TWI397144B - 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件 - Google Patents

具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件 Download PDF

Info

Publication number
TWI397144B
TWI397144B TW101140382A TW101140382A TWI397144B TW I397144 B TWI397144 B TW I397144B TW 101140382 A TW101140382 A TW 101140382A TW 101140382 A TW101140382 A TW 101140382A TW I397144 B TWI397144 B TW I397144B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber liner
quarter
chamber
wall
liner
Prior art date
Application number
TW101140382A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201308501A (zh
Inventor
James D Carducci
Andrew Nguyen
Ajit Balakrishna
Michael C Kutney
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201308501A publication Critical patent/TW201308501A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI397144B publication Critical patent/TWI397144B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
本發明之實施例大體上係關於一電漿處理腔室，其具有一下部腔室內襯件。
現代的積體電路為複雜的裝置，其在單一晶片上可包含數百萬個部件；不過，對更快、更小的電子裝置之需求總是不停在增加。此需求不僅需要更快的電路，其亦需要各晶片上之更大的電路密度。為了達到更大的電路密度，積體電路部件之特徵結構的最小尺寸或臨界尺寸同樣必須縮小。
縮小積體電路部件之特徵結構的臨界尺寸需要基板各處嚴格的製程均勻性以維持高產量。一與用於製造積體電路之習用電漿蝕刻製程相關的問題在於基板各處之蝕刻速度不均勻。這類不均勻部分可歸因於真空幫浦將蝕刻氣體抽向一設在蝕刻腔室中之排氣埠，並使之遠離基板。由於氣體更容易由腔室最接近排氣埠之區域抽離，蝕刻氣體係吸向排氣埠並遠離基板。這在放置於其中之基板上產生不均勻蝕刻，其可顯著降低所生產積體電路之效能並顯著增加製造成本。
因此，對在積體電路製造期間均勻蝕刻材料層之設備存在有一需求。
在一實施例中，一整合均流板係設置在一電漿處理腔室中。在一實施例中，該整合均流板係配置為保護下部腔室壁免於暴露至電漿，並允許改善的氣流傳導性。在一實施例中，一下部腔室內襯件係由一腔室底部壁舉升，以在該下部腔室內襯件及該底部壁間產生一高傳導性氣室。在一實施例中，該下部腔室內襯件具有一通過其中形成之孔，其配置成將由一與該氣室流體連通之真空幫浦所抽吸的處理氣流均流，其導致均勻的電漿流及位於該電漿處理腔室中之一基板各處之均勻蝕刻。
在本發明之一實施例中，一用於電漿處理之設備包含：一腔室主體；一第一腔室內襯件，其配置在該腔室主體內部；及一第二腔室內襯件，其配置在該腔室主體內部並位於該第一腔室內襯件下方。該第二腔室內襯件係電耦合至該第一腔室內襯件。該第二腔室內襯件相對於該腔室主體之一底表面位於一舉升位置，以致在該第二腔室內襯件及該腔室主體之該底表面間定義一環形氣室。該第二腔室內襯件具有一孔，其通過其中形成，並配置成將由一與該氣室流體連通之真空幫浦所抽吸的處理氣流均流。
在本發明之另一實施例中，一電漿腔室之環形腔室內襯件包含一底部壁；一內部壁，其由該底部壁向上延伸； 及一外部壁，其由該底部壁向上並向外延伸。該環形腔室內襯件具有複數個狹槽，其延伸通過該底部及外部壁。在一實施例中，該狹槽均流該處理氣流。該複數個狹槽係經設置以致至少一狹槽出現在該環形腔室內襯件之各四分之一圓內。
在本發明之另一實施例中，一蝕刻設備包含：一腔室主體；一基板支撐基座，其配置在該腔室主體中；一氣體引入噴氣頭，其配置在該腔室中並與該基板支撐基座相對；及一上部腔室內襯件，其配置在該腔室主體中。該上部腔室內襯件係配置在該腔室主體中，以致該基板支撐基座、該氣體引入噴氣頭、及該第一腔室內襯件至少部分圍繞一處理區域。一環形擋板係耦合至並圍繞該基板支撐基座。一下部腔室內襯件係設置在該環形擋板下方並圍繞該基板支撐基座，其中該下部腔室內襯件包含一底部壁、一內部壁、及一由該底部壁向上並向外傾斜之外部壁。該下部腔室內襯件係配置在該腔室主體內部，以致在該下部腔室內襯件之該底部與外部壁以及該腔室主體之一底部與外部壁間定義一環形氣室。該下部腔室內襯件具有一通過其中的狹槽，以將由一與該氣室流體連通之真空幫浦所抽吸的處理氣流均流。
本發明之實施例大體上包含一電漿處理腔室，其具有一下部腔室內襯件，其中該下部腔室內襯件具有一整合均流板。本發明之不同實施例將在下文關於一蝕刻腔室進行敘述。不過，數種電漿沈積及蝕刻腔室可由此處所揭示之教示得利，尤其是介電質蝕刻腔室，例如，可為如CENTURA® 系統之半導體晶圓處理系統之一部分的ENABLER® 蝕刻腔室、PRODUCER® 蝕刻腔室、eMax® 蝕刻腔室等，上述皆可由加州聖塔克拉拉之應用材料公司購得。吾人預期其他電漿反應器，包含那些來自其他製造商者，可適於由本發明得利。
第1圖為根據本發明之一實施例之蝕刻設備100的概略橫剖面圖。設備100包含腔室主體102，在其中基板104可配置在相對氣體引入噴氣頭108之基座106上。處理氣體可透過噴氣頭108供應給腔室102。處理氣體可透過噴氣頭108由氣源110供應給腔室102。在一實施例中，基座106可以來自功率源130之電流偏壓。在另一實施例中，噴氣頭108可以來自功率源112之電流偏壓。
在處理期間，處理氣體係透過噴氣頭108供應至處理區域128中，在其中為電漿形式之處理氣體繼續由基板104蝕刻材料。電漿不僅可延伸至基板104，而且亦可延伸至腔室壁。可存在有上部內襯件126以保護腔室壁免於電漿。上部內襯件126可保護腔室壁免於暴露至電 漿。此外，上部內襯件126可在欲清潔或取代之處理停機期間移除。
環形擋板116可圍繞基板104及基座106。環形擋板116可延伸接近上部內襯件126並具有複數個狹槽通過其中。擋板116中之狹槽允許欲抽吸之處理氣體通過其中以排空離開處理腔室主體102。狹槽可按尺寸製作以消除或減少通過擋板116之電漿量。
處理氣體亦可在擋板116及上部內襯件126間之區域中圍繞擋板116抽吸。一般說來，大部分電漿係侷限在處理區域128中，但某些電漿可延伸超出擋板116之外部直徑並吸至擋板116下方。下部腔室內襯件120可存在以保護下部腔室壁免於電漿。下部內襯件120可在欲清潔或取代之處理停機期間移除。下部內襯件120可藉由緊固機構124耦合至腔室主體102底部。在一實施例中，緊固機構124可包含一螺栓。在一實施例中，緊固機構124可鑽孔裝埋在下部內襯件120中。
真空幫浦114可排空處理腔室主體102，並因而吸取處理氣體通過擋板116及通過擋板116及上部內襯件126間之區域。下部腔室內襯件120可配置位於相對腔室主體102底部之一舉升位置，以致大氣室122可圍繞腔室主體102之整個周圍存在於下部腔室內襯件120之底表面121及腔室主體102之底表面101間。此外，下部腔室內襯件120可具有向上傾斜之外部壁123，以致氣室122圍繞下部腔室內襯件120之整個周圍在下部腔室內 襯件之外部壁123及腔室主體102之壁103間向上延伸。下部腔室內襯件120可包含複數個孔(在第1圖中未顯示)以將抽吸通過其中之處理氣流均流。適當孔之範例可在第2B及3圖中看到。大氣室122作用以廣佈真空抽吸。在一實施例中，通過下部腔室內襯件120之最大抽吸可在最接近腔室主體102之排氣埠113的區域中實現，其可導致蝕刻電漿在基板104各處之不均勻。在一實施例中，欲進一步促進製程氣體在環形下部腔室內襯件120各處之均勻的真空抽吸，下部腔室內襯件120中之孔的尺寸及定位可如下文關於第2B及3圖所述般安排。
此外，下部腔室內襯件120係電耦合至上部腔室內襯件126，兩者皆為接地。當射頻電漿存在時，尋求接地迴路之射頻電流可沿上部內襯件126及/或下部內襯件120行進，無論哪一個都具有最小電阻路徑。電耦合下部腔室內襯件120至上部腔室內襯件126提供大量表面積給尋求接地路徑之射頻電流。結果，電漿可在腔室100中於基板104上方更為均勻地延伸，導致增加的蝕刻均勻性。
第2A圖為根據本發明之一實施例之下部腔室內襯件200的概略部分橫剖面圖。下部內襯件包含內部壁202，其由底部壁204向上延伸。內部壁202保護基座下方區域使之免於電漿暴露。外部壁206由底部壁204向上傾斜至下部腔室內襯件200之外部周圍。複數個氣體通道 208如第2B及3圖所描繪並如下文所述般延伸遍及且穿過外部壁206及底部壁204。
第2B圖為第2A圖之下部腔室內襯件200之概略底視圖。如第2B圖所示，底部壁204及側壁206中之氣體通道208係在第一四分之一圓210中以寬間隔分開，其中第一四分之一圓210係欲位在鄰接腔室主體102中之排氣埠113處。氣體通道208可在延伸遠離下部腔室內襯件200之第一四分之一圓210的第二四分之一圓220及第三四分之一圓230中相隔更窄。在一實施例中，氣體通道208之間隔可隨著延伸遠離第一四分之一圓210而在第二四分之一圓220及第三四分之一圓230處減少。在另一實施例中，氣體通道可在第二四分之一圓220及第三四分之一圓230各處等間隔。氣體通道208在第四四分之一圓240各處為最窄間隔，其中第四四分之一圓240係欲位在最遠離腔室主體102之排氣埠113處。
第3圖為根據本發明之另一實施例之下部腔室內襯件300的概略底視圖。在此實施例中，細氣體通道307在腔室內襯件300之第一四分之一圓310各處為寬間隔，其中第一四分之一圓310係欲位於鄰接腔室主體102中之排氣埠113處。大於細氣體通道307之中型氣體通道308在延伸遠離第一四分之一圓310的第二四分之一圓320及第三四分之一圓330處間隔更窄地設置。大於中型氣體通道308之大氣體通道309係位在下部腔室內襯件300之第四四分之一圓340各處，其中第四四分之一 圓340係欲位在最遠離腔室主體102之排氣埠113處。大氣體通道309係以細結構肋件分隔。在一實施例中，單一氣體通道309延伸穿過整個第四四分之一圓340。在另一實施例中，第四四分之一圓340係劃分為兩個氣體通道309，在其間具有單一結構肋件341。
藉由配置延伸通過下部腔室內襯件120、200、300的氣體通道208、307至309，以致最遠離腔室100之排氣埠113的區域具有最大開口，而鄰接排氣埠113之區域具有最小面積，來自處理區域128之真空抽吸的均勻性可因而增加。相應地，藉由平均來自處理區域128之真空抽吸，電漿分佈及最終的蝕刻均勻性亦可因而增加。
雖然前文係引導至本發明之實施例，本發明之其他及進一步的實施例可在不偏離其基本範圍之情況下發想，且其範圍係由跟隨之申請專利範圍決定。
100‧‧‧設備
101‧‧‧底表面
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧壁
104‧‧‧基板
106‧‧‧基座
108‧‧‧噴氣頭
110‧‧‧氣源
112‧‧‧功率源
113‧‧‧排氣埠
114‧‧‧真空幫浦
116‧‧‧環形擋板
120‧‧‧下部腔室內襯件
121‧‧‧底表面
122‧‧‧氣室
123‧‧‧傾斜外部壁
124‧‧‧鑽孔裝埋的緊固機構
126‧‧‧上部腔室內襯件
128‧‧‧處理區域
130‧‧‧功率源
200‧‧‧下部腔室內襯件
202‧‧‧內部壁
204‧‧‧底部壁
206‧‧‧外部壁
208‧‧‧氣體通道
210‧‧‧第一四分之一圓
220‧‧‧第二四分之一圓
230‧‧‧第三四分之一圓
240‧‧‧第四四分之一圓
300‧‧‧下部腔室內襯件
307‧‧‧細氣體通道
308‧‧‧中型氣體通道
309‧‧‧大型氣體通道
310‧‧‧第一四分之一圓
320‧‧‧第二四分之一圓
330‧‧‧第三四分之一圓
340‧‧‧第四四分之一圓
341‧‧‧單一結構肋件
因此，為了可以詳細理解本發明的以上所述特徵，下面將參照附圖中示出的實施例，對本發明的以上簡要敍述進行更具體的描述。然而，應該注意，附圖中只示出了本發明典型的實施例，因此不能認為其是對本發明範圍的限定，本發明可以允許其他等同的有效實施例。
第1圖為根據本發明之一實施例之蝕刻設備的概略橫剖面圖。
第2A圖為根據本發明之一實施例之具有整合均流板之下部腔室內襯件的部分概略橫剖面圖。
第2B圖為第2A圖之腔室內襯件的概略底視圖。
第3圖為本發明之下部腔室內襯件之另一實施例的概略底視圖。
100‧‧‧設備
101‧‧‧底表面
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧壁
104‧‧‧基板
106‧‧‧基座
108‧‧‧噴氣頭
110‧‧‧氣源
112‧‧‧功率源
113‧‧‧排氣埠
114‧‧‧真空幫浦
116‧‧‧環形擋板
120‧‧‧下部腔室內襯件
121‧‧‧底表面
122‧‧‧氣室
123‧‧‧傾斜外部壁
124‧‧‧鑽孔裝埋的緊固機構
126‧‧‧上部腔室內襯件
128‧‧‧處理區域
130‧‧‧功率源

Claims (10)

