vacuum transfer robot TR1.
  • the control unit CU controls all processing units PM1 to PM7, the vacuum transfer unit TM, the vacuum reserve units LL1 to LL3, and the atmospheric transfer unit LM so that no substrates W are present.
  • the control unit CU waits until the processing is finished, and after processing, controls so that the processed substrate W is removed from the processing units PM1-PM7 and transported to the substrate storage container CS1. If there is a processed substrate W in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls so that the processed substrate W is transported to the substrate storage container CS1. Also, if there is an unprocessed substrate W in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls so that the unprocessed substrate W is transported from the vacuum transfer unit TM to the vacuum reserve units LL1-LL3.
  • control unit CU may control so that there are no substrates W in at least all of the processing units PM1-PM7 and the vacuum transfer unit TM.
  • ring replacement may begin after all substrates W have been transported to the substrate storage container CS1, or ring replacement may begin at least once the substrates W have been removed from the vacuum transfer unit TM (even if there are substrates W in the process of being transported from the vacuum reserve units LL1-LL3 or the atmospheric transfer unit LM to the substrate storage container CS1).
  • the control unit CU controls to continue the process, and if the replacement of the ring assembly is not completed after the process is completed, the substrate W waits in the process. If a processed substrate W is present in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls to transport the processed substrate W to the substrate storage container CS1. Also, if an unprocessed substrate W is present in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls to transport the unprocessed substrate W from the vacuum transfer unit TM to the vacuum reserve units LL1 to LL3. In this way, the control unit CU may control so that at least no substrate W is present in the vacuum transfer unit TM.
  • ring replacement may be started after all substrates W are transported to the substrate storage container CS1, or ring replacement may be started at least when substrates W are removed from the vacuum transfer unit TM (even if there are substrates W being transported from the vacuum reserve units LL1 to LL3 or the atmospheric transfer unit LM to the substrate storage container CS1).
  • the control unit CU controls the processing to continue, and if the ring assembly replacement is not completed after the processing is completed, the substrate W waits in the processing unit. If a processed substrate W is present in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls the processed substrate W to be transported to the substrate storage container CS1. Also, if an unprocessed substrate W is present in the vacuum transfer unit TM, the control unit CU controls the substrate W to be transported to the processing unit that is scheduled to be processed. In this way, the control unit CU may control so that at least no substrate W is present in the vacuum transfer unit TM.
  • ring replacement may be started after all substrates W are transported to the substrate storage container CS1, or ring replacement may be started at least when substrates W are removed from the vacuum transfer unit TM (even if there are substrates W being transported from the vacuum reserve units LL1-LL3 or the atmospheric transfer unit LM to the substrate storage container CS1).
  • the request to replace the ring assembly may be input by the operator via a GUI (input screen), or the substrate processing system PS may be configured to automatically start the replacement process when the time for replacement arrives.
  • GUI input screen
  • Step S101 may include the control unit CU determining whether or not there is a substrate W in the atmospheric transfer unit LM, the aligner AN, the vacuum reserve units LL1-LL3, the vacuum transfer unit TM, and the processing units PM1-PM7.
  • the control unit CU determines whether or not there is a substrate W in the atmospheric transfer unit LM, the aligner AN, the vacuum reserve units LL1-LL3, the vacuum transfer unit TM, and the processing units PM1-PM7 based on the transfer history of the substrate W by the vacuum transfer robot TR1.
  • control unit CU determines that there is no substrate W in the atmospheric transfer unit LM, the aligner AN, the vacuum reserve units LL1-LL3, the vacuum transfer unit TM, and the processing units PM1-PM7, it controls to transition to step S102. At least, if the control unit CU determines that there is no substrate W in the vacuum transfer unit TM and the processing units PM1-PM7, it may control to transition to step S102.
  • step S102 the control unit CU stops the adsorption of the used edge ring FR that is adsorbed and held by the electrostatic chuck 112.
  • step S103 the vacuum transport robot TR1 transports the used edge ring FR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 may transport the used edge ring FR from the processing section PM1 using the upper fork FK1.
  • step S104 the vacuum transfer robot TR1 transfers the used edge ring FR, which was removed from the processing unit PM1 in step S103, into the ring storage unit RSM.
  • an aligner (not shown) provided in the ring storage unit RSM aligns (positions) the replacement covering ring CR stored in the ring storage unit RSM.
  • the replacement covering ring CR may be new (unused) or may be used but not significantly worn.
  • the alignment may include aligning the rotational position of the replacement covering ring CR to a target position.
  • the alignment may include aligning the center position of the replacement covering ring CR to the target position.
  • step S106 the vacuum transport robot TR1 removes the replacement cover ring CR that was aligned in step S105 from the ring storage unit RSM using the upper fork FK1.
  • step S107 the vacuum transport robot TR1 uses the lower fork FK2 to transport the used covering ring CR from the processing unit PM1 while holding the replacement covering ring CR transported from the ring storage unit RSM in step S106 with the upper fork FK1.
  • the used covering ring CR may be, for example, a used covering ring that was used when processing a substrate W in the processing unit PM1.
  • step S108 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement covering CR held by the upper fork FK1 into the processing unit PM1.
  • the vacuum transport robot TR1 may transport the replacement covering CR out of the ring storage unit RSM with the lower fork FK2, and in step S107, the vacuum transport robot TR1 may transport the used covering CR out of the processing unit PM1 with the upper fork FK1.
  • step S109 the vacuum transport robot TR1 transports the used cover ring CR, which was removed from the processing unit PM1 in step S107, into the ring storage unit RSM.
  • an aligner (not shown) provided in the ring storage unit RSM aligns the replacement edge ring FR stored in the ring storage unit RSM.
  • the replacement edge ring FR may be new (unused) or may be used and not very worn.
  • the alignment may include aligning the rotational position of the replacement edge ring FR to a target position.
  • the alignment may include aligning the center position of the replacement edge ring FR to the target position.
  • step S111 the vacuum transport robot TR1 removes the replacement edge ring FR, which was aligned in step S110, from the ring storage unit RSM using the upper fork FK1.
  • the vacuum transport robot TR1 may also remove the replacement edge ring FR from the ring storage unit RSM using the lower fork FK2.
  • step S112 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement edge ring FR, which was removed from the ring storage unit RSM in step S111, to the processing unit PM1.
  • step S113 the position detection sensor S1 provided on the upper fork FK1 detects the position of the replacement edge ring FR that has been brought into the processing section PM1.
  • step S114 the control unit CU determines whether or not there is any positional deviation in the replacement edge ring FR based on the position of the replacement edge ring FR detected in step S113. If the control unit CU determines that there is a positional deviation in the replacement edge ring FR (NO in step S114), the process proceeds to step S115. If the control unit CU determines that there is no positional deviation in the replacement edge ring FR (YES in step S114), the process proceeds to step S116.
  • step S115 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement edge ring FR from the processing section PM1 using the upper fork FK1.
  • step S115 the vacuum transport robot TR1 may transport the replacement edge ring FR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • the process returns to step S112, and the vacuum transport robot TR1 transports the replacement edge ring FR transported from the processing section PM1 in step S115 to the processing section PM1 after correcting its position.
  • the replacement edge ring FR may be corrected without being transported from the processing section PM1. In this case, first, the multiple support pins 511 provided in the processing section PM1 are raised to lift the replacement edge ring FR.
  • the vacuum transport robot TR1 causes the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) to enter the processing section PM1.
  • the support pins 511 are lowered, and the replacement edge ring FR is handed over to the upper fork FK1 (or the lower fork FK2).
  • the vacuum transfer robot TR1 adjusts the position of the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) in the processing chamber of the processing unit PM1, thereby correcting the position of the replacement edge ring FR.
  • step S116 the control unit CU starts to attract and hold the replacement edge ring FR using the electrostatic chuck 112.
  • step S117 the control unit CU restarts the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the edge ring FR and the covering ring CR between the processing unit PM1 and the ring storage unit RSM. This prevents the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1 and the transport of the edge ring FR and the covering ring CR by the vacuum transport robot TR1 from being mixed. This makes it possible to suppress adhesion of particles and the like to the substrate W that may occur during the transport of the edge ring FR and the covering ring CR. As a result, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • steps S101 and S102 may be performed in parallel.
  • step S105 may be performed between step S101 and step S102, between step S102 and step S103, or between step S103 and step S104.
  • step S105 may be performed in parallel with at least one of step S102, step S103, and step S104.
  • step S110 may be performed between step S105 and step S106.
  • step S110 may be performed between step S106 and step S107.
  • step S110 may be performed between step S107 and step S108.
  • step S110 may be performed between step S108 and step S109.
  • step S110 may be performed in parallel with at least one of step S106, step S107, step S108, and step S109.
  • steps S101 to S117 shown in FIG. 6 may not be performed. For example, if the edge ring FR is not attracted and held by the electrostatic chuck 112, steps S102 and S116 may be omitted.
  • steps S101 to S117 shown in FIG. 6 may be added to steps S101 to S117 shown in FIG. 6.
  • a position correction of the replacement covering CR may be performed, similar to steps S113, S114, and S115.
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR from a gas supply line (not shown).
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR while the substrate processing is being performed.
  • the heat transfer gas may be, for example, helium (He) gas.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a transfer method according to a second embodiment.
  • the transfer method according to the second embodiment is a method of replacing both the edge ring FR and the cover ring CR in the substrate processing system PS described above.
  • the transport method according to the second example of the embodiment is started, for example, when the control unit CU receives an instruction to replace both the edge ring FR and the covering ring CR.
  • the instruction to replace both the edge ring FR and the covering ring CR includes, for example, information that identifies the processing unit to be replaced.
  • the transport method according to the second embodiment is carried out regardless of the state of the processing unit to be replaced and the state of the processing unit that is not to be replaced, for example, similar to the transport method according to the first embodiment.
  • processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the processing unit to be replaced is one of the other processing units PM2 to PM7, the procedure is the same as when the processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the method in which the processing unit to be replaced is processing unit PM1 is carried out on each of the two or more processing units to be replaced in order.
  • the transfer method according to the second embodiment includes steps S201 to S217 shown in FIG. 7. Steps S201 to S217 are performed by the control unit CU controlling each part of the substrate processing system PS.
  • Steps S201 to S205 may be similar to steps S101 to S105.
  • step S206 the vacuum transport robot TR1 removes the used covering CR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 may remove the used covering CR from the processing section PM1 using the upper fork FK1.
  • step S207 the vacuum transport robot TR1 transports the used cover ring CR, which was removed from the processing unit PM1 in step S206, into the ring storage unit RSM.
  • step S208 the vacuum transport robot TR1 removes the replacement cover ring CR aligned in step S205 from the ring storage unit RSM using the upper fork FK1.
  • the vacuum transport robot TR1 may remove the replacement cover ring CR aligned in step S205 from the ring storage unit RSM using the lower fork FK2.
  • step S209 an aligner (not shown) provided in the ring storage unit RSM aligns the replacement edge ring FR stored in the ring storage unit RSM.
  • step S210 the vacuum transport robot TR1 removes the replacement edge ring FR that was aligned in step S209 from the ring storage unit RSM using a fork that is not holding the replacement cover ring CR, such as the lower fork FK2.
  • step S211 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement cover ring CR held by the upper fork FK1 into the processing unit PM1.
  • Steps S212 to S217 may be similar to steps S112 to S117.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the edge ring FR and the covering ring CR between the processing unit PM1 and the ring storage unit RSM. This prevents the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1 and the transport of the edge ring FR and the covering ring CR by the vacuum transport robot TR1 from being mixed. This makes it possible to suppress adhesion of particles and the like to the substrate W that may occur during the transport of the edge ring FR and the covering ring CR. As a result, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • the vacuum transport robot TR1 does not hold a used ring (used edge ring FR, used cover ring CR) and a replacement ring (replacement edge ring FR, replacement cover ring CR) at the same time. This makes it easier to prevent particles, etc. that may be generated during transport of a used ring, from adhering to the replacement ring.
  • steps S201 and S202 may be performed in parallel.
  • step S205 may be performed between step S201 and step S202, between step S202 and step S203, or between step S203 and step S204.
  • step S205 may be performed in parallel with at least one of step S202, step S203, and step S204.
  • steps S201 to S217 shown in FIG. 7 may not be performed. For example, if the edge ring FR is not attracted and held by the electrostatic chuck 112, steps S202 and S216 may be omitted.
  • steps S201 to S217 shown in FIG. 7.
  • a position correction of the replacement covering CR may be performed, similar to steps S213, S214, and S215.
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR from a gas supply line (not shown).
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR while substrate processing is being performed.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a transfer method according to a third embodiment.
  • the transfer method according to the third embodiment is a method of replacing only the edge ring FR in the substrate processing system PS described above, without replacing the cover ring CR.
  • the transport method according to the third embodiment is started when the control unit CU receives an instruction to replace the edge ring FR alone.
  • the instruction to replace the edge ring FR alone includes, for example, information that identifies the processing unit to be replaced.
  • the transport method according to the third embodiment is carried out regardless of the state of the processing unit to be replaced and the state of the processing unit that is not to be replaced.
  • processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the processing unit to be replaced is one of the other processing units PM2 to PM7, the procedure is the same as when the processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the method in which the processing unit to be replaced is processing unit PM1 is carried out on each of the two or more processing units to be replaced in order.
  • the transfer method according to the third embodiment has steps S301 to S312 shown in FIG. 8. Steps S301 to S312 are performed by the control unit CU controlling each part of the substrate processing system PS. Steps S301 to S304 may be similar to steps S101 to S104. Steps S305 to S312 may be similar to steps S110 to S117.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the edge ring FR between the processing unit PM1 and the ring storage unit RSM with all substrates removed from at least the vacuum transport unit TM. This prevents the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1 and the transport of the edge ring FR by the vacuum transport robot TR1 from being mixed. This makes it possible to suppress adhesion of particles and the like to the substrate W that may occur during transport of the edge ring FR. As a result, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • steps S301 and S302 may be performed in parallel.
  • step S305 may be performed between step S301 and step S302, between step S302 and step S303, or between step S303 and step S304.
  • step S305 may be performed in parallel with at least one of step S302, step S303, and step S304.
  • steps S301 to S312 shown in FIG. 8 may not be performed. For example, if the edge ring FR is not attracted and held by the electrostatic chuck 112, steps S302 and S311 may be omitted.
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR from a gas supply line (not shown).
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR while substrate processing is being performed.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a transfer method according to a fourth embodiment.
  • the transfer method according to the fourth embodiment is a method of replacing only the cover ring CR in the substrate processing system PS described above, without replacing the edge ring FR.
  • the transport method according to the fourth embodiment is started when the control unit CU receives an instruction to replace the covering CR alone.
  • the instruction to replace the covering CR alone includes, for example, information that identifies the processing unit to be replaced.
  • the transport method according to the fourth embodiment is carried out regardless of the state of the processing unit to be replaced and the state of the processing unit that is not to be replaced.
  • processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the processing unit to be replaced is one of the other processing units PM2 to PM7, the procedure is the same as when the processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the method in which the processing unit to be replaced is processing unit PM1 is carried out on each of the two or more processing units to be replaced in order.
  • the transfer method according to the fourth embodiment includes steps S401 to S416 shown in FIG. 9. Steps S401 to S416 are performed by the control unit CU controlling each part of the substrate processing system PS.
  • Steps S401 to S408 may be similar to steps S201 to S208.
  • step S409 the vacuum transport robot TR1 removes the used edge ring FR stored in the ring storage unit RSM in step S404 from the ring storage unit RSM using a fork that does not hold the replacement cover ring CR, for example, the lower fork FK2.
  • a fork that does not hold the replacement cover ring CR for example, the lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 may remove the replacement cover ring CR from the ring storage unit RSM using the lower fork FK2, and in step S409, the vacuum transport robot TR1 may remove the used edge ring FR from the processing unit PM1 using the upper fork FK1.
  • step S410 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement cover ring CR, which was removed from the ring storage unit RSM in step S408, to the processing unit PM1.
  • step S411 the vacuum transport robot TR1 transports the used edge ring FR, which was removed from the ring storage unit RSM in step S409, to the processing unit PM1.
  • step S412 the position detection sensor S2 installed on the lower fork FK2 detects the position of the used edge ring FR that has been brought into the processing unit PM1.
  • step S413 the control unit CU determines whether the used edge ring FR is misaligned based on the position of the used edge ring FR detected in step S412. If the control unit CU determines that the used edge ring FR is misaligned (NO in step S413), the process proceeds to step S414. If the control unit CU determines that the used edge ring FR is not misaligned (YES in step S413), the process proceeds to step S415.
  • step S414 the vacuum transport robot TR1 transports the used edge ring FR from the processing section PM1 using the upper fork FK1.
  • step S414 the vacuum transport robot TR1 may transport the used edge ring FR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • step S414 the process returns to step S411, and the vacuum transport robot TR1 transports the used edge ring FR transported from the processing section PM1 in step S414 to the processing section PM1 after correcting its position.
  • the replacement edge ring FR may be corrected in position without being transported from the processing section PM1. In this case, first, the multiple support pins 511 provided in the processing section PM1 are raised to lift the replacement edge ring FR.
  • the vacuum transport robot TR1 causes the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) to enter the processing section PM1.
  • the support pins 511 are lowered, and the replacement edge ring FR is handed over to the upper fork FK1 (or the lower fork FK2).
  • the vacuum transfer robot TR1 adjusts the position of the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) in the processing chamber of the processing unit PM1, thereby correcting the position of the replacement edge ring FR.
  • step S415 the control unit CU starts attracting and holding the used edge ring FR by the electrostatic chuck 112.
  • step S416 the control unit CU causes the vacuum transport robot TR1 to resume transport of the substrate W.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the edge ring FR and the covering ring CR between the processing unit PM1 and the ring storage unit RSM. This prevents the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1 and the transport of the edge ring FR and the covering ring CR by the vacuum transport robot TR1 from being mixed. This makes it possible to suppress adhesion of particles and the like to the substrate W that may occur during the transport of the edge ring FR and the covering ring CR. As a result, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • steps S401 and S402 may be performed in parallel.
  • step S405 may be performed between step S401 and step S402, between step S402 and step S403, or between step S403 and step S404.
  • step S405 may be performed in parallel with at least one of step S402, step S403, and step S404.
  • steps S401 to S416 shown in FIG. 9 may not be performed. For example, if the edge ring FR is not attracted and held by the electrostatic chuck 112, steps S402 and S415 may be omitted.
  • steps S401 to S416 shown in FIG. 9. For example, after the vacuum transport robot TR1 carries the replacement covering CR into the processing unit PM1 in step S410, similar to steps S412, S413, and S414, if there is a positional deviation in the replacement covering CR, a position correction of the replacement covering CR may be performed.
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR from a gas supply line (not shown).
  • a heat transfer gas may be supplied to the rear surface of the edge ring FR while substrate processing is being performed.
  • FIG. 10 is a flowchart showing a transfer method according to a fifth embodiment.
  • the transfer method according to the fifth embodiment is a method of replacing the second ring PFR in the substrate processing system PS described above.
  • the second ring PFR corresponds to the upper ring 222 shown in FIG. 5. Therefore, the second ring PFR is stored, for example, in a ring storage container CS2 placed on the load port LP4.
  • the lower ring 221 shown in FIG. 5 can also be replaced in the same manner as the upper ring 222.
  • the transport method according to the fifth embodiment is started when the control unit CU receives an instruction to replace the second ring PFR alone.
  • the instruction to replace the second ring PFR alone includes, for example, information that identifies the processing unit to be replaced.
  • the transport method according to the fifth embodiment is carried out regardless of the state of the processing unit to be replaced and the state of the processing unit that is not to be replaced.
  • processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the processing unit to be replaced is one of the other processing units PM2 to PM7, the procedure is the same as when the processing unit to be replaced is processing unit PM1.
  • the method in which the processing unit to be replaced is processing unit PM1 is carried out on each of the two or more processing units to be replaced in order.
  • the transfer method according to the fifth embodiment includes steps S501 to S512 shown in FIG. 10. Steps S501 to S512 are performed by the control unit CU controlling each part of the substrate processing system PS.
  • Step S501 may be similar to step S101.
  • step S502 the control unit CU stops the adsorption of the used second ring PFR that is adsorbed and held on the electrostatic chuck 112.
  • the used second ring PFR may be, for example, a used second ring that was used during processing of the substrate W in the processing unit PM1.
  • step S503 the atmospheric transfer robot TR2 carries the replacement second ring PFR stored in the ring storage container CS2 placed on the load port LP4 into the aligner AN, and the aligner AN aligns the replacement second ring PFR.
  • the replacement second ring PFR may be new (unused) or may be used but not very worn.
  • the alignment may include aligning the rotational position of the replacement second ring PFR to a target position.
  • the alignment may include aligning the center position of the replacement second ring PFR to the target position.
  • step S504 the replacement second ring PFR aligned in step S503 is transported from the aligner AN to the vacuum transport unit TM.
  • the atmospheric transport robot TR2 transports the replacement second ring PFR aligned in step S503 out of the aligner AN and into the vacuum reserve unit LL3, the inside of which has been pressurized to atmospheric pressure.
  • the inside of the vacuum reserve unit LL3 is depressurized.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the replacement second ring PFR out of the vacuum reserve unit LL3 using the upper fork FK1.
  • vacuum reserve units LL1 and LL2 may be used instead of the vacuum reserve unit LL3.
  • step S505 the vacuum transport robot TR1 removes the used second ring FR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • step S506 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement second ring PFR held by the upper fork FL1 into the processing section PM1.
  • the vacuum transport robot TR1 holds the replacement second ring PFR with the upper fork FK1 and the used second ring PFR with the lower fork FK2
  • the replacement second ring PFR is located above the used second ring PFR. Therefore, even if particles or the like attached to the used second ring PFR fall, it is possible to prevent the particles from adhering to the replacement second ring PFR.
  • the vacuum transport robot TR1 may transport the replacement second ring PFR from the vacuum reserve section LL3 with the lower fork FK2.
  • the vacuum transport robot TR1 may transport the used second ring PFR from the processing section PM1 with the upper fork FK1.
  • step S507 the position detection sensor S1 provided on the upper fork FK1 detects the position of the replacement second ring PFR that has been brought into the processing section PM1.
  • step S508 the control unit CU determines whether the replacement second ring PFR is misaligned based on the position of the replacement second ring PFR detected in step S507. If the control unit CU determines that the replacement second ring PFR is misaligned (NO in step S508), the process proceeds to step S509. If the control unit CU determines that the replacement second ring PFR is not misaligned (YES in step S508), the process proceeds to step S510.
  • step S509 the vacuum transport robot TR1 transports the replacement second ring PFR from the processing section PM1 using the upper fork FK1.
  • step S509 the vacuum transport robot TR1 may transport the replacement second ring FR from the processing section PM1 using the lower fork FK2.
  • the process returns to step S506, and in step S506, the vacuum transport robot TR1 corrects the position of the replacement second ring PFR transported from the processing section PM1 in step S509 and transports it into the processing section PM1.
  • the position of the replacement second ring PFR may be corrected without being transported from the processing section PM1. In this case, first, the multiple support pins 511 provided in the processing section PM1 are raised to lift the replacement second ring PFR.
  • the vacuum transport robot TR1 causes the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) to enter the processing section PM1.
  • the support pins 511 are lowered, and the replacement second ring PFR is handed over to the upper fork FK1 (or the lower fork FK2).
  • the vacuum transport robot TR1 adjusts the position of the upper fork FK1 (or the lower fork FK2) in the processing chamber of the processing unit PM1, thereby correcting the position of the replacement second ring PFR.
  • step S510 the used second ring PFR removed from processing unit PM1 in step S505 is transported from vacuum transport unit TM to atmospheric transport unit LM.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the used second ring PFR held by the lower fork FK2 into vacuum reserve unit LL1, the inside of which has been depressurized to a vacuum.
  • the vacuum reserve unit LL1 increases the internal pressure to atmospheric pressure.
  • the atmospheric transport robot TR2 removes the used second ring PFR from vacuum reserve unit LL1 and transports the removed used second ring PFR into ring storage container CS2 placed on load port LP4.
  • vacuum reserve units LL2 and LL3 may be used instead of vacuum reserve unit LL1.
  • step S511 the control unit CU starts to attract and hold the second replacement ring FR using the electrostatic chuck 112.
  • step S512 the control unit CU restarts the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1.
  • the vacuum transport robot TR1 transports the second ring PFR between the processing unit PM1 and the atmospheric transport unit LM with all substrates removed from at least the vacuum transport unit TM. This prevents the transport of the substrate W by the vacuum transport robot TR1 and the transport of the second ring PFR by the vacuum transport robot TR1 from being mixed. This makes it possible to suppress adhesion of particles and the like to the substrate W that may occur during the transport of the second ring PFR. As a result, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • steps S501 and S502 may be performed in parallel.
  • step S503 may be performed between step S501 and step S502.
  • step S503 may be performed in parallel with step S502.
  • steps S501 to S512 shown in FIG. 10 may not be performed. For example, if the edge ring FR is not attracted and held by the electrostatic chuck 112, steps S502 and S511 may be omitted.
  • a plurality of processing sections each having a substrate support for supporting a substrate and a ring disposed around the substrate; a vacuum transfer unit connected to the plurality of processing units; A storage section for storing the ring; A control unit; having the vacuum transfer unit has a transfer robot that transfers a substrate or the ring, The control unit is removing all substrates from the plurality of processing sections and the vacuum transfer section; transporting the ring between at least one of the plurality of processing sections and the storage section after the removing step; to execute, Substrate processing system.
  • the storage unit includes a ring storage unit connected to the vacuum transfer unit. 5.
  • the substrate processing system according to claim 1 is a ring storage unit connected to the vacuum transfer unit.
  • the rings include a first ring and a second ring disposed on the first ring;
  • the control unit controls the exchange of both the first ring and the second ring in the transporting step. 6.
  • the housing includes an aligner.
  • the control unit controls the transporting step to execute a step of carrying the replacement first ring stored in the storage unit into the aligner before the step of carrying in the first ring.
  • the housing includes an aligner.
  • the control unit controls the transporting step to execute a step of carrying the replacement first ring stored in the storage unit into the aligner before the step of carrying in the first ring.
  • the housing includes an aligner.
  • the control unit controls the transporting step to execute a step of carrying the replacement second ring stored in the storage unit into the aligner before the step of carrying in the second ring.
  • a load port connected to the atmospheric transfer section is further provided.
  • the storage unit includes a ring storage unit placed on the load port. 3.
  • the rings include a first ring and a second ring disposed on the first ring;
  • the control unit controls the conveying step to replace the second ring without replacing the first ring.
  • the substrate processing system of claim 13
  • the control unit controls the transporting step to execute a step of transporting the used second ring transported from the processing unit into the ring storage unit. 16.
  • the housing includes an aligner.
  • the control unit controls the transporting step to execute a step of carrying the replacement second ring stored in the storage unit into the aligner before the step of carrying in the second ring.
  • the substrate processing system according to claim 15 or 16.
  • a plurality of processing sections each having a substrate support for supporting a substrate and a ring disposed around the substrate; a vacuum transfer unit connected to the plurality of processing units; A storage section for storing the ring; 1.
  • a method of transporting the ring in a substrate processing system comprising: the vacuum transfer unit has a transfer robot that transfers the substrate and the ring, removing all substrates from the plurality of processing sections and the vacuum transfer section; transporting the ring between at least one of the plurality of processing sections and the storage section after the removing step; having Transportation method.
  • the present invention is not limited to the configurations shown here, such as combinations of the configurations described in the above embodiments with other elements. These points can be changed without departing from the spirit of the present invention, and can be appropriately determined according to the application form. Furthermore, the matters described in the multiple embodiments can take on other configurations as long as they are not inconsistent, and can be combined as long as they are not inconsistent.
  • a capacitively coupled plasma device has been described as an example, but the present invention is not limited to this and may be applied to other plasma devices.
  • an inductively coupled plasma (ICP) device may be used instead of the capacitively coupled plasma device.
  • the inductively coupled plasma device includes an antenna and a lower electrode.
  • the lower electrode is disposed in the substrate support, and the antenna is disposed at the top or upper part of the chamber.
  • the RF generator is coupled to the antenna, and the DC generator is coupled to the lower electrode.
  • the RF generator is coupled to the upper electrode of the capacitively coupled plasma device or the antenna of the inductively coupled plasma device. That is, the RF generator is coupled to the plasma processing chamber 10.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本開示の一態様による基板処理システムは、基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、前記リングを収納する収納部と、制御部と、を有し、前記真空搬送部は、基板又は前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、前記制御部は、前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、を実行するよう制御する。

Description

基板処理システム及び搬送方法
　本開示は、基板処理システム及び搬送方法に関する。
　例えば、特許文献１は、基板支持部に支持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該基板を囲むように配置されるリングアセンブリを交換する方法を提案している。
特開２０１８－０１０９９２号公報
　本開示は、基板の汚染を抑制できる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理システムは、基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、前記リングを収納する収納部と、制御部と、を有し、前記真空搬送部は、基板又は前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、前記制御部は、前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、を実行するよう制御する。
　本開示によれば、基板の汚染を抑制できる。
実施形態に係る基板処理システムの一例を示す図である。 リング収納部の一例を示す概略断面図である。 プラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。 図３の一部を拡大して示す図である。 プラズマ処理装置の別の一例を示す概略断面図である。 実施形態の第１例に係る搬送方法を示すフローチャートである。 実施形態の第２例に係る搬送方法を示すフローチャートである。 実施形態の第３例に係る搬送方法を示すフローチャートである。 実施形態の第４例に係る搬送方法を示すフローチャートである。 実施形態の第５例に係る搬送方法を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
　［基板処理システム］
　図１を参照し、実施形態に係る基板処理システムＰＳについて説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムＰＳの一例を示す図である。図１に示されるように、基板処理システムＰＳは、基板Ｗにプラズマ処理などの各種処理を施すことが可能なシステムである。基板Ｗは、例えば半導体ウエハであってよい。
　基板処理システムＰＳは、真空搬送部ＴＭと、複数の処理部ＰＭ１～ＰＭ７と、リング収納部ＲＳＭと、複数の真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３と、大気搬送部ＬＭと、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と、アライナＡＮと、制御部ＣＵとを有する。真空搬送部ＴＭは、トランスファモジュールとも称される。処理部ＰＭ１～ＰＭ７は、プロセスモジュールとも称される。リング収納部ＲＳＭは、リングストッカモジュールとも称される。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、ロードロックモジュールとも称される。大気搬送部ＬＭは、ローダモジュールとも称される。
　真空搬送部ＴＭは、平面視において四角形状を有する。真空搬送部ＴＭには、処理部ＰＭ１～ＰＭ７と、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３と、リング収納部ＲＳＭとが接続される。真空搬送部ＴＭは、真空搬送室を有する。真空搬送室は、内部が真空雰囲気に保持される。真空搬送室の内部には、真空搬送ロボットＴＲ１が設けられる。
　真空搬送ロボットＴＲ１は、旋回、伸縮、昇降自在に構成される。真空搬送ロボットＴＲ１は、上フォークＦＫ１と、下フォークＦＫ２とを有する。真空搬送ロボットＴＲ１は、上フォークＦＫ１及び下フォークＦＫ２により、基板Ｗ、内側リング１１３ａ、外側リング１１３ｂ、下側リング２２１及び上側リング２２２を保持して搬送する。真空搬送ロボットＴＲ１は、処理部ＰＭ１～ＰＭ７と、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３と、リング収納部ＲＳＭとの間で、基板Ｗ、内側リング１１３ａ、外側リング１１３ｂ、下側リング２２１及び上側リング２２２を保持して搬送する。上フォークＦＫ１には、位置検出センサＳ１が設けられる。下フォークＦＫ２には、位置検出センサＳ２が設けられる。位置検出センサＳ１、Ｓ２は、処理部ＰＭ１～ＰＭ７に設けられる内側リング１１３ａ、外側リング１１３ｂ、下側リング２２１及び上側リング２２２の位置を検出する。位置検出センサＳ１、Ｓ２は、例えば光学センサ、カメラであってよい。内側リング１１３ａ、外側リング１１３ｂ、下側リング２２１及び上側リング２２２については後述する。
　真空搬送部ＴＭには、位置検出センサＳ１１、Ｓ１２が設けられてもよい。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、真空搬送部ＴＭから処理部ＰＭ１へ搬送される基板Ｗ及び内側リング１１３ａの搬送経路上に設けられる。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、真空搬送部ＴＭから処理部ＰＭ１へ搬送される基板Ｗ及び内側リング１１３ａの位置を補正するために用いられる。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、例えば真空搬送部ＴＭと処理部ＰＭ１とを仕切るゲートバルブ（図示せず）の近傍に設けられる。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、例えば互いの距離が基板Ｗの外径よりも小さく、かつ内側リング１１３ａの内径よりも小さくなるように配置される。真空搬送部ＴＭには、位置検出センサＳ１１、Ｓ１２と同様に、位置検出センサＳ２１、Ｓ２２、Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ５１、Ｓ５２、Ｓ６１、Ｓ６２、Ｓ７１、Ｓ７２が設けられてもよい。
　処理部ＰＭ１～ＰＭ７は、真空搬送部ＴＭに接続される。処理部ＰＭ１～ＰＭ７は、真空処理室を有する。真空処理室の内部には、基板支持部（図示せず）が設けられる。処理部ＰＭ１～ＰＭ７は、基板支持部の上に基板Ｗが載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、ＲＦ電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによって基板Ｗにプラズマ処理を施す。真空搬送部ＴＭと処理部ＰＭ１～ＰＭ７とは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られる。基板支持部の上には、例えば内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂが配置される。基板支持部の上には、下側リング２２１及び上側リング２２２が配置されてもよい。
　リング収納部ＲＳＭは、真空搬送部ＴＭに接続される。リング収納部ＲＳＭは、例えば内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂを収納するように構成される。リング収納部ＲＳＭは、内側リング１１３ａのみを収納するように構成されてもよい。リング収納部ＲＳＭは、外側リング１１３ｂのみを収納するように構成されてもよい。リング収納部ＲＳＭの詳細については後述する。内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂは、真空搬送ロボットＴＲ１により、処理部ＰＭ１～ＰＭ７とリング収納部ＲＳＭとの間で搬送される。真空搬送部ＴＭとリング収納部ＲＳＭとは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られる。リング収納部ＲＳＭは、収納部の一例である。
　真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、真空搬送部ＴＭと大気搬送部ＬＭとの間に設けられる。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、真空搬送部ＴＭ及び大気搬送部ＬＭに接続される。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、内部を真空と大気圧との間で切り換え可能な内圧可変室を有する。内圧可変室の内部には、ステージが設けられる。ステージは、基板Ｗ、下側リング２２１及び上側リング２２２が載置されるように構成される。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、基板Ｗを大気搬送部ＬＭから真空搬送部ＴＭへ搬送する場合、内部を大気圧に維持して大気搬送部ＬＭから基板Ｗを受け取り、内部を減圧して真空搬送部ＴＭへ基板Ｗを渡す。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３は、基板Ｗを真空搬送部ＴＭから大気搬送部ＬＭへ搬送する場合、内部を真空に維持して真空搬送部ＴＭから基板Ｗを受け取り、内部を大気圧まで昇圧して大気搬送部ＬＭへ基板Ｗを渡す。下側リング２２１及び上側リング２２２を搬送する場合についても、基板Ｗを搬送する場合と同様であってよい。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３と真空搬送部ＴＭとは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られる。真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３と大気搬送部ＬＭとは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られる。
　大気搬送部ＬＭは、真空搬送部ＴＭに対向して設けられる。大気搬送部ＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）であってよい。大気搬送部ＬＭは、平面視において四角形状を有する。大気搬送部ＬＭは、大気搬送室を有する。大気搬送室は、内部が大気圧雰囲気に保持される。大気搬送室の内部には、大気搬送ロボットＴＲ２が設けられる。大気搬送ロボットＴＲ２は、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と、アライナＡＮと、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３との間で、基板Ｗ、下側リング２２１及び上側リング２２２を保持して搬送する。大気搬送部ＬＭは、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）を有してもよい。
　ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、大気搬送部ＬＭに接続される。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４には、各種の容器が載置される。各種の容器は、基板収納容器ＣＳ１と、リング収納容器ＣＳ２とを含んでよい。基板収納容器ＣＳ１は、例えば複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納するＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)であってよい。リング収納容器ＣＳ２は、例えば複数の下側リング２２１及び上側リング２２２を収容する容器であってよい。大気搬送室の内部にリング収納棚を設け、該リング収納棚に複数の下側リング２２１及び上側リング２２２を収納するように構成されてもよい。リング収納容器ＣＳ２及びリング収納棚は、収納部の一例である。図１の例では、ロードポートＬＰ１に基板収納容器ＣＳ１が載置され、ロードポートＬＰ４にリング収納容器ＣＳ２が載置される場合を示す。
　アライナＡＮは、大気搬送部ＬＭに接続される。アライナＡＮは、基板Ｗの位置の調整を行うように構成される。アライナＡＮは、下側リング２２１及び上側リング２２２の位置の調整を行うように構成されてもよい。アライナＡＮは、大気搬送室の内部に設けられてもよい。
　制御部ＣＵは、基板処理システムＰＳの各部を制御する。制御部ＣＵは、例えば真空搬送ロボットＴＲ１の動作、大気搬送ロボットＴＲ２の動作、ゲートバルブの開閉を制御する。制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。制御部ＣＵは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置などを有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システムＰＳの各部を制御する。
　［リング収納部］
　図２を参照し、リング収納部ＲＳＭについて説明する。図２は、リング収納部ＲＳＭの一例を示す概略断面図である。
　リング収納部ＲＳＭは、フレーム６０の上にチャンバ７０が設置され、チャンバ７０の上部に機械室８１を有する。チャンバ７０は、内部を減圧可能に構成される。チャンバ７０には、パージガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスが供給される。これにより、チャンバ７０内を調圧できる。機械室８１は、例えば大気圧雰囲気である。
　チャンバ７０内には、ステージ７３と、ステージ７３の下部に設けられたカゴ７４とを有するストレージ７５が設置される。ストレージ７５は、ボールねじ７６により昇降可能に構成される。機械室８１内には、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの位置、向きなどを検出するラインセンサ８２と、ボールねじ７６を駆動するモータ７７とが設置される。チャンバ７０と機械室８１との間には、ラインセンサ８２が後述する発光部８３の光を受光できるように、石英などで構成される窓８４が設けられる。
　ステージ７３は、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂを載置する。図２の例では、ステージ７３には、内側リング１１３ａが載置されている。ステージ７３は、ラインセンサ８２に対向する発光部８３を有する。ステージ７３は、鉛直方向を回転軸として回転可能であり、載置した内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂを所定の向きに回転させる。すなわち、ステージ７３は、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂのアライメント（位置合わせ）を行う。位置合わせでは、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂのオリエンテーションフラット（ＯＦ）を所定の向きに合わせる。また、位置合わせでは、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの中心位置を合わせるようにしてもよい。
　ラインセンサ８２は、発光部８３から照射された光の光量を検出し、検出された光量を制御部ＣＵへ出力する。制御部ＣＵは、検出された光量が内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂのオリエンテーションフラットの有無によって変化することを利用して、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂのオリエンテーションフラットを検出する。制御部ＣＵは、検出したオリエンテーションフラットに基づいて、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの向きを検出する。ラインセンサ８２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などのラインセンサである。
　カゴ７４は、ステージ７３の下部に設けられる。カゴ７４の内部には、カセット７８が載置される。カセット７８は、カゴ７４から取り出し可能な収納容器である。カセット７８は、上下方向に間隔を有して、複数の内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂを収納する。図２の例では、カセット７８には、複数の内側リング１１３ａが収納されている。
　ストレージ７５は、ステージ７３及びカゴ７４に加えて、ボールねじ７６に支持されるガイド７９を側面に有する。ボールねじ７６は、チャンバ７０の上面と下面とを繋ぎ、チャンバ７０の上面を貫通して機械室８１内のモータ７７に接続される。チャンバ７０の上面の貫通部は、ボールねじ７６が回転可能なように密封される。ボールねじ７６は、モータ７７により回転することで、ストレージ７５を上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
　チャンバ７０には、真空搬送ロボットＴＲ１の上フォークＦＫ１及び下フォークＦＫ２が挿入可能となっている。上フォークＦＫ１及び下フォークＦＫ２は、例えばカセット７８内への内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの搬入、カセット７８内に載置された内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの搬出を行う。上フォークＦＫ１及び下フォークＦＫ２は、例えばステージ７３への内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの載置、ステージ７３に載置された内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの取得を行う。
　［プラズマ処理装置］
　図３及び図４を参照し、図１に示される処理部ＰＭ１～ＰＭ７として適用されうるプラズマ処理装置の一例について説明する。図３は、プラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。図４は、図３の一部を拡大して示す図である。
　プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０と、ガス供給部２０と、ＲＦ電力供給部３０と、排気システム４０と、リフタ５０と、制御部９０とを含む。
　プラズマ処理チャンバ１０は、基板支持部１１と、上部電極１２とを含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、基板支持部１１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１０の天板の一部として機能しうる。
　基板支持部１１は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。基板支持部１１は、下部電極１１１と、静電チャック１１２と、リングアセンブリ１１３と、絶縁部材１１５とを含む。
　静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置される。静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａ及びリング支持面１１２ｂを含む上面を有する。静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａで基板Ｗを支持する。静電チャック１１２は、リング支持面１１２ｂで内側リング１１３ａを支持する。静電チャック１１２は、絶縁部材１１２ｃと、第１の吸着電極１１２ｄと、第２の吸着電極１１２ｅとを有する。第１の吸着電極１１２ｄ及び第２の吸着電極１１２ｅは、絶縁部材１１２ｃに埋め込まれる。第１の吸着電極１１２ｄは、基板支持面１１２ａの下方に位置する。静電チャック１１２は、第１の吸着電極１１２ｄに電圧を印加することにより、基板支持面１１２ａの上に基板Ｗを吸着保持する。第２の吸着電極１１２ｅは、リング支持面１１２ｂの下方に位置する。静電チャック１１２は、第２の吸着電極１１２ｅに電圧を印加することにより、リング支持面１１２ｂの上に内側リング１１３ａを吸着保持する。図３及び図４の例では、静電チャック１１２は、基板Ｗを吸着保持する単極型の静電チャックと、内側リング１１３ａを吸着保持する双極型の静電チャックとを含む。ただし、単極型の静電チャックに代えて双極型の静電チャックを用いてもよく、双極型の静電チャックに代えて単極型の静電チャックを用いてもよい。
　リングアセンブリ１１３は、内側リング１１３ａと、外側リング１１３ｂとを含む。内側リング１１３ａは、円環状を有する。内側リング１１３ａは、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置される。内側リング１１３ａは、基板Ｗに対するプラズマ処理の均一性を向上させる。内側リング１１３ａは、例えば珪素（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）などの導電性材料により形成される。内側リング１１３ａは、石英などの絶縁材料により形成されてもよい。外側リング１１３ｂは、円環状を有する。外側リング１１３ｂは、内側リング１１３ａの外周部に配置される。外側リング１１３ｂは、例えばプラズマから絶縁部材１１５の上面を保護する。外側リング１１３ｂは、例えば石英などの絶縁材料により形成される。外側リング１１３ｂは、珪素、炭化珪素などの導電性材料により形成されてもよい。図示の例では、外側リング１１３ｂの内周部が内側リング１１３ａの外周部よりも内側にあり、内側リング１１３ａの外周部が外側リング１１３ｂの内周部よりも外側にあって、内側リング１１３ａと外側リング１１３ｂが一部重複する。内側リング１１３ａの外周部は、上面視において外側リング１１３ｂの内周部と重複する。これにより、後述する複数の支持ピン５２１が昇降すると、外側リング１１３ｂと内側リング１１３ａとが一体として昇降する。なお、リングアセンブリ１１３は、単一のリングであってもよい。絶縁部材１１５は、下部電極１１１を囲むように配置される。絶縁部材１１５は、プラズマ処理チャンバ１０の底部に固定され、下部電極１１１を支持する。
　上部電極１２は、絶縁部材１３と共にプラズマ処理チャンバ１０を構成する。上部電極１２は、ガス供給部２０からの１又は２以上の種類の処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給する。上部電極１２は、天板１２１と、支持体１２２とを含む。天板１２１の下面は、プラズマ処理空間１０ｓを画成する。天板１２１には、複数のガス導入口１２１ａが設けられる。複数のガス導入口１２１ａの各々は、天板１２１の板厚方向（鉛直方向）に貫通する。支持体１２２は、天板１２１を着脱自在に支持する。支持体１２２の内部には、ガス拡散室１２２ａが設けられる。ガス拡散室１２２ａからは、複数のガス導入口１２２ｂが下方に延びる。複数のガス導入口１２２ｂは、複数のガス導入口１２１ａにそれぞれ連通する。支持体１２２には、ガス供給口１２２ｃが設けられる。上部電極１２は、１又は２以上の処理ガスをガス供給口１２２ｃからガス拡散室１２２ａ、複数のガス導入口１２２ｂ及び複数のガス導入口１２１ａを介してプラズマ処理空間１０ｓに供給する。
　プラズマ処理チャンバ１０の側壁には、搬入出口１０ｐが設けられる。基板Ｗは、搬入出口１０ｐを介して、プラズマ処理空間１０ｓとプラズマ処理チャンバ１０の外部との間で搬送される。搬入出口１０ｐは、ゲートバルブＧにより開閉される。
　ガス供給部２０は、１又は２以上のガスソース２１と、１又は２以上の流量制御器２２とを含む。ガス供給部２０は、１又は２以上の種類の処理ガスを、各々のガスソース２１から各々の流量制御器２２を介してガス供給口１２２ｃに供給する。流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。ガス供給部２０は、１又は２以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又は２以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　ＲＦ電力供給部３０は、２つのＲＦ電源（第１のＲＦ電源３１ａ、第２のＲＦ電源３１ｂ）と、２つの整合器（第１の整合器３２ａ、第２の整合器３２ｂ）とを含む。第１のＲＦ電源３１ａは、第１のＲＦ電力を第１の整合器３２ａを介して下部電極１１１に供給する。第１のＲＦ電力の周波数は、例えば１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂは、第２のＲＦ電力を第２の整合器３２ｂを介して下部電極１１１に供給する。第２のＲＦ電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂに代えて、ＤＣ電源を用いてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられるガス排気口１０ｅに接続されうる。排気システム４０は、圧力調整弁と、真空ポンプとを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　リフタ５０は、第１のリフタ５１と、第２のリフタ５２とを含む。
　第１のリフタ５１は、複数の支持ピン５１１と、アクチュエータ５１２とを含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１及び静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面に対して突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータなどのモータ、エアシリンダなどのエア駆動機構など、ピエゾアクチュエータを利用できる。第１のリフタ５１は、例えば真空搬送ロボットＴＲ１と基板支持部１１との間で基板Ｗの受け渡しをする際、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
　第２のリフタ５２は、複数の支持ピン５２１と、アクチュエータ５２２とを含む。支持ピン５２１は、円柱形状（中実の棒状）の部材により形成された段付きの支持ピンである。支持ピン５２１は、下部ピン５２３と、上部ピン５２４とを有する。上部ピン５２４は、下部ピン５２３の上に設けられる。下部ピン５２３の外径は、上部ピン５２４の外径よりも大きい。これにより、下部ピン５２３の上端面５２３ａにより段部が形成される。下部ピン５２３及び上部ピン５２４は、例えば一体成形される。
　支持ピン５２１は、下部電極１１１に形成された貫通孔Ｈ１１、絶縁部材１１５に形成された貫通孔Ｈ１２及び外側リング１１３ｂに形成された貫通孔Ｈ１３に挿通されて絶縁部材１１５の上面及び外側リング１１３ｂの上面に対して突没可能となっている。貫通孔Ｈ１１、Ｈ１２の内径は、下部ピン５２３の外径よりも僅かに大きい。貫通孔Ｈ１３の内径は、上部ピン５２４の外径よりも僅かに大きく、かつ下部ピン５２３の外径よりも小さい。
　支持ピン５２１は、待機位置と、第１の支持位置と、第２の支持位置との間で変位可能である。
　待機位置は、上部ピン５２４の上端面５２４ａが内側リング１１３ａの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５２１が待機位置にある場合、内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂは、支持ピン５２１によって持ち上げられることなく、それぞれ静電チャック１１２上及び絶縁部材１１５上に支持される。
　第１の支持位置は、待機位置よりも上方の位置である。第１の支持位置は、上部ピン５２４の上端面５２４ａが外側リング１１３ｂの上面よりも上方に突出し、かつ下部ピン５２３の上端面５２３ａが外側リング１１３ｂの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５２１は、第１の支持位置に移動することにより、上部ピン５２４の上端面５２４ａを内側リング１１３ａの下面に形成された凹部に当接させて内側リング１１３ａを支持する。
　第２の支持位置は、第１の支持位置よりも上方の位置である。第２の支持位置は、下部ピン５２３の上端面５２３ａが絶縁部材１１５の上面よりも上方に突出する位置である。支持ピン５２１は、第２の支持位置に移動することにより、上部ピン５２４の上端面５２４ａを凹部に当接させて内側リング１１３ａを支持し、かつ下部ピン５２３の上端面５２３ａを外側リング１１３ｂの下面に当接させて外側リング１１３ｂを支持する。
　アクチュエータ５２２は、複数の支持ピン５２１を昇降させる。アクチュエータ５２２は、アクチュエータ５１２と同様に構成されてよい。
　第２のリフタ５２は、真空搬送ロボットＴＲ１と基板支持部１１との間で内側リング１１３ａの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５２１を第１の支持位置に移動させることにより、内側リング１１３ａを持ち上げる。第２のリフタ５２は、真空搬送ロボットＴＲ１と基板支持部１１との間で内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５２１を第２の支持位置に移動させることにより内側リング１１３ａ及び外側リング１１３ｂを持ち上げる。
　制御部９０は、プラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータ９１を含む。コンピュータ９１は、例えばＣＰＵ９１１と、記憶部９１２と、通信インターフェース９１３とを含む。ＣＰＵ９１１は、記憶部９１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成されうる。記憶部９１２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）などの補助記憶装置からなるグループから選択される少なくとも１つのメモリタイプを含む。通信インターフェース９１３は、ＬＡＮ（Local Area Network）などの通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。制御部９０は、制御部ＣＵと別に設けられてもよく、制御部ＣＵに含まれてもよい。
　図５を参照し、図１に示される処理部ＰＭ１～ＰＭ７として適用されうるプラズマ処理装置の別の一例について説明する。図５は、プラズマ処理装置の別の一例を示す概略断面図である。
　図５に示されるプラズマ処理装置１Ａは、基板支持部１１の代わりに基板支持部１６を有し、リングアセンブリ１１３の代わりにリングアセンブリ２２０を有する点で、プラズマ処理装置１と異なる。その他の構成については、プラズマ処理装置１と同様であってよい。以下、プラズマ処理装置１と異なる点を中心に説明する。
　プラズマ処理装置１Ａは、基板支持部１６を有する。基板支持部１６は、プラズマ処理チャンバ１０の内部に設けられる。基板支持部１６は、基板Ｗを支持する。基板支持部１６は、支持部１７により支持される。支持部１７は、プラズマ処理チャンバ１０の底部から上方に延在する。支持部１７は、円筒形状を有する。支持部１７は、石英などの絶縁材料により形成される。
　基板支持部１６は、第１の領域１６１と、第２の領域１６２とを有する。第１の領域１６１は、基板Ｗを支持する。第１の領域１６１は、平面視において略円形の領域である。第１の領域１６１は、基台１８と、静電チャック１９とを含んでよい。第１の領域１６１は、基台１８の一部と、静電チャック１９の一部とにより構成されうる。基台１８及び静電チャック１９は、プラズマ処理チャンバ１０の内部に設けられる。基台１８は、アルミニウムなどの導電性材料により形成される。基台１８は、略円盤形状を有する。基台１８は、下部電極を構成する。
　基板支持部１６は、本体部２と、リングアセンブリ２２０とを有する。本体部２は、基台１８と、静電チャック１９とを有する。本体部２は、基板Ｗを支持するための基板支持領域２ａと、リングアセンブリ２２０を支持するための環状領域２ｂと、基板支持領域２ａと環状領域２ｂとの間において上下方向に延在する側壁２ｃとを有する。環状領域２ｂは、基板支持領域２ａを囲む。環状領域２ｂは、基板支持領域２ａよりも低い位置にある。従って、側壁２ｃの上端は基板支持領域２ａに接続され、側壁２ｃの下端は環状領域２ｂに接続される。
　基台１８内には、流路１８ｆが形成される。流路１８ｆは、熱交換媒体を通流させる流路である。熱交換媒体としては、液状の冷媒、又は、液状の冷媒の気化によって基台１８を冷却する冷媒（例えばフロン）が用いられる。流路１８ｆには、熱交換媒体の供給装置（例えばチラーユニット）が接続される。供給装置は、プラズマ処理チャンバ１０の外部に設けられる。流路１８ｆには、供給装置から熱交換媒体が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、供給装置に戻される。
　静電チャック１９は、基台１８上に設けられる。基板Ｗは、プラズマ処理チャンバ１０内で処理される際に、第１の領域１６１上かつ静電チャック１９上に載置される。
　第２の領域１６２は、第１の領域１６１に対して径方向外側で延在して、第１の領域１６１を囲む。第２の領域１６２は、平面視において略環形状の領域である。第２の領域１６２上には、リングアセンブリ２２０が載置される。第２の領域１６２は、基台１８を含みうる。第２の領域１６２は、静電チャック１９を含んでもよい。第２の領域１６２は、基台１８の別の一部及び静電チャック１９の別の一部から構成されうる。基板Ｗは、リングアセンブリ２２０により囲まれた領域内、かつ、静電チャック１９上に載置される。リングアセンブリ２２０の詳細については後述する。
　第２の領域１６２には、貫通孔１６２ｈが形成される。本体部２は、環状領域２ｂと本体部２の下面２ｄとの間に形成された貫通孔１６２ｈを有する。貫通孔１６２ｈは、鉛直方向に沿って延びるように第２の領域１６２に形成される。複数の貫通孔１６２ｈは、第２の領域１６２に形成される。貫通孔１６２ｈの個数は、後述するリフト機構７００のリフトピン７２０の個数と同数でありうる。各貫通孔１６２ｈは、対応のリフトピン７２０と一直線上で並ぶように配置される。
　静電チャック１９は、本体１９ｍと、電極１９ｅとを有する。本体１９ｍは、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムなどの誘電体により形成される。本体１９ｍは、略円盤形状を有する。電極１９ｅは、本体１９ｍ内に設けられる。電極１９ｅは、膜形状を有する。電極１９ｅには、直流電源がスイッチを介して電気的に接続される。直流電源からの電圧が電極１９ｅに印加されると、静電チャック１９と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック１９に引き付けられ、静電チャック１９によって保持される。
　プラズマ処理装置１Ａは、外周部材２７を更に有する。外周部材２７は、基板支持部１６を囲むように基板支持部１６に対して径方向外側で周方向に延在する。外周部材２７は、支持部１７を囲むように支持部１７に対して径方向外側で周方向に延在してもよい。外周部材２７は、一つ以上の部品から構成されうる。外周部材２７は、石英などの絶縁材料により形成されうる。
　リングアセンブリ２２０及び基板支持部１６についてより詳細に説明する。リングアセンブリ２２０は、下側リング２２１と、上側リング２２２とを含む。
　下側リング２２１及び上側リング２２２の各々は、円環状を有する。下側リング２２１及び上側リング２２２の各々は、プラズマ処理装置１Ａで実行されるプラズマ処理に応じて適宜選択される材料により形成される。下側リング２２１及び上側リング２２２の各々は、例えば珪素、炭化珪素などの導電性材料により形成される。下側リング２２１及び上側リング２２２の各々は、石英などの絶縁材料により形成されてもよい。
　下側リング２２１は、環状領域２ｂ上に配置される。下側リング２２１は、第２の領域１６２上かつ静電チャック１９上に載置されうる。下側リング２２１は、第２の領域１６２における静電チャック１９以外の部品上に載置されてもよい。
　上側リング２２２の下面は、概ね平坦である。上側リング２２２の下面は、テーパー状の面を含み、凹部を画成する。上側リング２２２の下面は、複数の凹部を画成する。上側リング２２２のテーパー状の面の個数及び凹部の個数は、リフト機構７００のリフトピン７２０の個数と同数でありうる。各凹部は、対応のリフトピン７２０の第２の柱状部７２２の先端がそれに嵌まるサイズを有する。上側リング２２２は、各凹部が対応のリフトピン７２０及び対応の貫通孔２２１ｈと一直線上で並ぶように、下側リング２２１上に配置される。
　上側リング２２２は、下側リング２２１の凹部に収容される。下側リング２２１及び上側リング２２２は、環状領域２ｂ上に配置されるときに下側リング２２１の外側部分の上面及び上側リング２２２の上面が基板支持領域２ａ上の基板Ｗの上面と略同一の高さになるように構成される。上側リング２２２は、下側リング２２１及び上側リング２２２が環状領域２ｂ上に配置されるときに基板支持領域２ａ上の基板Ｗの端面に対面する内周面２２２ａを有する。
　なお、リングアセンブリ２２０は、単一のリングであってもよい。
　基板支持部１６は、リフト機構７００を有する。リフト機構７００は、リフトピン７２０を含み、下側リング２２１及び上側リング２２２を昇降させるように構成される。リフト機構７００は、複数のリフトピン７２０を含む。リフトピン７２０の本数は、リングアセンブリ２２０を支持して昇降させることが可能である限り、任意の本数でありうる。リフトピン７２０の本数は、例えば３本であってよい。
　各リフトピン７２０は、絶縁材料により形成されうる。各リフトピン７２０は、例えばサファイア、アルミナ、石英、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は樹脂により形成されうる。各リフトピン７２０は、第１の柱状部７２１と、第２の柱状部７２２とを含む。第１の柱状部７２１は、鉛直方向に延びる。第１の柱状部７２１は、第１の上端面７２１ｔを有する。第１の上端面７２１ｔは、下側リング２２１の下面に当接可能である。
　第２の柱状部７２２は、第１の柱状部７２１の上方で鉛直方向に延びる。第２の柱状部７２２は、第１の上端面７２１ｔを露出させるように第１の柱状部７２１に対して狭められる。第１の柱状部７２１と第２の柱状部７２２の各々は、円柱形状を有する。第１の柱状部７２１の直径は、第２の柱状部７２２の直径よりも大きい。第２の柱状部７２２は、貫通孔２２１ｈを通って上下に移動可能である。第２の柱状部７２２の鉛直方向における長さは、下側リング２２１における上側リング２２２が載置される領域の鉛直方向の厚さよりも長い。
　第２の柱状部７２２は、第２の上端面７２２ｔを有する。第２の上端面７２２ｔは、上側リング２２２に当接可能である。第２の上端面７２２ｔを含む第２の柱状部７２２の先端は、上側リング２２２における対応の凹部に嵌まるよう、テーパー状に形成されてもよい。
　第２の柱状部７２２は、第１の部分７２２ａと、第２の部分７２２ｂとを含んでもよい。第１の部分７２２ａは、柱状をなし、第１の柱状部７２１から上方に延びる。第２の部分７２２ｂは、柱状をなし、第１の部分７２２ａの上方で延在する。第２の部分７２２ｂは、第２の上端面７２２ｔを含む。第１の部分７２２ａの幅は、第２の部分７２２ｂの幅よりも大きい。
　第１の柱状部７２１、第１の部分７２２ａ及び第２の部分７２２ｂの各々は、円柱形状を有してもよい。第１の柱状部７２１の直径は第１の部分７２２ａの直径よりも大きく、第１の部分７２２ａの直径は第２の部分７２２ｂの直径よりも大きい。
　第２の柱状部７２２は、第３の部分７２２ｃを含んでもよい。第３の部分７２２ｃは、第１の部分７２２ａと第２の部分７２２ｂとの間で延在する。第３の部分７２２ｃは、テーパー状の表面を有する。
　リフト機構７００は、一つ以上の駆動装置７４０を含む。一つ以上の駆動装置７４０は、複数のリフトピン７２０を昇降させるように構成される。一つ以上の駆動装置７４０の各々は、例えばモータを含みうる。
　［搬送方法］
　図６を参照し、実施形態の第１例に係る搬送方法について説明する。図６は、実施形態の第１例に係る搬送方法を示すフローチャートである。実施形態の第１例に係る搬送方法は、前述した基板処理システムＰＳにおいて、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する方法である。エッジリングＦＲは、図４に示される内側リング１１３ａに相当する。カバーリングＣＲは、図４に示される外側リング１１３ｂに相当する。カバーリングＣＲは第１のリングの一例であり、エッジリングＦＲは第２のリングの一例である。
　実施形態の第１例に係る搬送方法は、例えばエッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する指示を制御部ＣＵが受けた場合に開始される。エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する指示は、例えば交換対象の処理部を特定する情報を含む。
　実施形態の第１例に係る搬送方法は、例えば交換対象の処理部の状態がメンテナンスモードである場合に実施される。メンテナンスモードは、処理部への基板の搬入と、処理部での基板に対する処理と、処理部からの基板の搬出とを自動で実施しない状態である。実施形態の第１例に係る搬送方法は、交換対象の処理部の状態が生産モードである場合に実施されてもよい。生産モードは、処理部への基板の搬入と、処理部における基板の処理と、処理部からの基板の搬出とを自動で実施する状態である。実施形態の第１例に係る搬送方法は、例えば交換対象ではない処理部の状態がメンテナンスモードである場合に実施されてもよく、交換対象ではない処理部の状態が生産モードである場合に実施されてもよい。
　以下、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合を例に挙げて説明する。交換対象の処理部が他の処理部ＰＭ２～ＰＭ７である場合についても、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合と同様である。交換対象の処理部が２つ以上である場合、交換対象の２つ以上の処理部に対して順番に、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合の方法が実施される。
　実施形態の第１例に係る搬送方法は、図６に示される工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７を有する。工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７は、制御部ＣＵが基板処理システムＰＳの各部を制御することにより実施される。
　工程Ｓ１０１では、制御部ＣＵが、リングアセンブリの交換要求指示を受付けると、リングアセンブリの交換準備を開始するよう制御する。
　例えば、交換を実行する処理部及びその他の処理部で処理中の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理が終わるまで待機し、処理後、処理済の基板Ｗを処理部ＰＭ１～ＰＭ７から搬出し、基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。また、真空搬送部ＴＭ、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３及び大気搬送部ＬＭに処理前及び／又は処理後の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理前及び／又は処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。基板収納容器ＣＳ１への搬送は、大気搬送部ＬＭ及び真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３に存在する基板Ｗを大気搬送ロボットＴＲ２により基板収納容器ＣＳ１に搬送した後に、又は、搬送すると共に、真空搬送ロボットＴＲ１により真空搬送部ＴＭ及び／又は処理部ＰＭ１～ＰＭ７に存在する基板Ｗを真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３へ搬送する。このように制御部ＣＵは、すべての処理部ＰＭ１～ＰＭ７、真空搬送部ＴＭ、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３及び大気搬送部ＬＭに基板Ｗが存在しないよう制御する。
　他の例では、交換を実行する処理部及びその他の処理部で処理中の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理が終わるまで待機し、処理後、処理済の基板Ｗを処理部ＰＭ１～ＰＭ７から搬出し、基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。真空搬送部ＴＭに処理後の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。また、真空搬送部ＴＭに処理前の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理前の基板Ｗを真空搬送部ＴＭから真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３に搬送するよう制御する。このように、制御部ＣＵは、少なくともすべての処理部ＰＭ１～ＰＭ７及び真空搬送部ＴＭに基板Ｗが存在しないよう制御してもよい。この場合、基板収納容器ＣＳ１にすべての基板Ｗが搬送された後に、リング交換が開始されてもよいし、少なくとも、真空搬送部ＴＭから基板Ｗが除去されたら（真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、大気搬送部ＬＭから基板収納容器ＣＳ１への搬送途中の基板Ｗがあっても）、リング交換が開始されてもよい。
　他の例では、交換を実行する処理部以外の処理部で処理が実行中の場合は、制御部ＣＵは処理を継続するよう制御し、処理終了後にリングアセンブリの交換が終了していない場合には、基板Ｗは処理部で待機する。真空搬送部ＴＭに処理後の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。また、真空搬送部ＴＭに処理前の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理前の基板Ｗを真空搬送部ＴＭから真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３に搬送するよう制御する。このように、制御部ＣＵは、少なくとも真空搬送部ＴＭに基板Ｗが存在しないよう制御してもよい。この場合、基板収納容器ＣＳ１にすべての基板Ｗが搬送された後に、リング交換が開始されてもよいし、少なくとも、真空搬送部ＴＭから基板Ｗが除去されたら（真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、大気搬送部ＬＭから基板収納容器ＣＳ１への搬送途中の基板Ｗがあっても）、リング交換が開始されてもよい。
　他の例では、交換を実行する処理部以外の処理部で処理が実行中の場合は、制御部ＣＵは処理を継続するよう制御し、処理終了後にリングアセンブリの交換が終了していない場合には、基板Ｗは処理部で待機する。真空搬送部ＴＭに処理後の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳ１に搬送するよう制御する。また、真空搬送部ＴＭに処理前の基板Ｗが存在する場合には、制御部ＣＵは、処理前の基板Ｗを処理予定の処理部に搬送するように制御する。このように、制御部ＣＵは、少なくとも真空搬送部ＴＭに基板Ｗが存在しないよう制御してもよい。この場合、基板収納容器ＣＳ１にすべての基板Ｗが搬送された後に、リング交換が開始されてもよいし、少なくとも、真空搬送部ＴＭから基板Ｗが除去されたら（真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、大気搬送部ＬＭから基板収納容器ＣＳ１への搬送途中の基板Ｗがあっても）、リング交換が開始されてもよい。
　リングアセンブリの交換要求は、オペレータによりＧＵＩ（入力画面）を通して指示されてもよいし、交換タイミングが到来すれば自動的に交換処理を開始するよう基板処理システムＰＳを構成してもよい。
　工程Ｓ１０１は、制御部ＣＵが、大気搬送部ＬＭ、アライナＡＮ、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、真空搬送部ＴＭ及び処理部ＰＭ１～ＰＭ７に基板Ｗがあるか否かを判定することを含んでよい。例えば、制御部ＣＵは、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送履歴に基づいて、大気搬送部ＬＭ、アライナＡＮ、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、真空搬送部ＴＭ及び処理部ＰＭ１～ＰＭ７に基板Ｗがあるか否かを判定する。制御部ＣＵが、大気搬送部ＬＭ、アライナＡＮ、真空予備部ＬＬ１～ＬＬ３、真空搬送部ＴＭ及び処理部ＰＭ１～ＰＭ７に基板Ｗがないと判定した場合、工程Ｓ１０２に移行するよう制御する。少なくとも、制御部ＣＵが、真空搬送部ＴＭ及び処理部ＰＭ１～ＰＭ７に基板Ｗがないと判定した場合、工程Ｓ１０２に移行するよう制御してもよい。
　工程Ｓ１０２では、制御部ＣＵが、静電チャック１１２に吸着保持されている使用済のエッジリングＦＲの吸着を停止させる。
　工程Ｓ１０３では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のエッジリングＦＲを下フォークＦＫ２により搬出する。工程Ｓ１０３では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のエッジリングＦＲを上フォークＦＫ１により搬出してもよい。
　工程Ｓ１０４では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１０３において処理部ＰＭ１から搬出された使用済のエッジリングＦＲをリング収納部ＲＳＭに搬入する。
　工程Ｓ１０５では、リング収納部ＲＳＭに設けられるアライナ（図示せず）が、リング収納部ＲＳＭに収納された交換用のカバーリングＣＲのアライメント（位置合わせ）を行う。交換用のカバーリングＣＲは、新品（未使用）であってもよく、使用済みであまり消耗していないものであってもよい。位置合わせは、交換用のカバーリングＣＲの回転方向位置を目標位置に合わせることを含んでよい。位置合わせは、交換用のカバーリングＣＲの中心位置を目標位置に合わせることを含んでよい。
　工程Ｓ１０６では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１０５において位置合わせされた交換用のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１によりリング収納部ＲＳＭから搬出する。
　工程Ｓ１０７では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１０６においてリング収納部ＲＳＭから搬出された交換用のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１により保持した状態で、処理部ＰＭ１から使用済のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２により搬出する。使用済のカバーリングＣＲは、例えば処理部ＰＭ１において基板Ｗに対する処理の際に使用された使用済みのカバーリングであってよい。
　工程Ｓ１０８では、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＫ１により保持された交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入する。このように、真空搬送ロボットＴＲ１が、交換用のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１で保持し、使用済のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２で保持する場合、交換用のカバーリングＣＲが使用済のカバーリングＣＲよりも上方に位置する。このため、使用済のカバーリングＣＲに付着したパーティクルなどが落下した場合でも交換用のカバーリングＣＲに付着することを抑制できる。ただし、工程Ｓ１０６において真空搬送ロボットＴＲ１がリング収納部ＲＳＭから交換用のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２により搬出し、工程Ｓ１０７において真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１から使用済のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１により搬出してもよい。
　工程Ｓ１０９では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１０７において処理部ＰＭ１から搬出された使用済のカバーリングＣＲをリング収納部ＲＳＭに搬入する。
　工程Ｓ１１０では、リング収納部ＲＳＭに設けられるアライナ（図示せず）が、リング収納部ＲＳＭに収納された交換用のエッジリングＦＲの位置合わせを行う。交換用のエッジリングＦＲは、新品（未使用）であってもよく、使用済みであまり消耗していないものであってもよい。位置合わせは、交換用のエッジリングＦＲの回転方向位置を目標位置に合わせることを含んでよい。位置合わせは、交換用のエッジリングＦＲの中心位置を目標位置に合わせることを含んでよい。
　工程Ｓ１１１では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１１０において位置合わせされた交換用のエッジリングＦＲを上フォークＦＫ１によりリング収納部ＲＳＭから搬出する。工程Ｓ１１１では、真空搬送ロボットＴＲ１が、交換用のエッジリングＦＲを下フォークＦＫ２によりリング収納部ＲＳＭから搬出してもよい。
　工程Ｓ１１２では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ１１１においてリング収納部ＲＳＭから搬出された交換用のエッジリングＦＲを処理部ＰＭ１に搬入する。
　工程Ｓ１１３では、上フォークＦＫ１に設けられる位置検出センサＳ１が、処理部ＰＭ１に搬入された交換用のエッジリングＦＲの位置を検出する。
　工程Ｓ１１４では、制御部ＣＵが、工程Ｓ１１３において検出された交換用のエッジリングＦＲの位置に基づいて、交換用のエッジリングＦＲに位置ずれがないかを判定する。制御部ＣＵは、交換用のエッジリングＦＲに位置ずれがあると判定した場合（工程Ｓ１１４のＮＯ）、処理を工程Ｓ１１５へ進める。制御部ＣＵは、交換用のエッジリングＦＲに位置ずれがないと判定した場合（工程Ｓ１１４のＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１１６へ進める。
　工程Ｓ１１５では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から交換用のエッジリングＦＲを上フォークＦＫ１により搬出する。工程Ｓ１１５では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から交換用のエッジリングＦＲを下フォークＦＫ２により搬出してもよい。工程Ｓ１１５の後、処理が工程Ｓ１１２に戻され、真空搬送ロボットＴＲ１が工程Ｓ１１５において処理部ＰＭ１から搬出された交換用のエッジリングＦＲを、位置補正して処理部ＰＭ１に搬入する。工程Ｓ１１５では、交換用のエッジリングＦＲを処理部ＰＭ１から搬出することなく位置補正してもよい。この場合、まず、処理部ＰＭ１に設けられる複数の支持ピン５１１が上昇することにより、交換用のエッジリングＦＲを持ち上げる。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）を処理部ＰＭ１に進入させる。続いて、複数の支持ピン５１１が下降することにより、交換用のエッジリングＦＲが上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）に渡される。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１の処理室内において上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）の位置を調整することにより、交換用のエッジリングＦＲを位置補正する。
　工程Ｓ１１６では、制御部ＣＵが、静電チャック１１２による交換用のエッジリングＦＲの吸着保持を開始させる。
　工程Ｓ１１７では、制御部ＣＵが、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送を再開させる。
　以上に説明した実施形態の第１例に係る搬送方法によれば、少なくとも真空搬送部ＴＭからすべての基板が除去された状態で、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１とリング収納部ＲＳＭとの間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬送する。これにより、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送と、真空搬送ロボットＴＲ１によるエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送とが混在しない。このため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送時に生じうるパーティクルなどの基板Ｗへの付着を抑制できる。その結果、基板Ｗの汚染を抑制できる。
　なお、図６に示される工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７の一部の順番を入れ替えてもよい。
　例えば、工程Ｓ１０１と工程Ｓ１０２とは、並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ１０５は、工程Ｓ１０１と工程Ｓ１０２との間に実施されてもよく、工程Ｓ１０２と工程Ｓ１０３との間に実施されてもよく、工程Ｓ１０３と工程Ｓ１０４との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ１０５は、工程Ｓ１０２、工程Ｓ１０３及び工程Ｓ１０４の少なくとも１つと並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ１１０は、工程Ｓ１０５と工程Ｓ１０６との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ１１０は、工程Ｓ１０６と工程Ｓ１０７との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ１１０は、工程Ｓ１０７と工程Ｓ１０８との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ１１０は、工程Ｓ１０８と工程Ｓ１０９との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ１１０は、工程Ｓ１０６、工程Ｓ１０７、工程Ｓ１０８及び工程Ｓ１０９の少なくとも１つと並行して実施されてもよい。
　また、図６に示される工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７の一部を実施しなくてもよい。例えば、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲが吸着保持されない場合には、工程Ｓ１０２及び工程Ｓ１１６は省略してよい。
　また、図６に示される工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７に別の工程を追加してもよい。例えば、工程Ｓ１０８において真空搬送ロボットＴＲ１が交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入した後、工程Ｓ１１３、工程Ｓ１１４及び工程Ｓ１１５と同様に、交換用のカバーリングＣＲに位置ずれがある場合に交換用のカバーリングＣＲの位置補正を実施してもよい。
　また、図６に示される工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１７が終了した後に、図示しないガス供給ラインからエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。例えば、基板処理の実行中にエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。伝熱ガスは、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスであってよい。
　図７を参照し、実施形態の第２例に係る搬送方法について説明する。図７は、実施形態の第２例に係る搬送方法を示すフローチャートである。実施形態の第２例に係る搬送方法は、前述した基板処理システムＰＳにおいて、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する方法である。
　実施形態の第２例に係る搬送方法は、例えばエッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する指示を制御部ＣＵが受けた場合に開始される。エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの両方を交換する指示は、例えば交換対象の処理部を特定する情報を含む。
　実施形態の第２例に係る搬送方法は、例えば実施形態の第１例に係る搬送方法と同様に、交換対象の処理部の状態及び交換対象ではない処理部の状態によらずに実施される。
　以下、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合を例に挙げて説明する。交換対象の処理部が他の処理部ＰＭ２～ＰＭ７である場合についても、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合と同様である。交換対象の処理部が２つ以上である場合、交換対象の２つ以上の処理部に対して順番に、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合の方法が実施される。
　実施形態の第２例に係る搬送方法は、図７に示される工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７を有する。工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７は、制御部ＣＵが基板処理システムＰＳの各部を制御することにより実施される。
　工程Ｓ２０１～工程Ｓ２０５は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１０５と同様であってよい。
　工程Ｓ２０６では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２により搬出する。工程Ｓ２０６では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１により搬出してもよい。
　工程Ｓ２０７では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ２０６において処理部ＰＭ１から搬出された使用済のカバーリングＣＲをリング収納部ＲＳＭに搬入する。
　工程Ｓ２０８では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ２０５において位置合わせされた交換用のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１によりリング収納部ＲＳＭから搬出する。工程Ｓ２０８では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ２０５において位置合わせされた交換用のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２によりリング収納部ＲＳＭから搬出してもよい。
　工程Ｓ２０９では、リング収納部ＲＳＭに設けられるアライナ（図示せず）が、リング収納部ＲＳＭに収納された交換用のエッジリングＦＲの位置合わせを行う。
　工程Ｓ２１０では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ２０９において位置合わせされた交換用のエッジリングＦＲを、交換用のカバーリングＣＲを保持していないフォーク、例えば下フォークＦＫ２によりリング収納部ＲＳＭから搬出する。
　工程Ｓ２１１では、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＫ１により保持された交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入する。
　工程Ｓ２１２～工程Ｓ２１７は、工程Ｓ１１２～工程Ｓ１１７と同様であってよい。
　以上に説明した実施形態の第２例に係る搬送方法によれば、少なくとも真空搬送部ＴＭからすべての基板が除去された状態で、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１とリング収納部ＲＳＭとの間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬送する。これにより、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送と、真空搬送ロボットＴＲ１によるエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送とが混在しない。このため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送時に生じうるパーティクルなどの基板Ｗへの付着を抑制できる。その結果、基板Ｗの汚染を抑制できる。
　また、実施形態の第２例に係る搬送方法によれば、真空搬送ロボットＴＲ１が、使用済みのリング（使用済のエッジリングＦＲ、使用済のカバーリングＣＲ）と、交換用のリング（交換用のエッジリングＦＲ、交換用のカバーリングＣＲ）とを同時に保持することがない。このため、使用済みのリングの搬送時に生じうるパーティクルなどが交換用のリングに付着することを抑制しやすい。
　なお、図７に示される工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７の一部の順番を入れ替えてもよい。
　例えば、工程Ｓ２０１と工程Ｓ２０２とは、並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ２０５は、工程Ｓ２０１と工程Ｓ２０２との間に実施されてもよく、工程Ｓ２０２と工程Ｓ２０３との間に実施されてもよく、工程Ｓ２０３と工程Ｓ２０４との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ２０５は、工程Ｓ２０２、工程Ｓ２０３及び工程Ｓ２０４の少なくとも１つと並行して実施されてもよい。
　また、図７に示される工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７の一部を実施しなくてもよい。例えば、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲが吸着保持されない場合には、工程Ｓ２０２及び工程Ｓ２１６は省略してよい。
　また、図７に示される工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７に別の工程を追加してもよい。例えば、工程Ｓ２１１において真空搬送ロボットＴＲ１が交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入した後、工程Ｓ２１３、工程Ｓ２１４及び工程Ｓ２１５と同様に、交換用のカバーリングＣＲに位置ずれがある場合に交換用のカバーリングＣＲの位置補正を実施してもよい。
　また、図７に示される工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１７が終了した後に、図示しないガス供給ラインからエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。例えば、基板処理の実行中にエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。
　図８を参照し、実施形態の第３例に係る搬送方法について説明する。図８は、実施形態の第３例に係る搬送方法を示すフローチャートである。実施形態の第３例に係る搬送方法は、前述した基板処理システムＰＳにおいて、カバーリングＣＲを交換することなく、エッジリングＦＲのみを交換する方法である。
　実施形態の第３例に係る搬送方法は、エッジリングＦＲを単独で交換する指示を制御部ＣＵが受けた場合に開始される。エッジリングＦＲを単独で交換する指示は、例えば交換対象の処理部を特定する情報を含む。
　実施形態の第３例に係る搬送方法は、例えば実施形態の第１例に係る搬送方法と同様に、交換対象の処理部の状態及び交換対象ではない処理部の状態によらずに実施される。
　以下、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合を例に挙げて説明する。交換対象の処理部が他の処理部ＰＭ２～ＰＭ７である場合についても、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合と同様である。交換対象の処理部が２つ以上である場合、交換対象の２つ以上の処理部に対して順番に、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合の方法が実施される。
　実施形態の第３例に係る搬送方法は、図８に示される工程Ｓ３０１～工程Ｓ３１２を有する。工程Ｓ３０１～工程Ｓ３１２は、制御部ＣＵが基板処理システムＰＳの各部を制御することにより実施される。工程Ｓ３０１～工程Ｓ３０４は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１０４と同様であってよい。工程Ｓ３０５～工程Ｓ３１２は、工程Ｓ１１０～工程Ｓ１１７と同様であってよい。
　以上に説明した実施形態の第３例に係る搬送方法によれば、少なくとも真空搬送部ＴＭからすべての基板が除去された状態で、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１とリング収納部ＲＳＭとの間でエッジリングＦＲを搬送する。これにより、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送と、真空搬送ロボットＴＲ１によるエッジリングＦＲの搬送とが混在しない。このため、エッジリングＦＲの搬送時に生じうるパーティクルなどの基板Ｗへの付着を抑制できる。その結果、基板Ｗの汚染を抑制できる。
　なお、図８に示される工程Ｓ３０１～工程Ｓ３１２の一部の順番を入れ替えてもよい。
　例えば、工程Ｓ３０１と工程Ｓ３０２とは、並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ３０５は、工程Ｓ３０１と工程Ｓ３０２との間に実施されてもよく、工程Ｓ３０２と工程Ｓ３０３との間に実施されてもよく、工程Ｓ３０３と工程Ｓ３０４との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ３０５は、工程Ｓ３０２、工程Ｓ３０３及び工程Ｓ３０４の少なくとも１つと並行して実施されてもよい。
　また、図８に示される工程Ｓ３０１～工程Ｓ３１２の一部を実施しなくてもよい。例えば、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲが吸着保持されない場合には、工程Ｓ３０２及び工程Ｓ３１１は省略してよい。
　また、図８に示される工程Ｓ３０１～工程Ｓ３１２が終了した後に、図示しないガス供給ラインからエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。例えば、基板処理の実行中にエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。
　図９を参照し、実施形態の第４例に係る搬送方法について説明する。図９は、実施形態の第４例に係る搬送方法を示すフローチャートである。実施形態の第４例に係る搬送方法は、前述した基板処理システムＰＳにおいて、エッジリングＦＲを交換することなく、カバーリングＣＲのみを交換する方法である。
　実施形態の第４例に係る搬送方法は、カバーリングＣＲを単独で交換する指示を制御部ＣＵが受けた場合に開始される。カバーリングＣＲを単独で交換する指示は、例えば交換対象の処理部を特定する情報を含む。
　実施形態の第４例に係る搬送方法は、例えば実施形態の第１例に係る搬送方法と同様に、交換対象の処理部の状態及び交換対象ではない処理部の状態によらずに実施される。
　以下、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合を例に挙げて説明する。交換対象の処理部が他の処理部ＰＭ２～ＰＭ７である場合についても、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合と同様である。交換対象の処理部が２つ以上である場合、交換対象の２つ以上の処理部に対して順番に、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合の方法が実施される。
　実施形態の第４例に係る搬送方法は、図９に示される工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６を有する。工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６は、制御部ＣＵが基板処理システムＰＳの各部を制御することにより実施される。
　工程Ｓ４０１～工程Ｓ４０８は、工程Ｓ２０１～工程Ｓ２０８と同様であってよい。
　工程Ｓ４０９では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ４０４においてリング収納部ＲＳＭに収納された使用済のエッジリングＦＲを、交換用のカバーリングＣＲを保持していないフォーク、例えば下フォークＦＫ２によりリング収納部ＲＳＭから搬出する。このように、真空搬送ロボットＴＲ１が、交換用のカバーリングＣＲを上フォークＦＫ１で保持し、使用済のエッジリングＦＲを下フォークＦＫ２で保持する場合、交換用のカバーリングＣＲが使用済のエッジリングＦＲよりも上方に位置する。このため、使用済のエッジリングＦＲに付着したパーティクルなどが落下した場合でも交換用のカバーリングＣＲに付着することを抑制できる。ただし、工程Ｓ４０８において真空搬送ロボットＴＲ１がリング収納部ＲＳＭから交換用のカバーリングＣＲを下フォークＦＫ２により搬出し、工程Ｓ４０９において真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１から使用済のエッジリングＦＲを上フォークＦＫ１により搬出してもよい。
　工程Ｓ４１０では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ４０８においてリング収納部ＲＳＭから搬出された交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入する。
　工程Ｓ４１１では、真空搬送ロボットＴＲ１が、工程Ｓ４０９においてリング収納部ＲＳＭから搬出された使用済のエッジリングＦＲを処理部ＰＭ１に搬入する。
　工程Ｓ４１２では、下フォークＦＫ２に設けられる位置検出センサＳ２が、処理部ＰＭ１に搬入された使用済のエッジリングＦＲの位置を検出する。
　工程Ｓ４１３では、制御部ＣＵが、工程Ｓ４１２において検出された使用済のエッジリングＦＲの位置に基づいて、使用済のエッジリングＦＲに位置ずれがないかを判定する。制御部ＣＵは、使用済のエッジリングＦＲに位置ずれがあると判定した場合（工程Ｓ４１３のＮＯ）、処理を工程Ｓ４１４へ進める。制御部ＣＵは、使用済のエッジリングＦＲに位置ずれがないと判定した場合（工程Ｓ４１３のＹＥＳ）、処理を工程Ｓ４１５へ進める。
　工程Ｓ４１４では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のエッジリングＦＲを上フォークＦＫ１により搬出する。工程Ｓ４１４では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済のエッジリングＦＲを下フォークＦＫ２により搬出してもよい。工程Ｓ４１４の後、処理が工程Ｓ４１１に戻され、真空搬送ロボットＴＲ１が工程Ｓ４１４において処理部ＰＭ１から搬出された使用済のエッジリングＦＲを、位置補正して処理部ＰＭ１に搬入する。工程Ｓ４１４では、交換用のエッジリングＦＲを処理部ＰＭ１から搬出することなく位置補正してもよい。この場合、まず、処理部ＰＭ１に設けられる複数の支持ピン５１１が上昇することにより、交換用のエッジリングＦＲを持ち上げる。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）を処理部ＰＭ１に進入させる。続いて、複数の支持ピン５１１が下降することにより、交換用のエッジリングＦＲが上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）に渡される。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１の処理室内において上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）の位置を調整することにより、交換用のエッジリングＦＲを位置補正する。
　工程Ｓ４１５では、制御部ＣＵが、静電チャック１１２による使用済のエッジリングＦＲの吸着保持を開始させる。
　工程Ｓ４１６では、制御部ＣＵが、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送を再開させる。
　以上に説明した実施形態の第４例に係る搬送方法によれば、少なくとも真空搬送部ＴＭからすべての基板が除去された状態で、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１とリング収納部ＲＳＭとの間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬送する。これにより、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送と、真空搬送ロボットＴＲ１によるエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送とが混在しない。このため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬送時に生じうるパーティクルなどの基板Ｗへの付着を抑制できる。その結果、基板Ｗの汚染を抑制できる。
　なお、図９に示される工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６の一部の順番を入れ替えてもよい。
　例えば、工程Ｓ４０１と工程Ｓ４０２とは、並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ４０５は、工程Ｓ４０１と工程Ｓ４０２との間に実施されてもよく、工程Ｓ４０２と工程Ｓ４０３との間に実施されてもよく、工程Ｓ４０３と工程Ｓ４０４との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ４０５は、工程Ｓ４０２、工程Ｓ４０３及び工程Ｓ４０４の少なくとも１つと並行して実施されてもよい。
　また、図９に示される工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６の一部を実施しなくてもよい。例えば、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲが吸着保持されない場合には、工程Ｓ４０２及び工程Ｓ４１５は省略してよい。
　また、図９に示される工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６に別の工程を追加してもよい。例えば、工程Ｓ４１０において真空搬送ロボットＴＲ１が交換用のカバーリングＣＲを処理部ＰＭ１に搬入した後、工程Ｓ４１２、工程Ｓ４１３及び工程Ｓ４１４と同様に、交換用のカバーリングＣＲに位置ずれがある場合に交換用のカバーリングＣＲの位置補正を実施してもよい。
　また、図９に示される工程Ｓ４０１～工程Ｓ４１６が終了した後に、図示しないガス供給ラインからエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。例えば、基板処理の実行中にエッジリングＦＲの裏面に伝熱ガスを供給することを含んでもよい。
　図１０を参照し、実施形態の第５例に係る搬送方法について説明する。図１０は、実施形態の第５例に係る搬送方法を示すフローチャートである。実施形態の第５例に係る搬送方法は、前述した基板処理システムＰＳにおいて、第２のリングＰＦＲを交換する方法である。
　第２のリングＰＦＲは、図５に示される上側リング２２２に相当する。このため、第２のリングＰＦＲは、例えばロードポートＬＰ４に載置されるリング収納容器ＣＳ２に保管される。なお、図５に示される下側リング２２１についても上側リング２２２と同様の方法で交換できる。
　実施形態の第５例に係る搬送方法は、第２のリングＰＦＲを単独で交換する指示を制御部ＣＵが受けた場合に開始される。第２のリングＰＦＲを単独で交換する指示は、例えば交換対象の処理部を特定する情報を含む。
　実施形態の第５例に係る搬送方法は、例えば実施形態の第１例に係る搬送方法と同様に、交換対象の処理部の状態及び交換対象ではない処理部の状態によらずに実施される。
　以下、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合を例に挙げて説明する。交換対象の処理部が他の処理部ＰＭ２～ＰＭ７である場合についても、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合と同様である。交換対象の処理部が２つ以上である場合、交換対象の２つ以上の処理部に対して順番に、交換対象の処理部が処理部ＰＭ１である場合の方法が実施される。
　実施形態の第５例に係る搬送方法は、図１０に示される工程Ｓ５０１～工程Ｓ５１２を有する。工程Ｓ５０１～工程Ｓ５１２は、制御部ＣＵが基板処理システムＰＳの各部を制御することにより実施される。
　工程Ｓ５０１は、工程Ｓ１０１と同様であってよい。
　工程Ｓ５０２では、制御部ＣＵが、静電チャック１１２に吸着保持されている使用済の第２のリングＰＦＲの吸着を停止させる。使用済の第２のリングＰＦＲは、例えば処理部ＰＭ１において基板Ｗに対する処理の際に使用された使用済みの第２のリングであってよい。
　工程Ｓ５０３では、大気搬送ロボットＴＲ２が、ロードポートＬＰ４に載置されたリング収納容器ＣＳ２に収納された交換用の第２のリングＰＦＲをアライナＡＮに搬入し、アライナＡＮが交換用の第２のリングＰＦＲの位置合わせを行う。交換用の第２のリングＰＦＲは、新品（未使用）であってもよく、使用済みであまり消耗していないものであってもよい。位置合わせは、交換用の第２のリングＰＦＲの回転方向位置を目標位置に合わせることを含んでよい。位置合わせは、交換用の第２のリングＰＦＲの中心位置を目標位置に合わせることを含んでよい。
　工程Ｓ５０４では、工程Ｓ５０３において位置合わせされた交換用の第２のリングＰＦＲが、アライナＡＮから真空搬送部ＴＭに搬送される。具体的には、まず、大気搬送ロボットＴＲ２が、工程Ｓ５０３において位置合わせされた交換用の第２のリングＰＦＲをアライナＡＮから搬出し、内部が大気圧まで昇圧された真空予備部ＬＬ３に搬入する。次に、真空予備部ＬＬ３の内部が減圧される。次に、真空搬送ロボットＴＲ１が、真空予備部ＬＬ３から交換用の第２のリングＰＦＲを上フォークＦＫ１により搬出する。工程Ｓ５０４では、真空予備部ＬＬ３に代えて真空予備部ＬＬ１、ＬＬ２を用いてもよい。
　工程Ｓ５０５では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から使用済の第２のリングＦＲを下フォークＦＫ２により搬出する。
　工程Ｓ５０６では、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＬ１により保持された交換用の第２のリングＰＦＲを処理部ＰＭ１に搬入する。このように、真空搬送ロボットＴＲ１が、交換用の第２のリングＰＦＲを上フォークＦＫ１で保持し、使用済の第２のリングＰＦＲを下フォークＦＫ２で保持する場合、交換用の第２のリングＰＦＲが使用済の第２のリングＰＦＲよりも上方に位置する。このため、使用済の第２のリングＰＦＲに付着したパーティクルなどが落下した場合でも交換用の第２のリングＰＦＲに付着することを抑制できる。ただし、工程Ｓ５０４において、真空搬送ロボットＴＲ１が真空予備部ＬＬ３から交換用の第２のリングＰＦＲを下フォークＦＫ２により搬出してもよい。また、工程Ｓ５０５において、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１から使用済の第２のリングＰＦＲを上フォークＦＫ１により搬出してもよい。
　工程Ｓ５０７では、上フォークＦＫ１に設けられる位置検出センサＳ１が、処理部ＰＭ１に搬入された交換用の第２のリングＰＦＲの位置を検出する。
　工程Ｓ５０８では、制御部ＣＵが、工程Ｓ５０７において検出された交換用の第２のリングＰＦＲの位置に基づいて、交換用の第２のリングＰＦＲに位置ずれがないかを判定する。制御部ＣＵは、交換用の第２のリングＰＦＲに位置ずれがあると判定した場合（工程Ｓ５０８のＮＯ）、処理を工程Ｓ５０９へ進める。制御部ＣＵは、交換用の第２のリングＰＦＲに位置ずれがないと判定した場合（工程Ｓ５０８のＹＥＳ）、処理を工程Ｓ５１０へ進める。
　工程Ｓ５０９では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から交換用の第２のリングＰＦＲを上フォークＦＫ１により搬出する。工程Ｓ５０９では、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１から交換用の第２のリングＦＲを下フォークＦＫ２により搬出してもよい。工程Ｓ５０９の後、処理が工程Ｓ５０６に戻され、工程Ｓ５０６において真空搬送ロボットＴＲ１が工程Ｓ５０９において処理部ＰＭ１から搬出された交換用の第２のリングＰＦＲを、位置補正して処理部ＰＭ１に搬入する。工程Ｓ５０９では、交換用の第２のリングＰＦＲを処理部ＰＭ１から搬出することなく位置補正してもよい。この場合、まず、処理部ＰＭ１に設けられる複数の支持ピン５１１が上昇することにより、交換用の第２のリングＰＦＲを持ち上げる。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）を処理部ＰＭ１に進入させる。続いて、複数の支持ピン５１１が下降することにより、交換用の第２のリングＰＦＲが上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）に渡される。続いて、真空搬送ロボットＴＲ１が、処理部ＰＭ１の処理室内において上フォークＦＫ１（又は下フォークＦＫ２）の位置を調整することにより、交換用の第２のリングＰＦＲを位置補正する。
　工程Ｓ５１０では、工程Ｓ５０５において処理部ＰＭ１から搬出された使用済の第２のリングＰＦＲが、真空搬送部ＴＭから大気搬送部ＬＭに搬送される。具体的には、まず、真空搬送ロボットＴＲ１が、下フォークＦＫ２により保持された使用済の第２のリングＰＦＲを、内部が真空に減圧された真空予備部ＬＬ１に搬入する。次に、真空予備部ＬＬ１が、内部を大気圧まで昇圧する。次に、大気搬送ロボットＴＲ２が、真空予備部ＬＬ１から使用済の第２のリングＰＦＲを搬出し、搬出した使用済の第２のリングＰＦＲをロードポートＬＰ４に載置されたリング収納容器ＣＳ２に搬入する。工程Ｓ５１０では、真空予備部ＬＬ１に代えて真空予備部ＬＬ２、ＬＬ３を用いてもよい。
　工程Ｓ５１１では、制御部ＣＵが、静電チャック１１２による交換用の第２のリングＦＲの吸着保持を開始させる。
　工程Ｓ５１２では、制御部ＣＵが、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送を再開させる。
　以上に説明した実施形態の第５例に係る搬送方法によれば、少なくとも真空搬送部ＴＭからすべての基板が除去された状態で、真空搬送ロボットＴＲ１が処理部ＰＭ１と大気搬送部ＬＭとの間で第２のリングＰＦＲを搬送する。これにより、真空搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの搬送と、真空搬送ロボットＴＲ１による第２のリングＰＦＲの搬送とが混在しない。このため、第２のリングＰＦＲの搬送時に生じうるパーティクルなどの基板Ｗへの付着を抑制できる。その結果、基板Ｗの汚染を抑制できる。
　なお、図１０に示される工程Ｓ５０１～工程Ｓ５１２の一部の順番を入れ替えてもよい。
　例えば、工程Ｓ５０１と工程Ｓ５０２とは、並行して実施されてもよい。
　例えば、工程Ｓ５０３は、工程Ｓ５０１と工程Ｓ５０２との間に実施されてもよい。例えば、工程Ｓ５０３は、工程Ｓ５０２と並行して実施されてもよい。
　また、図１０に示される工程Ｓ５０１～工程Ｓ５１２の一部を実施しなくてもよい。例えば、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲが吸着保持されない場合には、工程Ｓ５０２及び工程Ｓ５１１は省略してよい。
　以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
　（付記１）
　基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、
　前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、
　前記リングを収納する収納部と、
　制御部と、
　を有し、
　前記真空搬送部は、基板又は前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、
　前記制御部は、
　前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、
　前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、
　を実行するよう制御する、
　基板処理システム。
　（付記２）
　前記真空搬送部に接続される真空予備部と、
　前記真空予備部を介して前記真空搬送部に接続される大気搬送部と、
　をさらに有し、
　前記制御部は、前記除去する工程において、前記真空予備部及び前記大気搬送部からすべての前記基板を除去するよう制御する、
　付記１に記載の基板処理システム。
　（付記３）
　前記制御部は、前記除去する工程の後かつ前記搬送する工程の前に、除去したすべての前記基板を基板収納容器に搬入するよう制御する、
　付記１に記載の基板処理システム。
　（付記４）
　前記制御部は、前記除去する工程の後かつ前記搬送する工程の前に、除去したすべての前記基板を基板収納容器に搬入するよう制御する、
　付記２に記載の基板処理システム。
　（付記５）
　前記収納部は、前記真空搬送部に接続されるリング収納部を含む、
　付記１から付記４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
　（付記６）
　前記リングは、第１のリングと、前記第１のリングの上に配置される第２のリングとを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングと前記第２のリングの両方を交換するよう制御する、
　付記５に記載の基板処理システム。
　（付記７）
　前記制御部は、前記搬送する工程において、
　前記処理部から使用済みの前記第２のリングを搬出する工程と、
　前記第２のリングを搬出する工程の後に前記処理部から使用済みの前記第１のリングを搬出する工程と、
　前記第１のリングを搬出する工程の後に前記処理部に交換用の前記第１のリングを搬入する工程と、
　前記第１のリングを搬入する工程の後に前記処理部に交換用の前記第２のリングを搬入する工程と、
　を実行するよう制御する、
　付記６に記載の基板処理システム。
　（付記８）
　前記制御部は、前記搬送する工程において、
　前記処理部から搬出された使用済みの前記第２のリングを前記リング収納部に搬入する工程と、
　前記処理部から搬出された使用済みの前記第１のリングを前記リング収納部に搬入する工程と、
　を実行するよう制御する、
　付記７に記載の基板処理システム。
　（付記９）
　前記収納部は、アライナを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第１のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記７に記載の基板処理システム。
　（付記１０）
　前記収納部は、アライナを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第１のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記８に記載の基板処理システム。
　（付記１１）
　前記収納部は、アライナを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記７に記載の基板処理システム。
　（付記１２）
　前記収納部は、アライナを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記８に記載の基板処理システム。
　（付記１３）
　前記大気搬送部に接続されるロードポートをさらに有し、
　前記収納部は、前記ロードポートに載置されるリング収納部を含む、
　付記２に記載の基板処理システム。
　（付記１４）
　前記リングは、第１のリングと、前記第１のリングの上に配置される第２のリングとを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを交換することなく、前記第２のリングを交換するよう制御する、
　付記１３に記載の基板処理システム。
　（付記１５）
　前記制御部は、前記搬送する工程において、
　前記処理部から使用済みの前記第２のリングを搬出する工程と、
　前記処理部に交換用の前記第２のリングを搬入する工程と、
　を実行するよう制御する、
　付記１４に記載の基板処理システム。
　（付記１６）
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記処理部から搬出された使用済みの第２のリングを前記リング収納部に搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記１５に記載の基板処理システム。
　（付記１７）
　前記収納部は、アライナを含み、
　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
　付記１５又は１６に記載の基板処理システム。
　（付記１８）
　基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、
　前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、
　前記リングを収納する収納部と、
　を有する基板処理システムにおいて、前記リングを搬送する方法であって、
　前記真空搬送部は、前記基板及び前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、
　前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、
　前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、
　を有する、
　搬送方法。
　なお、上記実施形態に挙げた構成などに、その他の要素との組み合わせなど、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。また、複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取りうることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
　例えば、上記実施形態では、容量結合型のプラズマ装置を例に説明したが、これに限定されるものではなく、他のプラズマ装置に適用されてもよい。例えば、容量結合型のプラズマ装置に代えて、誘導結合型のプラズマ（Inductively-coupled　plasma：ＩＣＰ）装置が用いられてもよい。この場合、誘導結合型のプラズマ装置は、アンテナ及び下部電極を含む。下部電極は、基板支持部内に配置され、アンテナは、チャンバの上部又は上方に配置される。そして、ＲＦ生成器は、アンテナに結合され、ＤＣ生成器は、下部電極に結合される。従って、ＲＦ生成器は、容量結合型のプラズマ装置の上部電極、又は、誘導結合型のプラズマ装置のアンテナに結合される。すなわち、ＲＦ生成器は、プラズマ処理チャンバ１０に結合される。
　本国際出願は、２０２２年９月３０日に出願した日本国特許出願第２０２２－１５７５２５号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容を本国際出願に援用する。
　１１、１６　　　基板支持部
　１１３、２２０　リングアセンブリ
　ＣＵ　　　　　　制御部
　ＰＳ　　　　　　基板処理システム
　ＰＭ１～ＰＭ７　処理部
　ＲＳＭ　　　　　リング収納部
　ＴＭ　　　　　　真空搬送部
　ＴＲ１　　　　　真空搬送ロボット
　Ｗ　　　　　　　基板

Claims (18)

  1. 　基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、
    　前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、
    　前記リングを収納する収納部と、
    　制御部と、
    　を有し、
    　前記真空搬送部は、基板又は前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、
    　前記制御部は、
    　前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、
    　前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、
    　を実行するよう制御する、
    　基板処理システム。
  2. 　前記真空搬送部に接続される真空予備部と、
    　前記真空予備部を介して前記真空搬送部に接続される大気搬送部と、
    　をさらに有し、
    　前記制御部は、前記除去する工程において、前記真空予備部及び前記大気搬送部からすべての前記基板を除去するよう制御する、
    　請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 　前記制御部は、前記除去する工程の後かつ前記搬送する工程の前に、除去したすべての前記基板を基板収納容器に搬入するよう制御する、
    　請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 　前記制御部は、前記除去する工程の後かつ前記搬送する工程の前に、除去したすべての前記基板を基板収納容器に搬入するよう制御する、
    　請求項２に記載の基板処理システム。
  5. 　前記収納部は、前記真空搬送部に接続されるリング収納部を含む、
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  6. 　前記リングは、第１のリングと、前記第１のリングの上に配置される第２のリングとを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングと前記第２のリングの両方を交換するよう制御する、
    　請求項５に記載の基板処理システム。
  7. 　前記制御部は、前記搬送する工程において、
    　前記処理部から使用済みの前記第２のリングを搬出する工程と、
    　前記第２のリングを搬出する工程の後に前記処理部から使用済みの前記第１のリングを搬出する工程と、
    　前記第１のリングを搬出する工程の後に前記処理部に交換用の前記第１のリングを搬入する工程と、
    　前記第１のリングを搬入する工程の後に前記処理部に交換用の前記第２のリングを搬入する工程と、
    　を実行するよう制御する、
    　請求項６に記載の基板処理システム。
  8. 　前記制御部は、前記搬送する工程において、
    　前記処理部から搬出された使用済みの前記第２のリングを前記リング収納部に搬入する工程と、
    　前記処理部から搬出された使用済みの前記第１のリングを前記リング収納部に搬入する工程と、
    　を実行するよう制御する、
    　請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 　前記収納部は、アライナを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第１のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項７に記載の基板処理システム。
  10. 　前記収納部は、アライナを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第１のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項８に記載の基板処理システム。
  11. 　前記収納部は、アライナを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項７に記載の基板処理システム。
  12. 　前記収納部は、アライナを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項８に記載の基板処理システム。
  13. 　前記大気搬送部に接続されるロードポートをさらに有し、
    　前記収納部は、前記ロードポートに載置されるリング収納部を含む、
    　請求項２に記載の基板処理システム。
  14. 　前記リングは、第１のリングと、前記第１のリングの上に配置される第２のリングとを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第１のリングを交換することなく、前記第２のリングを交換するよう制御する、
    　請求項１３に記載の基板処理システム。
  15. 　前記制御部は、前記搬送する工程において、
    　前記処理部から使用済みの前記第２のリングを搬出する工程と、
    　前記処理部に交換用の前記第２のリングを搬入する工程と、
    　を実行するよう制御する、
    　請求項１４に記載の基板処理システム。
  16. 　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記処理部から搬出された使用済みの第２のリングを前記リング収納部に搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項１５に記載の基板処理システム。
  17. 　前記収納部は、アライナを含み、
    　前記制御部は、前記搬送する工程において、前記第２のリングを搬入する工程の前までに、前記収納部に収納された交換用の前記第２のリングを前記アライナに搬入する工程を実行するよう制御する、
    　請求項１５又は１６に記載の基板処理システム。
  18. 　基板と、前記基板の周囲に配置されるリングとを支持する基板支持部を各々が有する複数の処理部と、
    　前記複数の処理部に接続される真空搬送部と、
    　前記リングを収納する収納部と、
    　を有する基板処理システムにおいて、前記リングを搬送する方法であって、
    　前記真空搬送部は、前記基板及び前記リングを搬送する搬送ロボットを有し、
    　前記複数の処理部及び前記真空搬送部からすべての基板を除去する工程と、
    　前記除去する工程の後に前記複数の処理部の少なくとも１つと前記収納部との間で前記リングを搬送する工程と、
    　を有する、
    　搬送方法。
PCT/JP2023/034678 2022-09-30 2023-09-25 基板処理システム及び搬送方法 WO2024071020A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-157525 2022-09-30
JP2022157525 2022-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024071020A1 true WO2024071020A1 (ja) 2024-04-04

Family

ID=90477840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/034678 WO2024071020A1 (ja) 2022-09-30 2023-09-25 基板処理システム及び搬送方法

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202420484A (ja)
WO (1) WO2024071020A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020096149A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送方法、搬送プログラムおよび保持具
JP2021535612A (ja) * 2018-08-30 2021-12-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation エッジリング部品番号をスロット番号にマッピングするための識別子の使用
JP2022117671A (ja) * 2021-02-01 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 収納容器及び処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021535612A (ja) * 2018-08-30 2021-12-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation エッジリング部品番号をスロット番号にマッピングするための識別子の使用
JP2020096149A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送方法、搬送プログラムおよび保持具
JP2022117671A (ja) * 2021-02-01 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 収納容器及び処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202420484A (zh) 2024-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102538183B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대
JP7349845B2 (ja) 基板処理システムにおける搬送方法
KR20200102612A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7293517B2 (ja) 基板処理システム及び搬送方法
JP2022117671A (ja) 収納容器及び処理システム
US20210280396A1 (en) Substrate support, plasma processing system, and method of placing annular member
US11901163B2 (en) Plasma processing system and edge ring replacement method
CN115132558A (zh) 等离子体处理系统和环状部件的安装方法
US20240194504A1 (en) Processing system and transfer method
TW202217907A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台
US11183411B2 (en) Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
WO2024071020A1 (ja) 基板処理システム及び搬送方法
KR20210030917A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023130880A (ja) 基板処理室内に配置される部材を搬送する装置、基板処理システム及び前記部材を搬送する方法
WO2024075592A1 (ja) 基板処理システム、および搬送方法
WO2024095856A1 (ja) 基板処理システム、および搬送方法
TW202431411A (zh) 基板處理系統、及搬送方法
US20220319800A1 (en) Plasma processing system, transfer arm, and method of transferring annular member
WO2024071130A1 (ja) 基板処理システム
US12125738B2 (en) Storage module, substrate processing system, and method of transferring consumable member
KR102635383B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102174063B1 (ko) 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2024108621A (ja) 基板処理システム、および基板搬送方法
KR20210027647A (ko) 기판 처리 장치 및 핸드 위치 티칭 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23872243

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1