JP2022022815A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022022815A JP2022022815A JP2020117340A JP2020117340A JP2022022815A JP 2022022815 A JP2022022815 A JP 2022022815A JP 2020117340 A JP2020117340 A JP 2020117340A JP 2020117340 A JP2020117340 A JP 2020117340A JP 2022022815 A JP2022022815 A JP 2022022815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- holding portion
- lifter pin
- mounting surface
- covering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 47
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 66
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 62
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 101100153759 Drosophila melanogaster ringer gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置1の概略構成を示す断面図である。図1のプラズマ処理装置1は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された円筒型の処理容器10を有し、該処理容器10内に、被処理体(基板)としてのウエハWを載置する円形状のサセプタ(下部電極)11が配設されている。このサセプタ11は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材12を介して処理容器10の底から垂直上方に延びる筒状支持部13に支持されている。
図2は、実施形態に係る搬送機構50の概略構成を示す断面図である。実施形態に係るプラズマ処理装置は、載置台上に載置されるエッジリングERおよびカバーリングCRを搬送するための搬送機構50を備える。搬送機構50は、リフタピン51、封止部52、駆動機構53を有する。
(1)第1位置のリフタピン51を上昇させたとき、第1保持部51aの遠端面はエッジリングERにのみ当接する。
(2)第1位置のリフタピン51を上昇させたとき、第2保持部51bの遠端面はカバーリングCRにのみ当接する。
(3)第1位置のリフタピン51を上昇させたとき、まず第1保持部51aがエッジリングERに当接し、次に第2保持部51bがカバーリングCRに当接する。
(4)第2位置のリフタピン51を上昇させたとき、第1保持部51aの遠端面はカバーリングCRにのみ当接する。
(5)第2位置のリフタピン51を上昇させたとき、第2保持部51bの遠端面はエッジリングERにのみ当接する。
(6)第2位置のリフタピン51を上昇させたとき、まず、第1保持部51aがカバーリングCRに当接し、次に第2保持部51bがエッジリングERに当接する。
次に、図3A~図3Dを参照し、実施形態に係る搬送機構50によるエッジリングERの搬送について説明する。図3A~図3Dの例では、搬送機構50は、リフタピン51を第1位置に配置してエッジリングERの搬送を行う。図3Aは、実施形態に係る搬送機構50によるエッジリングERの搬送開始時の状態例を示す図である。
次に、図4A~図4Dを参照し、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送について説明する。図4A~図4Dの例では、搬送機構50は、リフタピン51を第1位置に配置してカバーリングCRの搬送を行う。図4Aは、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送開始時の状態例を示す図である。
ところで、図3A~図3Dおよび図4A~図4Dにはそれぞれ、エッジリングERおよびカバーリングCRを単独で搬送する場合を示した。これに限らず、搬送機構50は、エッジリングERおよびカバーリングCRを同時に持ち上げてロボットアームAMに受け渡してもよい。
次に、図5A~図5Dを参照し、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送の他の例について説明する。図5A~図5Dの例では、搬送機構50は、リフタピン51を第2位置に配置してカバーリングCRの搬送を行う。図5Aは、実施形態に係る搬送機構50によるカバーリングCRの搬送開始時の状態例2を示す図である。
ところで、カバーリングCRとエッジリングERの消耗度合と交換頻度は異なる。エッジリングERは配置位置がウエハWに近くプラズマの影響を多く受け、かつ、消耗度合がプロセス性能に大きく影響する。エッジリングERと比較するとカバーリングCRは消耗の進行は遅くプロセス性能への影響も低い。このため、カバーリングCR1つを交換する期間中にエッジリングER複数個の交換が行われることが多い。このため、カバーリングCRとエッジリングERとについてあらかじめ交換タイミングを設定して制御部43等に記憶させ、交換タイミングが到来すると搬送機構50が自動的に搬出を実行してもよい。また、各交換タイミングの搬送処理においてリフタピン51を第1位置に配置するか第2位置に配置するか、を予め設定しておいてもよい。
なお、上記実施形態では、実施形態に係る搬送機構50はカバーリングCRとエッジリングERとを搬送するものとして説明した。これに限らず、実施形態に係る搬送機構50は、任意の消耗部品の複数の部分または複数の任意の消耗部品を搬送するために適用できる。
なお、上記実施形態では、リフタピン51の数は特に限定されない。2以上、好ましくは3以上のリフタピン51を設けることで、エッジリングERおよびカバーリングCRを昇降できる。また、リフタピン51各々に一つの駆動機構53を設けてもよく、複数のリフタピン51に共通の一つの駆動機構53を設けてもよい。
上記のように、実施形態に係る載置台およびプラズマ処理装置は、ウエハ載置面と、リング載置面と、リフタピンと、駆動機構と、を備える。ウエハ載置面は、ウエハが載置される。リング載置面は、第1リングと、第2リングとが載置される。第2リングは、第1リングの外周側かつ当該第1リングと上下方向に重ならない位置に配置される。リング載置面は、第1リングと第2リングとの境界に対応する位置に孔を有する。リング載置面は、ウエハ載置面の外周側に設けられる。リフタピンは、第1保持部と、第2保持部と、を有する。第2保持部は、第1保持部の軸方向に連接され第1保持部の外周から突出する突出部を有する。リフタピンは、第1保持部をリング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容される。駆動機構は、リフタピンを昇降可能に駆動する。このため、実施形態によれば、一つのリフタピンの第1保持部および第2保持部各々により、異なるリングを保持することができる。このため、実施形態によれば、一つのリフタピンにより、プラズマ処理装置の消耗部品を容易に交換することができる。また、実施形態によれば、一つのリフタピンにより複数の消耗部品を容易に交換でき、プラズマ処理装置のダウンタイムを短縮できる。また、実施形態によれば、載置台上に二つのリングが載置されるときに、一方の交換のために他方を移動させることなく搬送を実現できる。また、実施形態によれば、一つのリフタピンで複数の消耗部品を交換できるため、載置台内のスペースを有効活用できる。
10 処理容器
11 サセプタ(下部電極)
12 筒状保持部材
13 筒状支持部
14 排気路
15 バッフル板
16 排気口
17 排気管
18 排気装置
19 搬入出口
20 ゲートバルブ
21a 第1の高周波電源
21b 第2の高周波電源
22 整合器
23 給電棒
24 シャワーヘッド
25 静電チャック
25a 中心部
25b 内周部
25c 外周部
25d,25e 電極板
26,28 直流電源
27,29 スイッチ
35a、35b 伝熱ガス供給部
36a ウエハ用ガス供給ライン
36b リング用ガス供給ライン
43 制御部
50 搬送機構
51 リフタピン
51a 第1保持部
51b 第2保持部
51c 突出部
52 封止部
53 駆動機構
63,64 孔
CR カバーリング
ER エッジリング
W ウエハ
Claims (12)
- ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1リングと、当該第1リングの外周側かつ当該第1リングと上下方向に重ならない位置に配置される第2リングと、を載置し、前記第1リングと前記第2リングとの境界に対応する位置に孔を有し、前記ウエハ載置面の外周側に設けられるリング載置面と、
第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置の載置台。 - 前記第1保持部および前記第2保持部は、同軸の棒状部材であり、前記第1保持部の横断面積は、前記第2保持部の横断面積よりも小さい、請求項1に記載の載置台。
- 前記リフタピンは、軸を中心として回転可能である、請求項1または2に記載の載置台。
- 前記第2保持部は、前記リング載置面上に載置された前記第1リングおよび前記第2リング各々の一部と上下方向に重なりあう横断面を有し、
前記第1保持部は、前記リング載置面上に載置された前記第1リングおよび前記第2リングのいずれか一方と上下方向に重なりあう横断面を有する、
請求項1から3のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記第1リングと前記第2リングとは、異なる材質からなる、
請求項1から4のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記第1リングおよび前記第2リングの少なくとも一方を前記リング載置面に吸着するリング用静電チャックと、
前記第1リングおよび前記第2リングの前記少なくとも一方の下面と前記リング載置面との間に伝熱ガスを供給するガス供給機構と、
をさらに備える請求項1から5のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記駆動機構は、
前記第1保持部が前記載置台の中心側に配置される第1位置と、
前記第1保持部が前記載置台の外周側に配置される第2位置と、
に前記リフタピンを回転可能であり、
前記駆動機構は、
前記リフタピンの向きを前記第1位置と前記第2位置とのいずれかに選択的に設定して前記リフタピンを昇降可能である、
請求項1から6のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記駆動機構は、
前記第1リングの搬送時、前記第1位置に前記リフタピンを配置して、第1高さまで前記リフタピンの頂部を上昇させるよう構成される、請求項7に記載の載置台。 - 前記駆動機構はさらに、
前記第1リングおよび前記第2リングの搬送時、前記第1位置に前記リフタピンを配置して、前記第1高さよりも高い第2高さまで前記リフタピンの頂部を上昇させるよう構成される、請求項8に記載の載置台。 - 前記駆動機構はさらに、
前記第2リングの搬送時、前記第1位置に前記リフタピンを配置して、前記第2高さまで前記リフタピンの頂部を上昇させるよう構成される、請求項8または9に記載の載置台。 - 前記駆動機構はさらに、
前記第2リングの搬送時、前記第2位置に前記リフタピンを配置して、前記第1高さまで前記リフタピンの頂部を上昇させるよう構成される、請求項8から10のいずれか1項に記載の載置台。 - ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1リングと、当該第1リングの外周側かつ当該第1リングと上下方向に重ならない位置に配置される第2リングと、を載置し、前記第1リングと前記第2リングとの境界に対応する位置に孔を有し、前記ウエハ載置面の外周側に設けられるリング載置面と、
第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020117340A JP7455012B2 (ja) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
TW110122847A TW202217907A (zh) | 2020-07-07 | 2021-06-23 | 電漿處理裝置及電漿處理裝置之載置台 |
KR1020210084930A KR20220005993A (ko) | 2020-07-07 | 2021-06-29 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 장치의 탑재대 |
CN202110738099.5A CN113903646A (zh) | 2020-07-07 | 2021-06-30 | 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台 |
US17/368,887 US11972933B2 (en) | 2020-07-07 | 2021-07-07 | Plasma processing apparatus and substrate support of plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020117340A JP7455012B2 (ja) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022022815A true JP2022022815A (ja) | 2022-02-07 |
JP7455012B2 JP7455012B2 (ja) | 2024-03-25 |
Family
ID=79172964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020117340A Active JP7455012B2 (ja) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11972933B2 (ja) |
JP (1) | JP7455012B2 (ja) |
KR (1) | KR20220005993A (ja) |
CN (1) | CN113903646A (ja) |
TW (1) | TW202217907A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134104B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
JP2021150424A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | エッジリング及びプラズマ処理装置 |
KR20240000250A (ko) | 2022-06-23 | 2024-01-02 | 주식회사 한화 | 다단 히터를 구비한 박막 증착 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013042012A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP2019114790A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット |
JP2019201047A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2020043137A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法 |
US20200219753A1 (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and mounting table thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
KR102658105B1 (ko) | 2017-05-31 | 2024-04-16 | 램 리써치 코포레이션 | 튜닝가능/교체가능한 에지 커플링 링에 대한 검출 시스템 |
TWM588883U (zh) * | 2019-05-10 | 2020-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 半導體製程模組的中環 |
KR20210042749A (ko) * | 2019-10-10 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치 |
-
2020
- 2020-07-07 JP JP2020117340A patent/JP7455012B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-23 TW TW110122847A patent/TW202217907A/zh unknown
- 2021-06-29 KR KR1020210084930A patent/KR20220005993A/ko unknown
- 2021-06-30 CN CN202110738099.5A patent/CN113903646A/zh active Pending
- 2021-07-07 US US17/368,887 patent/US11972933B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013042012A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP2019114790A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット |
JP2019201047A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2020043137A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法 |
US20200219753A1 (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and mounting table thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7455012B2 (ja) | 2024-03-25 |
CN113903646A (zh) | 2022-01-07 |
KR20220005993A (ko) | 2022-01-14 |
US11972933B2 (en) | 2024-04-30 |
US20220013339A1 (en) | 2022-01-13 |
TW202217907A (zh) | 2022-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7134319B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN108369922B (zh) | 晶片边缘环升降解决方案 | |
US10468282B2 (en) | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement | |
US10699935B2 (en) | Semiconductor manufacturing device and processing method | |
JP7455012B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 | |
US20220319904A1 (en) | Wafer edge ring lifting solution | |
CN110062954B (zh) | 用于腔室内加热器及晶片旋转机构的处理配件设计 | |
TWI805763B (zh) | 電漿處理裝置 | |
US11387080B2 (en) | Substrate support and plasma processing apparatus | |
TWI834491B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理裝置之環零件 | |
JP6308858B2 (ja) | 静電チャック、載置台、プラズマ処理装置 | |
CN116072500A (zh) | 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7455012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |