JP3234576B2 - 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 - Google Patents
半導体製造装置におけるウェハ支持装置Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おけるウェハ支持装置に関し、特に、ウェハ支持装置に
設けられている、ウェハを上下動させるための手段に関
する。
おけるウェハ支持装置に関し、特に、ウェハ支持装置に
設けられている、ウェハを上下動させるための手段に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置には、シリコンウェハを
1枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。この枚
葉式半導体製造装置においては、通常、ウェハを1枚だ
け水平に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設
けられている。
1枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。この枚
葉式半導体製造装置においては、通常、ウェハを1枚だ
け水平に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設
けられている。
【0003】一般的なウェハ支持装置は、ウェハが載置
されるウェハ支持本体、いわゆるサセプタから基本的に
構成されている。また、ウェハ支持装置には、ウェハを
ウサセプタに対して上下動させるためのリフト機構が設
けられている。従来一般のリフト機構は、サセプタを貫
通して延びる複数本のリフトピンを有しており、これら
のリフトピンの上端にウェハを載せ、リフトピンを上下
動させることで、ウェハを昇降させることができるよう
になっている。このようなリフト機構により、搬送ロボ
ットのブレードに載せて運ばれてきたウェハをサセプタ
上に移載したり、或いはその逆に、ウェハをサセプタか
ら搬送ロボットに受け渡したりすることが可能となる。
されるウェハ支持本体、いわゆるサセプタから基本的に
構成されている。また、ウェハ支持装置には、ウェハを
ウサセプタに対して上下動させるためのリフト機構が設
けられている。従来一般のリフト機構は、サセプタを貫
通して延びる複数本のリフトピンを有しており、これら
のリフトピンの上端にウェハを載せ、リフトピンを上下
動させることで、ウェハを昇降させることができるよう
になっている。このようなリフト機構により、搬送ロボ
ットのブレードに載せて運ばれてきたウェハをサセプタ
上に移載したり、或いはその逆に、ウェハをサセプタか
ら搬送ロボットに受け渡したりすることが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
ウェハ支持装置においては、ウェハを支持している時、
リフトピンはサセプタの上面よりも下方の位置に置かれ
る。従って、ウェハをサセプタから持ち上げるべくリフ
トピンを上昇させると、リフトピンの上端がウェハの裏
面に当たり、その部分に傷が付くことがある。ウェハ裏
面の傷は、後プロセスで悪影響を与えるおそれがあ
る。。
ウェハ支持装置においては、ウェハを支持している時、
リフトピンはサセプタの上面よりも下方の位置に置かれ
る。従って、ウェハをサセプタから持ち上げるべくリフ
トピンを上昇させると、リフトピンの上端がウェハの裏
面に当たり、その部分に傷が付くことがある。ウェハ裏
面の傷は、後プロセスで悪影響を与えるおそれがあ
る。。
【0005】また、ウェハ上下動時、リフトピンの上端
でウェハの裏面を支持するのみとなっているので、ウェ
ハが位置ずれを生じやすく、サセプタ上に降ろした際、
サセプタの支持エリアからはみ出す可能性があった。
でウェハの裏面を支持するのみとなっているので、ウェ
ハが位置ずれを生じやすく、サセプタ上に降ろした際、
サセプタの支持エリアからはみ出す可能性があった。
【0006】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、ウェハ裏面の傷やウェハの位置ず
れを防止することのできるリフト機構を有するウェハ支
持装置を提供することにある。
であり、その目的は、ウェハ裏面の傷やウェハの位置ず
れを防止することのできるリフト機構を有するウェハ支
持装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ウェハを支持するための支持エリアを上
面に有するウェハ支持本体と、このウェハ支持本体の支
持エリアの外側から支持エリアの内側に延び、内側に向
かって下方に傾斜する傾斜面を上面に有し、且つ、ウェ
ハ支持本体の上面よりも下側の位置と上側の位置との間
で上下動可能となっている複数のリフト部片とを備える
ウェハ支持装置を特徴としている。
に、本発明は、ウェハを支持するための支持エリアを上
面に有するウェハ支持本体と、このウェハ支持本体の支
持エリアの外側から支持エリアの内側に延び、内側に向
かって下方に傾斜する傾斜面を上面に有し、且つ、ウェ
ハ支持本体の上面よりも下側の位置と上側の位置との間
で上下動可能となっている複数のリフト部片とを備える
ウェハ支持装置を特徴としている。
【0008】リフト部片は従来のリフトピンに代わるも
のであり、当該リフト部片の取付位置及びその上面が傾
斜していることにより、リフト部片はウェハの裏面に接
することはなく、ウェハの外周下縁のみに接する。従っ
て、ウェハ裏面の傷を防止することができる。また、リ
フト部片の上面は、外側ほど高くなっているため、水平
方向の位置ずれも抑制することができる。
のであり、当該リフト部片の取付位置及びその上面が傾
斜していることにより、リフト部片はウェハの裏面に接
することはなく、ウェハの外周下縁のみに接する。従っ
て、ウェハ裏面の傷を防止することができる。また、リ
フト部片の上面は、外側ほど高くなっているため、水平
方向の位置ずれも抑制することができる。
【0009】なお、リフト部片は、支持エリアの外側に
配置された円弧状のリフトリングの内周縁に一体的に形
成されることが好適である。
配置された円弧状のリフトリングの内周縁に一体的に形
成されることが好適である。
【0010】また、リフトリングに、リフト部片に隣接
する位置に爪部材を上下動可能に配置し、リフトリング
を持ち上げた状態とした場合、爪部材がリフトリングか
ら分離して更に持ち上げられるようにすることが有効で
ある。かかる構成では、リフト部片により支持されたウ
ェハの水平方向の移動を、ウェハよりも高い位置に配置
される爪部材によって阻止することが可能となる。
する位置に爪部材を上下動可能に配置し、リフトリング
を持ち上げた状態とした場合、爪部材がリフトリングか
ら分離して更に持ち上げられるようにすることが有効で
ある。かかる構成では、リフト部片により支持されたウ
ェハの水平方向の移動を、ウェハよりも高い位置に配置
される爪部材によって阻止することが可能となる。
【0011】更に、リフト部片の上面の、支持エリアの
周方向に沿っての断面形状は、上方に凸状に湾曲したも
のとすることが好ましい。これにより、リフト部片とウ
ェハとの接触は点接触となる。
周方向に沿っての断面形状は、上方に凸状に湾曲したも
のとすることが好ましい。これにより、リフト部片とウ
ェハとの接触は点接触となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。
適な実施形態について詳細に説明する。
【0013】図1は、本発明に係るウェハ支持装置を設
置することのできる半導体製造装置としてエピタキシャ
ル成長装置を概略的に示している。図示のエピタキシャ
ル成長装置10はシリコンウェハ(図1には示さず)を
1枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構成され
た処理チャンバ12を備え、この処理チャンバ12内に
ウェハ支持装置14が配設される。処理チャンバ12の
側部には処理ガスの導入口16が形成され、これに対向
する位置には排気口18が形成されている。また、処理
チャンバ12の上側領域及び下側領域には、それぞれ、
複数本のハロゲンランプ20が放射状に配置されてい
る。
置することのできる半導体製造装置としてエピタキシャ
ル成長装置を概略的に示している。図示のエピタキシャ
ル成長装置10はシリコンウェハ(図1には示さず)を
1枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構成され
た処理チャンバ12を備え、この処理チャンバ12内に
ウェハ支持装置14が配設される。処理チャンバ12の
側部には処理ガスの導入口16が形成され、これに対向
する位置には排気口18が形成されている。また、処理
チャンバ12の上側領域及び下側領域には、それぞれ、
複数本のハロゲンランプ20が放射状に配置されてい
る。
【0014】上記構成のエピタキシャル成長装置10に
おいて、ウェハ支持装置14によりウェハを支持した
後、ハロゲンランプ20を点灯してウェハを加熱すると
共に、排気口18から排気を行いながらトリクロルシラ
ン(SiHCl3)ガスやジクロルシラン(SiH2Cl
2)ガス等を処理ガスとして導入口16から導入する
