WO2013024842A1 - 半導体製造装置及び処理方法 - Google Patents

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WO2013024842A1
WO2013024842A1 PCT/JP2012/070630 JP2012070630W WO2013024842A1 WO 2013024842 A1 WO2013024842 A1 WO 2013024842A1 JP 2012070630 W JP2012070630 W JP 2012070630W WO 2013024842 A1 WO2013024842 A1 WO 2013024842A1
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pins
region
end surface
substrate
processed
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慎司 檜森
義之 小林
武宏 加藤
悦治 伊藤
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • Various aspects of the present invention relate to a semiconductor manufacturing apparatus and a processing method.
  • Patent Document 1 describes a semiconductor manufacturing apparatus.
  • the semiconductor manufacturing apparatus described in Patent Document 1 includes a stage and a plurality of pins.
  • the stage is provided with a plurality of holes, and a plurality of pins are inserted into the plurality of holes, respectively.
  • Some of the plurality of pins are for raising and lowering the substrate to be processed placed on the stage with respect to the upper surface of the stage.
  • the other part of the plurality of pins is for raising and lowering the focus ring placed on the stage relative to the upper surface of the stage.
  • the semiconductor manufacturing apparatus described above requires a plurality of drive mechanisms for moving the pins up and down according to the number of pins. Therefore, the apparatus becomes complicated according to the number of pins.
  • holes corresponding to the number of pins need to be formed in the stage. However, it is desirable that the number of holes formed in the stage is small.
  • a semiconductor manufacturing apparatus includes a processing container, a stage, a plurality of pins, and a driving unit.
  • the processing container defines a processing space.
  • the stage is provided in the processing container.
  • the stage includes a placement surface.
  • the placement surface has a first area for placing the substrate to be processed and a second area for placing the focus ring.
  • the second area is provided so as to surround the first area.
  • a plurality of holes are formed in the stage.
  • the plurality of holes extend in a direction intersecting the placement surface through the boundary between the first region and the second region.
  • the plurality of pins are respectively provided in the plurality of holes.
  • Each of the plurality of pins has a first upper end surface and a second upper end surface.
  • the second upper end surface is provided above the first upper end surface, and is offset to the first region side with respect to the first upper end surface.
  • the drive unit moves the plurality of pins up and down in the direction.
  • the substrate to be processed is moved by moving the plurality of pins upward so that only the second upper end surface of the first upper end surface and the second upper end surface protrudes from the stage mounting surface. It can be lifted from the mounting surface. Further, the focus ring can be lifted from the mounting surface by moving the plurality of pins upward so that the first upper end surface protrudes from the mounting surface of the stage. That is, each pin has an end surface that contacts the substrate to be processed and an end surface that contacts the focus ring. Therefore, according to this semiconductor manufacturing apparatus, it is possible to raise and lower the substrate to be processed and the focus ring with a small number of pins.
  • the semiconductor manufacturing apparatus may further include a control unit.
  • the control unit controls the drive unit so that the second upper end surface of the first upper end surface and the second upper end surface of the plurality of pins protrudes from the placement surface
  • the second mode The drive unit may be controlled so that the first upper end surfaces of the plurality of pins protrude from the stage mounting surface.
  • the semiconductor manufacturing apparatus may include a control unit that controls the operation of the drive unit described above.
  • a processing method is a processing method using the semiconductor manufacturing apparatus described above.
  • the processing method includes (a) a step of placing a focus ring on the second region, (b) a step of placing a substrate to be processed on the first region, and (c) a step of placing on the first region.
  • the focus ring is placed on the second region by moving a plurality of pins that simultaneously support the substrate to be processed and the focus ring above the placement surface, so that the first region A substrate to be processed may be placed thereon.
  • the substrate to be processed and the focus ring may be simultaneously lifted from the placement surface by a plurality of pins, and then the substrate to be processed may be taken out from the processing vessel and the focus ring may be taken out from the processing vessel.
  • a semiconductor manufacturing apparatus capable of moving a substrate to be processed and a focus ring up and down, and a processing method using the semiconductor manufacturing apparatus are provided.
  • FIG. 1 It is a figure showing roughly the semiconductor manufacturing device concerning one embodiment. It is sectional drawing which expands and shows the stage of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1, a some pin, and a drive part. It is a flowchart which shows the processing method which concerns on one Embodiment. It is sectional drawing which shows the position of the pin in process S4 of FIG. It is sectional drawing which shows the position of the pin in process S6 of FIG. It is a flowchart which shows the processing method which concerns on another embodiment. It is sectional drawing which shows the position of the pin in process S6 of FIG.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 1 shows a cross section of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the stage, the plurality of pins, and the drive unit of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 of one embodiment may be a parallel plate type plasma processing apparatus.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 includes a processing container 12.
  • the processing container 12 has a substantially cylindrical shape and defines a processing space S as its internal space.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 includes a stage ST in the processing container 12.
  • the stage ST includes a table 14 and an electrostatic chuck 50.
  • the base 14 has a substantially disc shape and is provided below the processing space S.
  • the base 14 is made of aluminum, for example, and constitutes a lower electrode.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a cylindrical holding part 16 and a cylindrical support part 17.
  • the cylindrical holding portion 16 is in contact with the edge of the side surface and the bottom surface of the table 14 and holds the table 14.
  • the cylindrical support portion 17 extends in the vertical direction from the bottom portion of the processing container 12 and supports the table 14 via the cylindrical holding portion 16.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a focus ring 18. As shown in FIG. 2, the focus ring 18 is placed on the upper surface of the peripheral portion of the table 14.
  • the focus ring 18 is a member for improving the in-plane uniformity of the processing accuracy of the substrate W to be processed.
  • the focus ring 18 is a plate-like member having a substantially ring shape, and can be made of, for example, silicon, quartz, or silicon carbide.
  • an exhaust path 20 is formed between the side wall of the processing vessel 12 and the cylindrical support portion 17.
  • a baffle plate 22 is attached to the inlet of the exhaust passage 20 or in the middle thereof.
  • An exhaust port 24 is provided at the bottom of the exhaust path 20.
  • the exhaust port 24 is defined by an exhaust pipe 28 fitted in the bottom of the processing container 12.
  • An exhaust device 26 is connected to the exhaust pipe 28.
  • the exhaust device 26 has a vacuum pump and can depressurize the processing space S in the processing container 12 to a predetermined degree of vacuum.
  • a gate valve 30 that opens and closes the loading / unloading port for the substrate W to be processed is attached to the side wall of the processing container 12.
  • a high frequency power source 32 for plasma generation is electrically connected to the table 14 via a matching unit 34.
  • the high frequency power supply 32 applies high frequency power of a predetermined high frequency (for example, 13 MHz) to the lower electrode, that is, the table 14.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a shower head 38 in the processing container 12.
  • the shower head 38 is provided above the processing space S.
  • the shower head 38 includes an electrode plate 40 and an electrode support 42.
  • the electrode plate 40 is a conductive plate having a substantially disk shape and constitutes an upper electrode.
  • a high frequency power source 35 for plasma generation is electrically connected to the electrode plate 40 via a matching unit 36.
  • the high frequency power source 35 applies high frequency power of a predetermined high frequency (for example, 60 MHz) to the electrode plate 40.
  • a high frequency electric field is formed in the space between the table 14 and the electrode plate 40, that is, the processing space S.
  • the electrode plate 40 has a plurality of gas vent holes 40h.
  • the electrode plate 40 is detachably supported by an electrode support 42.
  • a buffer chamber 42 a is provided inside the electrode support 42.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a gas supply unit 44, and the gas supply unit 44 is connected to the gas introduction port 25 of the buffer chamber 42a via a gas supply conduit 46.
  • the gas supply unit 44 supplies a processing gas to the processing space S.
  • This processing gas may be, for example, an etching processing gas or a film forming processing gas.
  • the electrode support 42 is formed with a plurality of holes each continuous with the plurality of gas vent holes 40h, and the plurality of holes communicate with the buffer chamber 42a. The gas supplied from the gas supply unit 44 is supplied to the processing space S via the buffer chamber 42a and the gas vent hole 40h.
  • a magnetic field forming mechanism 48 extending annularly or concentrically is provided on the ceiling of the processing vessel 12.
  • the magnetic field forming mechanism 48 functions to facilitate the start of high-frequency discharge (plasma ignition) in the processing space S and maintain stable discharge.
  • an electrostatic chuck 50 is provided on the upper surface of the table 14.
  • the electrostatic chuck 50 includes an electrode 52 and a pair of insulating films 54a and 54b.
  • the electrode 52 is a conductive film and is provided between the insulating film 54a and the insulating film 54b.
  • a DC power source 56 is connected to the electrode 52 via a switch SW. When a DC voltage is applied to the electrode 52 from the DC power source 56, a Coulomb force is generated, and the substrate W to be processed is attracted and held on the electrostatic chuck 50 by the Coulomb force.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a gas supply line 58 and a heat transfer gas supply unit 62.
  • the heat transfer gas supply unit 62 is connected to a gas supply line 58.
  • the gas supply line 58 extends to the upper surface of the electrostatic chuck 50 and extends annularly on the upper surface.
  • the heat transfer gas supply unit 62 supplies a heat transfer gas such as He gas between the upper surface of the electrostatic chuck 50 and the substrate W to be processed.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 further includes a control unit 66.
  • the control unit 66 is connected to the exhaust device 26, the switch SW, the high frequency power supply 32, the matching unit 34, the high frequency power source 35, the matching unit 36, the gas supply unit 44, and the heat transfer gas supply unit 62.
  • the control unit 66 sends control signals to the exhaust device 26, the switch SW, the high frequency power source 32, the matching unit 34, the high frequency power source 35, the matching unit 36, the gas supply unit 44, and the heat transfer gas supply unit 62, respectively.
  • control unit 66 exhaust by the exhaust device 26, opening / closing of the switch SW, power supply from the high frequency power source 32, impedance adjustment of the matching unit 34, power supply from the high frequency power source 35, impedance adjustment of the matching unit 36, The supply of the processing gas by the gas supply unit 44 and the supply of the heat transfer gas by the heat transfer gas supply unit 62 are controlled.
  • the processing gas is supplied from the gas supply unit 44 to the processing space S. Further, a high frequency electric field is formed between the electrode plate 40 and the table 14, that is, in the processing space S. As a result, plasma is generated in the processing space S, and the substrate to be processed W is processed by radicals of elements contained in the processing gas.
  • the treatment of the substrate to be processed W can be any treatment, and may be, for example, etching of the substrate to be processed W or film formation on the substrate to be processed W, but is limited. It is not a thing.
  • the stage ST has a placement surface PF.
  • the placement surface PF includes a first region R1 and a second region R2.
  • the first region R1 is a region for placing the substrate W to be processed.
  • the first region R1 is defined by the upper surface of the electrostatic chuck 50 and is a substantially circular region.
  • the second region R2 is a region for placing the focus ring 18, and is provided in an annular shape so as to surround the first region R1.
  • the second region R ⁇ b> 2 is defined by the upper surface of the peripheral portion of the table 14.
  • the stage ST is provided with a plurality of holes 14h.
  • the plurality of holes 14h pass through the boundary between the first region R1 and the second region R2 and extend in a direction (vertical direction) intersecting the placement surface PF of the stage ST.
  • the holes 14h are provided at equal intervals in the circumferential direction, and the number of the holes 14h is three or more.
  • each pin 70 has a first upper end surface 70a and a second upper end surface 70b.
  • each pin 70 includes a first columnar portion 70c and a second columnar portion 70d.
  • the first columnar portion 70c is provided below the second columnar portion 70d.
  • the diameter of the first columnar portion 70c is larger than the diameter of the second columnar portion 70d.
  • the upper end surface of the first columnar portion 70c constitutes the first upper end surface 70a.
  • the second columnar portion 70d extends upward from the upper end surface of the first columnar portion 70c.
  • the upper end surface of the second columnar portion 70d constitutes the second upper end surface 70b.
  • the central axis of the second columnar portion 70d is deviated toward the first region R1 side with respect to the central axis of the first columnar portion 70c. That is, the second upper end surface 70b is deviated toward the first region R1 with respect to the first upper end surface 70a. Thereby, even if each pin 70 moves upward, the upper end surface of the second columnar portion 70d does not come into contact with the focus ring 18.
  • a seal such as an O-ring is provided between the second columnar portion 70c of each pin 70 and the surface of the base 14 that defines the corresponding hole 14h, that is, the inner surface that defines the hole 14h.
  • a member 72 is provided. The hole 14h is sealed by the seal member 72, and as a result, the airtightness of the processing space S is ensured.
  • a plurality of drive units 74 are connected to each of the plurality of pins 70.
  • Each driving unit 74 generates a driving force that moves the corresponding pin 70 in the vertical direction, that is, moves up and down.
  • An arbitrary drive mechanism that moves the pin 70 in the vertical direction can be employed for the plurality of drive units 74.
  • the plurality of drive units 74 may have hydraulic or pneumatic cylinders.
  • the control unit 66 described above may be connected to a plurality of drive units 74. That is, the movement of the plurality of pins 72 in the vertical direction may be controlled by a control signal supplied from the control unit 66 to the plurality of driving units 74.
  • the control unit 66 in the first mode, is configured such that only the second upper end surface 70b of the first upper end surface 70a and the second upper end surface 70b of each pin 70 is upward from the placement surface PF.
  • the drive of the plurality of pins 70 by the plurality of drive units 74 is controlled so as to protrude.
  • the second upper end surfaces 70b of the plurality of pins 70 come into contact with the substrate to be processed W, and the substrate to be processed W is moved from the placement surface PF (first region R1) by the plurality of pins 70. Lifted.
  • the substrate to be processed W lifted from the mounting surface PF is taken out of the processing container 12 from the gate valve 30 by a transport mechanism such as a robot arm.
  • the control unit 66 controls the driving of the plurality of pins 70 by the plurality of driving units 74 so that the first upper end surface 70a of each pin 70 protrudes upward from the placement surface PF.
  • the first upper end surfaces 70a of the plurality of pins 70 come into contact with the focus ring, and the focus ring 18 is lifted from the placement surface PF (second region R2) by the plurality of pins 70.
  • the focus ring 18 lifted from the placement surface PF is taken out of the processing container 12 from the gate valve 30 by a transport mechanism such as a robot arm.
  • each pin 70 has the second upper end surface 70b for lifting the substrate W to be processed upward and the first upper end surface 70a for lifting the focus ring 18 upward.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a processing method according to an embodiment.
  • the processing method shown in FIG. 3 can be performed using the semiconductor manufacturing apparatus 10.
  • the focus ring 18 can be placed on the second region R2 in step S1.
  • the plurality of pins 70 are set in a state of being accommodated in the plurality of holes 14h, that is, in a state in which the second upper end surface 70b is positioned below the placement surface PF.
  • the focus ring 18 is guided to a predetermined position in the processing space S, that is, above the second region R2 via the gate valve 30 by a transfer mechanism such as a robot arm.
  • the plurality of pins 70 are moved upward so that the first upper end surface 70 a contacts the back surface of the focus ring 18.
  • the plurality of pins 70 are moved downward. As a result, the focus ring 18 is placed on the second region R2.
  • the substrate W to be processed can be placed on the first region R1.
  • the plurality of pins 70 are set in a state of being accommodated in the plurality of holes 14h, that is, in a state in which the second upper end surface 70b is positioned below the placement surface PF.
  • the substrate W to be processed is guided to a predetermined position in the processing space S, that is, above the first region R1, via the gate valve 30 by a transfer mechanism such as a robot arm.
  • the plurality of pins 70 are moved upward so that the second upper end surface 70b is in contact with the back surface of the substrate W to be processed.
  • the transport mechanism is moved to the outside of the processing container 12, the plurality of pins 70 are moved downward. Thereby, the to-be-processed base
  • step S3 the substrate to be processed W is processed.
  • step S3 arbitrary processing such as plasma etching or film formation is performed in the processing space S.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the positions of the pins in step S4 of FIG.
  • the second upper end surface 70 b is in contact with the back surface of the substrate to be processed W, and the plurality of pins 70 moves the substrate W to be processed from the placement surface PF (first region R ⁇ b> 1). lift.
  • the first upper end surface 70a is located below the placement surface PF, that is, below the back surface of the focus ring 18.
  • step S5 the substrate to be processed W is taken out of the processing container 12.
  • a transport mechanism such as a robot arm is sent into the processing container 12 via the gate valve 30.
  • the substrate W to be processed is held by the transport mechanism.
  • the substrate W to be processed is taken out of the processing container 12 by the transport mechanism.
  • the steps S2 to S5 can be performed one or more times while exchanging the substrate to be processed W.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the positions of the pins in step S6 of FIG.
  • step S ⁇ b> 6 the first upper end surface 70 a is in contact with the back surface of the focus ring 18, and the plurality of pins 70 lift the focus ring 18 from the placement surface PF (second region R ⁇ b> 2).
  • the focus ring 18 is taken out of the processing container 12. Specifically, a transport mechanism such as a robot arm is sent into the processing container 12 via the gate valve 30. Next, the focus ring 18 is held by the transport mechanism. Next, after the plurality of pins 70 are moved downward so as not to interfere with the focus ring 18, the focus ring 18 is taken out of the processing container 12 by the transport mechanism. Thereby, the focus ring 18 to be replaced can be taken out from the processing container 12, and then the processing from step S1 can be repeated.
  • a transport mechanism such as a robot arm is sent into the processing container 12 via the gate valve 30.
  • the focus ring 18 is held by the transport mechanism.
  • the focus ring 18 is taken out of the processing container 12 by the transport mechanism. Thereby, the focus ring 18 to be replaced can be taken out from the processing container 12, and then the processing from step S1 can be repeated.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a processing method according to another embodiment.
  • the plurality of pins 70 are set in a state of being accommodated in the plurality of holes 14h, that is, in a state in which the second upper end surface 70b is positioned below the placement surface PF.
  • the focus ring 18 is guided to a predetermined position in the processing space S via the gate valve 30 by the transfer mechanism such as a robot arm, that is, above the second region R2.
  • the substrate W to be processed is guided to a predetermined position, that is, above the first region R1.
  • the plurality of pins 70 are moved upward so that the first upper end surface 70a is in contact with the back surface of the focus ring 18 and the second upper end surface 70b is in contact with the back surface of the substrate W to be processed. Then, the transport mechanism is moved to the outside of the processing container 12. At this time, the target substrate W and the focus ring 18 are simultaneously supported by the plurality of pins 70 above the placement surface PF. Thereafter, the plurality of pins 70 are moved downward. Thereby, first, in step S1, the focus ring 18 is placed on the second region R2. Then, by moving the plurality of pins 70 further downward, the substrate W to be processed is placed on the first region R1 in step S2.
  • step S6 is performed subsequent to step S4. That is, in another embodiment, in step S4, the plurality of pins 70 are moved upward, and the substrate to be processed W is lifted from the placement surface PF (first region R1) by the plurality of pins 70. In step S6 subsequent to step S4, the plurality of pins 70 are further moved upward, and the focus ring 18 is lifted from the placement surface PF (second region R2) by the plurality of pins 70.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the positions of the pins in step S6 of FIG. When step S6 of FIG. 6 is performed, as shown in FIG.
  • the second upper end surfaces 70b of the plurality of pins 70 are in contact with the back surface of the substrate W, and the first upper end surfaces 70a of the plurality of pins 70 are It contacts the back surface of the focus ring 18. At this time, the target substrate W and the focus ring 18 are simultaneously supported by the plurality of pins 70 above the placement surface PF.
  • step S5 and step S7 are performed simultaneously. That is, a transport mechanism such as a robot arm is sent into the processing container 12 via the gate valve 30, and the substrate W and the focus ring 18 are held by the transport mechanism. Then, after the plurality of pins 70 are moved downward so as not to interfere with the focus ring 18, the substrate W and the focus ring 18 are taken out of the processing container 12 by the transport mechanism. Thus, the throughput can be improved by simultaneously lifting the substrate to be processed W and the focus ring 18 by the plurality of pins 70 and simultaneously taking them out of the processing container 12.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above is a parallel plate type plasma processing apparatus
  • the above-described aspects of the present invention and the idea of the embodiment can be applied to a plasma processing apparatus having an arbitrary plasma generation source.
  • the idea of the above-described aspects and embodiments of the present invention is not limited to the plasma processing apparatus, and the target substrate W is processed by placing the target substrate W and the focus ring on the stage in the processing space. It can be applied to any semiconductor manufacturing apparatus.
  • SYMBOLS 10 Semiconductor manufacturing apparatus, 12 ... Processing container, 14 ... Stand, 14h ... Hole, 18 ... Focus ring, 50 ... Electrostatic chuck, 66 ... Control part, 70 ... Pin, 70a ... First upper end surface, 70b ... First 2 upper end surface, 70c ... first columnar portion, 70d ... second columnar portion, 72 ... sealing member, 74 ... driving unit, PF ... mounting surface, R1 ... first region, R2 ... second region , S: processing space, ST: stage, W: substrate to be processed.

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Abstract

　一実施形態の半導体製造装置（１０）は、ステージ（ＳＴ）、複数のピン（７０）、及び駆動部（７４）を備えている。ステージ（ＳＴ）は載置面（ＰＦ）を含む。載置面（ＰＦ）は、被処理基体（Ｗ）を載置するための第１の領域（Ｒ１）、及び、フォーカスリング（１８）を載置するための第２の領域（Ｒ２）を有する。第２の領域（Ｒ２）は、第１の領域（Ｒ１）を囲むように、設けられている。ステージ（ＳＴ）には、複数の孔（１４ｈ）が形成されている。複数の孔（１４ｈ）は、第１の領域（Ｒ１）と第２の領域（Ｒ２）との境界を通って載置面（ＰＦ）に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面（７０ａ）、及び、第２の上端面（７０ｂ）を有している。第２の上端面（７０ｂ）は、第１の上端面（７０ａ）よりも上方に設けられており、当該第１の上端面（７０ａ）よりも第１の領域（Ｒ１）の側に偏位している。駆動部（７４）は、複数のピン（７０）を前記方向において上下動させる。

Description

半導体製造装置及び処理方法
　本発明の種々の側面は、半導体製造装置及び処理方法に関するものである。
　特許文献１には、半導体製造装置が記載されている。特許文献１に記載された半導体製造装置は、ステージ、及び、複数のピンを備えている。ステージには、複数の孔が設けられており、これら複数の孔には複数のピンがそれぞれ挿入されている。
　複数のピンのうち一部は、ステージ上に載置される被処理基体をステージ上面に対して昇降させるためのものである。複数のピンのうち他の一部は、ステージ上に載置されるフォーカスリングをステージ上面に対して昇降させるためのものである。
特開２００６－１９６６９１号公報
　上述した半導体製造装置では、ピンの数に応じて当該ピンを上下動させるための複数の駆動機構が必要になる。したがって、ピンの数に応じて装置が複雑化する。また、上述した半導体製造装置では、ピンの数に応じた孔がステージに形成されている必要がある。しかしながら、ステージに形成される孔の数は、少ないことが望ましい。
　したがって、当技術分野においては、少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置が要請されている。
　本発明の一側面に係る半導体製造装置は、処理容器、ステージ、複数のピン、及び駆動部を備えている。処理容器は、処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。ステージは載置面を含む。載置面は、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔が形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面、及び、第２の上端面を有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。駆動部は、複数のピンを前記方向において上下動させる。
　この半導体製造装置では、第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面のみがステージの載置面から突き出るように複数のピンを上方へ移動させることにより、被処理基体を載置面から持ち上げることができる。また、第１の上端面がステージの載置面から突き出るように複数のピンを上方へ移動させることにより、フォーカスリングを載置面から持ち上げることができる。即ち、各ピンが、被処理基体に接触する端面、及び、フォーカスリングに接触する端面を有している。したがって、この半導体製造装置によれば、少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能である。
　一実施形態においては、半導体製造装置は、制御部を更に備え得る。制御部は、第１のモードにおいて、複数のピンの第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面が載置面から突き出るよう、駆動部を制御し、第２のモードにおいて、複数のピンの第１の上端面がステージの載置面から突き出るよう、駆動部を制御してもよい。即ち、半導体製造装置は、上述した駆動部の動作を制御する制御部を備えていてもよい。
　本発明の別の一側面に係る処理方法は、上述した半導体製造装置を用いた処理方法である。この処理方法は、（ａ）第２の領域上にフォーカスリングを載置する工程と、（ｂ）第１の領域上に被処理基体を載置する工程と、（ｃ）第１の領域上に被処理基体が載置され、第２の領域上にフォーカスリングが載置された状態において、被処理基体を処理する工程と、（ｄ）複数のピンの第１の上端面及び第２の上端面のうち第２の上端面が載置面から突き出るよう、当該複数のピンを上方に移動させる工程と、（ｅ）複数のピンによって持ち上げられた被処理基体を処理容器から取り出す工程と、（ｆ）複数のピンの第１の上端面が載置面から突き出るように、複数のピンを上方に移動させる工程と、（ｇ）複数のピンによって持ち上げられたフォーカスリングを処理容器から取り出す工程と、を含む。
　この処理方法によれば、少ない数のピンを用いて、被処理基体及びフォーカスリングを載置面から持ち上げることが可能となる。
　一実施形態においては、載置面の上方において被処理基体及びフォーカスリングを同時に支持した複数のピンを下方に移動させることにより、第２の領域上にフォーカスリングが載置され、第１の領域上に被処理基体が載置されてもよい。また、一実施形態においては、複数のピンにより被処理基体及びフォーカスリングを同時に載置面から持ち上げた後に、被処理基体が処理容器から取り出され、フォーカスリングが処理容器から取り出されてもよい。
　以上説明したように、本発明の種々の側面によれば、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置、及び、この半導体製造装置を用いた処理方法が提供される。
一実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す図である。 図１に示す半導体製造装置のステージ、複数のピン、及び駆動部を拡大して示す断面図である。 一実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。 図３の工程Ｓ４におけるピンの位置を示す断面図である。 図３の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。 別の実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。 図６の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。
　以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係る半導体製造装置の断面が示されている。図２は、図１に示す半導体製造装置のステージ、複数のピン、及び駆動部を拡大して示す断面図である。
　図１に示すように、一実施形態の半導体製造装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置であり得る。半導体製造装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。半導体製造装置１０は、処理容器１２内に、ステージＳＴを備えている。一実施形態においては、ステージＳＴは、台１４及び静電チャック５０を含んでいる。台１４は、略円板形状を有しており、処理空間Ｓの下方に設けられている。台１４は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。
　一実施形態においては、半導体製造装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、台１４の側面及び底面の縁部に接して、台１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介して台１４を支持している。
　半導体製造装置１０は、フォーカスリング１８を更に備えている。図２に示すように、フォーカスリング１８は、台１４の周縁部分の上面に載置される。フォーカスリング１８は、被処理基体Ｗの処理精度の面内均一性を改善するための部材である。フォーカスリング１８は、略環形状を有する板状部材であり、例えば、シリコン、石英、又はシリコンカーバイドから構成され得る。
　一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、被処理基体Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
　台１４には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。高周波電源３２は、所定の高周波数（例えば１３ＭＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、台１４に印加する。
　半導体製造装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。
　電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板４０には、プラズマ生成用の高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、所定の高周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。高周波電源３２及び高周波電源３５によって台１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、台１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
　電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。半導体製造装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。この処理ガスは、例えば、エッチング用の処理ガスであってもよく、又は、成膜用の処理ガスであってもよい。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。
　一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
　半導体製造装置１０では、台１４の上面に静電チャック５０が設けられている。図２に示すように、静電チャック５０は、電極５２、並びに、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂを含んでいる。電極５２は、導電膜であり、絶縁膜５４ａと絶縁膜５４ｂの間に設けられている。図１に示すように、電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Ｗが静電チャック５０上に吸着保持される。
　一実施形態においては、半導体製造装置１０は、ガス供給ライン５８、及び、伝熱ガス供給部６２を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。
　一実施形態においては、半導体製造装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２による伝熱ガスの供給が制御される。
　この半導体製造装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０と台１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、被処理基体Ｗの処理が行われる。なお、被処理基体Ｗの処理は、任意の処理であり得るものであり、例えば、被処理基体Ｗのエッチング、又は、被処理基体Ｗ上への成膜であってもよいが、限定されるものではない。
　以下、図１及び図２を参照して、ステージ、複数のピン、及び、駆動部の構成について、より詳細に説明する。ステージＳＴは、載置面ＰＦを有している。この載置面ＰＦは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含んでいる。第１の領域Ｒ１は、被処理基体Ｗを載置するための領域である。一実施形態においては、第１の領域Ｒ１は、静電チャック５０の上面によって画成されており、略円形の領域である。第２の領域Ｒ２は、フォーカスリング１８を載置するための領域であり、第１の領域Ｒ１を囲むよう環状に設けられている。一実施形態においては、第２の領域Ｒ２は、台１４の周縁部分の上面によって画成されている。
　ステージＳＴには、複数の孔１４ｈが設けられている。複数の孔１４ｈは、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２の間の境界を通って、ステージＳＴの載置面ＰＦに交差する方向（上下方向）に延びている。これら孔１４ｈは、例えば、周方向に等間隔に設けられており、当該孔１４ｈの個数は、３以上である。
　複数の孔１４ｈには複数のピン７０がそれぞれ設けられている。各ピン７０は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。一実施形態においては、各ピン７０は、第１の柱状部７０ｃ及び第２の柱状部７０ｄを含んでいる。第１の柱状部７０ｃは、第２の柱状部７０ｄの下方に設けられている。第１の柱状部７０ｃの直径は、第２の柱状部７０ｄの直径より大きい。第１の柱状部７０ｃの上端面は、第１の上端面７０ａを構成している。第２の柱状部７０ｄは、第１の柱状部７０ｃの上端面から上方に延びている。第２の柱状部７０ｄの上端面は、第２の上端面７０ｂを構成している。この第２の柱状部７０ｄの中心軸線は、第１の柱状部７０ｃの中心軸線に対して第１の領域Ｒ１側に偏位している。即ち、第１の上端面７０ａに対して、第２の上端面７０ｂは、第１の領域Ｒ１側に偏位している。これにより、各ピン７０が上方に移動しても、第２の柱状部７０ｄの上端面が、フォーカスリング１８に当接しないようになっている。
　一実施形態においては、各ピン７０の第２の柱状部７０ｃと対応の孔１４ｈを画成する台１４の面、即ち、当該孔１４ｈを画成する内面との間には、Ｏリングといったシール部材７２が設けられている。シール部材７２によって、孔１４ｈが封止され、その結果、処理空間Ｓの気密が確保される。
　図１に示すように、複数のピン７０のそれぞれには、複数の駆動部７４がそれぞれ接続されている。各駆動部７４は対応のピン７０を上下方向に移動させる、即ち、昇降させる駆動力を発生する。複数の駆動部７４には、ピン７０を上下方向に移動させる任意の駆動機構が採用され得る。例えば、複数の駆動部７４は、油圧又は空気圧シリンダを有していてもよい。
　上述した制御部６６は、複数の駆動部７４に接続されていてもよい。即ち、複数のピン７２の上下方向の移動は、制御部６６から複数の駆動部７４に与えられる制御信号によって制御されてもよい。一実施形態においては、制御部６６は、第１のモードにおいて、各ピン７０の第１の上端面７０ａ及び第２の上端面７０ｂのうち第２の上端面７０ｂのみが載置面ＰＦから上方に突き出るよう、複数の駆動部７４による複数のピン７０の駆動を制御する。この第１のモードでは、複数のピン７０の第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗに当接し、当該複数のピン７０によって被処理基体Ｗが載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げられる。載置面ＰＦから持ち上げられた被処理基体Ｗは、ロボットアーム等の搬送機構によりゲートバルブ３０から処理容器１２の外部に取り出される。
　また、制御部６６は、第２のモードにおいて、各ピン７０の第１の上端面７０ａが載置面ＰＦから上方に突き出るよう、複数の駆動部７４による複数のピン７０の駆動を制御する。この第２のモードでは、複数のピン７０の第１の上端面７０ａがフォーカスリングに当接し、当該複数のピン７０によってフォーカスリング１８が載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げられる。載置面ＰＦから持ち上げられたフォーカスリング１８は、ロボットアーム等の搬送機構によりゲートバルブ３０から処理容器１２の外部に取り出される。
　このように、半導体製造装置１０では、各ピン７０が、被処理基体Ｗを上方に持ち上げるための第２の上端面７０ｂ、及び、フォーカスリング１８を上方に持ち上げるための第１の上端面７０ａを有している。したがって、少ないピン数で、ステージＳＴからの被処理基体Ｗの持ち上げ、及び、フォーカスリング１８の持ち上げを実現することが可能である。
　以下、一実施形態に係る半導体製造装置を用いた処理方法について説明する。図３は、一実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。図３に示す処理方法は、半導体製造装置１０を用いて行うことができる。図３に示す処理方法では、工程Ｓ１において、第２の領域Ｒ２上にフォーカスリング１８を載置することができる。工程Ｓ１では、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態において、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第２の領域Ｒ２の上方まで、フォーカスリング１８が案内される。次いで、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。次いで、搬送機構を処理容器１２の外部に移動させた後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、フォーカスリング１８が第２の領域Ｒ２上に載置される。
　続く工程Ｓ２において、第１の領域Ｒ１上に被処理基体Ｗを載置することができる。工程Ｓ２では、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態で、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第１の領域Ｒ１の上方まで被処理基体Ｗが案内される。次いで、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。次いで、搬送機構を処理容器１２の外部に移動させた後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、被処理基体Ｗが第１の領域Ｒ１上に載置される。
　続く工程Ｓ３において、被処理基体Ｗが処理される。工程Ｓ３においては、処理空間Ｓ内において、プラズマエッチング又は成膜といった任意の処理が行われる。
　続く工程Ｓ４において、第１の上端面７０ａ及び第２の上端面７０ｂのうち第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦから突き出るように、複数のピン７０が上方に移動される。図４は、図３の工程Ｓ４におけるピンの位置を示す断面図である。図４に示すように、工程Ｓ４では、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接して、複数のピン７０が被処理基体Ｗを載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げる。なお、工程Ｓ４においては、第１の上端面７０ａは、載置面ＰＦより下方、即ち、フォーカスリング１８の裏面より下方に位置する。
　続く工程Ｓ５において、被処理基体Ｗが処理容器１２から取り出される。具体的には、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られる。次いで、搬送機構によって被処理基体Ｗが保持される。次いで、複数のピン７０が下方に移動された後、被処理基体Ｗが搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。なお、工程Ｓ２～Ｓ５は、被処理基体Ｗを交換しつつ一回以上行われ得る。
　続く工程Ｓ６においては、被処理基体Ｗが処理容器１２から取り出された状態において、第１の上端面７０ａが載置面ＰＦから突き出るよう、複数のピン７０が上方に移動される。図５は、図３の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。図５に示すように、工程Ｓ６では、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接して、複数のピン７０がフォーカスリング１８を載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げる。
　続く工程Ｓ７においては、フォーカスリング１８が処理容器１２の外部に取り出される。具体的には、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られる。次いで、搬送機構によってフォーカスリング１８が保持される。次いで、複数のピン７０がフォーカスリング１８に干渉しないよう下方に移動された後、フォーカスリング１８が搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。これにより、交換すべきフォーカスリング１８を処理容器１２から取り出すことができ、その後、工程Ｓ１からの処理を繰り返すことができる。
　以下、図６を参照し、半導体製造装置１０を用いて実施し得る別の実施形態に係る処理方法について説明する。図６は、別の実施形態に係る処理方法を示す流れ図である。別の実施形態においては、工程Ｓ１において、複数のピン７０は、複数の孔１４ｈ内に収容された状態、即ち、第２の上端面７０ｂが載置面ＰＦより下方に位置する状態に設定される。この状態において、ロボットアーム等の搬送機構により、ゲートバルブ３０を経由して処理空間Ｓ内の所定の位置、即ち、第２の領域Ｒ２の上方まで、フォーカスリング１８が案内され、また、別の所定の位置、即ち、第１の領域Ｒ１の上方まで被処理基体Ｗが案内される。
　次いで、第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接し、第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接するよう、複数のピン７０が上方に移動される。そして、搬送機構が処理容器１２の外部に移動される。このとき、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８は、載置面ＰＦの上方において複数のピン７０により同時に支持される。この後、複数のピン７０が下方に移動される。これにより、まず、工程Ｓ１において、第２の領域Ｒ２上にフォーカスリング１８が載置される。そして、更に複数のピン７０が下方に移動されることにより、工程Ｓ２において、第１の領域Ｒ１上に被処理基体Ｗが載置される。
　別の実施形態では、工程Ｓ３において被処理基体Ｗが処理された後、工程Ｓ４に続けて工程Ｓ６が行われる。即ち、別の実施形態では、工程Ｓ４において、複数のピン７０を上方に移動させて、当該複数のピン７０により被処理基体Ｗを載置面ＰＦ（第１の領域Ｒ１）から持ち上げる。そして、工程Ｓ４に続く工程Ｓ６において、更に複数のピン７０を上方に移動させて、当該複数のピン７０によりフォーカスリング１８を載置面ＰＦ（第２の領域Ｒ２）から持ち上げる。図７は、図６の工程Ｓ６におけるピンの位置を示す断面図である。図６の工程Ｓ６が行われると、図７に示すように、複数のピン７０の第２の上端面７０ｂが被処理基体Ｗの裏面に接し、複数のピン７０の第１の上端面７０ａがフォーカスリング１８の裏面に接する。このとき、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８は、載置面ＰＦの上方において複数のピン７０により同時に支持される。
　次いで、工程Ｓ５及び工程Ｓ７が同時に実施される。即ち、ロボットアーム等の搬送機構が、ゲートバルブ３０を介して、処理容器１２内に送られ、当該搬送機構により被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８が保持される。そして、複数のピン７０がフォーカスリング１８に干渉しないよう下方に移動された後、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８が搬送機構によって処理容器１２の外部に取り出される。このように、被処理基体Ｗ及びフォーカスリング１８を同時に複数のピン７０により持ち上げて、同時に処理容器１２の外部に取り出すことにより、スループットが向上され得る。
　以上、種々の実施形態について説明したが、これら実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、上述した半導体製造装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置であったが、本発明の上述した側面及び実施形態の思想は任意のプラズマ発生源を有するプラズマ処理装置にも適用可能である。また、本発明の上述した側面及び実施形態の思想は、プラズマ処理装置に限定されず、処理空間内においてステージ上に被処理基体Ｗ及びフォーカスリングを載置して当該被処理基体Ｗを処理する任意の半導体製造装置に適用可能である。
　１０…半導体製造装置、１２…処理容器、１４…台、１４ｈ…孔、１８…フォーカスリング、５０…静電チャック、６６…制御部、７０…ピン、７０ａ…第１の上端面、７０ｂ…第２の上端面、７０ｃ…第１の柱状部、７０ｄ…第２の柱状部、７２…シール部材、７４…駆動部、ＰＦ…載置面、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域、Ｓ…処理空間、ＳＴ…ステージ、Ｗ…被処理基体。

Claims (4)

  1. 　処理空間を画成する処理容器と、
    　前記処理容器内に設けられたステージであって、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域であり該第１の領域を囲むように設けられた該第２の領域を有する載置面を含み、前記第１の領域と前記第２の領域との境界を通って前記載置面に交差する方向に延びる複数の孔が形成されている、該ステージと、
    　前記複数の孔内にそれぞれ設けられた複数のピンであって、各々が、第１の上端面、及び、該第１の上端面よりも上方に設けられており、該第１の上端面よりも前記第１の領域の側に偏位した第２の上端面を有する、該複数のピンと、
    　前記複数のピンを前記方向において上下動させる駆動部と、
    を備える半導体製造装置。
  2. 　第１のモードにおいて、前記複数のピンの前記第１の上端面及び前記第２の上端面のうち前記第２の上端面が前記載置面から突き出るよう、前記駆動部を制御し、第２のモードにおいて、前記複数のピンの前記第１の上端面が前記載置面から突き出るよう、前記駆動部を制御する制御部を更に備える、請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 　半導体製造装置を用いた処理方法であって、
    　前記半導体製造装置は、
    　　処理空間を画成する処理容器と、
    　　前記処理容器内に設けられたステージであって、被処理基体を載置するための第１の領域、及び、フォーカスリングを載置するための第２の領域であり該第１の領域を囲むように設けられた該第２の領域を有する載置面を含み、前記第１の領域と前記第２の領域との境界を通って前記載置面に交差する方向に延びる複数の孔が形成されている、該ステージと、
    　　前記複数の孔内にそれぞれ設けられた複数のピンであって、各々が、第１の上端面、及び、該第１の上端面よりも上方に設けられており、該第１の上端面よりも前記第１の領域の側に偏位した第２の上端面を有する、該複数のピンと、
    　　前記複数のピンを前記方向において上下動させる駆動部と、
    を備え、
    　前記第２の領域上にフォーカスリングを載置する工程と、
    　前記第１の領域上に被処理基体を載置する工程と、
    　第１の領域上に被処理基体が載置され、第２の領域上にフォーカスリングが載置された状態において、前記被処理基体を処理する工程と、
    　前記複数のピンの前記第１の上端面及び前記第２の上端面のうち前記第２の上端面が前記ステージの前記載置面から突き出るよう、該複数のピンを上方に移動させる工程と、
    　前記複数のピンによって持ち上げられた前記被処理基体を前記処理容器から取り出す工程と、
    　前記複数のピンの前記第１の上端面が前記載置面から突き出るよう、該複数のピンを上方に移動させる工程と、
    　前記複数のピンによって持ち上げられた前記フォーカスリングを前記処理容器から取り出す工程と、
    を含む処理方法。
  4. 　前記載置面の上方において前記被処理基体及び前記フォーカスリングを同時に支持した前記複数のピンを下方に移動させることにより、前記第２の領域上に前記フォーカスリングが載置され、前記第１の領域上に前記被処理基体が載置され、
    　前記複数のピンにより前記被処理基体及び前記フォーカスリングを同時に前記載置面から持ち上げた後に、前記被処理基体が前記処理容器から取り出され、前記フォーカスリングが前記処理容器から取り出される、
    請求項３に記載の処理方法。
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