CN110854008B - 一种托盘及刻蚀机 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种托盘及刻蚀机。托盘包括本体，所述本体上设有坡度部，所述坡度部绕所述本体的轴线设置，且距所述轴线设定距离，所述坡度部上设有多个通气孔。本发明中将晶圆片安装在托盘上，晶圆片和托盘在所述坡度部处形成气流截面，该气流截面为所述晶圆片加工所需要的最佳气流，使得产品的质量更好。

Description

一种托盘及刻蚀机
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种托盘及刻蚀机。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的加工工艺之一为刻蚀工艺。在刻蚀工艺中，为了固定、支撑及传送晶圆片并实现温度控制，且为了避免在工艺过程中出现移位或错位现象，往往需要使用托盘，也就是说，托盘的结构会影响到晶圆产品的质量。因此，为了保证晶圆产品的质量，需要在刻蚀工艺中使用适合结构的托盘。
发明内容
因此，本发明提供一种满足晶圆生产，能够保证晶圆质量的托盘，及安装有该托盘的刻蚀机。
为解决上述问题，本发明的托盘，包括本体，所述本体上设有坡度部，所述坡度部绕所述本体的轴线设置，且距所述轴线设定距离，所述坡度部上设有多个通气孔。
所述本体具有上表面，所述坡度部设置在所述上表面上，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离由靠近所述轴线向远离所述轴线平滑加大。
所述坡度部占所述上表面面积的88%-96%。
所述坡度部的到所述轴线的最小距离为25.32mm。
所述坡度部到所述轴线的距离为35.32mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.07mm；和/或，所述坡度部到所述轴线的距离为45.59mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.13mm；和/或，所述坡度部到所述轴线的距离为54.40mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.25mm；和/或，所述坡度部到所述轴线的距离为65.50mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.44mm；和/或，所述坡度部到所述轴线的距离为75.37mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.57mm；和/或，所述坡度部到所述轴线的距离为85.22mm时，所述坡度部到所述上表面所在平面的距离为0.83mm。
所述托盘上设置有多个沿所述托盘径向设置的通气槽，所述通气孔设置在由所述通气槽分割的各区域内。
具有三条所述通气槽，三条所述通气槽将本体的上表面分割为6个区域，各所述区域的中线处设有一个所述通气孔，所有所述通气孔绕所述轴线均布设置。
还包括凸缘，所述凸缘的上端为上表面，所述凸缘的周向侧壁向凸缘的下端内侧倾斜。
还包括与所述凸缘的下端连接的底盘，所述底盘的周向侧壁具有向所述本体的轴线收缩的凹槽，靠近所述凸缘的所述凹槽的上槽壁短于远离所述凸缘的所述凸缘的下槽壁，所述凹槽、所述上槽壁和所述凸缘周向侧壁处设置密封圈。
本发明的刻蚀机，包括上述的托盘，以及安装所述托盘的内衬，在所述内衬和所述托盘之间设置密封圈，所述密封圈密封所述托盘、晶圆片和内衬的空间。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明的托盘，包括本体，所述本体上设有坡度部，所述坡度部绕所述本体的轴线设置，且距所述轴线设定距离，所述坡度部上设有多个通气孔。将晶圆片安装在托盘上，晶圆片和托盘在所述坡度部处形成气流截面，该气流截面为所述晶圆片加工所需要的最佳气流，使得产品的质量更好。
2.本发明的托盘，所述托盘的各尺寸设置，都是为了使得气流截面内的气流为所述晶圆片加工所需要的最佳气流，以使产品的质量更好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的所述托盘的结构示意图；
图2为图1中过通气槽截面的剖视图的结构示意图；
图3为图2中A部分的放大图；
图4为刻蚀机中托盘部分的剖视图的结构示意图；
附图标记说明：
1-本体；2-坡度部；3-通气孔；4-上表面；5-通气槽；6-凸缘；7-底盘；8-凹槽；9-上槽壁；10-安装槽；11-密封圈；12-内衬；13-晶圆片；14-安装端。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例一：
本实施例中的托盘，适用于生产六寸的晶圆片13，如图1至图3所示，所述托盘包括依次连接的凸缘6、底盘7和安装端14。
所述凸缘6的上端为上表面4，所述凸缘6的周向侧壁向凸缘6的下端内侧倾斜。在所述上表面4上设置坡度部2，所述坡度部2绕所述本体1的轴线设置一圈，且距所述轴线为设定距离，所述坡度部2上设有多个通气孔3。
本实施例中，为了使得晶圆片13和托盘在所述坡度部2处形成的气流截面为所述晶圆片13加工所需要的最佳气流，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离由靠近所述轴线向远离所述轴线平滑加大，且所述坡度部2占所述上表面4面积的88%-96%，所述坡度部2的到所述轴线的最小距离为25.32mm。
具体的为，所述坡度部2到所述轴线的距离为35.32mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.07mm；所述坡度部2到所述轴线的距离为45.59mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.13mm；所述坡度部2到所述轴线的距离为54.40mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.25mm；所述坡度部2到所述轴线的距离为65.50mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.44mm；所述坡度部2到所述轴线的距离为75.37mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.57mm；所述坡度部2到所述轴线的距离为85.22mm时，所述坡度部2到所述上表面4所在平面的距离为0.83mm。当坡度部2的各尺寸为上述值时，使得生产六寸晶圆片13的气流截面为所述晶圆片13加工所需要的最佳气流，成产的产品质量更好。
底盘7与所述凸缘6的下端连接，所述底盘7的周向侧壁具有向所述本体1的轴线收缩的凹槽8，靠近所述凸缘6的所述凹槽8的上槽壁9短于远离所述凸缘6的所述凸缘6的下槽壁，在所述凹槽8、所述上槽壁9和所述凸缘6周向侧壁处设置密封圈11。
所述安装端14与所述底盘7的下端连接，所述安装端14的直径大于所述底盘7的直径。
所述托盘上设置有多个沿所述托盘径向设置的通气槽5，所述通气孔3设置在由所述通气槽5分割的各区域内。所述通气槽5、所述坡度部2、所述上表面4与晶圆片13之间的形成气流截面。
本实施例中，具有三条所述通气槽5，三条所述通气槽5将本体1的上表面4分割为6个区域，各所述区域的中线处设有一个所述通气孔3，所有所述通气孔3绕所述轴线均布设置。
所述托盘上还设置有安装槽10，所述安装槽10内设有用于固定或抓取所述晶圆片13的操作手。本实施例中，安装槽10沿所述托盘的径向设置。
实施例二：
本实施例中的刻蚀机，如图4所示，包括实施例一中所述的托盘，以及安装所述托盘的内衬12，在所述内衬12和所述托盘之间设置密封圈11，所述密封圈11密封所述托盘、晶圆片13和内衬12的空间。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种托盘，包括本体（1），其特征在于，所述本体（1）上设有坡度部（2），所述坡度部（2）绕所述本体（1）的轴线设置，且距所述轴线设定距离，所述坡度部（2）上设有多个通气孔（3）；所述本体（1）具有上表面（4），所述坡度部（2）设置在所述上表面（4）上，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离由靠近所述轴线向远离所述轴线平滑加大；所述本体的具有所述坡度部（2）的一侧的中部上设置有安装槽（10），所述安装槽（10）内设有用于固定或抓取晶圆片（13）的操作手。
2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述坡度部（2）占所述上表面（4）面积的88%-96%。
3.根据权利要求1或2所述的托盘，其特征在于，所述坡度部（2）的到所述轴线的最小距离为25.32mm。
4.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为35.32mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.07mm；和/或，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为45.59mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.13mm；和/或，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为54.40mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.25mm；和/或，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为65.50mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.44mm；和/或，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为75.37mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.57mm；和/或，
所述坡度部（2）到所述轴线的距离为85.22mm时，所述坡度部（2）到所述上表面（4）所在平面的距离为0.83mm。
5.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述托盘上设置有多个沿所述托盘径向设置的通气槽（5），所述通气孔（3）设置在由所述通气槽（5）分割的各区域内。
6.根据权利要求5所述的托盘，其特征在于，具有三条所述通气槽（5），三条所述通气槽（5）将本体（1）的上表面（4）分割为6个区域，各所述区域的中线处设有一个所述通气孔（3），所有所述通气孔（3）绕所述轴线均布设置。
7.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，还包括凸缘（6），所述凸缘（6）的上端为上表面（4），所述凸缘（6）的周向侧壁向凸缘（6）的下端内侧倾斜。
8.根据权利要求7所述的托盘，其特征在于，还包括与所述凸缘（6）的下端连接的底盘（7），所述底盘（7）的周向侧壁具有向所述本体（1）的轴线收缩的凹槽（8），靠近所述凸缘（6）的所述凹槽（8）的上槽壁（9）短于远离所述凸缘（6）的所述凸缘（6）的下槽壁，所述凹槽（8）、所述上槽壁（9）和所述凸缘（6）周向侧壁处设置密封圈（11）。
9.一种刻蚀机，其特征在于，包括，权利要求1-8中任一项所述的托盘，以及安装所述托盘的内衬（12），在所述内衬（12）和所述托盘之间设置密封圈（11），所述密封圈（11）密封所述托盘、晶圆片（13）和内衬（12）的空间。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233587A (ja) * 1998-02-09 1999-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ移載用フォーク
US6676759B1 (en) * 1998-10-30 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Wafer support device in semiconductor manufacturing device
JP2009246009A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Seiko Epson Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP2012017511A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Optorun Co Ltd 成膜基板ホルダ及び成膜装置
CN102468205A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘及具有它的晶片处理设备
CN102543810A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 晶圆片承载座
CN103184434A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘装置、托盘及半导体处理设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5156446B2 (ja) * 2008-03-21 2013-03-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ 気相成長装置用サセプタ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233587A (ja) * 1998-02-09 1999-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ移載用フォーク
US6676759B1 (en) * 1998-10-30 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Wafer support device in semiconductor manufacturing device
JP2009246009A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Seiko Epson Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP2012017511A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Optorun Co Ltd 成膜基板ホルダ及び成膜装置
CN102468205A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘及具有它的晶片处理设备
CN102543810A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 晶圆片承载座
CN103184434A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘装置、托盘及半导体处理设备

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