と、所定温度に加熱されたウェハの表面に沿って処理ガ
スが層流状態で流れ、ウェハ上にシリコンの単結晶がエ
ピタキシャル成長する。
おいて、ウェハ支持装置14によりウェハを支持した
後、ハロゲンランプ20を点灯してウェハを加熱すると
共に、排気口18から排気を行いながらトリクロルシラ
ン(SiHCl3)ガスやジクロルシラン(SiH2Cl
2)ガス等を処理ガスとして導入口16から導入する
と、所定温度に加熱されたウェハの表面に沿って処理ガ
スが層流状態で流れ、ウェハ上にシリコンの単結晶がエ
ピタキシャル成長する。
【0015】このようなエピタキシャル装置10におけ
る、本発明の第1実施形態に係るウェハ支持装置14
は、図2〜図4に示すようなウェハ支持本体たるサセプ
タ22を備えている。サセプタ22は、炭化シリコンで
被覆されたグラファイト材料から成る円盤状のものであ
り、処理チャンバ12の下部に立設された石英ガラス製
の支持シャフト24により、裏面側から三点で水平に支
持されている。サセプタ22の上面には、円形の凹部2
6が形成されている。この凹部26はウェハWを収容し
支持する支持エリアとなっている。凹部26の底面の外
周部分には、中心側に向かって下方に傾斜する傾斜面2
8が形成されている。従って、ウェハWをサセプタ22
の凹部26内の所定位置に配置すると、凹部26の外周
の傾斜面28にウェハWの外周下縁(角部)が接した状
態でウェハWが支持される(図3の(a)参照)。この
支持状態において、ウェハWの上面と、凹部26よりも
外側のサセプタ外周部分の上面とは、ほぼ同一面とな
る。これは、導入口16から導入された処理ガスが層流
状態を維持して流れるようにするためである。
る、本発明の第1実施形態に係るウェハ支持装置14
は、図2〜図4に示すようなウェハ支持本体たるサセプ
タ22を備えている。サセプタ22は、炭化シリコンで
被覆されたグラファイト材料から成る円盤状のものであ
り、処理チャンバ12の下部に立設された石英ガラス製
の支持シャフト24により、裏面側から三点で水平に支
持されている。サセプタ22の上面には、円形の凹部2
6が形成されている。この凹部26はウェハWを収容し
支持する支持エリアとなっている。凹部26の底面の外
周部分には、中心側に向かって下方に傾斜する傾斜面2
8が形成されている。従って、ウェハWをサセプタ22
の凹部26内の所定位置に配置すると、凹部26の外周
の傾斜面28にウェハWの外周下縁(角部)が接した状
態でウェハWが支持される(図3の(a)参照)。この
支持状態において、ウェハWの上面と、凹部26よりも
外側のサセプタ外周部分の上面とは、ほぼ同一面とな
る。これは、導入口16から導入された処理ガスが層流
状態を維持して流れるようにするためである。
【0016】サセプタ22の外周部分には、略円弧形
(C形)の溝30がサセプタ22と同心状に形成されて
いる。この溝30の円弧角は、好ましくは、約250度
となっている。溝30内には当該溝30と略同形の円弧
形ないしはC形のリフトリング32が配置される。
(C形)の溝30がサセプタ22と同心状に形成されて
いる。この溝30の円弧角は、好ましくは、約250度
となっている。溝30内には当該溝30と略同形の円弧
形ないしはC形のリフトリング32が配置される。
【0017】リフトリング32は、ウェハWをサセプタ
22に対して上下動させるリフト機構34を構成してい
る。リフトリング32を溝30内に収容した状態では、
前記と同様な理由から、リフトリング32の上面とサセ
プタ22の外周部分の上面とは同一平面となるよう寸法
決めされている。リフトリング32の内周縁には3本の
リフト部片36が一体的に突設されている。3本のリフ
ト部片36は約120度間隔で設けられるのが好適であ
る。各リフト部片36は内側(サセプタ22の中心側)
に向かって延び、その先端は凹部26の内側領域にまで
達している。リフト部片36に対応するサセプタ22の
部分には、リフト部片36と略同形の切欠き38が形成
されており、リフトリング32を溝30内に収容する際
の妨げとならないようにしている。
22に対して上下動させるリフト機構34を構成してい
る。リフトリング32を溝30内に収容した状態では、
前記と同様な理由から、リフトリング32の上面とサセ
プタ22の外周部分の上面とは同一平面となるよう寸法
決めされている。リフトリング32の内周縁には3本の
リフト部片36が一体的に突設されている。3本のリフ
ト部片36は約120度間隔で設けられるのが好適であ
る。各リフト部片36は内側(サセプタ22の中心側)
に向かって延び、その先端は凹部26の内側領域にまで
達している。リフト部片36に対応するサセプタ22の
