JP5140516B2 - プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 - Google Patents
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Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、半導体デバイス製造を行うための装置に関し、より詳細には、処理中に半導体ウエハを支持するための静電チャックに関する。
[0002]静電チャックは、プラズマ処理チャンバのような半導体処理装置内において(ここでは、半導体ウエハ又はウエハとも称される)基板に対する支持を与えるのに広く使用されている。静電チャックは、一般的に、基板の処理中、即ち、物質堆積又はエッチング中に基板を定位置に保持する。静電チャックは、基板を所定位置に保持するため容量性及びジョンセン・ラーベック吸引力を利用している。
Claims (15)
- 基板の処理中に静電チャック上に配置された基板の温度を制御するため熱移送流体を供給する静電チャックの少なくとも一部分を再生するための方法において、
上記静電チャックは、上記静電チャック内に形成されたチャンネルと、上記チャンネル内に位置しプレートの下に上記熱移送流体が流れるプレナムを画成するプレートと、上記プレートに挿入された第1の誘電体コンポーネントとを有し、
上記第1の誘電体コンポーネントは、上記プレートを通る流体通路の少なくとも一部を与えるものであり、上記熱移送流体が上記第1の誘電体コンポーネントを通って流れるように上記プレナムに流体接続し、
上記基板が上記静電チャック上に配置されるとき、上記第1の誘電体コンポーネントは、上記基板の上記静電チャックに面する面に上記熱移送流体を供給するように位置し、
上記第1の誘電体コンポーネントは、チューブ又は多孔性プラグのうち1つを含み、上記方法は、
上記静電チャックの上記プレートから上記第1の誘電体コンポーネントを取り外すステップと、
上記第1の誘電体コンポーネントを新しい第2の誘電体コンポーネントと置き換えるステップと、
を備える方法。 - 上記第1の誘電体コンポーネントを露出するように上記第1の誘電体コンポーネントの端部を覆う誘電体層の少なくとも一部分を取り除くステップと、
上記第1の誘電体コンポーネントを上記新しい第2の誘電体コンポーネントと置き換えた後、上記誘電体層の上記取り除いた少なくとも一部分を上記誘電体層の新しい少なくとも一部分と置き換え、上記新しい第2の誘電体コンポーネントの端部を覆うステップと、
を更に備えた、請求項1に記載の方法。 - 上記新しい第2の誘電体コンポーネントは、上記プレートにおける開口へ圧力ばめされる、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記新しい第2の誘電体コンポーネントは、チューブを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記新しい第2の誘電体コンポーネントは、多孔性プラグを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記第1又は上記新しい第2の誘電体コンポーネントのうち少なくとも1つは、セラミックを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記セラミックは、アルミナを含む、請求項6に記載の方法。
- 上記取り外すステップは、上記第1の誘電体コンポーネントをドリリングする段階を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記置き換えられた誘電体層を研磨するステップを更に含む、請求項2に記載の方法。
- 基板の処理中に静電チャック上に配置された基板の温度を制御するため熱移送流体を供給する静電チャックであって、
チャンネルを含む本体と、
開口を含み、プレートの下にプレナムを形成して前記熱輸送流体が流れるようにするため、上記チャンネルに挿入されるように適応されたプレートと、
上記プレナムからの流体通路の少なくとも一部分を画成し前記熱輸送流体が誘電体コンポーネントを通って流れるようにするため、上記プレートの上記開口に配置され上記プレナムに流体接続した誘電体コンポーネントと、
基板支持表面を形成するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層と、
上記流体通路の部分を形成し、上記基板が前記基板支持表面上に配置されるとき、上記熱移送流体が上記流体通路を通って前記基板の後面に流れるようにするために上記誘電体コンポーネントを覆う多孔性誘電体層と、
を備える静電チャック。 - 上記流体通路は、上記プレナムから上記基板支持表面への視線路を形成していない、請求項10に記載の静電チャック。
- 上記誘電体コンポーネントは、第1の端部、第2の端部及び軸方向貫通孔を含む誘電体チューブであり、上記誘電体チューブは、上記プレートにおける上記開口内へ配置されており、上記誘電体層は、上記誘電体チューブの上記第1の端部の少なくとも一部分を覆っており、上記軸方向貫通孔及び上記誘電体層の上記少なくとも一部分は、上記流体通路を形成している、請求項10に記載の静電チャック。
- 半導体基板を処理するための装置において、
処理領域を画成するチャンバと、
上記処理領域に半導体基板を保持するための請求項10から12のいずれか1項に記載の静電チャックと、
を備える装置。 - 基板の処理中に静電チャック上に配置された基板の温度を制御するため熱移送流体を供給する静電チャックを形成する方法において、
プレートの下にプレナムを形成し上記熱移送流体が流れるようにするため上記静電チャックの本体におけるチャンネルへプレートを配置するステップと、
誘電体コンポーネントを上記プレートにおける開口へ挿入するステップと、を備え、上記誘電体コンポーネントは、第1の端部、第2の端部、及び上記第1の端部及び上記第2の端部を接続する軸方向貫通孔を備える誘電体チューブを備え、
更に、上記チャンネル内に上記誘電体チューブの上記軸方向貫通孔に対向して誘電体エンドキャップを配置して、上記誘電体チューブの上記第2の端部を上記誘電体エンドキャップの内側に、ギャップを形成するように上記誘電体エンドキャップから離間して配置するステップと、
支持表面を形成して基板を支持するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層を堆積するステップと、
上記誘電体層を特定の厚さまで研磨するステップと、
上記基板が上記支持表面に配置されるとき、上記支持表面と上記プレナムとの間の通路を画成し上記熱移送流体が上記通路を通って上記基板の後面に流れるようにするため、上記誘電体層及び上記誘電体コンポーネントを貫通する開口を形成し、上記ギャップと上記軸方向貫通孔が前記通路を形成するようにするステップと、を備える方法。 - 上記誘電体チューブを上記開口内へ配置し、上記第1の端部の少なくとも一部分を上記誘電体層で覆い、上記誘電体層の少なくとも一部分が上記通路を形成するようにするステップ、
を更に備える、請求項14に記載の方法。
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