  1. 一種用於一電漿腔室之環形腔室內襯件，其包含：一底部壁；一內部壁，其由該底部壁向上延伸；及一外部壁，其由該底部壁向上延伸；其中該環形腔室內襯件具有複數個狹槽，各個狹槽延伸通過該底部壁及該外部壁，且其中該複數個狹槽係經設置使得至少一狹槽存在於該環形腔室內襯件之各四分之一圓內部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之環形腔室內襯件，其中該環形腔室內襯件之一四分之一圓具有比其他三個四分之一圓更少的狹槽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之環形腔室內襯件，其中該環形腔室內襯件之一四分之一圓具有比其他三個四分之一圓更大量的狹槽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之環形腔室內襯件，其中該環形腔室內襯件之一四分之一圓具有比其他三個四分之一圓更大的狹槽。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之環形腔室內襯件，其中該環形腔室內襯件之一四分之一圓具有比其他三個四分之一圓更小的狹槽。
  6. 一種蝕刻設備，其包含：一腔室主體；一基板支撐基座，其配置在該腔室主體中；一氣體引入噴氣頭，其配置在該腔室中並與該基板支撐基座相對；一上部腔室內襯件，其係配置在該腔室主體中，使得該基板支撐基座、該氣體引入噴氣頭、及該上部腔室內襯件至少部分圍繞一處理區域；一環形擋板，其耦合至並圍繞該基板支撐基座；及一下部腔室內襯件，其包含：一底部壁；一內部壁，其配置在該環形擋板下方並圍繞該基板支撐基座；及一外部壁，其由該底部壁向上傾斜；其中該下部腔室內襯件具有通過該底部壁及該外部壁形成之一狹槽，且該下部腔室內襯件配置在該腔室主體內部，使得在該下部腔室內襯件之該底部壁與該外部壁以及該腔室主體之一底部壁與一外部壁之間定義一環形氣室。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該氣室係與一排氣埠流體連通。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該下部腔室內襯件具有一系列通過其延伸的狹槽。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該下部腔室內襯件之一四分之一圓具有比該相對之四分之一圓更少的狹槽。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該下部腔室內襯件之一四分之一圓具有比該相對之四分之一圓更大的狹槽。
TW101140382A 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件 TWI397144B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/099,007 US7987814B2 (en) 2008-04-07 2008-04-07 Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201308501A TW201308501A (zh) 2013-02-16
TWI397144B true TWI397144B (zh) 2013-05-21

Family

ID=41132169

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101140382A TWI397144B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
TW102112934A TWI435401B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
TW101140384A TWI397145B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
TW098110720A TWI387035B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102112934A TWI435401B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
TW101140384A TWI397145B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
TW098110720A TWI387035B (zh) 2008-04-07 2009-03-31 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件

Country Status (6)

Country Link
US (4) US7987814B2 (zh)
JP (1) JP5875864B2 (zh)
KR (4) KR20130071504A (zh)
CN (2) CN103402299B (zh)
TW (4) TWI397144B (zh)
WO (1) WO2009126576A2 (zh)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
JP5424744B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
US8398814B2 (en) * 2009-07-08 2013-03-19 Applied Materials, Inc. Tunable gas flow equalizer
US8617347B2 (en) * 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
US8840725B2 (en) * 2009-11-11 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber with uniform flow and plasma distribution
US20110207332A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools
US20110226739A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Process chamber liner with apertures for particle containment
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
WO2012128783A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Applied Materials, Inc. Liner assembly for chemical vapor deposition chamber
US9499905B2 (en) * 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
TWI659674B (zh) * 2011-10-05 2019-05-11 應用材料股份有限公司 電漿處理設備及蓋組件
JP6034156B2 (ja) * 2011-12-05 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN103377979B (zh) * 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
US10249470B2 (en) 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US9928987B2 (en) 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9896769B2 (en) 2012-07-20 2018-02-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
CN104782234B (zh) 2013-03-15 2017-07-14 应用材料公司 具有高度对称四重式气体注入的等离子体反应器
US20150041062A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with removable body
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
KR101590902B1 (ko) * 2014-06-30 2016-02-11 세메스 주식회사 라이너 유닛 및 기판 처리 장치
US20160033070A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Applied Materials, Inc. Recursive pumping member
US11060203B2 (en) * 2014-09-05 2021-07-13 Applied Materials, Inc. Liner for epi chamber
JP6544902B2 (ja) * 2014-09-18 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN104630746A (zh) * 2015-01-27 2015-05-20 中国科学院微电子研究所 一种内衬、内衬构成的腔室及内衬表面的处理方法
US9963782B2 (en) * 2015-02-12 2018-05-08 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing apparatus
KR101792941B1 (ko) * 2015-04-30 2017-11-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 화학기상증착장치 및 그 세정방법
CN107090575B (zh) * 2016-02-17 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种均流装置及反应腔室
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치
KR102641441B1 (ko) 2016-09-28 2024-02-29 삼성전자주식회사 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리
KR20180080520A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US10559451B2 (en) 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
CN107578975B (zh) * 2017-08-17 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
US20210193434A1 (en) * 2017-08-17 2021-06-24 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Liner, reaction chamber and semiconductor processing equipment
KR102449621B1 (ko) 2017-08-22 2022-09-30 삼성전자주식회사 쉬라우드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN107578977A (zh) * 2017-09-27 2018-01-12 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室以及电容耦合等离子体设备
JP2019075517A (ja) * 2017-10-19 2019-05-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び拡散路を有する部材
CN110544645B (zh) * 2018-05-28 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备
CN108831906A (zh) * 2018-05-31 2018-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示器
US10927461B2 (en) * 2018-08-31 2021-02-23 Applied Materials, Inc. Gas diffuser support structure for reduced particle generation
JP1638504S (zh) * 2018-12-06 2019-08-05
JP7101628B2 (ja) * 2019-02-04 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および電極構造体
JP7199246B2 (ja) * 2019-02-19 2023-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN110093593A (zh) * 2019-05-20 2019-08-06 北京捷造光电技术有限公司 一种用于大面积pecvd工艺腔室双层排气结构
KR20200145977A (ko) 2019-06-21 2020-12-31 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
CN112185786B (zh) * 2019-07-03 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的接地环组件
CN111105976B (zh) * 2019-12-24 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备反应腔室
US20210249239A1 (en) * 2020-02-10 2021-08-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improving flow uniformity in a process chamber
JP7479236B2 (ja) 2020-07-31 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20220084845A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-17 Applied Materials, Inc. High conductance process kit
KR20220060855A (ko) * 2020-11-05 2022-05-12 삼성전자주식회사 기판 처리 방법 및 장치
CN115360129B (zh) * 2022-10-24 2023-03-24 无锡邑文电子科技有限公司 侧抽真空蚀刻机台

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885356A (en) * 1994-11-30 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
US6176969B1 (en) * 1998-04-22 2001-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Baffle plate of dry etching apparatus for manufacturing semiconductor devices
US6203657B1 (en) * 1998-03-31 2001-03-20 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma downstream strip module

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2610556C2 (de) * 1976-03-12 1978-02-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum Verteilen strömender Medien über einen Strömungsquerschnitt
US5188672A (en) * 1990-06-28 1993-02-23 Applied Materials, Inc. Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus
US6095083A (en) * 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
US5366585A (en) * 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5891350A (en) * 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
EP0821395A3 (en) * 1996-07-19 1998-03-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP3582287B2 (ja) * 1997-03-26 2004-10-27 株式会社日立製作所 エッチング装置
US6251216B1 (en) * 1997-12-17 2001-06-26 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method for plasma processing
US6120605A (en) * 1998-02-05 2000-09-19 Asm Japan K.K. Semiconductor processing system
JP4217299B2 (ja) * 1998-03-06 2009-01-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6273022B1 (en) * 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US5997589A (en) * 1998-07-09 1999-12-07 Winbond Electronics Corp. Adjustment pumping plate design for the chamber of semiconductor equipment
US6228232B1 (en) * 1998-07-09 2001-05-08 Semitool, Inc. Reactor vessel having improved cup anode and conductor assembly
US6170429B1 (en) * 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US6221202B1 (en) * 1999-04-01 2001-04-24 International Business Machines Corporation Efficient plasma containment structure
US6206976B1 (en) * 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US6415804B1 (en) * 1999-12-23 2002-07-09 Lam Research Corporation Bowl for processing semiconductor wafers
JP4592856B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
JP3996771B2 (ja) * 2000-01-12 2007-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
US6261408B1 (en) * 2000-02-16 2001-07-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing chamber pressure control
US20020069970A1 (en) * 2000-03-07 2002-06-13 Applied Materials, Inc. Temperature controlled semiconductor processing chamber liner
US6863835B1 (en) * 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
US6531069B1 (en) * 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections
US7011039B1 (en) * 2000-07-07 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Multi-purpose processing chamber with removable chamber liner
US6403491B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
US6797639B2 (en) * 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
JP4602532B2 (ja) 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
US6827815B2 (en) * 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
US20030192646A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber having magnetic assembly and method
US20050121143A1 (en) * 2002-05-23 2005-06-09 Lam Research Corporation Pump baffle and screen to improve etch uniformity
US20040040664A1 (en) * 2002-06-03 2004-03-04 Yang Jang Gyoo Cathode pedestal for a plasma etch reactor
KR100460143B1 (ko) * 2002-08-02 2004-12-03 삼성전자주식회사 반도체 제조설비용 프로세스 챔버
US6963043B2 (en) * 2002-08-28 2005-11-08 Tokyo Electron Limited Asymmetrical focus ring
US7048837B2 (en) * 2002-09-13 2006-05-23 Applied Materials, Inc. End point detection for sputtering and resputtering
US7166166B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US6798519B2 (en) * 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US20040082251A1 (en) * 2002-10-29 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing
CN100495413C (zh) * 2003-03-31 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 用于邻接在处理元件上的相邻覆层的方法
WO2004095532A2 (en) * 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
US7972467B2 (en) * 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
JP4255747B2 (ja) 2003-05-13 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7910218B2 (en) * 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US8236105B2 (en) * 2004-04-08 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber
US20060000552A1 (en) * 2004-07-05 2006-01-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
US7708834B2 (en) * 2004-11-02 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Bolt and plasma processing apparatus provided with same
US7579067B2 (en) * 2004-11-24 2009-08-25 Applied Materials, Inc. Process chamber component with layered coating and method
US7767055B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Capacitive coupling plasma processing apparatus
CN100539000C (zh) * 2004-12-03 2009-09-09 东京毅力科创株式会社 电容耦合型等离子体处理装置
JP5323303B2 (ja) 2004-12-03 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
US7416635B2 (en) * 2005-03-02 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Gas supply member and plasma processing apparatus
US7198677B2 (en) * 2005-03-09 2007-04-03 Wafermasters, Inc. Low temperature wafer backside cleaning
US7560083B2 (en) * 2005-03-18 2009-07-14 Tokyo Electron Limited Method for removing water molecules from vacuum chamber, program for executing the method, and storage medium storing the program
JP4546303B2 (ja) 2005-03-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7762114B2 (en) * 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US7862683B2 (en) * 2005-12-02 2011-01-04 Tokyo Electron Limited Chamber dry cleaning
US7416677B2 (en) * 2006-08-11 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Exhaust assembly for plasma processing system and method
US7854820B2 (en) * 2006-10-16 2010-12-21 Lam Research Corporation Upper electrode backing member with particle reducing features
US9184072B2 (en) * 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
JP5264231B2 (ja) * 2008-03-21 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7987814B2 (en) 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
KR100998011B1 (ko) * 2008-05-22 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 화학기상 증착장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885356A (en) * 1994-11-30 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
US6203657B1 (en) * 1998-03-31 2001-03-20 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma downstream strip module
US6176969B1 (en) * 1998-04-22 2001-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Baffle plate of dry etching apparatus for manufacturing semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120123162A (ko) 2012-11-07
KR20120123161A (ko) 2012-11-07
US20090250169A1 (en) 2009-10-08
JP2011517116A (ja) 2011-05-26
KR101267431B1 (ko) 2013-05-30
TWI435401B (zh) 2014-04-21
WO2009126576A3 (en) 2010-03-18
US20120145326A1 (en) 2012-06-14
TW201308502A (zh) 2013-02-16
CN101990789A (zh) 2011-03-23
CN103402299B (zh) 2018-10-09
US8282736B2 (en) 2012-10-09
TW200947592A (en) 2009-11-16
TW201334104A (zh) 2013-08-16
CN103402299A (zh) 2013-11-20
WO2009126576A2 (en) 2009-10-15
KR20100135894A (ko) 2010-12-27
US8118938B2 (en) 2012-02-21
US20110284166A1 (en) 2011-11-24
TW201308501A (zh) 2013-02-16
CN101990789B (zh) 2013-07-17
TWI387035B (zh) 2013-02-21
KR20130071504A (ko) 2013-06-28
US8440019B2 (en) 2013-05-14
JP5875864B2 (ja) 2016-03-02
TWI397145B (zh) 2013-05-21
KR101267452B1 (ko) 2013-05-31
US20120325406A1 (en) 2012-12-27
US7987814B2 (en) 2011-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI397144B (zh) 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件
KR101365113B1 (ko) 유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버
KR101423358B1 (ko) 진공 척이 있는 베벨 에칭 장치
US20160284522A1 (en) Upper electrode, edge ring, and plasma processing apparatus
US20090034147A1 (en) Method and apparatus for providing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US20180090344A1 (en) Ring assembly and chuck assembly having the same
KR20100051000A (ko) 아킹이 감소된 정전 척
TWI538007B (zh) 擋板及包含該擋板之基板處理裝置
TWI445078B (zh) 噴氣頭絕緣器及蝕刻室襯墊
JP5140516B2 (ja) プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置
US20210335581A1 (en) Preclean chamber upper shield with showerhead
CN114342038A (zh) 用于工艺腔室的高导通内部屏蔽物