JP2013042012A - 半導体製造装置及び処理方法 - Google Patents

半導体製造装置及び処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013042012A
JP2013042012A JP2011178494A JP2011178494A JP2013042012A JP 2013042012 A JP2013042012 A JP 2013042012A JP 2011178494 A JP2011178494 A JP 2011178494A JP 2011178494 A JP2011178494 A JP 2011178494A JP 2013042012 A JP2013042012 A JP 2013042012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pins
region
end surface
substrate
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011178494A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5948026B2 (ja
Inventor
Shinji Himori
慎司 檜森
Yoshiyuki Kobayashi
義之 小林
Takehiro Kato
武宏 加藤
Etsuji Ito
悦治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2011178494A priority Critical patent/JP5948026B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to US14/238,860 priority patent/US9859146B2/en
Priority to PCT/JP2012/070630 priority patent/WO2013024842A1/ja
Priority to KR1020147003894A priority patent/KR20140050664A/ko
Priority to KR1020197024401A priority patent/KR102077438B1/ko
Priority to TW101129651A priority patent/TWI528485B/zh
Publication of JP2013042012A publication Critical patent/JP2013042012A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5948026B2 publication Critical patent/JP5948026B2/ja
Priority to US15/850,875 priority patent/US10699935B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。
【選択図】図２

Description

本発明の種々の側面は、半導体製造装置及び処理方法に関するものである。
特許文献１には、半導体製造装置が記載されている。特許文献１に記載された半導体製造装置は、ステージ、及び、複数のピンを備えている。ステージには、複数の孔が設けられており、これら複数の孔には複数のピンがそれぞれ挿入されている。
複数のピンのうち一部は、ステージ上に載置される被処理基体をステージ上面に対して昇降させるためのものである。複数のピンのうち他の一部は、ステージ上に載置されるフォーカスリングをステージ上面に対して昇降させるためのものである。
特開２００６−１９６６９１号公報
上述した半導体製造装置では、ピンの数に応じて当該ピンを上下動させるための複数の駆動機構が必要になる。したがって、ピンの数に応じて装置が複雑化する。また、上述した半導体製造装置では、ピンの数に応じた孔がステージに形成されている必要がある。しかしながら、ステージに形成される孔の数は、少ないことが望ましい。
したがって、当技術分野においては、少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置が要請されている。
本発明の一側面に係る半導体製造装置は、処理容器、ステージ、複数のピン、及び駆動部を備えている。処理容器は、処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。ステージは載置面を含む。載置面は、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔が形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面、及び、第２の上端面を有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。駆動部は、複数のピンを前記方向において上下動させる。
この半導体製造装置では、第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面のみがステージの載置面から突き出るように複数のピンを上方へ移動させることにより、被処理基体を載置面から持ち上げることができる。また、第１の上端面がステージの載置面から突き出るように複数のピンを上方へ移動させることにより、フォーカスリングを載置面から持ち上げることができる。即ち、各ピンが、被処理基体に接触する端面、及び、フォーカスリングに接触する端面を有している。したがって、この半導体製造装置によれば、少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能である。
一実施形態においては、半導体製造装置は、制御部を更に備え得る。制御部は、第１のモードにおいて、複数のピンの第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面が載置面から突き出るよう、駆動部を制御し、第２のモードにおいて、複数のピンの第１の上端面がステージの載置面から突き出るよう、駆動部を制御してもよい。即ち、半導体製造装置は、上述した駆動部の動作を制御する制御部を備えていてもよい。
本発明の別の一側面に係る処理方法は、上述した半導体製造装置を用いた処理方法である。この処理方法は、（ａ）第２の領域上にフォーカスリングを載置する工程と、（ｂ）第１の領域上に被処理基体を載置する工程と、（ｃ）第１の領域上に被処理基体が載置され、第２の領域上にフォーカスリングが載置された状態において、被処理基体を処理する工程と、（ｄ）複数のピンの第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面が載置面から突き出るよう、当該複数のピンを上方に移動させる工程と、（ｅ）複数のピンによって持ち上げられた被処理基体を処理容器から取り出す工程と、（ｆ）複数のピンの第１の上端面が載置面から突き出るように、複数のピンを上方に移動させる工程と、（ｇ）複数のピンによって持ち上げられたフォーカスリングを処理容器から取り出す工程と、を含む。
この処理方法によれば、少ない数のピンを用いて、被処理基体及びフォーカスリングを載置面から持ち上げることが可能となる。
一実施形態においては、載置面の上方において被処理基体及びフォーカスリングを同時に支持した複数のピンを下方に移動させることにより、第２の領域上にフォーカスリングが載置され、第１の領域上に被処理基体が載置されてもよい。また、一実施形態においては、複数のピンにより被処理基体及びフォーカスリングを同時に載置面から持ち上げた後に、被処理基体が処理容器から取り出され、フォーカスリングが処理容器から取り出されてもよい。
以上説明したように、本発明の種々の側面によれば、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置、及び、この半導体製造装置を用いた処理方法が提供される。
一実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す図である。 図１に示す半導体製造装置のステージ、複数のピン、及び駆動部を拡大して示す断面図である。 一実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。 図３の工程Ｓ４におけるピンの位置を示す断面図である。 図３の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。 別の実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。 図６の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係る半導体製造装置の断面が示されている。図２は、図１に示す半導体製造装置のステージ、複数のピン、及び駆動部を拡大して示す断面図である。
図１に示すように、一実施形態の半導体製造装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置であり得る。半導体製造装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。半導体製造装置１０は、処理容器１２内に、ステージＳＴを備えている。一実施形態においては、ステージＳＴは、台１４及び静電チャック５０を含んでいる。台１４は、略円板形状を有しており、処理空間Ｓの下方に設けられている。台１４は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。
一実施形態においては、半導体製造装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、台１４の側面及び底面の縁部に接して、台１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介して台１４を支持している。
半導体製造装置１０は、フォーカスリング１８を更に備えている。図２に示すように、フォーカスリング１８は、台１４の周縁部分の上面に載置される。フォーカスリング１８は、被処理基体Ｗの処理精度の面内均一性を改善するための部材である。フォーカスリング１８は、略環形状を有する板状部材であり、例えば、シリコン、石英、又はシリコンカーバイドから構成され得る。
一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、被処理基体Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
台１４には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。高周波電源３２は、所定の高周波数（例えば１３ＭＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、台１４に印加する。
半導体製造装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。
電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板４０には、プラズマ生成用の高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、所定の高周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。高周波電源３２及び高周波電源３５によって台１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、台１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。半導体製造装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。この処理ガスは、例えば、エッチング用の処理ガスであってもよく、又は、成膜用の処理ガスであってもよい。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。
一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
半導体製造装置１０では、台１４の上面に静電チャック５０が設けられている。図２に示すように、静電チャック５０は、電極５２、並びに、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂを含んでいる。電極５２は、導電膜であり、絶縁膜５４ａと絶縁膜５４ｂの間に設けられている。図１に示すように、電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Ｗが静電チャック５０上に吸着保持される。
一実施形態においては、半導体製造装置１０は、ガス供給ライン５８、及び、伝熱ガス供給部６２を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。
一実施形態においては、半導体製造装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２による伝熱ガスの供給が制御される。
この半導体製造装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０と台１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、被処理基体Ｗの処理が行われる。なお、被処理基体Ｗの処理は、任意の処理であり得るものであり、例えば、被処理基体Ｗのエッチング、又は、被処理基体Ｗ上への成膜であってもよいが、限定されるものではない。
以下、図１及び図２を参照して、ステージ、複数のピン、及び、駆動部の構成について、より詳細に説明する。ステージＳＴは、載置面ＰＦを有している。この載置面ＰＦは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含んでいる。第１の領域Ｒ１は、被処理基体Ｗを載置するための領域である。一実施形態においては、第１の領域Ｒ１は、静電チャック５０の上面によって画成されており、略円形の領域である。第２の領域Ｒ２は、フォーカスリング１８を載置するための領域であり、第１の領域Ｒ１を囲むよう環状に設けられている。一実施形態においては、第２の領域Ｒ２は、台１４の周縁部分の上面によって画成されている。
ステージＳＴには、複数の孔１４ｈが設けられている。複数の孔１４ｈは、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２の間の境界を通って、ステージＳＴの載置面ＰＦに交差する方向（上下方向）に延びている。これら孔１４ｈは、例えば、周方向に等間隔に設けられており、当該孔１４ｈの個数は、３以上である。
複数の孔１４ｈには複数のピン７０がそれぞれ設けられている。各ピン７０は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。一実施形態においては、各ピン７０は、第１の柱状部７０ｃ及び第２の柱状部７０ｄを含んでいる。第１の柱状部７０ｃは、第２の柱状部７０ｄの下方に設けられている。第１の柱状部７０ｃの直径は、第２の柱状部７０ｄの直径より大きい。第１の柱状部７０ｃの上端面は、第１の上端面７０ａを構成している。第２の柱状部７０ｄは、第１の柱状部７０ｃの上端面から上方に延びている。第２の柱状部７０ｄの上端面は、第２の上端面７０ｂを構成している。この第２の柱状部７０ｄの中心軸線は、第１の柱状部７０ｃの中心軸線に対して第１の領域Ｒ１側に偏位している。即ち、第１の上端面７０ａに対して、第２の上端面７０ｂは、第１の領域Ｒ１側に偏位している。これにより、各ピン７０が上方に移動しても、第２の柱状部７０ｄの上端面が、フォーカスリング１８に当接しないようになっている。
一実施形態においては、各ピン７０の第２の柱状部７０ｃと対応の孔１４ｈを画成する台１４の面、即ち、当該孔１４ｈを画成する内面との間には、Ｏリングといったシール部材７２が設けられている。シール部材７２によって、孔１４ｈが封止され、その結果、処理空間Ｓの気密が確保される。
図１に示すように、複数のピン７０のそれぞれには、複数の駆動部７４がそれぞれ接続されている。各駆動部７４は対応のピン７０を上下方向に移動させる、即ち、昇降させる駆動力を発生する。複数の駆動部７４には、ピン７０を上下方向に移動させる任意の駆動機構が採用され得る。例えば、複数の駆動部７４は、油圧又は空気圧シリンダを有していてもよい。
上述した制御部６６は、複数の駆動部７４に接続されていてもよい。即ち、複数のピン７２の上下方向の移動は、制御部６６から複数の駆動部７４に与えられる制御信号によって制御されてもよい。一実施形態においては、制御部６６は、第１のモードにおいて、各ピン７０の第１の上端面７０ａ及び第２の上端面７０ｂのうち第２の上端面７０ｂのみが載置面ＰＦから上方に突き出るよう、複数の駆動部７４による複数のピン７０の駆動を制御する。この第１のモードでは、複数のピン７０の第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗに当接し、当該複数のピン７０によって被処理基体Ｗが載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げられる。載置面ＰＦから持ち上げられた被処理基体Ｗは、ロボットアーム等の搬送機構によりゲートバルブ３０から処理容器１２の外部に取り出される。
また、制御部６６は、第２のモードにおいて、各ピン７０の第１の上端面７０ａが載置面ＰＦから上方に突き出るよう、複数の駆動部７４による複数のピン７０の駆動を制御する。この第２のモードでは、複数のピン７０の第１の上端面７０ａがフォーカスリングに当接し、当該複数のピン７０によってフォーカスリング１８が載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げられる。載置面ＰＦから持ち上げられたフォーカスリング１８は、ロボットアーム等の搬送機構によりゲートバルブ３０から処理容器１２の外部に取り出される。
このように、半導体製造装置１０では、各ピン７０が、被処理基体Ｗを上方に持ち上げるための第２の上端面７０ｂ、及び、フォーカスリング１８を上方に持ち上げるための第１の上端面７０ａを有している。したがって、少ないピン数で、ステージＳＴからの被処理基体Ｗの持ち上げ、及び、フォーカスリング１８の持ち上げを実現することが可能である。
以下、一実施形態に係る半導体製造装置を用いた処理方法について説明する。図３は、一実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。図３に示す処理方法は、半導体製造装置１０を用いて行うことができる。図３に示す処理方法では、工程Ｓ１において、第２の領域Ｒ２上にフォーカスリング１８を載置することができる。工程Ｓ１では、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態において、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第２の領域Ｒ２の上方まで、フォーカスリング１８が案内される。次いで、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。次いで、搬送機構を処理容器１２の外部に移動させた後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、フォーカスリング１８が第２の領域Ｒ２上に載置される。
続く工程Ｓ２において、第１の領域Ｒ１上に被処理基体Ｗを載置することができる。工程Ｓ２では、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態で、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第１の領域Ｒ１の上方まで被処理基体Ｗが案内される。次いで、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。次いで、搬送機構を処理容器１２の外部に移動させた後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、被処理基体Ｗが第１の領域Ｒ１上に載置される。
続く工程Ｓ３において、被処理基体Ｗが処理される。工程Ｓ３においては、処理空間Ｓ内において、プラズマエッチング又は成膜といった任意の処理が行われる。
続く工程Ｓ４において、第１の上端面７０ａ及び第２の上端面７０ｂのうち第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦから突き出るように、複数のピン７０が上方に移動される。図４は、図３の工程Ｓ４におけるピンの位置を示す断面図である。図４に示すように、工程Ｓ４では、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接して、複数のピン７０が被処理基体Ｗを載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げる。なお、工程Ｓ４においては、第１の上端面７０ａは、載置面ＰＦより下方、即ち、フォーカスリング１８の裏面より下方に位置する。
続く工程Ｓ５において、被処理基体Ｗが処理容器１２から取り出される。具体的には、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られる。次いで、搬送機構によって被処理基体Ｗが保持される。次いで、複数のピン７０が下方に移動された後、被処理基体Ｗが搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。なお、工程Ｓ２〜Ｓ５は、被処理基体Ｗを交換しつつ一回以上行われ得る。
続く工程Ｓ６においては、被処理基体Ｗが処理容器１２から取り出された状態において、第１の上端面７０ａが載置面ＰＦから突き出るよう、複数のピン７０が上方に移動される。図５は、図３の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。図５に示すように、工程Ｓ６では、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接して、複数のピン７０がフォーカスリング１８を載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げる。
続く工程Ｓ７においては、フォーカスリング１８が処理容器１２の外部に取り出される。具体的には、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られる。次いで、搬送機構によってフォーカスリング１８が保持される。次いで、複数のピン７０がフォーカスリング１８に干渉しないよう下方に移動された後、フォーカスリング１８が搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。これにより、交換すべきフォーカスリング１８を処理容器１２から取り出すことができ、その後、工程Ｓ１からの処理を繰り返すことができる。
以下、図６を参照し、半導体製造装置１０を用いて実施し得る別の実施形態に係る処理方法について説明する。図６は、別の実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。別の実施形態においては、工程Ｓ１において、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態において、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第２の領域Ｒ２の上方まで、フォーカスリング１８が案内され、また、別の所定の位置、即ち、第１の領域Ｒ１の上方まで被処理基体Ｗが案内される。
次いで、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接し、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。そして、搬送機構が処理容器１２の外部に移動される。このとき、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８は、載置面ＰＦの上方において複数のピン７０により同時に支持される。この後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、まず、工程Ｓ１において、第２の領域Ｒ２上にフォーカスリング１８が載置される。そして、更に複数のピン７０が下方に移動されることにより、工程Ｓ２において、第１の領域Ｒ１上に被処理基体Ｗが載置される。
別の実施形態では、工程Ｓ３において被処理基体Ｗが処理された後、工程Ｓ４に続けて工程Ｓ６が行われる。即ち、別の実施形態では、工程Ｓ４において、複数のピン７０を上方に移動させて、当該複数のピン７０により被処理基体Ｗを載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げる。そして、工程Ｓ４に続く工程Ｓ６において、更に複数のピン７０を上方に移動させて、当該複数のピン７０によりフォーカスリング１８を載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げる。図７は、図６の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。図６の工程Ｓ６が行われると、図７に示すように、複数のピン７０の第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接し、複数のピン７０の第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接する。このとき、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８は、載置面ＰＦの上方において複数のピン７０により同時に支持される。
次いで、工程Ｓ５及び工程Ｓ７が同時に実施される。即ち、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られ、当該搬送機構により被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８が保持される。そして、複数のピン７０がフォーカスリング１８に干渉しないよう下方に移動された後、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８が搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。このように、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８を同時に複数のピン７０により持ち上げて、同時に処理容器１２の外部に取り出すことにより、スループットが向上され得る。
以上、種々の実施形態について説明したが、これら実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、上述した半導体製造装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置であったが、本発明の上述した側面及び実施形態の思想は任意のプラズマ発生源を有するプラズマ処理装置にも適用可能である。また、本発明の上述した側面及び実施形態の思想は、プラズマ処理装置に限定されず、処理空間内においてステージ上に被処理基体Ｗ及びフォーカスリングを載置して当該被処理基体Ｗを処理する任意の半導体製造装置に適用可能である。
１０…半導体製造装置、１２…処理容器、１４…台、１４ｈ…孔、１８…フォーカスリング、５０…静電チャック、６６…制御部、７０…ピン、７０ａ…第１の上端面、７０ｂ…第２の上端面、７０ｃ…第１の柱状部、７０ｄ…第２の柱状部、７２…シール部材、７４…駆動部、ＰＦ…載置面、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域、Ｓ…処理空間、ＳＴ…ステージ、Ｗ…被処理基体。

Claims (4)

  1. 処理空間を画成する処理容器と、
    前記処理容器内に設けられたステージであって、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域であり該第１の領域を囲むように設けられた該第２の領域を有する載置面を含み、前記第１の領域と前記第２の領域との境界を通って前記載置面に交差する方向に延びる複数の孔が形成されている、該ステージと、
    前記複数の孔内にそれぞれ設けられた複数のピンであって、各々が、第１の上端面、及び、該第１の上端面よりも上方に設けられており、該第１の上端面よりも前記第１の領域の側に偏位した第２の上端面を有する、該複数のピンと、
    前記複数のピンを前記方向において上下動させる駆動部と、
    を備える半導体製造装置。
  2. 第１のモードにおいて、前記複数のピンの前記第１の上端面及び前記第２の上端面のうち前記第２の上端面が前記載置面から突き出るよう、前記駆動部を制御し、第２のモードにおいて、前記複数のピンの前記第１の上端面が前記載置面から突き出るよう、前記駆動部を制御する制御部を更に備える、請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 半導体製造装置を用いた処理方法であって、
    前記半導体製造装置は、
    処理空間を画成する処理容器と、
    前記処理容器内に設けられたステージであって、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域であり該第１の領域を囲むように設けられた該第２の領域を有する載置面を含み、前記第１の領域と前記第２の領域との境界を通って前記載置面に交差する方向に延びる複数の孔が形成されている、該ステージと、
    前記複数の孔内にそれぞれ設けられた複数のピンであって、各々が、第１の上端面、及び、該第１の上端面よりも上方に設けられており、該第１の上端面よりも前記第１の領域の側に偏位した第２の上端面を有する、該複数のピンと、
    前記複数のピンを前記方向において上下動させる駆動部と、
    を備え、
    前記第２の領域上にフォーカスリングを載置する工程と、
    前記第１の領域上に被処理基体を載置する工程と、
    第１の領域上に被処理基体が載置され、第２の領域上にフォーカスリングが載置された状態において、前記被処理基体を処理する工程と、
    前記複数のピンの前記第１の上端面及び前記第２の上端面のうち前記第２の上端面が前記ステージの前記載置面から突き出るよう、該複数のピンを上方に移動させる工程と、
    前記複数のピンによって持ち上げられた前記被処理基体を前記処理容器から取り出す工程と、
    前記複数のピンの前記第１の上端面が前記載置面から突き出るよう、該複数のピンを上方に移動させる工程と、
    前記複数のピンによって持ち上げられた前記フォーカスリングを前記処理容器から取り出す工程と、
    を含む処理方法。
  4. 前記載置面の上方において前記被処理基体及び前記フォーカスリングを同時に支持した前記複数のピンを下方に移動させることにより、前記第２の領域上に前記フォーカスリングが載置され、前記第１の領域上に前記被処理基体が載置され、
    前記複数のピンにより前記被処理基体及び前記フォーカスリングを同時に前記載置面から持ち上げた後に、前記被処理基体が前記処理容器から取り出され、前記フォーカスリングが前記処理容器から取り出される、
    請求項３に記載の処理方法。
JP2011178494A 2011-08-17 2011-08-17 半導体製造装置及び処理方法 Active JP5948026B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011178494A JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2011-08-17 半導体製造装置及び処理方法
PCT/JP2012/070630 WO2013024842A1 (ja) 2011-08-17 2012-08-13 半導体製造装置及び処理方法
KR1020147003894A KR20140050664A (ko) 2011-08-17 2012-08-13 반도체 제조 장치 및 처리 방법
KR1020197024401A KR102077438B1 (ko) 2011-08-17 2012-08-13 반도체 제조 장치 및 처리 방법
US14/238,860 US9859146B2 (en) 2011-08-17 2012-08-13 Semiconductor manufacturing device and processing method
TW101129651A TWI528485B (zh) 2011-08-17 2012-08-16 Semiconductor manufacturing apparatus and processing method thereof
US15/850,875 US10699935B2 (en) 2011-08-17 2017-12-21 Semiconductor manufacturing device and processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011178494A JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2011-08-17 半導体製造装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013042012A true JP2013042012A (ja) 2013-02-28
JP5948026B2 JP5948026B2 (ja) 2016-07-06

Family

ID=47715159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011178494A Active JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2011-08-17 半導体製造装置及び処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9859146B2 (ja)
JP (1) JP5948026B2 (ja)
KR (2) KR20140050664A (ja)
TW (1) TWI528485B (ja)
WO (1) WO2013024842A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016046451A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板処理方法
KR20190098919A (ko) 2018-02-15 2019-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2020520099A (ja) * 2017-05-12 2020-07-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 基板処理システムのための温度調節された基板支持体
JP2020113603A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020205382A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び基板搬送方法
KR20210036813A (ko) * 2019-09-26 2021-04-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지기 및 플라즈마 처리 장치
JP2021097181A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
JP2021170663A (ja) * 2017-07-24 2021-10-28 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 可動エッジリング設計
JP2022022815A (ja) * 2020-07-07 2022-02-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9978632B2 (en) * 2014-06-13 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Direct lift process apparatus
CN105575863B (zh) * 2014-11-10 2019-02-22 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置、基片卸载装置及方法
JP6540022B2 (ja) * 2014-12-26 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
CN104617017A (zh) * 2015-01-12 2015-05-13 合肥京东方光电科技有限公司 基板支撑装置及支撑方法、真空干燥设备
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
KR102689380B1 (ko) 2016-01-26 2024-07-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션
CN116110846A (zh) 2016-01-26 2023-05-12 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
JP7018331B2 (ja) * 2018-02-23 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10600623B2 (en) 2018-05-28 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
CN111801786B (zh) * 2019-02-08 2023-12-29 株式会社日立高新技术 等离子处理装置
WO2020214327A1 (en) 2019-04-19 2020-10-22 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
TWM588883U (zh) * 2019-05-10 2020-01-01 美商蘭姆研究公司 半導體製程模組的中環
US11508560B2 (en) 2019-05-14 2022-11-22 Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Focus ring adjustment assembly of a system for processing workpieces under vacuum
CN112563186A (zh) * 2019-09-26 2021-03-26 东京毅力科创株式会社 基片支承器和等离子体处理装置
KR102301191B1 (ko) * 2019-10-15 2021-09-10 (주)에스티아이 기판처리장치
CN111900118B (zh) * 2020-06-19 2023-04-07 中国科学院微电子研究所 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07305168A (ja) * 1994-03-18 1995-11-21 Anelva Corp 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
JPH08227934A (ja) * 1994-10-18 1996-09-03 Applied Materials Inc 静電チャックを備えたチャンバのためのプラズマガード
JPH11111822A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Toshiba Corp ウェーハチャック装置
JP2007073589A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置および半導体ウエハ処理方法
JP2009094436A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP2009302482A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2011054933A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
JP2011151263A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置及びリング部材

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
TW286414B (en) * 1995-07-10 1996-09-21 Watkins Johnson Co Electrostatic chuck assembly
JP2713276B2 (ja) * 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3234576B2 (ja) * 1998-10-30 2001-12-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP2002134596A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
TW200415681A (en) * 2002-10-17 2004-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing apparatus
US7730737B2 (en) * 2004-12-21 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cooling station lifter pins
JP2006196691A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US7824146B2 (en) * 2007-09-07 2010-11-02 Advanced Technology Development Facility Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters
US8434937B2 (en) * 2008-05-30 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting the substrate temperature in a laser anneal system
JP2010087473A (ja) * 2008-07-31 2010-04-15 Canon Anelva Corp 基板位置合わせ装置及び基板処理装置
US8034723B2 (en) * 2009-12-25 2011-10-11 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus and film deposition method
JP5584517B2 (ja) * 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101892911B1 (ko) * 2010-08-06 2018-08-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 정전 척 및 정전 척의 사용 방법들
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07305168A (ja) * 1994-03-18 1995-11-21 Anelva Corp 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
JPH08227934A (ja) * 1994-10-18 1996-09-03 Applied Materials Inc 静電チャックを備えたチャンバのためのプラズマガード
JPH11111822A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Toshiba Corp ウェーハチャック装置
JP2007073589A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置および半導体ウエハ処理方法
JP2009094436A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP2009302482A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2011054933A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
JP2011151263A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置及びリング部材

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016046451A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板処理方法
JP2020520099A (ja) * 2017-05-12 2020-07-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 基板処理システムのための温度調節された基板支持体
JP2021170663A (ja) * 2017-07-24 2021-10-28 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 可動エッジリング設計
US11756808B2 (en) 2018-02-15 2023-09-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR20190098919A (ko) 2018-02-15 2019-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US11121010B2 (en) 2018-02-15 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2020113603A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP7361856B2 (ja) 2019-01-09 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7134319B2 (ja) 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2021192456A (ja) * 2019-01-09 2021-12-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2022164770A (ja) * 2019-01-09 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびリングアセンブリ
JP7134104B2 (ja) 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020205382A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び基板搬送方法
KR20210036813A (ko) * 2019-09-26 2021-04-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지기 및 플라즈마 처리 장치
KR102699830B1 (ko) 2019-09-26 2024-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지기 및 플라즈마 처리 장치
JP7192756B2 (ja) 2019-12-19 2022-12-20 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
WO2021124756A1 (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
JP2021097181A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
JP2022022815A (ja) * 2020-07-07 2022-02-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP7455012B2 (ja) 2020-07-07 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台

Also Published As

Publication number Publication date
US10699935B2 (en) 2020-06-30
JP5948026B2 (ja) 2016-07-06
TW201324653A (zh) 2013-06-16
WO2013024842A1 (ja) 2013-02-21
TWI528485B (zh) 2016-04-01
US9859146B2 (en) 2018-01-02
KR20190100457A (ko) 2019-08-28
KR20140050664A (ko) 2014-04-29
US20180114717A1 (en) 2018-04-26
US20140213055A1 (en) 2014-07-31
KR102077438B1 (ko) 2020-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5948026B2 (ja) 半導体製造装置及び処理方法
JP7345607B2 (ja) 基板処理装置
US11387080B2 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
CN111430232B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台
KR102448780B1 (ko) 기판 전달 방법 및 기판 처리 장치
CN107887246B (zh) 载置台和等离子体处理装置
JP2020053538A (ja) プラズマ処理装置
EP2390897A2 (en) Plasma processing apparatus
KR101672856B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2021122064A (ja) ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決
KR20180116153A (ko) 핀 제어 방법 및 기판 처리 장치
US20220301833A1 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
JP2019135737A (ja) 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置
KR20170039461A (ko) 기판 처리 장치 및 로봇 티칭 방법
KR20100013148A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6308858B2 (ja) 静電チャック、載置台、プラズマ処理装置
TWI852945B (zh) 電漿處理裝置
JP2013197534A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160531

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5948026

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250