JP2002050616A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002050616A JP2002050616A JP2000237083A JP2000237083A JP2002050616A JP 2002050616 A JP2002050616 A JP 2002050616A JP 2000237083 A JP2000237083 A JP 2000237083A JP 2000237083 A JP2000237083 A JP 2000237083A JP 2002050616 A JP2002050616 A JP 2002050616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- antenna
- vacuum vessel
- dielectric
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス供給穴でのホローカソード放電が起きに
くいプラズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給装置２から所
定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ３によ
り排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちなが
ら、アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周
波電力を真空容器１内に突出して設けられたアンテナ５
に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生
し、基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ
処理を行うことができる。ガスは、真空容器の側壁面の
一部を構成する金属リング１６に設けられた誘電体ブッ
シュ１７に設けられたガス供給穴から、真空容器１内へ
導入されるため、ガス供給穴での高周波電界が効果的に
弱められ、ホローカソード放電が極めて起きにくいプラ
ズマ処理を実現できた。
くいプラズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給装置２から所
定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ３によ
り排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちなが
ら、アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周
波電力を真空容器１内に突出して設けられたアンテナ５
に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生
し、基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ
処理を行うことができる。ガスは、真空容器の側壁面の
一部を構成する金属リング１６に設けられた誘電体ブッ
シュ１７に設けられたガス供給穴から、真空容器１内へ
導入されるため、ガス供給穴での高周波電界が効果的に
弱められ、ホローカソード放電が極めて起きにくいプラ
ズマ処理を実現できた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体等の電子
デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるプラズマ
処理方法及び装置に関するものである。
デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるプラズマ
処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体等の電子デバイスやマイクロマシ
ンの製造において、近年プラズマ処理による薄膜加工技
術の重要性はますます高まっている。
ンの製造において、近年プラズマ処理による薄膜加工技
術の重要性はますます高まっている。
【０００３】以下、従来のプラズマ処理方法の一例とし
て、誘導結合プラズマ源を用いたプラズマ処理につい
て、図８を参照して説明する。図８において、真空容器
１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、
排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器
１内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４
により１３．５６ＭＨｚの高周波電力をコイル２３に供
給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、
基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ処理
を行うことができる。また、基板電極６に高周波電力を
供給するための基板電極用高周波電源８が設けられてお
り、基板７に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができるようになっている。なお、コイル２３は、誘電
窓２４上に配置されている。また、ガスは、真空容器の
側壁面の一部を構成する金属リング１６に設けられた複
数のガス供給穴２５から、真空容器内へ導入される。
て、誘導結合プラズマ源を用いたプラズマ処理につい
て、図８を参照して説明する。図８において、真空容器
１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、
排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器
１内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４
により１３．５６ＭＨｚの高周波電力をコイル２３に供
給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、
基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ処理
を行うことができる。また、基板電極６に高周波電力を
供給するための基板電極用高周波電源８が設けられてお
り、基板７に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができるようになっている。なお、コイル２３は、誘電
窓２４上に配置されている。また、ガスは、真空容器の
側壁面の一部を構成する金属リング１６に設けられた複
数のガス供給穴２５から、真空容器内へ導入される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細加
工性の向上や、処理面積の大型化を実現するため、処理
に用いられるガス流量の増大と、低い圧力での処理が必
要とされるようになってきており、従来のプラズマ処理
においては、ガス供給穴でのホローカソード放電という
異常放電が起きやすいという問題点がある。
工性の向上や、処理面積の大型化を実現するため、処理
に用いられるガス流量の増大と、低い圧力での処理が必
要とされるようになってきており、従来のプラズマ処理
においては、ガス供給穴でのホローカソード放電という
異常放電が起きやすいという問題点がある。
【０００５】なお、ホローカソード放電とは、以下のよ
うなものである。一般に、プラズマに接している固体表
面は、電子とイオンの熱運動速度の違いに起因して負に
帯電するため、固体表面には電子を固体表面から追い返
す直流電界が生じる。従来例で示したガス供給穴２５の
内部のように、固体表面によって囲まれた空間では、電
子がこの直流電界の存在により、固体表面に衝突する確
率が低下するため、電子の寿命が長くなり、その結果、
ガス供給穴２５の内部で高密度のプラズマが生成され
る。このような放電を、ホローカソード放電という。
うなものである。一般に、プラズマに接している固体表
面は、電子とイオンの熱運動速度の違いに起因して負に
帯電するため、固体表面には電子を固体表面から追い返
す直流電界が生じる。従来例で示したガス供給穴２５の
内部のように、固体表面によって囲まれた空間では、電
子がこの直流電界の存在により、固体表面に衝突する確
率が低下するため、電子の寿命が長くなり、その結果、
ガス供給穴２５の内部で高密度のプラズマが生成され
る。このような放電を、ホローカソード放電という。
【０００６】ガス供給穴でのホローカソード放電の発生
は、ガス供給穴の劣化（穴の大きさが経時変化を起こ
し、徐々に直径が拡大してしまう）や、ガス供給穴を構
成する金属物質による基板の汚染の原因となる。
は、ガス供給穴の劣化（穴の大きさが経時変化を起こ
し、徐々に直径が拡大してしまう）や、ガス供給穴を構
成する金属物質による基板の汚染の原因となる。
【０００７】ホローカソード放電は、ガス供給穴でのガ
スの流速が大きいほど、また、ガス供給穴近傍での圧力
勾配が大きいほど起きやすいことが経験的にわかってお
り、ガス流量が大きいほど、また、真空容器内の圧力が
低いほど、ホローカソード放電は起きやすくなる。した
がって、微細加工性の向上や、処理面積の大型化を実現
するため、処理に用いられるガス流量の増大と、低い圧
力での処理が必要とされるようになり、ガス供給穴での
ホローカソード放電の問題は、より顕著な問題点として
浮上してきている。
スの流速が大きいほど、また、ガス供給穴近傍での圧力
勾配が大きいほど起きやすいことが経験的にわかってお
り、ガス流量が大きいほど、また、真空容器内の圧力が
低いほど、ホローカソード放電は起きやすくなる。した
がって、微細加工性の向上や、処理面積の大型化を実現
するため、処理に用いられるガス流量の増大と、低い圧
力での処理が必要とされるようになり、ガス供給穴での
ホローカソード放電の問題は、より顕著な問題点として
浮上してきている。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ガス
供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプラズマ処
理方法及び装置を提供することを目的としている。
供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプラズマ処
理方法及び装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のプラズ
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設け
られたアンテナに、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの
高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズ
マを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であっ
て、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けられた
穴から真空容器内にガスを供給することを特徴とする。
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設け
られたアンテナに、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの
高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズ
マを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であっ
て、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けられた
穴から真空容器内にガスを供給することを特徴とする。
【００１０】本願の第１発明のプラズマ処理方法は、ア
ンテナと真空容器の間に誘電板が挟まれており、アンテ
ナ及び誘電板が真空容器内に突出した構造をなす場合に
も有効な方法である。
ンテナと真空容器の間に誘電板が挟まれており、アンテ
ナ及び誘電板が真空容器内に突出した構造をなす場合に
も有効な方法である。
【００１１】また、この場合、好適には、誘電板の中心
付近に設けられた貫通穴を介してアンテナに高周波電圧
を給電し、誘電板の中心とも周辺とも異なる一部位に設
けられ、かつ、アンテナの中心に対してほぼ等配置され
ている貫通穴を介して、アンテナと真空容器とをショー
トピンによって短絡することが望ましい。
付近に設けられた貫通穴を介してアンテナに高周波電圧
を給電し、誘電板の中心とも周辺とも異なる一部位に設
けられ、かつ、アンテナの中心に対してほぼ等配置され
ている貫通穴を介して、アンテナと真空容器とをショー
トピンによって短絡することが望ましい。
【００１２】また、好適には、アンテナと真空容器との
間に設けられた環状でかつ溝状のプラズマトラップによ
って、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を
処理することが望ましい。
間に設けられた環状でかつ溝状のプラズマトラップによ
って、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を
処理することが望ましい。
【００１３】本願の第１発明のプラズマ処理方法は、金
属体が、真空容器の側壁面の一部を構成するリングであ
る場合にも有効な方法である。
属体が、真空容器の側壁面の一部を構成するリングであ
る場合にも有効な方法である。
【００１４】また、金属体が、アンテナとの間にプラズ
マトラップを構成するよう配置されたリングである場合
にも有効な方法である。
マトラップを構成するよう配置されたリングである場合
にも有効な方法である。
【００１５】本願の第２発明のプラズマ処理方法は、真
空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空
容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板
電極または基板電極に対向して設けられた対向電極に、
周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加す
ることにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板
電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であ
って、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けら
れた穴から真空容器内にガスを供給することを特徴とす
る。
空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空
容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板
電極または基板電極に対向して設けられた対向電極に、
周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加す
ることにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板
電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であ
って、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けら
れた穴から真空容器内にガスを供給することを特徴とす
る。
【００１６】本願の第１または第２発明のプラズマ処理
方法において、好適には、誘電体ブッシュが、金属体ま
たは対向電極に設けられたタップにねじ込まれたボルト
であることが望ましい。
方法において、好適には、誘電体ブッシュが、金属体ま
たは対向電極に設けられたタップにねじ込まれたボルト
であることが望ましい。
【００１７】また、好適には、誘電体ブッシュの真空容
器内壁面側に、誘電体ブッシュを回転させて金属板また
は対向電極にねじ込むためのドライバーまたはレンチ用
座グリが設けられていることが望ましい。
器内壁面側に、誘電体ブッシュを回転させて金属板また
は対向電極にねじ込むためのドライバーまたはレンチ用
座グリが設けられていることが望ましい。
【００１８】また、好適には、誘電体ブッシュが、金属
体または対向電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出し
ていることが望ましい。
体または対向電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出し
ていることが望ましい。
【００１９】さらに、好適には、誘電体ブッシュが、金
属体または対向電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出して
いることが望ましい。
属体または対向電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出して
いることが望ましい。
【００２０】また、誘電体ブッシュが、金属体または対
向電極の表面から突出している場合においては、誘電体
ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部を覆うように取り付けられていることが望ましい。
向電極の表面から突出している場合においては、誘電体
ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部を覆うように取り付けられていることが望ましい。
【００２１】また、好適には、誘電体ブッシュに設けら
れた穴の大きさが、直径０．２乃至２ｍｍであることが
望ましい。
れた穴の大きさが、直径０．２乃至２ｍｍであることが
望ましい。
【００２２】さらに、好適には、誘電体ブッシュに設け
られた穴の大きさが、直径０．４乃至０．８ｍｍである
ことが望ましい。
られた穴の大きさが、直径０．４乃至０．８ｍｍである
ことが望ましい。
【００２３】また、好適には、誘電体ブッシュに設けら
れた穴１個当たりのガス供給量が、２００ｓｃｃｍ以下
であることが望ましい。
れた穴１個当たりのガス供給量が、２００ｓｃｃｍ以下
であることが望ましい。
【００２４】さらに、好適には、誘電体ブッシュに設け
られた穴１個当たりのガス供給量が、５０ｓｃｃｍ以下
であることが望ましい。
られた穴１個当たりのガス供給量が、５０ｓｃｃｍ以下
であることが望ましい。
【００２５】本願の第１または第２発明のプラズマ処理
方法は、ガスが、アルゴンガスを主体とする混合ガスで
ある場合に、とくに有効な方法である。
方法は、ガスが、アルゴンガスを主体とする混合ガスで
ある場合に、とくに有効な方法である。
【００２６】また、真空容器内の圧力が、１０Ｐａ以下
である場合に、とくに有効な方法である。
である場合に、とくに有効な方法である。
【００２７】さらに、真空容器内の圧力が、１Ｐａ以下
である場合に、とくに有効な方法である。
である場合に、とくに有効な方法である。
【００２８】また、アンテナ、基板電極または対向電極
に印加する高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３Ｇ
Ｈｚである場合に、とくに有効な方法である。
に印加する高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３Ｇ
Ｈｚである場合に、とくに有効な方法である。
【００２９】本願の第３発明のプラズマ処理装置は、真
空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給
装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空
容器内に基板を載置するための基板電極と、基板電極に
対向して設けられたアンテナと、アンテナに周波数１０
０ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給することので
きる高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けられた穴か
ら真空容器内にガスを供給することを特徴とする。
空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給
装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空
容器内に基板を載置するための基板電極と、基板電極に
対向して設けられたアンテナと、アンテナに周波数１０
０ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給することので
きる高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けられた穴か
ら真空容器内にガスを供給することを特徴とする。
【００３０】本願の第３発明のプラズマ処理装置は、ア
ンテナと真空容器の間に誘電板が挟まれており、アンテ
ナ及び誘電板が真空容器内に突出した構造をなす場合に
も有効な装置である。
ンテナと真空容器の間に誘電板が挟まれており、アンテ
ナ及び誘電板が真空容器内に突出した構造をなす場合に
も有効な装置である。
【００３１】また、この場合、好適には、誘電板の中心
付近に設けられた貫通穴を介してアンテナに高周波電圧
を給電し、誘電板の中心とも周辺とも異なる一部位に設
けられ、かつ、アンテナの中心に対してほぼ等配置され
ている貫通穴を介して、アンテナと真空容器とをショー
トピンによって短絡することが望ましい。
付近に設けられた貫通穴を介してアンテナに高周波電圧
を給電し、誘電板の中心とも周辺とも異なる一部位に設
けられ、かつ、アンテナの中心に対してほぼ等配置され
ている貫通穴を介して、アンテナと真空容器とをショー
トピンによって短絡することが望ましい。
【００３２】また、好適には、アンテナと真空容器との
間に設けられた環状でかつ溝状のプラズマトラップによ
って、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を
処理することが望ましい。
間に設けられた環状でかつ溝状のプラズマトラップによ
って、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を
処理することが望ましい。
【００３３】本願の第３発明のプラズマ処理装置は、金
属体が、真空容器の側壁面の一部を構成するリングであ
る場合にも有効な装置である。
属体が、真空容器の側壁面の一部を構成するリングであ
る場合にも有効な装置である。
【００３４】また、金属体が、アンテナとの間にプラズ
マトラップを構成するよう配置されたリングである場合
にも有効な装置である。
