JP2009065133A - プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 - Google Patents
プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009065133A JP2009065133A JP2008198466A JP2008198466A JP2009065133A JP 2009065133 A JP2009065133 A JP 2009065133A JP 2008198466 A JP2008198466 A JP 2008198466A JP 2008198466 A JP2008198466 A JP 2008198466A JP 2009065133 A JP2009065133 A JP 2009065133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- electrostatic chuck
- dielectric layer
- plenum
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
【解決手段】一実施形態は、プレート440と、上記プレート440へ挿入される誘電体コンポーネント442とを備える。上記プレートは、プレナム336を画成するためにチャネル内に配置されるように適応され、上記誘電体コンポーネント442は、上記プレナム336に結合される流体通路の少なくとも一部分を与える。上記誘電体コンポーネント442上に形成される多孔性誘電体層は、上記プレナム336に結合される流体通路の少なくとも別の部分を与える。他の実施形態では、流体分配要素は、基板のための支持表面からプレナム336への視線路を与えないような流体通路を画成するための種々なコンポーネントの配置を備える。
【選択図】図4
Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、半導体デバイス製造を行うための装置に関し、より詳細には、処理中に半導体ウエハを支持するための静電チャックに関する。
[0002]静電チャックは、プラズマ処理チャンバのような半導体処理装置内において(ここでは、半導体ウエハ又はウエハとも称される)基板に対する支持を与えるのに広く使用されている。静電チャックは、一般的に、基板の処理中、即ち、物質堆積又はエッチング中に基板を定位置に保持する。静電チャックは、基板を所定位置に保持するため容量性及びジョンセン・ラーベック吸引力を利用している。
Claims (15)
- 静電チャックの少なくとも一部分を再生するための方法において、
上記静電チャックの流体分配要素から第1の誘電体コンポーネントを取り外すステップと、
上記第1の誘電体コンポーネントを第2の誘電体コンポーネントと置き換えるステップと、
を備えた方法。 - 上記第1の誘電体コンポーネントを露出するように誘電体層の少なくとも一部分を取り除くステップと、
上記第1の誘電体コンポーネントを上記第2の誘電体コンポーネントと置き換えた後、上記誘電体層の上記取り除いた少なくとも一部分を上記誘電体層の新しい少なくとも一部分と置き換えるステップと、
を更に備えた、請求項1に記載の方法。 - 上記第2の誘電体コンポーネントは、上記流体分配要素における開口へ圧力ばめされる、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 上記第1又は第2の誘電体コンポーネントのうち少なくとも1つは、チューブを含む、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 上記第1又は第2の誘電体コンポーネントのうち少なくとも1つは、多孔性プラグを含む、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 上記第1又は第2の誘電体コンポーネントのうち少なくとも1つは、セラミックを含む、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 上記セラミックは、アルミナを含む、請求項6に記載の方法。
- 上記取り外すステップは、上記第1の誘電体コンポーネントをドリリングする段階を含む、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 上記置き換えられた誘電体層を研磨するステップを更に含む、請求項2に記載の方法。
- チャネルを含む本体と、
開口を含み、プレナムを形成するため上記チャネルに結合されるように適応されたプレートと、
上記プレナムからの流体通路の少なくとも一部分を画成するため上記開口に配置された誘電体コンポーネントと、
基板支持表面を形成するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層と、
上記流体通路の部分を形成するために上記誘電体コンポーネントを覆う多孔性誘電体層と、
を備える静電チャック。 - 上記流体通路は、上記プレナムから上記基板支持表面への視線路を形成していない、請求項10に記載の静電チャック。
- 上記誘電体コンポーネントは、第1の端部、第2の端部及び軸方向貫通孔を含む誘電体チューブであり、上記誘電体チューブは、上記プレートにおける上記開口内へ配置されており、上記誘電体層は、上記誘電体チューブの上記第1の端部の少なくとも一部分を覆っており、上記軸方向貫通孔及び上記誘電体層の上記少なくとも一部分は、上記流体通路を形成している、請求項10に記載の静電チャック。
- 半導体基板を処理するための装置において、
処理領域を画成するチャンバと、
上記処理領域に半導体基板を保持するための請求項10から12のいずれかに記載の静電チャックと、
を備える装置。 - 静電チャックを形成する方法において、
プレナムを形成するため本体におけるチャネルへプレートを配置するステップと、
上記プレナムからの通路の部分を画成する誘電体コンポーネントを上記プレートにおける開口へ挿入するステップと、
支持表面を形成するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層を堆積するステップと、
上記誘電体層を特定の厚さまで研磨するステップと、
上記支持表面と上記プレナムとの間の通路を画成するため上記誘電体層及び上記誘電体コンポーネントを貫通する開口を形成するステップと、
を備えた方法。 - 上記誘電体コンポーネントは、第1の端部、第2の端部、及び上記第1の端部及び上記第2の端部を接続する軸方向貫通孔を備える誘電体チューブを含み、
上記チャネル内にエンドキャップを配置して、上記誘電体チューブの上記第2の端部が上記誘電体エンドキャップの内側へ延長するが、ギャップを形成するようにそこから離間され、上記ギャップ及び上記貫通孔が上記通路を形成するようにするステップ、又は、
上記誘電体チューブを上記開口内へ配置し、上記第1の端部の少なくとも一部分を上記誘電体層で覆い、上記軸方向貫通孔及び上記誘電体層の少なくとも一部分が上記通路を形成するようにするステップ、
を更に備えた、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/888,327 US8108981B2 (en) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing |
US11/888,341 US9202736B2 (en) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing |
US11/888,341 | 2007-07-31 | ||
US11/888,311 | 2007-07-31 | ||
US11/888,311 US7848076B2 (en) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | Method and apparatus for providing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing |
US11/888,327 | 2007-07-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009065133A true JP2009065133A (ja) | 2009-03-26 |
JP2009065133A5 JP2009065133A5 (ja) | 2011-09-15 |
JP5140516B2 JP5140516B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=40380622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008198466A Active JP5140516B2 (ja) | 2007-07-31 | 2008-07-31 | プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5140516B2 (ja) |
KR (1) | KR101125885B1 (ja) |
SG (1) | SG149791A1 (ja) |
TW (2) | TWI479597B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090230636A1 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
JP2013243267A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック、静電チャックの製造方法 |
JP2019212910A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板支持台座 |
JP2020150071A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
CN112908919A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 静电吸盘装置及包括该静电吸盘装置的等离子体处理装置 |
WO2024034127A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9728429B2 (en) | 2010-07-27 | 2017-08-08 | Lam Research Corporation | Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers |
US10784139B2 (en) * | 2016-12-16 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Rotatable electrostatic chuck having backside gas supply |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274151A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-10-18 | Applied Materials Inc | ポリマー含浸静電チャックおよび製造方法 |
JPH09129717A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-05-16 | Applied Materials Inc | 静電チャック内のアーキング防止方法及び装置 |
JPH1050812A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Applied Materials Inc | 誘電体層の接着力を高める表面の作製 |
JPH1050813A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Applied Materials Inc | 静電チャック面への熱伝達流体の流れのための導管 |
JP2000216136A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Applied Materials Inc | 改良されたガスディストリビュ―タを有する処理チャンバ及び製造方法 |
JP2002050616A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
US20030037883A1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-02-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with gas feed-through and method |
JP2004158751A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005136350A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2106325A (en) * | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
US6581275B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
TW502368B (en) * | 2001-11-06 | 2002-09-11 | Duratek Inc | Electrostatic chuck and method for manufacturing the same |
JP4364667B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射部材、電極、およびプラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-07-24 KR KR1020080072273A patent/KR101125885B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-28 SG SG200805596-4A patent/SG149791A1/en unknown
- 2008-07-30 TW TW101139316A patent/TWI479597B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-30 TW TW097128899A patent/TWI399824B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-31 JP JP2008198466A patent/JP5140516B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274151A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-10-18 | Applied Materials Inc | ポリマー含浸静電チャックおよび製造方法 |
JPH09129717A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-05-16 | Applied Materials Inc | 静電チャック内のアーキング防止方法及び装置 |
JPH1050812A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Applied Materials Inc | 誘電体層の接着力を高める表面の作製 |
JPH1050813A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Applied Materials Inc | 静電チャック面への熱伝達流体の流れのための導管 |
JP2000216136A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Applied Materials Inc | 改良されたガスディストリビュ―タを有する処理チャンバ及び製造方法 |
US20030037883A1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-02-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with gas feed-through and method |
JP2002050616A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2004158751A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005136350A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090230636A1 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
US8336891B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
JP2013243267A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック、静電チャックの製造方法 |
JP2019212910A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板支持台座 |
JP2020150071A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
JP7269759B2 (ja) | 2019-03-12 | 2023-05-09 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
CN112908919A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 静电吸盘装置及包括该静电吸盘装置的等离子体处理装置 |
WO2024034127A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5140516B2 (ja) | 2013-02-06 |
TW201314834A (zh) | 2013-04-01 |
TWI479597B (zh) | 2015-04-01 |
TWI399824B (zh) | 2013-06-21 |
SG149791A1 (en) | 2009-02-27 |
KR101125885B1 (ko) | 2012-03-22 |
TW200921838A (en) | 2009-05-16 |
KR20090013052A (ko) | 2009-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8108981B2 (en) | Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing | |
US9202736B2 (en) | Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing | |
US7848076B2 (en) | Method and apparatus for providing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing | |
KR101025232B1 (ko) | 아킹이 감소된 정전 척 | |
JP5140516B2 (ja) | プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 | |
US10214815B2 (en) | Surface treated aluminum nitride baffle | |
KR102454532B1 (ko) | 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척 | |
US11049755B2 (en) | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield | |
US11008655B2 (en) | Components such as edge rings including chemical vapor deposition (CVD) diamond coating with high purity SP3 bonds for plasma processing systems | |
CN110337714B (zh) | 一种衬底支撑件和衬底处理系统 | |
KR20120071362A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2014505362A (ja) | 半導体基板の可変密度プラズマ処理 | |
US10622243B2 (en) | Planar substrate edge contact with open volume equalization pathways and side containment | |
KR20110009173A (ko) | 낮은 프로파일의 공정 키트 | |
US11942351B2 (en) | Electrostatic chucks with coolant gas zones and corresponding groove and monopolar electrostatic clamping electrode patterns | |
CN117222773A (zh) | 衬底上背面沉积的防止 | |
US20220162749A1 (en) | Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ald) substrate processing chambers | |
US11967486B2 (en) | Substrate processing system including dual ion filter for downstream plasma | |
CN115039197A (zh) | 用于冷却变压器耦合等离子体窗的充气室组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101111 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110801 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120705 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5140516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |