TW202217907A - 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台 - Google Patents

電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台 Download PDF

Info

Publication number
TW202217907A
TW202217907A TW110122847A TW110122847A TW202217907A TW 202217907 A TW202217907 A TW 202217907A TW 110122847 A TW110122847 A TW 110122847A TW 110122847 A TW110122847 A TW 110122847A TW 202217907 A TW202217907 A TW 202217907A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ring
holding portion
lift pin
mounting table
height
Prior art date
Application number
TW110122847A
Other languages
English (en)
Inventor
堂込公宏
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202217907A publication Critical patent/TW202217907A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Abstract

本發明之目的在於提供一種可容易地更換電漿處理裝置之消耗元件之技術。本發明之電漿處理裝置之載置台，係具備晶圓載置面、環載置面、升降銷、以及驅動機構。晶圓載置面上載置晶圓，環載置面載置第1環及第2環。第2環係配置於第1環之外周側，並且不與該第1環在上下方向上重疊之位置。環載置面上在對應第1環與第2環之邊界之位置具有孔。環載置面係設置於晶圓載置面之外周側。升降銷具有第1固持部及第2固持部。第2固持部係連接至第1固持部之軸方向並具有從第1固持部外周突出之突出部。升降銷係將第1固持部靠向環載置面一側而收納於環載置面之孔內。驅動機構係用以驅動升降銷，使升降銷可升降。

Description

電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台
本發明係關於一種電漿處理裝置以及電漿處理裝置之載置台。
利用電漿處理半導體晶圓等基板之系統中，為調整電漿之蝕刻速度以及／或蝕刻輪廓，有時會在基板之半徑方向外緣部附近配置環狀構件。
例如，專利文獻1之基板處理系統係將邊緣連結環鄰接配置於處理腔室內之底座半徑方向上之外緣部。邊緣連結環於蝕刻時會受到電漿侵蝕。此處，專利文獻1中係採用可透過致動器使邊緣連結環上升後以機械手臂進行更換之構成。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利公開公報2016－146472號
〔發明欲解決之課題〕
本發明之目的在於提供一種可容易地更換電漿處理裝置之消耗元件之技術。 〔解決課題之手段〕
依本發明之載置台以及電漿處理裝置係具備晶圓載置面、環載置面、升降銷以及驅動機構。晶圓載置面上載置晶圓。環載置面載置第1環與第2環。第2環係配置於第1環之外周側，並且不與該第1環在上下方向上重疊之位置。環載置面上係在對應第1環與第2環之邊界之位置具有孔。環載置面係設置於晶圓載置面之外周側。升降銷具有第1固持部及第2固持部。第2固持部係連接至第1固持部之軸方向，並具有從第1固持部外周突出之突出部。升降銷係將第1固持部靠向環載置面一側而收納於環載置面之孔內。驅動機構係用以驅動升降銷，使升降銷可升降。 〔發明效果〕
透過本發明，可容易地更換電漿處理裝置之消耗元件。
電漿處理裝置內配置有複數之消耗元件。例如，具有為了提升晶圓面內之電漿處理之均一度，而配置於晶圓之徑向外側之邊緣環。又，具有為了保護載置台，而配置於邊緣環之徑向外側之覆蓋環。為了更換複數之消耗元件而對各消耗元件設置專用搬運機構時，將使載置台的內部構造複雜化。又，由於電漿處理裝置內之空間限制，可設置於載置台內部或載置台底部之機構的位置與大小會受到限制。因此，希望能以盡可能精簡之構成來搬運配置於電漿處理裝置內之消耗元件。
關於以下所揭露之實施態樣，將根據圖式進行詳細說明。另外，本實施態樣並非用於進行限定。各實施態樣係可在不使處理內容矛盾之範圍內進行適當組合。
（實施態樣） 圖1係表示依實施態樣之電漿處理裝置概略構成之剖面圖。圖1之電漿處理裝置1具有金屬製，例如鋁或不鏽鋼製的已安全接地之圓筒型的處理容器10，該處理容器10內設有載置作為被處理體（基板）之晶圓W之圓形的基座（底部電極）11。該基座11係為例如由鋁所構成，並經由絕緣性之筒狀固持構件12而受到自處理容器10底部向垂直上方延伸之筒狀支撐部13所支撐。
處理容器10之側壁與筒狀支撐部13之間形成有排氣通道14，該排氣通道14之入口或中間設有環狀的檔板15，同時在底部設置有排氣口16，該排氣口16係經由排氣管17而與排氣裝置18連接。再者，處理容器10之側壁上安裝有用以開關晶圓W之搬入搬出口19之閘閥20。
第1及第2射頻電源21a、21b係經由匹配器22以及供電棒23而與基座11進行電性連接。此處，第1射頻電源21a主要輸出有助於電漿生成之頻率（通常為40MHz以上）之第1射頻。第2射頻電源21b主要輸出有助於對基座11上之晶圓W之離子引入之頻率（通常為13.56MHz以下）之第2射頻。匹配器22中，收納有第1匹配器，用以於第1射頻電源21a側之阻抗與負載（主要為電極、電漿、處理容器10）側之阻抗之間進行匹配；以及第2匹配器，用以於第2射頻電源21b側之阻抗與負載側之阻抗之間進行匹配。另外，有助於離子引入之電壓不限於射頻。亦可係以脈衝狀施加之直流電壓。又，圖1中係表示將第1以及第2射頻電源21a、21b連接至基座11之一例，但本發明並不限定於此。亦可將第1射頻電源連接至後述之噴淋頭24（頂部電極），將第2射頻電源連接至基座11。
又，於處理容器10之頂棚部配設有後述作為接地電位之頂部電極之噴淋頭24。透過此方式，將來自第1以及第2射頻電源21a、21b之射頻電壓施加於基座11與噴淋頭24之間。
於基座11之頂面配設有以靜電吸附力吸附晶圓W之靜電吸盤25。靜電吸盤25係由載置晶圓W之圓板狀之中心部25a、環狀之內周部25b、以及環狀之外周部25c所構成，中心部25a係相對於内周部25b以及外周部25c而向圖中上方突出。内周部25b及外周部25c係大致同一平面。中心部25a係載置晶圓W之晶圓載置面之一例。又，内周部25b係載置邊緣環ER之環載置面之一例。又，外周部25c係載置覆蓋環CR之環載置面之一例。以下，亦將包含基座11以及靜電吸盤25的用以載置晶圓W之構造部稱為載置台。
邊緣環ER係以例如矽等導電性材料形成之環狀構件。邊緣環ER係具有使電漿處理時之晶圓面內之電漿分布均一化，並提升電漿處理性能之機能。覆蓋環CR係以例如石英等絕緣性材料形成之環狀構件。覆蓋環CR係具有保護基座11、靜電吸盤25等之機能。又，覆蓋環CR之外徑側配置有用以保護基座11之絕緣構件30。邊緣環ER係第1環之一例。覆蓋環CR係第2環之一例。第1環及第2環係如上述，由不同材質形成。關於邊緣環ER以及覆蓋環CR，後續將再加以說明。
靜電吸盤25之中心部25a係透過於介電膜內夾入由導電膜構成之電極板25d之方式構成。又，内周部25b係透過於介電膜內夾入由導電膜構成之電極板25e之方式構成。直流電源26係經由開關27而與電極板25d進行電性連接。直流電源28係經由開關29而與電極板25e進行電性連接。接著，靜電吸盤25係透過自直流電源26向電極板25d施加之電壓產生庫侖力等靜電力，並透過靜電力使晶圓W吸附固持於靜電吸盤25。又，靜電吸盤25係透過自直流電源28向電極板25e施加之電壓產生庫侖力等靜電力，並透過靜電力使邊緣環ER吸附固持於靜電吸盤25。
又，於基座11之內部，例如設有於圓周方向延伸之環狀的冷媒室31。該冷媒室31中係自冷卻單元32經由配管33、34循環供給既定溫度之冷媒，例如冷卻水，並透過該冷媒之溫度控制靜電吸盤25上之晶圓W之溫度。
又，傳熱氣體供給部35a係經由晶圓用氣體供給管線36a而與靜電吸盤25連接傳熱。又，傳熱氣體供給部35b係經由環用氣體供給管線36b而與靜電吸盤25上連接傳熱。晶圓用氣體供給管線36a係到達靜電吸盤25之中心部25a。環用氣體供給管線36b係到達靜電吸盤25之内周部25b。另外，亦可係將共通之傳熱氣體供給部連接至晶圓用氣體供給管線36a與環用氣體供給管線36b傳熱之構成。傳熱氣體供給部35a係經由晶圓用氣體供給管線36a向靜電吸盤25之中心部25a與晶圓W所夾之空間供給傳熱氣體。又，傳熱氣體供給部35b係經由環用氣體供給管線36b向靜電吸盤25之内周部25b與邊緣環ER所夾之空間供給傳熱氣體。所謂傳熱氣體，較佳使用具有熱傳導性之氣體，例如He（氦）氣等。
頂棚部之噴淋頭24係包含具有多數之氣體通氣孔37a之底面之電極板37，以及可拆裝地支撐該電極板37之電極支撐體38。又，該電極支撐體38之內部設有緩衝室39，在該緩衝室39之氣體導入口38a連接有來自處理氣體供給部40之氣體供給配管41。
本電漿處理裝置1之各構成要素，例如，排氣裝置18、射頻電源21a、21b、用於靜電吸盤之開關27、29、直流電源26、28、冷卻單元32、傳熱氣體供給部35a、35b以及處理氣體供給部40等，係連接至控制部43。控制部43係控制電漿處理裝置1之各構成要素。
控制部43係具備未圖示之中央處理裝置（CPU）、以及記憶體這樣的儲存裝置，藉由讀取並執行儲存於儲存裝置之程式以及處理配方，而在電漿處理裝置中執行所期望之處理。
又，控制部43係連接至接著說明之搬運機構50（參照圖2）。控制部43係控制搬運機構50以執行用於搬運邊緣環ER以及覆蓋環CR之處理。
（搬運機構50之一例） 圖2係表示依實施態樣之搬運機構50概略構成的剖面圖。依實施態樣之電漿處理裝置1係具備用以搬運載置於載置台上之邊緣環ER以及覆蓋環CR之搬運機構50。搬運機構50具有升降銷51、密封部52及驅動機構53。
於圖2之例中，靜電吸盤25之中心部25a上載置有晶圓W，内周部25b上載置有邊緣環ER。外周部25c上載置有覆蓋環CR。配置於載置台上之既定位置時，邊緣環ER之外周面係隔著預先設定之間隙61，與覆蓋環CR之内周面相向。另外，雖未顯示於圖式上，但亦可在覆蓋環CR之内周面與邊緣環ER之外周面相向之部份等處，設置用以定位之構造。例如，亦可在「内周部25b以及外周部25c」與「邊緣環ER以及覆蓋環CR各自相向之面」，設置互相卡合之凹凸。
靜電吸盤25中，在橫跨内周部25b與外周部25c之邊界線之位置形成有孔63。孔63係於上下方向上貫通靜電吸盤25。孔63具有略圓形之剖面。又，基座11内，形成有孔64以與孔63連通。
升降銷51收納於孔63、64内，並以下方連接至驅動機構53。以下，將連接至驅動機構53之升降銷51之端部稱為基端，並將與基端反方向之端部稱為遠端（或頂部）。密封部52配置於孔64内。升降銷51係通過密封部52向下方延伸。密封部52係防止孔63、64内之比密封部52更上方之空間與比密封部52更下方之空間連通。密封部52係例如軸封、伸縮囊等。
驅動機構53係使升降銷51向上下升降。驅動機構53之種類並不特別限定。驅動機構53係例如壓電致動器、馬達等。
升降銷51具有第1固持部51a以及第2固持部51b。第1固持部51a係設於升降銷51之遠端側。第1固持部51a係自升降銷51之遠端（上方端）形成為既定之長度L1（參照圖6）。第2固持部51b係設於升降銷51之基端側。第2固持部51b係連接至第1固持部51a之軸方向基端側。第2固持部51b係形成為與第1固持部51a相比橫剖面積更大。因此，第2固持部51b形成有自第1固持部51a之外周突出之突出部51c。突出部51c係指第2固持部51b之遠端面，並且係指形成可固持邊緣環ER或覆蓋環CR之面之部分。
第2固持部51b具有以既定之間隙嵌合於孔63内之剖面。在升降銷51配置於孔63内之狀態下，若將第2固持部51b之橫剖面投影至上方，則會與邊緣環ER以及覆蓋環CR雙方之一部分重疊。另一方面，若將第1固持部51a之橫剖面投影至上方，當升降銷51位於第1位置時，只與邊緣環ER之一部份重疊。另一方面，當升降銷51位於第2位置時，第1固持部51a之橫剖面只與覆蓋環CR之一部份重疊。例如，將第1固持部51a位於靜電吸盤25之中心側時稱為第1位置。又，將第1固持部51a位於靜電吸盤25之外周側時稱為第2位置。例如，將位於第1位置之升降銷51以軸為中心旋轉180度之位置即係第2位置。
第1固持部51a以及第2固持部51b之具體形狀並不特別限定。例如，第1固持部51a宜為半圓形剖面之棒，第2固持部51b宜為相當於第1固持部51a之剖面的大致兩倍大之圓形剖面之棒。另外，第1固持部51a以及第2固持部51b之頂部剖面係可各自單獨支撐邊緣環ER以及覆蓋環CR之大小。
又，第1固持部51a、第2固持部51b亦可係多角形之剖面。又，第1固持部51a與第2固持部51b之橫剖面積之比率並不特別限定。但第1固持部51a之遠端面與第2固持部51b之遠端面係以滿足以下條件之方式構成。 （1）當使第1位置之升降銷51上升時，第1固持部51a之遠端面只抵接於邊緣環ER。 （2）當使第1位置之升降銷51上升時，第2固持部51b之遠端面只抵接於覆蓋環CR。 （3）當使第1位置之升降銷51上升時，先由第1固持部51a抵接於邊緣環ER，接著由第2固持部51b抵接於覆蓋環CR。 （4）當使第2位置之升降銷51上升時，第1固持部51a之遠端面只抵接於覆蓋環CR。 （5）當使第2位置之升降銷51上升時，第2固持部51b之遠端面只抵接於邊緣環ER。 （6）當使第2位置之升降銷51上升時，先由第1固持部51a抵接於覆蓋環CR，接著由第2固持部51b抵接於邊緣環ER。
（邊緣環ER之搬運例） 以下，參照圖3A至圖3D，說明透過依實施態樣之搬運機構50所進行的邊緣環ER之搬運。圖3A至圖3D之例示中，搬運機構50係將升降銷51配置於第1位置進行邊緣環ER之搬運。圖3A係表示透過依實施態樣之搬運機構50開始進行邊緣環ER搬運時之狀態例之圖式。
如圖3A所示，升降銷51於搬運時以外係收納於孔63、64内。另外，圖3A之例示中，雖升降銷51之遠端係抵接於邊緣環ER之底面之狀態，但升降銷51亦可收納於不與邊緣環ER接觸之位置。
圖3B係表示透過依實施態樣之搬運機構50抬起邊緣環ER之狀態例之圖式。在邊緣環ER搬運時，首先，驅動機構53驅動升降銷51向上方抬起。升降銷51上升後，第1固持部51a之遠端會先到達載置台面並抵接邊緣環ER之底面。當升降銷51進一步上升，透過升降銷51，使邊緣環ER自靜電吸盤25之内周部25b離開並向上方抬起。驅動機構53係使升降銷51之遠端上升至預先設定之第1搬運高度H1。關於第1搬運高度H1後續再加以說明。
圖3C係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之邊緣環ER載置於機械手臂AM上前之狀態例之圖式。升降銷51將邊緣環ER抬起至第1搬運高度H1後，控制部43使搬運用之機械手臂AM自處理容器10外進入基座11上。機械手臂AM係於其頂面位於比第1搬運高度H1更下方之高度H2之狀態向水平方向前進。當機械手臂AM配置於透過升降銷51抬起之邊緣環ER之下方後，驅動機構53開始使升降銷51下降。藉由使升降銷51下降，將固持於升降銷51上之邊緣環ER載置於機械手臂AM之頂面。
圖3D係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之邊緣環ER載置於機械手臂AM上後之狀態例之圖式。將邊緣環ER載置於機械手臂AM上後，升降銷51會向高度H2之更下方繼續下降。接著，升降銷51收納至孔63、64内後，控制部43使載置有邊緣環ER之機械手臂AM向處理容器10外移動。
（覆蓋環CR之搬運） 以下，參照圖4A至圖4D，說明透過依實施態樣之搬運機構50進行的覆蓋環CR之搬運。圖4A至圖4D之例示，搬運機構50係將升降銷51配置於第1位置進行覆蓋環CR之搬運。圖4A係表示透過依實施態樣之搬運機構50開始進行覆蓋環CR之搬運時之狀態例之圖式。
圖4A所示之覆蓋環CR之搬出，係於晶圓W以及邊緣環ER未配置於載置台上之狀態下進行。升降銷51係配置於第1位置。
圖4B係表示透過依實施態樣之搬運機構50抬起覆蓋環CR之狀態例之圖式。與邊緣環ER搬運時相異，覆蓋環CR搬運時，驅動機構53係使升降銷51之遠端上升至比第1搬運高度H1更上方之第2搬運高度H3。當驅動機構53使升降銷51緩慢上升，首先，第1固持部51a會通過載置台面，接著第2固持部51b之遠端面會抵接覆蓋環CR之底面。藉由於第2固持部51b之遠端面抵接覆蓋環CR之底面之狀態下使升降銷51進一步上升，使覆蓋環CR自靜電吸盤25之外周部25c離開，並向上方抬起。驅動機構53繼續使升降銷51之遠端上升至第2搬運高度H3。此結果，第2固持部51b之遠端亦即覆蓋環CR之底面會位於第1搬運高度H1。
圖4C係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之覆蓋環CR載置於機械手臂AM上前之狀態例之圖式。升降銷51使覆蓋環CR上升至第1搬運高度H1後，控制部43使搬運用之機械手臂AM自處理容器10外進入基座11上。機械手臂AM係於其頂面位於比第1搬運高度H1更下方之高度H2之狀態向水平方向前進。當機械手臂AM配置於透過升降銷51抬起之覆蓋環CR之下方後，驅動機構53開始使升降銷51下降。升降銷51下降並且第2固持部51b之遠端面到達高度H2後，固持於升降銷51上之覆蓋環CR會載置於機械手臂AM上。
圖4D係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之覆蓋環CR載置於機械手臂AM上後之狀態例之圖式。將覆蓋環CR載置於機械手臂上AM後，升降銷51進一步下降，第1固持部51a之遠端面向高度H2更下方移動。接著，升降銷51收納至孔63、64内後，控制部43使載置有覆蓋環CR之機械手臂AM向處理容器10外移動。
如上所述，依實施態樣之搬運機構50中，係將升降銷51配置於第1位置，並使升降銷51之上升量，在邊緣環ER搬運時與覆蓋環CR搬運時不同。透過此方式，搬運機構50可利用同一個升降銷51實現邊緣環ER與覆蓋環CR雙方之搬運。為此，以第1固持部51a與第2固持部51b構成升降銷51，該第2固持部51b係橫剖面比第1固持部51a更大，且設於第1固持部51a之基端側並向第1固持部51a之周方向突出。接著，於對應載置台上配置之邊緣環ER與覆蓋環CR之邊界之位置，設置載置台面内之孔63。
（邊緣環ER以及覆蓋環CR之同時搬出） 順帶一提，圖3A至圖3D以及圖4A至圖4D中分別顯示了單獨搬運邊緣環ER以及覆蓋環CR之情況。但不限於該內容，搬運機構50亦可同時抬起邊緣環ER以及覆蓋環CR並傳遞至機械手臂AM。
例如，圖4A中，於不只覆蓋環CR，邊緣環ER亦載置於靜電吸盤25上之狀態下開始搬運處理。如此，在第1固持部51a之遠端到達載置台面之時間點，首先，透過第1固持部51a之遠端面抬起邊緣環ER。當升降銷51繼續上升，接著，第2固持部51b之遠端面抵接覆蓋環CR之底面。然後，藉由使升降銷51進一步上升，邊緣環ER透過第1固持部51a，覆蓋環CR透過第2固持部51b，在受到支撐之狀態下同時被抬起（參照圖4B）。在此狀態下，使機械手臂AM進入處理容器10内。然後，首先使第2固持部51b之遠端面下降至高度H2，將覆蓋環CR載置於機械手臂AM上。在此時間點，使機械手臂AM暫時避讓至處理容器10外，並搬出覆蓋環CR。然後，再度使機械手臂AM進入處理容器10内。然後使升降銷51進一步下降。在升降銷51之第1固持部51a上仍處於支撐有邊緣環ER的狀態。當使第1固持部51a之遠端面下降至高度H2時，將邊緣環ER載置於機械手臂AM上。使升降銷51繼續下降並收納至孔63内。接著，使機械手臂AM避讓至處理容器10外並搬出邊緣環ER。
如此，搬運機構50可透過升降銷51同時抬起覆蓋環CR與邊緣環ER並將它們搬出。因此，透過本實施態樣，可於搬出消耗元件時，省去每次使升降銷自收納位置升降之程序，可縮短搬運處理所耗費之時間。
（升降銷位於第2位置時之覆蓋環CR搬運） 以下，參照圖5A至圖5D說明關於透過依實施態樣之搬運機構50進行的覆蓋環CR之搬運之其他例。圖5A至圖5D之例示中，搬運機構50係使升降銷51配置於第2位置進行覆蓋環CR之搬運。圖5A係表示透過依實施態樣之搬運機構50開始進行覆蓋環CR之搬運時之狀態例2之圖式。
圖5A所示之覆蓋環CR之搬出，係亦可於晶圓W以及邊緣環ER配置於載置台上之情況下進行。但為使圖式簡潔，圖5A中係顯示晶圓W以及邊緣環ER未載置於載置台上之狀態。升降銷51係配置於第2位置，第1固持部51a係配置於自圖3A之狀態旋轉180度後之位置。
圖5B係表示透過依實施態樣之搬運機構50抬起覆蓋環CR之狀態例2之圖式。與升降銷51位於第1位置時（圖4B）相異，升降銷51位於第2位置時，驅動機構53使升降銷51之遠端上升至比第2搬運高度H3低之第1搬運高度H1。隨著升降銷51之上升，第1固持部51a之遠端面抵接覆蓋環CR之底面。若再繼續升降銷51之上升，則覆蓋環CR會自載置台面分開。此結果，第1固持部51a之遠端亦即覆蓋環CR之底面會上升至第1搬運高度H1。
圖5C係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之覆蓋環CR載置於機械手臂AM上前之狀態例2之圖式。升降銷51使覆蓋環CR上升至第1搬運高度H1後，控制部43使搬運用機械手臂AM自處理容器10外進入基座11上。機械手臂AM係於其頂面位於比第1搬運高度H1更下方之高度H2之狀態下向水平方向前進。當機械手臂AM配置於透過升降銷51抬起之覆蓋環CR之下方後，驅動機構53開始使升降銷51下降。升降銷51下降並且第1固持部51a之遠端面到達高度H2後，固持於升降銷51上之覆蓋環CR會載置於機械手臂AM上。
圖5D係表示將透過依實施態樣之搬運機構50抬起之覆蓋環CR載置於機械手臂AM上後之狀態例2之圖式。將覆蓋環CR載置於機械手臂AM上後，升降銷51進一步下降，第1固持部51a之遠端面向高度H2之更下方移動。然後，升降銷51收納至孔63、64内後，控制部43使載置有覆蓋環CR之機械手臂AM向處理容器10外移動。
如此，依實施態樣之搬運機構50中，可將升降銷51配置於第1位置與第2位置兩個不同位置後進行升降動作。因此，搬運機構50在欲只搬運覆蓋環CR時，可將升降銷51配置於第2位置，抑制升降銷51之上升量而搬運覆蓋環CR。因此，搬運機構50可抑制升降銷51之升降動作所需時間，減少電漿處理裝置1之停機時間。
又，透過依本實施態樣之搬運機構50，於載置台上載置有邊緣環ER以及覆蓋環CR之情況下，可省去先移動一者後再進行另一者搬運之程序。
圖6係用以說明升降銷51之各部分之長度、搬運高度與覆蓋環CR厚度之關係之圖式。於圖6中，第1搬運高度H1以及第2搬運高度H3係以靜電吸盤25之内周部25b以及外周部25c之頂面之高度作為基準面進行說明。首先，第1固持部51a之長度L1視為與第1搬運高度H1約略相同（圖6、（a））。又，第2搬運高度H3係第1搬運高度H1之約略2倍。驅動機構53係於以第1固持部51a之遠端面固持覆蓋環CR或邊緣環ER並搬運時，使第1固持部51a之遠端上升至第1搬運高度H1（圖6、（b））。又，於將覆蓋環CR以第2固持部51b之遠端面進行固持並搬運時，使第1固持部51a之遠端上升至第2搬運高度H3（圖6、（c））。圖6之例示中，將第1固持部51a之長度L1視為與第1搬運高度H1約略相同。又，將第2搬運高度H3視為第1搬運高度H1之約略2倍。本實施態樣中，藉由如此設定，使升降銷51配置於第1位置搬運邊緣環ER以及覆蓋環CR時之控制態樣共通化。
又，本實施態樣中，將升降銷51配置於第1位置時，有時會使覆蓋環CR與邊緣環ER同時上升。此處，在使升降銷51上升至第1搬運高度H1後使其下降以進行覆蓋環CR之搬出時，為不與邊緣環ER互相干涉，設定第1固持部51a以及第2固持部51b之長度。圖6之（d）係表示以升降銷51同時抬起邊緣環ER以及覆蓋環CR之狀態。第1固持部51a之遠端面位於第2搬運高度H3。第2固持部51b之遠端面位於第1搬運高度H1。搬運機構50於維持升降銷51上固持有邊緣環ER之狀態搬出覆蓋環CR時，升降銷51係下降至圖6之（e）所示之高度。第1固持部51a之遠端位於第1搬運高度H1。另一方面，覆蓋環CR固持於配置於高度H2之機械手臂AM之頂面。此時，覆蓋環CR之厚度若大於第1搬運高度H1與高度H2之差，所搬運之覆蓋環CR與固持於第1固持部51a之邊緣環ER有發生碰撞之可能。因此，圖6之例示中，第1搬運高度H1與高度H2之差設定為會大於覆蓋環CR之厚度。搬運機構50於將升降銷51配置於第2位置使覆蓋環CR上升時，亦與配置於第1位置時相同，使第1固持部51a上升至第1搬運高度H1進行搬運（參照圖6之（f））。
本實施態樣中，係如上所述設定於搬運時使升降銷51停止之高度（H1、H3）、機械手臂AM之進入高度（H2）以及第1固持部51a之長度（L1）。因此，在將升降銷51配置於第1位置時與配置於第2位置時，不須變更使升降銷51上升停止時之位置，可透過搬運機構50實現以簡潔之動作進行搬出。又，透過本實施態樣，不須根據所搬運之消耗元件之種類變更機械手臂AM之高度，可透過相同之動作實現不同消耗元件之搬運。如此，透過實施態樣之構成，能容易地以一個搬運機構50搬運複數之消耗元件。
但升降銷51之各部分之尺寸以及搬運時之上升量並不限於上述內容。可對應配置於載置台上之元件之各部分的尺寸及機械手臂AM之性能，調整升降銷51之各部分之尺寸以及搬運時之上升量。
（搬運處理之流程） 順帶一提，覆蓋環CR與邊緣環ER之消耗狀況與更換頻率相異。邊緣環ER因配置位置靠近晶圓W，受到電漿之影響較多，並且，消耗狀況會大幅影響製程性能。與邊緣環ER相比，覆蓋環CR之消耗進行較慢，對製程性能之影響亦較低。因此，經常於更換1個覆蓋環CR期間中，進行複數個邊緣環ER之更換。因此，亦可針對覆蓋環CR與邊緣環ER，預先設定更換時機，並使控制部43等記錄，當更換時機到來，搬運機構50便自動進行搬出。又，亦可預先設定好各更換時機之搬運處理中，將升降銷51配置於第1位置或配置於第2位置。
例如，可進行更換4次邊緣環ER後、更換1次覆蓋環CR等之設定。此情況下，邊緣環ER更換時，可將升降銷51配置於第1位置。然後，覆蓋環CR交換時，可將升降銷51配置於第2位置。又例如，可進行更換4次邊緣環ER後，同時更換1次邊緣環ER與覆蓋環CR等之設定。此情況下，亦可設定為5次之更換全部將升降銷51配置於第1位置而進行。
圖7係表示透過依實施態樣之搬運機構50之搬運處理流程之一例之流程圖。圖7之例示中，邊緣環ER以及覆蓋環CR雙方之更換係透過一個控制部43（參照圖1）進行控制。控制部43中預先儲存有有搬運處理之流程。
首先，搬運處理之進行時機到來。控制部43用以檢測進行時機到來之手法並不特別限定。例如，可透過操作員輸入，使控制部43檢測進行時機到來。又，控制部43亦可在成為預先設定之時刻時，即判定進行時機到來。
控制部43係判定是否同時搬出邊緣環ER與覆蓋環CR（步驟S700）。判定為同時搬出之情況（步驟S700，是），控制部43係控制搬運機構50使升降銷51配置於第1位置（步驟S710）。然後，控制部43使升降銷51之遠端上升至第2搬運高度H3（步驟S711）。在升降銷51上升至第2搬運高度H3途中，首先，第1固持部51a抵接邊緣環ER，使邊緣環ER上升。再者，第2固持部51b抵接覆蓋環CR，使覆蓋環CR上升。
控制部43係控制機械手臂AM，使其進入處理容器10内，使機械手臂AM配置於覆蓋環CR之下方（參照圖4C）。然後，控制部43使升降銷51緩慢下降至第1搬運高度H1（步驟S712）。如此，將覆蓋環CR載置於機械手臂AM上。在此時間點，控制部43使機械手臂AM避讓至處理容器10外。機械手臂AM係將覆蓋環CR搬出處理容器10外。
接著，控制部43再次控制機械手臂AM，使其進入處理容器10内，使機械手臂AM配置於邊緣環ER之下方（參照圖3C）。然後，控制部43使升降銷51進一步向避讓位置下降（步驟S713）。在升降銷51下降途中，將邊緣環ER載置於機械手臂AM上。控制部43使升降銷51進一步下降至避讓位置（載置台内）。控制部43使載置有邊緣環ER之機械手臂AM避讓至處理容器10外。機械手臂AM係將邊緣環ER搬出處理容器10外。
另一方面，步驟S700中，判定為不同時搬出邊緣環ER與覆蓋環CR之情況（步驟S700，否），控制部43係判定是否只更換邊緣環ER（步驟S720）。判定為只更換邊緣環ER之情況（步驟S720，是），控制部43係使升降銷51配置於第1位置（步驟S721）。接著，控制部43使升降銷51之遠端上升至第1搬運高度H1（步驟S722）。升降銷51之第1固持部51a於上升途中，抵接邊緣環ER，使邊緣環ER上升（參照圖3B）。控制部43控制機械手臂AM使其進入處理容器10内，將機械手臂AM配置於邊緣環ER之下方（參照圖3C）。然後，控制部43使升降銷51緩慢下降。如此一來，便將邊緣環ER載置於機械手臂AM上。控制部43進一步使升降銷51下降至避讓位置（步驟S723）。之後，控制部43控制機械手臂AM使其避讓至處理容器10外。機械手臂AM係將邊緣環ER搬出處理容器10外。
另一方面，步驟S720中，判定為並非只更換邊緣環ER之情況（步驟S720，否），控制部43係判定是否只更換覆蓋環CR（步驟S730）。判定為只更換覆蓋環CR之情況（步驟S730，是），控制部43使升降銷51配置於第2位置（步驟S731）。然後，控制部43使升降銷51之遠端上升至第1搬運高度H1（步驟S732）。升降銷51之第1固持部51a於上升途中，抵接覆蓋環CR，使覆蓋環CR上升（參照圖5B）。控制部43係控制機械手臂AM，使其進入處理容器10内，使機械手臂AM配置於覆蓋環CR之下方（參照圖5C）。然後，控制部43使升降銷51緩慢向避讓位置下降（步驟S733）。在升降銷51下降途中，將覆蓋環CR載置於機械手臂AM上。控制部43進一步使升降銷51下降至避讓位置。之後，控制部43控制機械手臂AM，使其避讓至處理容器10外。機械手臂AM係將覆蓋環CR搬出處理容器10外。
另一方面，步驟S730中，判定為並非只更換覆蓋環CR之情況（步驟S730，否），控制部43即結束處理。至此透過搬運機構50之處理結束。
如此，透過依實施態樣之電漿處理裝置1，可將邊緣環ER與覆蓋環CR，透過同一搬運機構50搬出。又，搬運機構50可利用同一升降銷51，搬運邊緣環ER與覆蓋環CR。又，搬運機構50可於升降銷51之1次升降動作的期間，實現邊緣環ER與覆蓋環CR雙方之搬出。又，搬運機構50可使升降銷51之方向於第1位置與第2位置之間變更。因此，搬運機構50可使分別單獨搬出邊緣環ER與覆蓋環CR時的升降銷51之升降距離相同。因此，搬運機構50可使搬出各消耗元件之時間均一化並縮短。
（作為搬運對象之消耗元件） 另外，上述實施態樣中，依實施態樣之搬運機構50係作為搬運覆蓋環CR與邊緣環ER之機構來說明。但不限於該內容，依實施態樣之搬運機構50可適用於搬運任意消耗元件之複數之部分亦或複數之任意消耗元件。
例如，以内周元件與外周元件二元件構成邊緣環ER，並使内周元件之外周與外周元件之内周抵接。然後，於對應内周元件與外周元件之邊界位置之載置台的位置，設置孔。然後，將升降銷可升降地配置於載置台之孔中。藉由如此之構成，可容易地分別單獨搬出邊緣環ER之各部分。
（搬運機構構成之變形） 另外，上述實施態樣中，升降銷51之數量並不特別限定。可透過設置2個以上，較佳係3個以上之升降銷51，使邊緣環ER以及覆蓋環CR升降。又，亦可對於升降銷51個別設置一個驅動機構53，亦可對於複數之升降銷51設置共通之一個驅動機構53。
另外，上述實施態樣中，為了抑制設於靜電吸盤25以及基座11之孔63、64中產生放電，亦或放電變得強烈，而使孔中與載置台成為同電位空間。例如，將孔之周圍以與載置台其他部分同樣之金屬材料構成。
（實施態樣之效果） 如上所述，依實施態樣之載置台以及電漿處理裝置係具備晶圓載置面、環載置面、升降銷以及驅動機構。晶圓載置面上載置晶圓。環載置面上載置第1環與第2環。第2環係配置於第1環之外周側並且不與該第1環在上下方向上重疊之位置。環載置面於對應第1環與第2環之邊界之位置具有孔。環載置面係設於晶圓載置面之外周側。升降銷係具有第1固持部及第2固持部。第2固持部係連接至第1固持部之軸方向，並具有自第1固持部之外周突出之突出部。升降銷係將第1固持部靠向環載置面一側而收納於環載置面之孔内。驅動機構係用以驅動升降銷使其可升降。因此，透過實施態樣，可透過一個升降銷之第1固持部以及第2固持部各自固持不同之環。因此，透過實施態樣，可透過一個升降銷，容易地更換電漿處理裝置之消耗元件。又，透過實施態樣，可透過一個升降銷容易地更換複數之消耗元件，並縮短電漿處理裝置之停機時間。又，透過實施態樣，在載置台上載置兩個環時，可在不須為了一者之更換而移動另一者的情況下實現搬運。又，透過實施態樣，由於能以一個升降銷更換複數之消耗元件，故可有效活用載置台内之空間。
又，依實施態樣之載置台中，第1固持部以及第2固持部係同軸之棒狀構件，第1固持部之橫剖面積可小於第2固持部之橫剖面積。因此，可透過第1固持部固持第1環以及第2環中之一者，並透過第2固持部之突出部固持第1環以及第2環之另一者。因此，透過實施態樣，可有效率地搬出並更換消耗元件。
又，依實施態樣之載置台中，升降銷能以軸為中心旋轉。因此，透過實施態樣，可實現將透過第1固持部固持之對象切換成第1環以及第2環中之任一者並進行搬出以及更換。
又，依實施態樣之載置台中，第2固持部可具有與載置於環載置面上之第1環以及第2環各自之一部份在上下方向上重疊之橫剖面。第1固持部可具有與載置於環載置面上之第1環以及第2環中之任一者在上下方向上重疊之橫剖面。因此，透過實施態樣，可透過第1固持部與第2固持部，將兩個環選擇性地搬出以及更換。
又，依實施態樣之載置台中，第1環與第2環可由不同之材質構成。例如，第1環可係邊緣環。第2環可係覆蓋環。
又，依實施態樣之載置台可更具備環用靜電吸盤與氣體供給機構。環用靜電吸盤係將第1環以及第2環中的至少一者吸附於環載置面。氣體供給機構可將傳熱氣體供給至第1環以及第2環中之至少一者之底面與環載置面之間。
又，依實施態樣之載置台中，驅動機構可使升降銷向第1位置與第2位置旋轉。第1位置係第1固持部配置於載置台之中心側之位置。第2位置係第1固持部配置於載置台之外周側之位置。又，驅動機構可將升降銷之方向選擇性設定為第1位置與第2位置中之任一者，並使升降銷升降。
又，依實施態樣之載置台中，驅動機構可於第1環搬運時，將升降銷配置於第1位置，並使升降銷之頂部上升至第1高度。
又，依實施態樣之載置台中，驅動機構可進一步於第1環以及第2環搬運時，將升降銷配置於第1位置，並使升降銷之頂部上升至比第1高度更高之第2高度。
又，依實施態樣之載置台中，驅動機構可進一步於第2環搬運時，將升降銷配置於第1位置，並使升降銷之頂部上升至第2高度。
又，依實施態樣之載置台中，驅動機構可進一步於第2環搬運時，將升降銷配置於第2位置，並使升降銷之頂部上升至第1高度。
又，依實施態樣之電漿處理裝置係具備晶圓載置面、環載置面、升降銷以及驅動機構。晶圓載置面上載置晶圓。環載置面上載置第1環及第2環。第2環係配置於於第1環之外周側，並且不與該第1環在上下方向上重疊之位置。環載置面於對應第1環與第2環之邊界之位置具有孔。環載置面係設於晶圓載置面之外周側。升降銷係具有第1固持部及第2固持部。第2固持部係連接至第1固持部之軸方向，並具有自第1固持部之外周突出之突出部。升降銷係將第1固持部靠向環載置面一側而收納於環載置面之孔内。驅動機構係用以驅動升降銷，使其可升降。
應了解本發明之實施態樣全部內容皆為例示，並非用於限制本發明。上述之實施態樣不脫離於附加之發明申請專利範圍及其宗旨，而可以多樣之型態省略、置換及變更。
1:電漿處理裝置 10:處理容器 11:基座(底部電極) 12:筒狀固持構件 13:筒狀支撐部 14:排氣通道 15:環狀檔板 16:排氣口 17:排氣管 18:排氣裝置 19:搬入搬出口 20:閘閥 21a,21b:射頻電源 22:匹配器 23:供電棒 24:噴淋頭 25:靜電吸盤 25a:中心部 25b:內周部 25c:外周部 25d,25e:電極板 26,28:直流電源 27,29:開關 30:絕緣元件 31:冷媒室 32:冷卻單元 33,34:配管 35a,35b:傳熱氣體供給部 36a:晶圓用氣體供給管線 36b:環用氣體供給管線 37:電極板 37a:氣體通氣孔 38:電極支撐體 38a:氣體導入口 39:緩衝室 40:處理氣體供給部 41:氣體供給配管 43:控制部 50:搬運機構 51:升降銷 51a:第1固持部 51b:第2固持部 51c:突出部 52:密封部 53:驅動機構 61:間隙 63,64:孔 AM:機械手臂 W:晶圓 CR:覆蓋環 ER:邊緣環 H1:高度(第1搬運高度) H2:高度 H3:高度(第2搬運高度) L1:長度 S700~S733:步驟
圖1係表示依實施態樣之電漿處理裝置概略構成之剖面圖。 圖2係表示依實施態樣之搬運機構概略構成之剖面圖。 圖3A係表示透過依實施態樣之搬運機構開始進行邊緣環搬運時之狀態例之圖式。 圖3B係表示透過依實施態樣之搬運機構抬起邊緣環之狀態例之圖式。 圖3C係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之邊緣環載置於機械手臂上前之狀態例之圖式。 圖3D係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之邊緣環載置於機械手臂上後之狀態例之圖式。 圖4A係表示透過依實施態樣之搬運機構開始進行覆蓋環搬運時之狀態例之圖式。 圖4B係表示透過依實施態樣之搬運機構抬起覆蓋環之狀態例之圖式。 圖4C係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之覆蓋環載置於機械手臂上前之狀態例之圖式。 圖4D係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之覆蓋環載置於機械手臂上後之狀態例之圖式。 圖5A係表示透過依實施態樣之搬運機構開始進行覆蓋環搬運時之狀態例2之圖式。 圖5B係表示透過依實施態樣之搬運機構抬起覆蓋環之狀態例2之圖式。 圖5C係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之覆蓋環載置於機械手臂上前之狀態例2之圖式。 圖5D係表示將透過依實施態樣之搬運機構抬起之覆蓋環載置於機械手臂上後之狀態例2之圖式。 圖6（a）～（f）係用以說明升降銷之各部分之長度、搬運高度與覆蓋環厚度之關係之圖式。 圖7係表示透過依實施態樣之搬運機構所進行之搬運處理流程之一例之流程圖。
11:基座
12:筒狀固持構件
25:靜電吸盤
25a:中心部
25b:內周部
25c:外周部
25d,25e:電極板
30:絕緣元件
50:搬運機構
51:升降銷
51a:第1固持部
51b:第2固持部
51c:突出部
52:密封部
53:驅動機構
61:間隙
63,64:孔
W:晶圓
CR:覆蓋環
ER:邊緣環

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置之載置台，包含： 晶圓載置面，用以載置晶圓； 環載置面，設置於該晶圓載置面之外周側，並載置第1環以及配置於該第1環外周側且配置於不與該第1環在上下方向上重疊之位置之第2環，且在對應該第1環與該第2環之邊界之位置具有孔； 升降銷，具有第1固持部以及連接至該第1固持部之軸方向並具有從該第1固持部外周突出之突出部之第2固持部，且將該第1固持部靠向該環載置面一側而收納至該環載置面之該孔內；以及 驅動機構，用以驅動該升降銷，使該升降銷可升降。
  2. 如請求項1所述之載置台，其中， 該第1固持部以及該第2固持部係同軸之棒狀構件，且該第1固持部之橫剖面積係小於該第2固持部之橫剖面積。
  3. 如請求項1或2所述之載置台，其中， 該升降銷能以軸為中心旋轉。
  4. 如請求項1至3中之任一項所述之載置台，其中， 該第2固持部係具有與載置於該環載置面上之該第1環以及該第2環各自之一部分在上下方向上重疊之橫剖面； 該第1固持部係具有與載置於該環載置面上之該第1環以及該第2環中之任一者在上下方向上重疊之橫剖面。
  5. 如請求項1至4中之任一項所述之載置台，其中， 該第1環與該第2環係以不同之材質構成。
  6. 如請求項1至5中之任一項所述之載置台，更包含： 環用靜電吸盤，用以將該第1環以及該第2環中之至少一者吸附於該環載置面；以及 氣體供給機構，用以將傳熱氣體供給至該第1環以及該第2環中之該至少一者的底面與該環載置面之間。
  7. 如請求項1至6中之任一項所述之載置台，其中， 該驅動機構係可使該升降銷旋轉至以下位置： 該第1固持部配置於該載置台之中心側之第1位置；以及 該第1固持部配置於該載置台之外周側之第2位置。 該驅動機構係可將該升降銷之方向選擇性地設定為該第1位置及該第2位置中之任一者，並升降該升降銷。
  8. 如請求項7所述之載置台，其中， 該驅動機構在搬運該第1環時，係將該升降銷配置於該第1位置，並使該升降銷之頂部上升至第1高度。
  9. 如請求項8所述之載置台，其中， 該驅動機構更在搬運該第1環以及該第2環時，將該升降銷配置於該第1位置，並使該升降銷之頂部上升至高於該第1高度之第2高度。
  10. 如請求項8或9所述之載置台，其中， 該驅動機構更在搬運該第2環時，將該升降銷配置於該第1位置，並使該升降銷之頂部上升至該第2高度。
  11. 如請求項8至10中之任一項所述之載置台，其中： 該驅動機構更在搬運該第2環時，將該升降銷配置於該第2位置，並使該升降銷之頂部上升至該第1高度。
  12. 一種電漿處理裝置，包含： 晶圓載置面，用以載置晶圓； 環載置面，設置於該晶圓載置面之外周側，並載置第1環以及配置於該第1環外周側且配置於不與該第1環在上下方向上重疊之位置之第2環，且在對應該第1環與該第2環之邊界之位置具有孔； 升降銷，具有第1固持部以及連接至該第1固持部之軸方向並具有從該第1固持部外周突出之突出部之第2固持部，且將該第1固持部靠向該環載置面一側而收納至該環載置面之該孔內；以及 驅動機構，用以驅動該升降銷，使該升降銷可升降。
TW110122847A 2020-07-07 2021-06-23 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台 TW202217907A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020117340A JP7455012B2 (ja) 2020-07-07 2020-07-07 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020-117340 2020-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202217907A true TW202217907A (zh) 2022-05-01

Family

ID=79172964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110122847A TW202217907A (zh) 2020-07-07 2021-06-23 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7455012B2 (zh)
KR (1) KR20220005993A (zh)
CN (1) CN113903646A (zh)
TW (1) TW202217907A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び処理方法
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
JP7122864B2 (ja) 2018-05-14 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
JP7115942B2 (ja) 2018-09-06 2022-08-09 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法
JP7134104B2 (ja) 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022022815A (ja) 2022-02-07
JP7455012B2 (ja) 2024-03-25
US20220013339A1 (en) 2022-01-13
KR20220005993A (ko) 2022-01-14
CN113903646A (zh) 2022-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI795621B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台
US10699935B2 (en) Semiconductor manufacturing device and processing method
US10427307B2 (en) Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
US20190252234A1 (en) Automated Replacement of Consumable Parts Using Interfacing Chambers
JP7105666B2 (ja) プラズマ処理装置
TW201715565A (zh) 在原位上自半導體處理模組移除並更換可消耗的零件之系統
CN110062954B (zh) 用于腔室内加热器及晶片旋转机构的处理配件设计
JP2019176031A (ja) プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法
US11387080B2 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
CN116110846A (zh) 晶片边缘环升降解决方案
US20210118648A1 (en) Substrate processing system and method for replacing edge ring
TW202217907A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台
US11587820B2 (en) Mounting table, substrate processing apparatus, and control method
US11972933B2 (en) Plasma processing apparatus and substrate support of plasma processing apparatus
TWI834491B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之環零件
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7214021B2 (ja) プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法
TW202339092A (zh) 基板支持台、電漿處理裝置及環之更換方法
KR20230100555A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023173790A (ja) 基板処理装置及びリング部材の位置合わせ方法