マトラップを構成するよう配置されたリングである場合
にも有効な装置である。
【００３５】本願の第４発明のプラズマ処理装置は、真
空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給
装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空
容器内に基板を載置するための基板電極と、基板電極に
対向して設けられた対向電極と、基板電極または対向電
極に周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供
給することのできる高周波電源とを備えたプラズマ処理
装置であって、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッシュ
に設けられた穴から真空容器内にガスを供給することを
特徴とする。
空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給
装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空
容器内に基板を載置するための基板電極と、基板電極に
対向して設けられた対向電極と、基板電極または対向電
極に周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供
給することのできる高周波電源とを備えたプラズマ処理
装置であって、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッシュ
に設けられた穴から真空容器内にガスを供給することを
特徴とする。
【００３６】本願の第３または第４発明のプラズマ処理
装置において、好適には、誘電体ブッシュが、金属体ま
たは対向電極に設けられたタップにねじ込まれたボルト
であることが望ましい。
装置において、好適には、誘電体ブッシュが、金属体ま
たは対向電極に設けられたタップにねじ込まれたボルト
であることが望ましい。
【００３７】また、好適には、誘電体ブッシュの真空容
器内壁面側に、誘電体ブッシュを回転させて金属板また
は対向電極にねじ込むためのドライバーまたはレンチ用
座グリが設けられていることが望ましい。
器内壁面側に、誘電体ブッシュを回転させて金属板また
は対向電極にねじ込むためのドライバーまたはレンチ用
座グリが設けられていることが望ましい。
【００３８】また、好適には、誘電体ブッシュが、金属
体または対向電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出し
ていることが望ましい。
体または対向電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出し
ていることが望ましい。
【００３９】さらに、好適には、誘電体ブッシュが、金
属体または対向電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出して
いることが望ましい。
属体または対向電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出して
いることが望ましい。
【００４０】また、誘電体ブッシュが、金属体または対
向電極の表面から突出している場合においては、誘電体
ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部を覆うように取り付けられていることが望ましい。
向電極の表面から突出している場合においては、誘電体
ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部を覆うように取り付けられていることが望ましい。
【００４１】また、好適には、誘電体ブッシュに設けら
れた穴の大きさが、直径０．２乃至２ｍｍであることが
望ましい。
れた穴の大きさが、直径０．２乃至２ｍｍであることが
望ましい。
【００４２】さらに、好適には、誘電体ブッシュに設け
られた穴の大きさが、直径０．４乃至０．８ｍｍである
ことが望ましい。
られた穴の大きさが、直径０．４乃至０．８ｍｍである
ことが望ましい。
【００４３】本願の第３または第４発明のプラズマ処理
装置は、アンテナ、基板電極または対向電極に印加する
高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚである
場合に、とくに有効なプラズマ処理装置である。
装置は、アンテナ、基板電極または対向電極に印加する
高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚである
場合に、とくに有効なプラズマ処理装置である。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態につ
いて、図１乃至図３を参照して説明する。
いて、図１乃至図３を参照して説明する。
【００４５】図１に、本発明の第１実施形態において用
いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図１において、
真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入
しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、
真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高
周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器
１内に突出して設けられたアンテナ５に供給することに
より、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上
に載置された基板７に対してプラズマ処理を行うことが
できる。また、基板電極６に高周波電力を供給するため
の基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に
到達するイオンエネルギーを制御することができるよう
になっている。アンテナ５へ供給される高周波電圧は、
給電棒９により、アンテナ５の中心付近へ給電される。
また、アンテナ５の中心とも周辺とも異なる複数の部位
と真空容器１の基板７に対向する面１’とが、ショート
ピン１０により短絡されている。アンテナ５と真空容器
１との間に誘電板１１が挟まれ、給電棒９及びショート
ピン１０は、誘電板１１に設けられた貫通穴を介してそ
れぞれアンテナ５とアンテナ用高周波電源４、アンテナ
５と真空容器１’とを接続している。また、アンテナ５
の表面は、カバー１２により覆われている。また、誘電
板１１と誘電板１１の周辺部に設けられた誘電体リング
１３との間の溝状の空間と、アンテナ５とアンテナ５の
周辺部に設けられた導体リング１４との間の溝状の空間
からなるプラズマトラップ１５が設けられている。ガス
は、真空容器の側壁面の一部を構成する金属リング１６
に設けられた誘電体ブッシュ１７に設けられたガス供給
穴（図示しない）から、真空容器１内へ導入される。
いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図１において、
真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入
しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、
真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高
周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器
１内に突出して設けられたアンテナ５に供給することに
より、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上
に載置された基板７に対してプラズマ処理を行うことが
できる。また、基板電極６に高周波電力を供給するため
の基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に
到達するイオンエネルギーを制御することができるよう
になっている。アンテナ５へ供給される高周波電圧は、
給電棒９により、アンテナ５の中心付近へ給電される。
また、アンテナ５の中心とも周辺とも異なる複数の部位
と真空容器１の基板７に対向する面１’とが、ショート
ピン１０により短絡されている。アンテナ５と真空容器
１との間に誘電板１１が挟まれ、給電棒９及びショート
ピン１０は、誘電板１１に設けられた貫通穴を介してそ
れぞれアンテナ５とアンテナ用高周波電源４、アンテナ
５と真空容器１’とを接続している。また、アンテナ５
の表面は、カバー１２により覆われている。また、誘電
板１１と誘電板１１の周辺部に設けられた誘電体リング
１３との間の溝状の空間と、アンテナ５とアンテナ５の
周辺部に設けられた導体リング１４との間の溝状の空間
からなるプラズマトラップ１５が設けられている。ガス
は、真空容器の側壁面の一部を構成する金属リング１６
に設けられた誘電体ブッシュ１７に設けられたガス供給
穴（図示しない）から、真空容器１内へ導入される。
【００４６】図２に、誘電体ブッシュ１７近傍の詳細図
を示す。誘電体ブッシュ１７の真空容器内壁面側に、誘
電体ブッシュ１７を回転させて金属リング１６にねじ込
むためのドライバー用座グリ１９が設けられている。そ
して、金属リング１６には、誘電体ブッシュ１７をねじ
込むためのタップ２０が設けられている。誘電体ブッシ
ュ１７は、ボルト状である。また、誘電体ブッシュ１７
は、金属リング１６の表面から５ｍｍ突出している。誘
電体ブッシュ１７は、金属リング１６に設けられた穴の
端部２１を覆うように取り付けられている。誘電体ブッ
シュ１７に設けられたガス供給穴１８の大きさは、直径
０．５ｍｍである。また、誘電体ブッシュ１７は、金属
リング１６に合計８個設けられており、ほぼ等方的にガ
スを真空容器１内に噴出できるようになっている。アン
テナ５の平面図を図３に示す。図３において、ショート
ピン１０は３ヶ所に設けられており、それぞれのショー
トピン１０がアンテナ５の中心に対して等配置されてい
る。
を示す。誘電体ブッシュ１７の真空容器内壁面側に、誘
電体ブッシュ１７を回転させて金属リング１６にねじ込
むためのドライバー用座グリ１９が設けられている。そ
して、金属リング１６には、誘電体ブッシュ１７をねじ
込むためのタップ２０が設けられている。誘電体ブッシ
ュ１７は、ボルト状である。また、誘電体ブッシュ１７
は、金属リング１６の表面から５ｍｍ突出している。誘
電体ブッシュ１７は、金属リング１６に設けられた穴の
端部２１を覆うように取り付けられている。誘電体ブッ
シュ１７に設けられたガス供給穴１８の大きさは、直径
０．５ｍｍである。また、誘電体ブッシュ１７は、金属
リング１６に合計８個設けられており、ほぼ等方的にガ
スを真空容器１内に噴出できるようになっている。アン
テナ５の平面図を図３に示す。図３において、ショート
ピン１０は３ヶ所に設けられており、それぞれのショー
トピン１０がアンテナ５の中心に対して等配置されてい
る。
【００４７】図１乃至図３に示すプラズマ処理装置にお
いて、イリジウム膜付き基板をエッチングした。エッチ
ング条件は、アルゴン／塩素＝２６０／２０ｓｃｃｍ、
圧力＝０．３Ｐａ、アンテナ電力＝１５００Ｗ、基板電
極電力＝４００Ｗである。ガスの総流量が２６０＋２０
＝２８０ｓｃｃｍで、ガス供給穴の数が８であるから、
ガス供給穴１個当たりのガス供給量は、２８０／８＝３
５ｓｃｃｍである。このような条件でエッチング処理し
たところ、ガス供給穴１８でのホローカソード放電は発
生せず、良好な放電状態を得ることができた。
いて、イリジウム膜付き基板をエッチングした。エッチ
ング条件は、アルゴン／塩素＝２６０／２０ｓｃｃｍ、
圧力＝０．３Ｐａ、アンテナ電力＝１５００Ｗ、基板電
極電力＝４００Ｗである。ガスの総流量が２６０＋２０
＝２８０ｓｃｃｍで、ガス供給穴の数が８であるから、
ガス供給穴１個当たりのガス供給量は、２８０／８＝３
５ｓｃｃｍである。このような条件でエッチング処理し
たところ、ガス供給穴１８でのホローカソード放電は発
生せず、良好な放電状態を得ることができた。
【００４８】このように、ホローカソード放電が抑制で
きた理由は、ガス供給穴１８における高周波電界が従来
例に比べて弱まったためであると考えられる。ホローカ
ソード放電の起き易さは、ガスの流速や圧力勾配にも大
きく影響を受けるが、ガス供給穴に到達する高周波電界
の影響も大きいものと考えられる。ガス供給穴１８の周
辺を誘電体としたことと、誘電体ブッシュ１７を金属リ
ング１６の表面から５ｍｍ突出させたことにより、ガス
供給穴１８の出口における高周波電界が弱められ、ホロ
ーカソード放電を抑制できたものと考えられる。
きた理由は、ガス供給穴１８における高周波電界が従来
例に比べて弱まったためであると考えられる。ホローカ
ソード放電の起き易さは、ガスの流速や圧力勾配にも大
きく影響を受けるが、ガス供給穴に到達する高周波電界
の影響も大きいものと考えられる。ガス供給穴１８の周
辺を誘電体としたことと、誘電体ブッシュ１７を金属リ
ング１６の表面から５ｍｍ突出させたことにより、ガス
供給穴１８の出口における高周波電界が弱められ、ホロ
ーカソード放電を抑制できたものと考えられる。
【００４９】以上述べた本発明の第１実施形態において
は、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、アンテ
ナの形状及び配置等に関して様々なバリエーションのう
ちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあた
り、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考
えられることは、いうまでもない。
は、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、アンテ
ナの形状及び配置等に関して様々なバリエーションのう
ちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあた
り、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考
えられることは、いうまでもない。
【００５０】以上述べた本発明の第１実施形態において
は、誘電板の中心付近に設けられた貫通穴を介してアン
テナに高周波電圧を給電し、誘電板の中心とも周辺とも
異なる一部位に設けられ、かつ、アンテナの中心に対し
てほぼ等配置されている貫通穴を介して、アンテナと真
空容器とをショートピンによって短絡する場合について
説明したが、このような構成とすることでプラズマの等
方性をより高めることができる。基板が小さい場合など
は、ショートピンを用いなくても、十分に高い面内均一
性が得られることは、いうまでもない。
は、誘電板の中心付近に設けられた貫通穴を介してアン
テナに高周波電圧を給電し、誘電板の中心とも周辺とも
異なる一部位に設けられ、かつ、アンテナの中心に対し
てほぼ等配置されている貫通穴を介して、アンテナと真
空容器とをショートピンによって短絡する場合について
説明したが、このような構成とすることでプラズマの等
方性をより高めることができる。基板が小さい場合など
は、ショートピンを用いなくても、十分に高い面内均一
性が得られることは、いうまでもない。
【００５１】また、以上述べた本発明の第１実施形態に
おいて、アンテナと真空容器との間に設けられた環状で
かつ溝状のプラズマトラップによって、基板上のプラズ
マ分布が制御された状態で基板を処理する場合について
説明したが、このような構成とすることでプラズマの均
一性をより高めることができる。基板が小さい場合など
は、プラズマトラップを用いなくても、十分に高い面内
均一性が得られることは、いうまでもない。
おいて、アンテナと真空容器との間に設けられた環状で
かつ溝状のプラズマトラップによって、基板上のプラズ
マ分布が制御された状態で基板を処理する場合について
説明したが、このような構成とすることでプラズマの均
一性をより高めることができる。基板が小さい場合など
は、プラズマトラップを用いなくても、十分に高い面内
均一性が得られることは、いうまでもない。
【００５２】また、アンテナとして図８の従来例に示し
た誘導結合プラズマ源におけるコイル２３や、図４に示
す表面波プラズマ源における電磁波放射アンテナ２６な
どを用いる場合にも、本発明は有効である。
た誘導結合プラズマ源におけるコイル２３や、図４に示
す表面波プラズマ源における電磁波放射アンテナ２６な
どを用いる場合にも、本発明は有効である。
【００５３】また、以上述べた本発明の第１実施形態に
おいて、誘電体ブッシュが埋め込まれた金属体が、真空
容器の側壁面の一部を構成するリングである場合につい
て説明したが、図５に示すように、誘電体ブッシュが埋
め込まれた金属体が、アンテナとの間にプラズマトラッ
プを構成するよう配置された導体リング１４である場合
にも有効な方法である。
おいて、誘電体ブッシュが埋め込まれた金属体が、真空
容器の側壁面の一部を構成するリングである場合につい
て説明したが、図５に示すように、誘電体ブッシュが埋
め込まれた金属体が、アンテナとの間にプラズマトラッ
プを構成するよう配置された導体リング１４である場合
にも有効な方法である。
【００５４】次に、本発明の第２実施形態について、図
６乃至図７を参照して説明する。
６乃至図７を参照して説明する。
【００５５】図６に、本発明の第２実施形態において用
いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図６において、
真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入
しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、
真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、基板電極用高
周波電源８により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、基
板電極６に供給することにより、真空容器１内にプラズ
マが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対して
プラズマ処理を行うことができる。基板電極６に対向し
て対向電極２２が設けられており、ガスは、対向電極２
２に設けられた誘電体ブッシュ１７に設けられたガス供
給穴（図示しない）から、真空容器１内へ導入される。
いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図６において、
真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入
しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、
真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、基板電極用高
周波電源８により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、基
板電極６に供給することにより、真空容器１内にプラズ
マが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対して
プラズマ処理を行うことができる。基板電極６に対向し
て対向電極２２が設けられており、ガスは、対向電極２
２に設けられた誘電体ブッシュ１７に設けられたガス供
給穴（図示しない）から、真空容器１内へ導入される。
【００５６】図７に、誘電体ブッシュ１７近傍の詳細図
を示す。誘電体ブッシュ１７の真空容器内壁面側に、誘
電体ブッシュ１７を回転させて対向電極２２にねじ込む
ためのドライバー用座グリ１９が設けられている。そし
て、対向電極２２には、誘電体ブッシュ１７をねじ込む
ためのタップ２０が設けられている。誘電体ブッシュ１
７は、ボルト状である。また、誘電体ブッシュ１７は、
対向電極２２の表面から５ｍｍ突出している。誘電体ブ
ッシュ１７は、対向電極２２に設けられた穴の端部２１
を覆うように取り付けられている。誘電体ブッシュ１７
に設けられたガス供給穴１８の大きさは、直径０．５ｍ
ｍである。また、誘電体ブッシュ１７は、対向電極２２
に合計８０個設けられており、基板に向かってガスを真
空容器１内に噴出できるようになっている。
を示す。誘電体ブッシュ１７の真空容器内壁面側に、誘
電体ブッシュ１７を回転させて対向電極２２にねじ込む
ためのドライバー用座グリ１９が設けられている。そし
て、対向電極２２には、誘電体ブッシュ１７をねじ込む
ためのタップ２０が設けられている。誘電体ブッシュ１
７は、ボルト状である。また、誘電体ブッシュ１７は、
対向電極２２の表面から５ｍｍ突出している。誘電体ブ
ッシュ１７は、対向電極２２に設けられた穴の端部２１
を覆うように取り付けられている。誘電体ブッシュ１７
に設けられたガス供給穴１８の大きさは、直径０．５ｍ
ｍである。また、誘電体ブッシュ１７は、対向電極２２
に合計８０個設けられており、基板に向かってガスを真
空容器１内に噴出できるようになっている。
【００５７】図６乃至図７に示すプラズマ処理装置にお
いて、アルミニウム膜付き基板をエッチングした。エッ
チング条件は、塩素／三塩化ホウ素／アルゴン＝２００
／６００／８００ｓｃｃｍ、圧力＝５Ｐａ、基板電極電
力＝４ｋＷである。ガスの総流量が２００＋６００＋８
００＝１６００ｓｃｃｍで、ガス供給穴の数が８０であ
るから、ガス供給穴１個当たりのガス供給量は、１６０
０／８０＝２０ｓｃｃｍである。このような条件でエッ
チング処理したところ、ガス供給穴１８でのホローカソ
ード放電は発生せず、良好な放電状態を得ることができ
た。
いて、アルミニウム膜付き基板をエッチングした。エッ
チング条件は、塩素／三塩化ホウ素／アルゴン＝２００
／６００／８００ｓｃｃｍ、圧力＝５Ｐａ、基板電極電
力＝４ｋＷである。ガスの総流量が２００＋６００＋８
００＝１６００ｓｃｃｍで、ガス供給穴の数が８０であ
るから、ガス供給穴１個当たりのガス供給量は、１６０
０／８０＝２０ｓｃｃｍである。このような条件でエッ
チング処理したところ、ガス供給穴１８でのホローカソ
ード放電は発生せず、良好な放電状態を得ることができ
た。
【００５８】このように、ホローカソード放電が抑制で
きた理由は、ガス供給穴１８における高周波電界が従来
例に比べて弱まったためであると考えられる。ホローカ
ソード放電の起き易さは、ガスの流速や圧力勾配にも大
きく影響を受けるが、ガス供給穴に到達する高周波電界
の影響も大きいものと考えられる。ガス供給穴１８の周
辺を誘電体としたことと、誘電体ブッシュ１７を対向電
極２２の表面から５ｍｍ突出させたことにより、ガス供
給穴１８の出口における高周波電界が弱められ、ホロー
カソード放電を抑制できたものと考えられる。
きた理由は、ガス供給穴１８における高周波電界が従来
例に比べて弱まったためであると考えられる。ホローカ
ソード放電の起き易さは、ガスの流速や圧力勾配にも大
きく影響を受けるが、ガス供給穴に到達する高周波電界
の影響も大きいものと考えられる。ガス供給穴１８の周
辺を誘電体としたことと、誘電体ブッシュ１７を対向電
極２２の表面から５ｍｍ突出させたことにより、ガス供
給穴１８の出口における高周波電界が弱められ、ホロー
カソード放電を抑制できたものと考えられる。
【００５９】以上述べた本発明の実施形態においては、
誘電体ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた
タップにねじ込まれたボルトである場合について説明し
たが、誘電体ブッシュは必ずしもボルト状である必要は
なく、くさび状に金属体または対向電極に埋め込まれた
ものであってもよい。しかし、誘電体ブッシュがボルト
である場合には、消耗部品としての誘電体ブッシュの交
換が容易であるという利点がある。
誘電体ブッシュが、金属体または対向電極に設けられた
タップにねじ込まれたボルトである場合について説明し
たが、誘電体ブッシュは必ずしもボルト状である必要は
なく、くさび状に金属体または対向電極に埋め込まれた
ものであってもよい。しかし、誘電体ブッシュがボルト
である場合には、消耗部品としての誘電体ブッシュの交
換が容易であるという利点がある。
【００６０】また、誘電体ブッシュの真空容器内壁面側
に、誘電体ブッシュを回転させて金属板または対向電極
にねじ込むためのドライバー用座グリが設けられている
場合について説明したが、ドライバー用座グリに限ら
ず、レンチ等様々な工具にあった形状を工夫することが
できる。また、誘電体ブッシュがくさび状である場合に
は、座グリは無くてもよいことは、いうまでもない。
に、誘電体ブッシュを回転させて金属板または対向電極
にねじ込むためのドライバー用座グリが設けられている
場合について説明したが、ドライバー用座グリに限ら
ず、レンチ等様々な工具にあった形状を工夫することが
できる。また、誘電体ブッシュがくさび状である場合に
は、座グリは無くてもよいことは、いうまでもない。
【００６１】また、誘電体ブッシュが、金属体または対
向電極の表面から５ｍｍ突出している場合について説明
したが、我々は、概ね０．５ｍｍ以上突出していること
が望ましいという実験結果を得ているので、突出長がこ
の範囲にあることが望ましい。しかし、あまり突出しす
ぎていると、誘電体ブッシュの欠けが生じる恐れがある
ので、概ね２０ｍｍ以下の突出にとどめた方がよい。確
実にホローカソード放電を抑制し、かつ、誘電体ブッシ
ュの欠けを防止できる突出長として、１乃至１０ｍｍ程
度が最適であると考えられる。
向電極の表面から５ｍｍ突出している場合について説明
したが、我々は、概ね０．５ｍｍ以上突出していること
が望ましいという実験結果を得ているので、突出長がこ
の範囲にあることが望ましい。しかし、あまり突出しす
ぎていると、誘電体ブッシュの欠けが生じる恐れがある
ので、概ね２０ｍｍ以下の突出にとどめた方がよい。確
実にホローカソード放電を抑制し、かつ、誘電体ブッシ
ュの欠けを防止できる突出長として、１乃至１０ｍｍ程
度が最適であると考えられる。
【００６２】また、誘電体ブッシュが、金属体または対
向電極に設けられた穴の端部を覆うように取り付けられ
ている場合について説明したが、このような構成とする
ことにより、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部がプラズマに長時間曝されることによって劣化するこ
とを、効果的に防止することができる点において、好ま
しい。
向電極に設けられた穴の端部を覆うように取り付けられ
ている場合について説明したが、このような構成とする
ことにより、金属体または対向電極に設けられた穴の端
部がプラズマに長時間曝されることによって劣化するこ
とを、効果的に防止することができる点において、好ま
しい。
【００６３】また、誘電体ブッシュに設けられた穴の大
きさが、直径０．５ｍｍである場合について説明した
が、我々は、穴の大きさが小さいほどホローカソード放
電が起きにくいという実験結果を得ているので、穴の大
きさは概ね２ｍｍ以下であることが望ましい。しかし、
あまり小さすぎるものは加工が困難であるので、穴の直
径は概ね０．２ｍｍ以上とした方がよい。確実にホロー
カソード放電を抑制し、かつ、加工が容易である穴直径
として、０．４乃至０．８ｍｍ程度が最適であると考え
られる。
きさが、直径０．５ｍｍである場合について説明した
が、我々は、穴の大きさが小さいほどホローカソード放
電が起きにくいという実験結果を得ているので、穴の大
きさは概ね２ｍｍ以下であることが望ましい。しかし、
あまり小さすぎるものは加工が困難であるので、穴の直
径は概ね０．２ｍｍ以上とした方がよい。確実にホロー
カソード放電を抑制し、かつ、加工が容易である穴直径
として、０．４乃至０．８ｍｍ程度が最適であると考え
られる。
【００６４】また、誘電体ブッシュに設けられた穴１個
当たりのガス供給量が、３５ｓｃｃｍである場合、２０
ｓｃｃｍである場合について説明したが、穴１個当たり
のガス供給量は小さいほどホローカソード放電は起きに
くいので、穴１個当たりのガス供給量は、概ね２００ｓ
ｃｃｍ以下であることが望ましい。より確実にホローカ
ソード放電を抑制するには、誘電体ブッシュに設けられ
た穴１個当たりのガス供給量は、５０ｓｃｃｍ以下であ
ることが望ましい。こうした条件を満たすためには、プ
ラズマ処理におけるガス流量を減らすことの他に、ガス
供給穴の数を増す方法があることはいうまでもない。
当たりのガス供給量が、３５ｓｃｃｍである場合、２０
ｓｃｃｍである場合について説明したが、穴１個当たり
のガス供給量は小さいほどホローカソード放電は起きに
くいので、穴１個当たりのガス供給量は、概ね２００ｓ
ｃｃｍ以下であることが望ましい。より確実にホローカ
ソード放電を抑制するには、誘電体ブッシュに設けられ
た穴１個当たりのガス供給量は、５０ｓｃｃｍ以下であ
ることが望ましい。こうした条件を満たすためには、プ
ラズマ処理におけるガス流量を減らすことの他に、ガス
供給穴の数を増す方法があることはいうまでもない。
【００６５】また、ガスが、アルゴンガスを主体とする
混合ガスである場合について説明したが、我々は、ガス
の種類によってホローカソード放電の起き易さが異なっ
ており、アルゴンガスの場合これが非常に起きやすいこ
とを経験的に確かめており、本発明はとくに、ガスが、
アルゴンガスを主体とする混合ガスである場合に有効な
方法である。しかし、他のガスを用いる場合であって
も、本発明はホローカソード放電の抑制に極めて有効な
方法である。
混合ガスである場合について説明したが、我々は、ガス
の種類によってホローカソード放電の起き易さが異なっ
ており、アルゴンガスの場合これが非常に起きやすいこ
とを経験的に確かめており、本発明はとくに、ガスが、
アルゴンガスを主体とする混合ガスである場合に有効な
方法である。しかし、他のガスを用いる場合であって
も、本発明はホローカソード放電の抑制に極めて有効な
方法である。
【００６６】また、真空容器内の圧力が、０．３Ｐａで
ある場合、５Ｐａである場合について説明したが、真空
容器内の圧力が低いほどホローカソード放電は起き易い
ので、本発明は、真空容器内の圧力が１０Ｐａ以下であ
る場合に、有効な方法である。さらに、真空容器内の圧
力が、１Ｐａ以下である場合に、とくに有効な方法であ
る。
ある場合、５Ｐａである場合について説明したが、真空
容器内の圧力が低いほどホローカソード放電は起き易い
ので、本発明は、真空容器内の圧力が１０Ｐａ以下であ
る場合に、有効な方法である。さらに、真空容器内の圧
力が、１Ｐａ以下である場合に、とくに有効な方法であ
る。
【００６７】また、アンテナ、基板電極または対向電極
に印加する高周波電力の周波数が、１００ＭＨｚまたは
１３．５６ＭＨｚである場合について説明したが、低圧
力化でのプラズマ処理には、１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚ
の高周波電力を用いることができ、そのすべての領域に
おいて本発明は有効である。しかし、高周波電力の周波
数が高いほど、電磁波が広い範囲に拡がっていく傾向が
あるので、ガス供給穴における高周波電界も大きくなり
やすい。したがって、本発明は、高周波電力の周波数が
高い場合、とくに、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚである場合
に、有効な方法である。
に印加する高周波電力の周波数が、１００ＭＨｚまたは
１３．５６ＭＨｚである場合について説明したが、低圧
力化でのプラズマ処理には、１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚ
の高周波電力を用いることができ、そのすべての領域に
おいて本発明は有効である。しかし、高周波電力の周波
数が高いほど、電磁波が広い範囲に拡がっていく傾向が
あるので、ガス供給穴における高周波電界も大きくなり
やすい。したがって、本発明は、高周波電力の周波数が
高い場合、とくに、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚである場合
に、有効な方法である。
【００６８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガ
スを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定
の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置さ
れた基板に対向して設けられたアンテナに、周波数１０
０ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理する
プラズマ処理方法であって、金属体に埋め込まれた誘電
体ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給
するため、ガス供給穴でのホローカソード放電が起きに
くいプラズマ処理を実現できる。
第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガ
スを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定
の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置さ
れた基板に対向して設けられたアンテナに、周波数１０
０ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理する
プラズマ処理方法であって、金属体に埋め込まれた誘電
体ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給
するため、ガス供給穴でのホローカソード放電が起きに
くいプラズマ処理を実現できる。
【００６９】また、本願の第２発明のプラズマ処理方法
によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を
排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空
容器内の基板電極または基板電極に対向して設けられた
対向電極に、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波
電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発
生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法であって、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッ
シュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給するた
め、ガス供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプ
ラズマ処理を実現できる。
によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を
排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空
容器内の基板電極または基板電極に対向して設けられた
対向電極に、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波
電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発
生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法であって、対向電極に埋め込まれた誘電体ブッ
シュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給するた
め、ガス供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプ
ラズマ処理を実現できる。
【００７０】また、本願の第３発明のプラズマ処理装置
によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するた
めのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気
装置と、真空容器内に基板を載置するための基板電極
と、基板電極に対向して設けられたアンテナと、アンテ
ナに周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供
給することのできる高周波電源とを備えたプラズマ処理
装置であって、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに
設けられた穴から真空容器内にガスを供給するため、ガ
ス供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプラズマ
処理を実現できる。
によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するた
めのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気
装置と、真空容器内に基板を載置するための基板電極
と、基板電極に対向して設けられたアンテナと、アンテ
ナに周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供
給することのできる高周波電源とを備えたプラズマ処理
装置であって、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに
設けられた穴から真空容器内にガスを供給するため、ガ
ス供給穴でのホローカソード放電が起きにくいプラズマ
処理を実現できる。
【００７１】また、本願の第４発明のプラズマ処理装置
によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するた
めのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気
装置と、真空容器内に基板を載置するための基板電極
と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、基板電
極または対向電極に周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの
高周波電力を供給することのできる高周波電源とを備え
たプラズマ処理装置であって、対向電極に埋め込まれた
誘電体ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガスを
供給するため、ガス供給穴でのホローカソード放電が起
きにくいプラズマ処理を実現できる。
によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するた
めのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気
装置と、真空容器内に基板を載置するための基板電極
と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、基板電
極または対向電極に周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの
高周波電力を供給することのできる高周波電源とを備え
たプラズマ処理装置であって、対向電極に埋め込まれた
誘電体ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガスを
供給するため、ガス供給穴でのホローカソード放電が起
きにくいプラズマ処理を実現できる。
【図１】本発明の第１実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図
置の構成を示す断面図
【図２】本発明の第１実施形態で用いた誘電体ブッシュ
近傍の詳細図
近傍の詳細図
【図３】本発明の第１実施形態で用いたアンテナの平面
図
図
【図４】本発明を表面波プラズマ源方式プラズマ処理装
置に適用した場合の構成を示す断面図
置に適用した場合の構成を示す断面図
【図５】本発明の第１実施形態の変形例であるプラズマ
処理装置の構成を示す断面図
処理装置の構成を示す断面図
【図６】本発明の第２実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図
置の構成を示す断面図
【図７】本発明の第２実施形態で用いた誘電体ブッシュ
近傍の詳細図
近傍の詳細図
【図８】従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す
断面図
断面図
１ 真空容器 ２ ガス供給装置 ３ ポンプ ４ アンテナ用高周波電源 ５ アンテナ ６ 基板電極 ７ 基板 ８ 基板電極用高周波電源 ９ 給電棒 １０ ショートピン １１ 誘電板 １２ カバー １３ 誘電体リング １４ 導体リング １５ プラズマトラップ １６ 金属リング １７ 誘電体ブッシュ
フロントページの続き (72)発明者 松田 出 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DB01 DB05 DD01 DE01 DE14 DE20 DM05 DM18 DM37 DN01 5F004 AA16 BA20 BB11 BC08 DA04 DA11 DA23 DB08 DB09 5F045 AA08 BB14 DP03 DP04 DQ10 EF01 EH02 EH11
Claims (35)
- 【請求項１】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設け
られたアンテナに、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの
高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズ
マを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であっ
て、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシュに設けられた
穴から真空容器内にガスを供給することを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項２】 アンテナと真空容器の間に誘電板が挟ま
れており、アンテナ及び誘電板が真空容器内に突出した
構造をなすことを特徴とする、請求項１記載のプラズマ
処理方法。 - 【請求項３】 誘電板の中心付近に設けられた貫通穴を
介してアンテナに高周波電圧を給電し、誘電板の中心と
も周辺とも異なる一部位に設けられ、かつ、アンテナの
中心に対してほぼ等配置されている貫通穴を介して、ア
ンテナと真空容器とをショートピンによって短絡するこ
とを特徴とする、請求項２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】 アンテナと真空容器との間に設けられた
環状でかつ溝状のプラズマトラップによって、基板上の
プラズマ分布が制御された状態で基板を処理することを
特徴とする、請求項２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 金属体が、真空容器の側壁面の一部を構
成するリングであることを特徴とする、請求項１記載の
プラズマ処理方法。 - 【請求項６】 金属体が、アンテナとの間にプラズマト
ラップを構成するよう配置されたリングであることを特
徴とする、請求項４記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項７】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
真空容器内の基板電極または基板電極に対向して設けら
れた対向電極に、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高
周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマ
を発生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラ
ズマ処理方法であって、対向電極に埋め込まれた誘電体
ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給す
ることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項８】 誘電体ブッシュが、金属体または対向電
極に設けられたタップにねじ込まれたボルトであること
を特徴とする、請求項１または７記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項９】 誘電体ブッシュの真空容器内壁面側に、
誘電体ブッシュを回転させて金属板または対向電極にね
じ込むためのドライバーまたはレンチ用座グリが設けら
れていることを特徴とする、請求項１または７記載のプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項１０】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出していることを
特徴とする、請求項１または７記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項１１】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出していることを特徴
とする、請求項１または７記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１２】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極に設けられた穴の端部を覆うように取り付けられて