部分には、リフト部片36と略同形の切欠き38が形成
されており、リフトリング32を溝30内に収容する際
の妨げとならないようにしている。
【0018】リフト部片36の上面はリフトリング32
の上面よりも一段下がっており、また、リフトリング3
2を溝30内に収容した状態において、凹部26の底
面、少なくとも外周部分の傾斜面28よりも下側に位置
する。従って、サセプタ22上でウェハWを支持する際
には、ウェハWはリフト部片36に接することはない。
また、リフト部片36の上面は、サセプタ22の中心に
向かって下方に傾斜されている。更に、図5からも理解
されるように、リフト部片36の上面は、サセプタ22
の周方向において上方に凸となる湾曲面とされている。
の上面よりも一段下がっており、また、リフトリング3
2を溝30内に収容した状態において、凹部26の底
面、少なくとも外周部分の傾斜面28よりも下側に位置
する。従って、サセプタ22上でウェハWを支持する際
には、ウェハWはリフト部片36に接することはない。
また、リフト部片36の上面は、サセプタ22の中心に
向かって下方に傾斜されている。更に、図5からも理解
されるように、リフト部片36の上面は、サセプタ22
の周方向において上方に凸となる湾曲面とされている。
【0019】リフトリング32は、従来と同様な手段を
用いて上下動されるようになっている。より詳細には、
この第1実施形態に係るリフト機構34は、図1に示す
ように、サセプタ支持シャフト24の主軸を囲むように
配置された上下動可能なリフトチューブ40と、このリ
フトチューブ40を上下動させる駆動装置42と、リフ
トチューブ40から放射状に延びる3本のリフトアーム
44と、サセプタ22の溝30の底面から貫通形成され
た貫通孔46を通り吊支されているリフトピン48とを
備えており、駆動装置42を制御してリフトチューブ4
0及びリフトアーム44を上昇させると、リフトアーム
44の先端部でリフトピン48が押し上げられ、その結
果、リフトリング32が上昇されるようになっている。
用いて上下動されるようになっている。より詳細には、
この第1実施形態に係るリフト機構34は、図1に示す
ように、サセプタ支持シャフト24の主軸を囲むように
配置された上下動可能なリフトチューブ40と、このリ
フトチューブ40を上下動させる駆動装置42と、リフ
トチューブ40から放射状に延びる3本のリフトアーム
44と、サセプタ22の溝30の底面から貫通形成され
た貫通孔46を通り吊支されているリフトピン48とを
備えており、駆動装置42を制御してリフトチューブ4
0及びリフトアーム44を上昇させると、リフトアーム
44の先端部でリフトピン48が押し上げられ、その結
果、リフトリング32が上昇されるようになっている。
【0020】このような構成のウェハ支持装置14にウ
ェハWを支持させる場合、まず、搬送ロボットを操作
し、搬送ロボットのブレード50に載置されたウェハW
をサセプタ22の凹部26の直上位置に配置する。次い
で、リフト機構34の駆動装置42を制御してリフトリ
ング32を上昇させる。この時、搬送ロボットのブレー
ド50はリフトリング32の開放部分に位置しているた
め(図2参照)、リフトリング32の上昇を妨げること
はない。リフトリング32がブレード50よりも高い位
置まで上昇すると、ウェハWはブレード50からリフト
リング32のリフト部片36に載り移り、3点でウェハ
Wは支持される(図3の(b)参照)。リフト部片36
の上面は、前述したように内側に向かって下方に傾斜し
ているため、リフト部片36が接する部分はウェハWの
外周下縁のみとなる。このリフト部片36の傾斜は、ウ
ェハWの水平方向の移動を抑制する機能も果たす。ま
た、各リフト部片36の上面は凸状に湾曲されているた
め、一点でのみウェハWに接触する。なお、リフト部片
36とリフトリング32との間には段差が形成されてい
るため、ウェハWの位置ずれはこれによっても防止され
るが、何らかの原因によりウェハWが段差を越えること
も起こり得るので、図3において符号52で示すような
突起を設けておくことが好ましい。
ェハWを支持させる場合、まず、搬送ロボットを操作
し、搬送ロボットのブレード50に載置されたウェハW
をサセプタ22の凹部26の直上位置に配置する。次い
で、リフト機構34の駆動装置42を制御してリフトリ
ング32を上昇させる。この時、搬送ロボットのブレー
ド50はリフトリング32の開放部分に位置しているた
め(図2参照)、リフトリング32の上昇を妨げること
はない。リフトリング32がブレード50よりも高い位
置まで上昇すると、ウェハWはブレード50からリフト
リング32のリフト部片36に載り移り、3点でウェハ
Wは支持される(図3の(b)参照)。リフト部片36
の上面は、前述したように内側に向かって下方に傾斜し
ているため、リフト部片36が接する部分はウェハWの
外周下縁のみとなる。このリフト部片36の傾斜は、ウ
ェハWの水平方向の移動を抑制する機能も果たす。ま
た、各リフト部片36の上面は凸状に湾曲されているた
め、一点でのみウェハWに接触する。なお、リフト部片
36とリフトリング32との間には段差が形成されてい
るため、ウェハWの位置ずれはこれによっても防止され
るが、何らかの原因によりウェハWが段差を越えること
も起こり得るので、図3において符号52で示すような
突起を設けておくことが好ましい。
【0021】ウェハWがリフトリング32のリフト部片
36により支持されたならば、搬送ロボットのブレード
50をサセプタ22の上方から処理チャンバ12の外部
に移動させ、リフトリング32を下降させる。リフトリ
ング32が溝30内に完全に下降されると、図3の
(a)に示すように、リフト部片36はサセプタ22の
凹部26の傾斜面28よりも下方に位置するので、ウェ
ハWは凹部26の傾斜面28にて支持されることとな
る。この後、上述したエピタキシャル成長プロセスが実
行されることになる。
36により支持されたならば、搬送ロボットのブレード
50をサセプタ22の上方から処理チャンバ12の外部
に移動させ、リフトリング32を下降させる。リフトリ
ング32が溝30内に完全に下降されると、図3の
(a)に示すように、リフト部片36はサセプタ22の
凹部26の傾斜面28よりも下方に位置するので、ウェ
ハWは凹部26の傾斜面28にて支持されることとな
る。この後、上述したエピタキシャル成長プロセスが実
行されることになる。
【0022】ウェハWをサセプタ22から持ち上げ、搬
送ロボットのブレード50に移載させる場合は、上記と
は逆の手順でリフト機構34及び搬送ロボットを操作す
ればよいことは、容易に理解されよう。
送ロボットのブレード50に移載させる場合は、上記と
は逆の手順でリフト機構34及び搬送ロボットを操作す
ればよいことは、容易に理解されよう。
【0023】図6は、本発明の第2実施形態に係るウェ
ハ支持装置114を示すものである。この第2実施形態
において、第1実施形態と同一又は相当部分には同一符
号を付し、その詳細な説明は省略する。第2実施形態の
ウェハ支持装置114におけるリフト機構134は、C
形リフトリング132の上に3つの爪部材133を備え
ている。爪部材133の位置するリフトリング132の
部位には、爪部材133が置かれる凹部が形成されてお
り、爪部材133がこの凹部に嵌合した状態(図6の
(a))では、第1実施形態のリフトリング32と実質
的に同じ形状をなす。また、爪部材133はリフト部片
36の隣接位置に配置されている。従って、爪部材13
3は、リフト部片36と同数の3個である。
ハ支持装置114を示すものである。この第2実施形態
において、第1実施形態と同一又は相当部分には同一符
号を付し、その詳細な説明は省略する。第2実施形態の
ウェハ支持装置114におけるリフト機構134は、C
形リフトリング132の上に3つの爪部材133を備え
ている。爪部材133の位置するリフトリング132の
部位には、爪部材133が置かれる凹部が形成されてお
り、爪部材133がこの凹部に嵌合した状態(図6の
(a))では、第1実施形態のリフトリング32と実質
的に同じ形状をなす。また、爪部材133はリフト部片
36の隣接位置に配置されている。従って、爪部材13
3は、リフト部片36と同数の3個である。
【0024】リフトリング132には、リフトピン48
の上端が接する位置に貫通孔60が形成されている。こ
の貫通孔60は、リフトピン48の上端部に形成された
鍔部62を受け入れるが、リフトピン48により持ち上
げられ得るよう、その上端部には内向きフランジ64が
形成されている。
の上端が接する位置に貫通孔60が形成されている。こ
の貫通孔60は、リフトピン48の上端部に形成された
鍔部62を受け入れるが、リフトピン48により持ち上
げられ得るよう、その上端部には内向きフランジ64が
形成されている。
【0025】一方、爪部材133には、対応の位置に座
ぐり穴66が形成されている。この座ぐり穴66の内径
は、リフトピン48の上端の外径と実質的に同じであ
る。更に、座ぐり穴66を囲む下面の部分には、円筒状
突起68が形成されている。この円筒状突起68は、爪
部材133をリフトリング132に重ねた際に、リフト
リング133の貫通孔60に嵌合されるようになってい
る。
ぐり穴66が形成されている。この座ぐり穴66の内径
は、リフトピン48の上端の外径と実質的に同じであ
る。更に、座ぐり穴66を囲む下面の部分には、円筒状
突起68が形成されている。この円筒状突起68は、爪
部材133をリフトリング132に重ねた際に、リフト
リング133の貫通孔60に嵌合されるようになってい
る。
【0026】このような構成において、リフトピン48
を下げた状態では、図6の(a)に示すように、爪部材
133はリフトリング132に重なり合い、図3の
(a)と実質的に同じ状態となる。リフトピン48を上
昇させると、爪部材133の円筒状突起68がリフトピ
ン48の鍔部62により先ず押し上げられる。これによ
り、爪部材133のみが上昇し、リフトリング133か
ら分離する。この状態においては、リフト部材36の上
面と爪部材133の上面との間の段差がより大きくな
り、ウェハWの水平方向の移動を防止する効果が増大す
る。よって、図3に示すような突起52を設ける必要が
なくなる。更にリフトピンを上昇させると、リフトピン
48の鍔部62が貫通孔60のフランジ64の下面に接
し、爪部材133とリフトリング132とが一体的に上
昇する。この他の作用については第1実施形態と同様で
ある。
を下げた状態では、図6の(a)に示すように、爪部材
133はリフトリング132に重なり合い、図3の
(a)と実質的に同じ状態となる。リフトピン48を上
昇させると、爪部材133の円筒状突起68がリフトピ
ン48の鍔部62により先ず押し上げられる。これによ
り、爪部材133のみが上昇し、リフトリング133か
ら分離する。この状態においては、リフト部材36の上
面と爪部材133の上面との間の段差がより大きくな
り、ウェハWの水平方向の移動を防止する効果が増大す
る。よって、図3に示すような突起52を設ける必要が
なくなる。更にリフトピンを上昇させると、リフトピン
48の鍔部62が貫通孔60のフランジ64の下面に接
し、爪部材133とリフトリング132とが一体的に上
昇する。この他の作用については第1実施形態と同様で
ある。
【0027】以上、本発明の好適な実施形態について述
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態の半導体製造装置
はエピタキシャル成長装置であるが、他の処理を行うも
の、例えばCVD装置等にも本発明は適用可能である。
また、前記リフト部片はC形リフトリングに形成する必
要はなく、例えば、各リフトピン48の上端にリフト部
片を直接設ける等の構成が考えられる。
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態の半導体製造装置
はエピタキシャル成長装置であるが、他の処理を行うも
の、例えばCVD装置等にも本発明は適用可能である。
また、前記リフト部片はC形リフトリングに形成する必
要はなく、例えば、各リフトピン48の上端にリフト部
片を直接設ける等の構成が考えられる。
【0028】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ウ
ェハをサセプタ等のウェハ支持本体に支持させ、或いは
その逆にウェハ支持本体から持ち上げる場合、ウェハは
その外周下縁のみで支持された状態で上下されるので、
ウェハの裏面に傷が付くことはない。なお、本発明のウ
ェハ支持装置であっても、ウェハの外周下縁に傷が付く
可能性はあるが、この部分での傷は特に問題となること
はない。
ェハをサセプタ等のウェハ支持本体に支持させ、或いは
その逆にウェハ支持本体から持ち上げる場合、ウェハは
その外周下縁のみで支持された状態で上下されるので、
ウェハの裏面に傷が付くことはない。なお、本発明のウ
ェハ支持装置であっても、ウェハの外周下縁に傷が付く
可能性はあるが、この部分での傷は特に問題となること
はない。
【0029】また、リフト部片の上面は外側ほど高くな
る傾斜面となっているため、ウェハの水平方向の位置ず
れを防止することができ、ウェハ支持本体の所定位置に
精度よくウェハを配置、支持させることができる。
る傾斜面となっているため、ウェハの水平方向の位置ず
れを防止することができ、ウェハ支持本体の所定位置に
精度よくウェハを配置、支持させることができる。
【図1】本発明のウェハ支持装置が適用可能なエピタキ
シャル成長装置を概略的に示す説明図である。
シャル成長装置を概略的に示す説明図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係るウェハ支持装置の
平面図である。
平面図である。
【図3】図2のIII−III線に沿っての断面図であり、
(a)はウェハをサセプタ上で支持した状態を示し、
(b)はウェハをサセプタ上から持ち上げた状態を示す
図である。
(a)はウェハをサセプタ上で支持した状態を示し、
(b)はウェハをサセプタ上から持ち上げた状態を示す
図である。
【図4】図2のIV−IV線に沿っての断面図である。
【図5】図2のV−V先に沿っての端面図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係るウェハ支持装置を
示す図であり、図3と同様な断面図である。
示す図であり、図3と同様な断面図である。
10…半導体製造装置、12…処理チャンバ、14,1
14…ウェハ支持装置、22…サセプタ(ウェハ支持本
体)、26…凹部(支持エリア)、32,132…リフ
トリング、34,134…リフト機構、36…リフト部
材、133…爪部材。
14…ウェハ支持装置、22…サセプタ(ウェハ支持本
体)、26…凹部(支持エリア)、32,132…リフ
トリング、34,134…リフト機構、36…リフト部
材、133…爪部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−101247(JP,A) 特開 平7−297262(JP,A) 実開 平2−95244(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体製造装置の処理チャンバ内に設け
られ、ウェハを支持するための支持エリアを上面に有す
るウェハ支持本体と、 前記ウェハ支持本体の前記支持エリアの外側から前記支
持エリアの内側に延びるよう前記ウェハ支持本体にて支
持された複数のリフト部片であって、内側に向かって下
方に傾斜する傾斜面を上面に有し、且つ、前記ウェハ支
持本体の前記上面よりも下側の位置と上側の位置との間
で上下動可能となっている複数のリフト部片と、 を備えるウェハ支持装置であって、 前記リフト部片は、前記支持エリアの外側に配置された
円弧状のリフトリングの内周縁に一体的に形成されてお
り、 前記リフトリングは、前記リフト部片に隣接する位置に
上下動可能に配置された爪部材を有しており、前記リフ
トリングを持ち上げた状態とした場合、前記爪部材が前
記リフトリングから分離して更に持ち上げられるように
なっているウェハ支持装置。 - 【請求項2】 前記リフト部片の上面の、前記支持エリ
アの周方向に沿っての断面形状が、上方に凸状に湾曲し
ている請求項1に記載のウェハ支持装置。
Priority Applications (6)
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TW088118721A TW444242B (en) | 1998-10-30 | 1999-10-28 | Wafer support unit in semiconductor manufacturing apparatus |
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EP99951164A EP1139416A1 (en) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | Wafer support device in semiconductor manufacturing device |
KR1020017005120A KR20010080315A (ko) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | 반도체 제조장치에 있어서의 웨이퍼 지지장치 |
PCT/JP1999/006043 WO2000026961A1 (fr) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | Porte-plaquettes utilise dans un dispositif de fabrication de semi-conducteurs |
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JP31067598A JP3234576B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
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Family
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Family Applications (1)
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