いることを特徴とする、請求項１０または１１記載のプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項１３】 誘電体ブッシュに設けられた穴の大き
さが、直径０．２乃至２ｍｍであることを特徴とする、
請求項１または７記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１４】 誘電体ブッシュに設けられた穴の大き
さが、直径０．４乃至０．８ｍｍであることを特徴とす
る、請求項１または７記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１５】 誘電体ブッシュに設けられた穴１個当
たりのガス供給量が、２００ｓｃｃｍ以下であることを
特徴とする、請求項１または７記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項１６】 誘電体ブッシュに設けられた穴１個当
たりのガス供給量が、５０ｓｃｃｍ以下であることを特
徴とする、請求項１または７記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１７】 ガスが、アルゴンガスを主体とする混
合ガスであることを特徴とする、請求項１または７記載
のプラズマ処理方法。 - 【請求項１８】 真空容器内の圧力が、１０Ｐａ以下で
あることを特徴とする、請求項１または７記載のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項１９】 真空容器内の圧力が、１Ｐａ以下であ
ることを特徴とする、請求項１または７記載のプラズマ
処理方法。 - 【請求項２０】 アンテナ、基板電極または対向電極に
印加する高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨ
ｚであることを特徴とする、請求項１または７記載のプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項２１】 真空容器と、真空容器内にガスを供給
するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するため
の排気装置と、真空容器内に基板を載置するための基板
電極と、基板電極に対向して設けられたアンテナと、ア
ンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力
を供給することのできる高周波電源とを備えたプラズマ
処理装置であって、金属体に埋め込まれた誘電体ブッシ
ュに設けられた穴から真空容器内にガスを供給する手段
を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２２】 アンテナと真空容器の間に誘電板が挟
まれており、アンテナ及び誘電板が真空容器内に突出し
た構造をなすことを特徴とする、請求項２１記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項２３】 誘電板の中心付近に設けられた貫通穴
を介してアンテナに高周波電圧を給電し、誘電板の中心
とも周辺とも異なる一部位に設けられ、かつ、アンテナ
の中心に対してほぼ等配置されている貫通穴を介して、
アンテナと真空容器とをショートピンによって短絡する
ことを特徴とする、請求項２２記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項２４】 アンテナと真空容器との間に設けられ
た環状でかつ溝状のプラズマトラップによって、基板上
のプラズマ分布が制御された状態で基板を処理すること
を特徴とする、請求項２２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２５】 金属体が、真空容器の側壁面の一部を
構成するリングであることを特徴とする、請求項２１記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２６】 金属体が、アンテナとの間にプラズマ
トラップを構成するよう配置されたリングであることを
特徴とする、請求項２４記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２７】 真空容器と、真空容器内にガスを供給
するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するため
の排気装置と、真空容器内に基板を載置するための基板
電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、基
板電極または対向電極に周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨ
ｚの高周波電力を供給することのできる高周波電源とを
備えたプラズマ処理装置であって、対向電極に埋め込ま
れた誘電体ブッシュに設けられた穴から真空容器内にガ
スを供給する手段を備えていることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項２８】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極に設けられたタップにねじ込まれたボルトであるこ
とを特徴とする、請求項２１または２７記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項２９】 誘電体ブッシュの真空容器内壁面側
に、誘電体ブッシュを回転させて金属板または対向電極
にねじ込むためのドライバーまたはレンチ用座グリが設
けられていることを特徴とする、請求項２１または２７
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３０】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極の表面から０．５乃至２０ｍｍ突出していることを
特徴とする、請求項２１または２７記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項３１】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極の表面から１乃至１０ｍｍ突出していることを特徴
とする、請求項２１または２７記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項３２】 誘電体ブッシュが、金属体または対向
電極に設けられた穴の端部を覆うように取り付けられて
いることを特徴とする、請求項３０または３１記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項３３】 誘電体ブッシュに設けられた穴の大き
さが、直径０．２乃至２ｍｍであることを特徴とする、
請求項２１または２７記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３４】 誘電体ブッシュに設けられた穴の大き
さが、直径０．４乃至０．８ｍｍであることを特徴とす
る、請求項２１または２７記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３５】 アンテナ、基板電極または対向電極に
印加する高周波電力の周波数が、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨ
ｚであることを特徴とする、請求項２１または２７記載
のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000237083A JP3482949B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US09/918,823 US6864640B2 (en) | 2000-08-04 | 2001-08-01 | Plasma processing method and apparatus thereof |
| KR10-2001-0046916A KR100449524B1 (ko) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | 플라즈마 처리방법 및 장치 |
| TW090119009A TW498438B (en) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | Plasma processing method and apparatus thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000237083A JP3482949B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050616A true JP2002050616A (ja) | 2002-02-15 |
| JP3482949B2 JP3482949B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=18729003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000237083A Expired - Fee Related JP3482949B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6864640B2 (ja) |
| JP (1) | JP3482949B2 (ja) |
| KR (1) | KR100449524B1 (ja) |
| TW (1) | TW498438B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065133A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-26 | Applied Materials Inc | プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 |
| CN105643180A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-08 | 朱德金 | 一种金属管焊接架 |
| CN113811979A (zh) * | 2019-05-15 | 2021-12-17 | 应用材料公司 | 用于基板工艺腔室的杂散等离子体预防设备 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3723783B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2005-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20090014644A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Inficon, Inc. | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring |
| JP5520455B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR101613432B1 (ko) | 2014-09-23 | 2016-04-20 | 한국생산기술연구원 | 고분자튜브 내면의 표면개질장치 및 이를 이용하는 표면개질방법. |
| US20230047186A1 (en) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | Nano-Master, Inc. | Apparatus and Methods for Roll-to-Roll (R2R) Plasma Enhanced/Activated Atomic Layer Deposition (PEALD/PAALD) |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4208764C2 (de) * | 1992-03-19 | 1994-02-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Gasgefüllter Teilchenbeschleuniger |
| JP3208044B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2001-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2872637B2 (ja) * | 1995-07-10 | 1999-03-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マイクロ波プラズマベースアプリケータ |
| US5907221A (en) * | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
| JPH09148097A (ja) | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子 |
| JP3683332B2 (ja) | 1996-04-02 | 2005-08-17 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5885358A (en) | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| JP3122618B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CA2224699A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-12 | Resonance Ltd. | Hollow electrode electrodeless lamp |
| US6074514A (en) * | 1998-02-09 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
| JP2000091244A (ja) | 1998-06-03 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置を用いて製造した半導体装置、並びに半導体装置で構成したアクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示素子 |
| JP3257512B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2002-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 高周波結合器、プラズマ処理装置及び方法 |
| US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
| TW460610B (en) * | 1999-03-03 | 2001-10-21 | Anelva Corp | A plasma processing system |
| JP3374796B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2003-02-10 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US6310577B1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-10-30 | Bethel Material Research | Plasma processing system with a new inductive antenna and hybrid coupling of electronagnetic power |
| US6603269B1 (en) * | 2000-06-13 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Resonant chamber applicator for remote plasma source |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000237083A patent/JP3482949B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-01 US US09/918,823 patent/US6864640B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-03 TW TW090119009A patent/TW498438B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-03 KR KR10-2001-0046916A patent/KR100449524B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065133A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-26 | Applied Materials Inc | プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置 |
| CN105643180A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-08 | 朱德金 | 一种金属管焊接架 |
| CN113811979A (zh) * | 2019-05-15 | 2021-12-17 | 应用材料公司 | 用于基板工艺腔室的杂散等离子体预防设备 |
| JP2022533584A (ja) * | 2019-05-15 | 2022-07-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバの漂遊プラズマ防止装置 |
| JP7357696B2 (ja) | 2019-05-15 | 2023-10-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバの漂遊プラズマ防止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100449524B1 (ko) | 2004-09-21 |
| KR20020011919A (ko) | 2002-02-09 |
| US6864640B2 (en) | 2005-03-08 |
| US20020047541A1 (en) | 2002-04-25 |
| TW498438B (en) | 2002-08-11 |
| JP3482949B2 (ja) | 2004-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101841585B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP5264231B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001053060A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2002173768A (ja) | プラズマ密度改良のための埋込み式プラズマ源 | |
| JPH10289887A (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
| JP2000323458A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2000331995A (ja) | Ｃｃｐ反応容器の平板型ガス導入装置 | |
| JP2002050616A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3748230B2 (ja) | プラズマエッチング装置及びシャワープレート | |
| JP2001313286A (ja) | 平行平板型ドライエッチング装置 | |
| JP3417328B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3606198B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002306957A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003068718A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003017472A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| KR20080020722A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리 방법 | |
| US6432730B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JPH11238597A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| KR20110110517A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| JP4686668B2 (ja) | プラズマ処理方法と装置 | |
| JP4044368B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| WO2010119947A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2015216384A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2022014879A (ja) | エッジリング及びエッチング装置 | |
| JP2002280198A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071017 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131017 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |