JP2022533584A - 基板処理チャンバの漂遊プラズマ防止装置 - Google Patents
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Abstract
本明細書では、基板処理チャンバのための漂遊プラズマ防止装置が提供される。いくつかの実施形態では、基板処理チャンバ内の漂遊プラズマを防止するための装置は、誘電体材料から形成され、管状本体の第１の端部から第２の端部まで内部を通る中央開口を画定する管状本体と、管状本体の第１の端部から半径方向に延びるフランジとを含む。装置は、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などの処理適合性プラスチック材料から形成することができる。【選択図】図１
Description
［０００１］ 本開示の実施形態は概して、基板処理装置に関し、より具体的には、プラズマ強化基板処理装置に関する。
［０００２］ 半導体業界では、デバイスは、エッチングおよび堆積などの多数の製造工程によって製造されており、作り出される構造のサイズは縮小を続けている。処理副生成物がチャンバ壁の上に堆積すること、および、基板上に望ましくない再堆積が起こることを最小限に抑えるため、ライナが処理チャンバ内に設けられることが多い。加えて、多くのエッチングおよび堆積処理は、しばしば、基板の処理を補助するためにプラズマを利用する。デバイスの幾何学的形状が小さくなるにつれて、いくつかの処理は、より高い電力のプラズマ処理を利用する。本発明者らは、これらのより高い出力のプラズマ処理が、これまではプラズマの発光や侵入から安全であったチャンバの位置で、望ましくないプラズマ発光を引き起こしうることを観察した。
［０００３］ そこで、本発明者らは、基板処理チャンバ用の漂遊プラズマ防止装置を提供した。
［０００４］ 本明細書では、基板処理チャンバのための漂遊プラズマ防止装置が提供される。いくつかの実施形態では、基板処理チャンバ内の漂遊プラズマを防止するための装置は、誘電体材料から形成され、管状本体の第１の端部から第２の端部まで通過する中央開口部を画定する管状本体と、管状本体の第１の端部から半径方向に延びるフランジとを含む。装置は、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などの処理適合性プラスチック材料から形成することができる。
［０００５］ いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、チャンバ壁の内部空間対向側面上にその中に形成された凹部を有するチャンバ壁と、凹部内に部分的に配置された漂遊プラズマを防止するための装置とを含む。漂遊プラズマを防止するための装置は、誘電体材料で形成され、管状本体の第１の端部から第２の端部まで通過する中央開口部を画定する管状本体と、管状本体の第１の端部から半径方向に延びるフランジとを含み、管状本体は凹部内に延び、フランジは凹部の周囲のチャンバ壁に沿って延びる。いくつかの実施形態では、チャンバ壁に隣接してライナが配置され、漂遊プラズマを防止するための装置は、チャンバ壁とライナとの間に配置される。
［０００６］ いくつかの実施形態では、プラズマ処理チャンバ内の漂遊プラズマを低減または防止する方法は、チャンバ壁とプラズマ処理チャンバのライナとの間に誘電体材料を含む漂遊プラズマ防止装置を配置して、漂遊プラズマ防止装置とライナとの対向面の間に、チャンバ壁とライナとの間の距離よりも小さい間隙を画定することを含みうる。漂遊プラズマ防止装置は、本明細書に開示された実施形態のいずれかに記載されたものとすることができる。プラズマ処理チャンバ内では、漂遊プラズマ防止装置を所定の位置に置いてプラズマ処理を行うことができる。
［０００７］ 本開示の他の実施形態およびさらなる実施形態について、以下で説明する。
［０００８］ 上記で簡潔に要約され、以下でより詳細に説明される本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することにより、理解することができる。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、範囲を限定していると見なされるべきではない。
［００１１］ 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりではなく、分かりやすくするために簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくとも、その他の実施形態に有益に組み込まれうる。
［００１２］ 本開示の実施形態は概して、処理チャンバ内の望ましくない漂遊プラズマ形成を防止または制限するのに適したプラズマ防止装置に関する。本発明者らは、プラズマ防止装置が、高プラズマ出力方式での処理に特に有用であることを観察した。加えて、本発明者らは、開示された装置が、チャンバ壁と、チャンバ壁に隣接するライナとの間の位置における望ましくないプラズマ発光（ｐｌａｓｍａ ｌｉｇｈｔ ｕｐ）を防止するのに有用であることを発見した。加えて、本発明者らは、開示された装置が、発光分光法（ＯＥＳ）などに使用されるような、チャンバ壁を貫通して、またはチャンバ壁およびライナを貫通して窓が形成される位置において、チャンバ壁とチャンバ壁に隣接するライナとの間の望ましくないプラズマ発光を防止するのに有用であることを発見した。
［００１３］ 図１は、本開示の少なくともいくつかの実施形態によるプラズマ防止装置を有する半導体処理チャンバ１００の一実施形態の断面図である。処理チャンバ１００は、内部空間１０６を囲むチャンバ本体１０２およびリッド１０４を含む。本明細書に記載のプラズマ防止装置は、処理チャンバの特定の位置における望ましくないプラズマ形成が懸念される他の構成を有する多くの異なる処理チャンバにおいて使用することができるため、図１に記載の処理チャンバ１００は、例示的なものであり、本開示を限定することを意味するものではない。
［００１４］ チャンバ本体１０２は、典型的には、アルミニウム、ステンレス鋼または他の適切な材料から製造される。チャンバ本体１０２は、一般的に、処理チャンバ１００の内部空間１０６を少なくとも部分的に画定するチャンバ壁（例えば、側壁１０８）および底部１１０を含む。処理チャンバ１００への基板１４４の出し入れを容易にするために、基板支持アクセスポート（図示せず）が側壁１０８に画定され、スリットバルブによって選択的に密封される。
［００１５］ １つまたは複数のライナが、チャンバ本体１０２の内部空間１０６内に配置されてもよい。例えば、外側ライナ１１６は、チャンバ本体１０２の側壁１０８に立てかけて、またはその上に配置されてもよい。外側ライナ１１６は、酸化アルミニウムから製造されてもよく、および／または、イットリア、イットリア合金、またはＹ２Ｏ３など、これらの酸化物などのプラズマまたはハロゲン含有ガス耐性材料でコーティングされてもよい。
［００１６］ 処理チャンバ１００内には、例えば、発光分光法（ＯＥＳ）を介した処理のモニタリングおよび制御、または処理チャンバ１００の内部空間１０６内への観察を必要とする他の技術を容易にするために、窓１１２が形成されてもよい。窓１１２は、側壁１０８およびライナ（例えば、外側ライナ１１６）を貫通して形成することができる。漂遊プラズマ防止装置は、側壁１０８と窓１１２に近接した外側ライナ１１６との間に配置され、プラズマ発光を防止するように配置されてもよい。漂遊プラズマ防止装置は、図２Ａ～図２Ｃを参照して以下でより詳細に説明される。
［００１７］ 排気口１２６はチャンバ本体１０２に画定され、内部空間１０６をポンプシステム１２８に連結する。ポンプシステム１２８は、一般的に、排気して処理チャンバ１００の内部空間１０６の圧力を調整するために利用される１つまたは複数のポンプおよびスロットルバルブを含む。一実施形態では、ポンプシステム１２８は、内部空間１０６内の圧力を維持する。
［００１８］ リッド１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上に密閉支持される。リッド１０４を開いて、処理チャンバ１００の内部空間１０６をより大きくすることができる。リッド１０４は、任意選択で、光学的処理のモニタリングを容易にする窓１４２を含むことができる。一実施形態では、窓１４２は、光学的モニタリングシステム１４０によって利用される信号の伝送を可能にする石英または他の適切な材料から構成される。
［００１９］ 処理ガスおよび／または洗浄ガスを内部空間１０６に提供するために、ガスパネル１５８が処理チャンバ１００に連結される。処理ガスの例には、とりわけ、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４、およびＳｉＦ４などのハロゲン含有ガス、ならびにＯ２またはＮ２Ｏなどの他のガスが含まれうる。キャリアガスの例には、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、処理に対して不活性な他のガス、および非反応性ガスが含まれる。ガスパネル１５８からガス分配アセンブリ１３０を通って処理チャンバ１００の内部空間１０６にガスを送達することができるように、入口ポート１３２’および任意選択で１３２”がリッド１０４に設けられる。
［００２０］ 基板支持アセンブリ１４８が、ガス分配アセンブリ１３０の下の処理チャンバ１００の内部空間１０６に配置される。基板支持アセンブリ１４８は、処理の間、基板１４４を保持する。エッジ堆積リング１４６は、基板１４４をその上に受け入れる一方で、基板支持アセンブリ１４８をプラズマおよび堆積材料から保護するような大きさとなっている。内側ライナ１１８は、基板支持アセンブリ１４８の周囲にコーティングされてもよい。内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６に使用される材料と実質的に同様のハロゲン含有ガス耐性材料とすることができる。一実施形態では、内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６と同じ材料から製造することができる。
［００２１］ 一実施形態では、基板支持アセンブリ１４８は、取付プレート１６２と、ベース１６４と、静電チャック１６６とを含む。取付プレート１６２は、チャンバ本体１０２の底部１１０に連結されており、流体、電力線、およびセンサリードなどのユーティリティを、とりわけベース１６４および静電チャック１６６までルーティングするための通路を含む。
［００２２］ ベース１６４または静電チャック１６６の少なくとも一方は、基板支持アセンブリ１４８の横方向温度プロファイルを制御するために、少なくとも１つのオプションの埋設ヒータ１７６、および、複数の導管１７０を含みうる。導管１７０は、導管を通して温度調節流体を循環させる流体源１７２に、流体連結される。ヒータ１７６は、電源１７８によって調節される。導管１７０およびヒータ１７６は、ベース１６４の温度を制御し、それによって静電チャック１６６を加熱および／または冷却するために、利用される。
［００２３］ 静電チャック１６６は、チャック電源１８２を使用して制御される、少なくとも１つのクランプ電極１８０を備える。電極１８０は、さらに、処理チャンバ１００内にプラズマ形成フォーム処理および／または他のガスを維持するための整合回路１８８を介して、１つまたは複数のＲＦ電源１８４に連結されてもよい。ＲＦ電源１８４は一般的に、約５０ｋＨｚから約３ＧＨｚまでの周波数で約１０，０００ワットまでの電力を有するＲＦ信号を生成することが可能である。
［００２４］ ガス分配アセンブリ１３０は、リッド１０４の内部表面１１４に連結される。ガス分配アセンブリ１３０は、ガス分配プレート１９４を有する。ガス分配アセンブリ１３０は、リッド１０４とガス分配プレート１９４との間に画定されたプレナム１２７を有する。ガス分配プレート１９４は、導電性ベースプレート１９６に連結されていてよく、またはそれを有していてもよい。導電性ベースプレート１９６は、ＲＦ電極として機能することができる。ガス分配プレート１９４は、基板１４４に面しているガス分配プレート１９４の下面に形成された複数の開口１３４を有する平らなディスクであってもよい。また、ガス分配プレート１９４は、窓１４２に対応する部分１３８を有していてもよい。部分１３８は、光学的処理のモニタリングを容易にするために、窓１４２と同様の材料で製造されてもよい。開口１３４は、ガスが入口ポート１３２（１３２’、１３２”として示される）からプレナム１２７を通って流入し、処理チャンバ１００内で処理される基板１４４の表面を横切る所定の分布で、開口１３４から処理チャンバ１００の内部空間１０６へ流出することを可能にする。内部空間１０６に入るガスは、処理チャンバ１００の内部空間１０６にプラズマを維持するために、ＲＦ電極によってエネルギーが与えられてもよい。静電チャック１６６に連結された１つまたは複数のＲＦ源を有するものとして説明したが、１つまたは複数のＲＦ源は、代替的にまたは追加的に、導電性ベースプレート１９６、あるいはリッド１０４内にまたはその近傍に配置された何らかの他の電極に連結されてもよい。
［００２５］ 図２Ａ～図２Ｃは、本開示の少なくともいくつかの実施形態によるプラズマ防止装置（例えば、図１に示す処理チャンバ内で使用される）の詳細な部分図である。図２Ａ～図２Ｃに示されるように、凹部は、チャンバ壁の内部空間対向側面のチャンバ壁（例えば、側壁１０８）に形成される。漂遊プラズマ防止装置２０６は、凹部内に部分的に配置される。いくつかの実施態様では、プラズマ発光を防止するため、漂遊プラズマ防止装置２０６は、側壁１０８と窓１１２に近接した外側ライナ１１６との間に配置されてもよい。例えば、凹部は、処理チャンバ１００内に、例えば、側壁１０８および外側ライナ１１６を通って形成された窓１１２の一部であってもよい。漂遊プラズマ防止装置２０６の寸法は、処理チャンバの構成（例えば、側壁１０８の厚さ、側壁１０８と外側ライナ１１６との間の距離または間隙等）に応じて変えてもよい。しかしながら、いくつかの実施形態では、寸法は、チャンバ本体（例えば、側壁１０８）または窓１１２における外側ライナ１１６へのプラズマ漏洩を防止するのに十分な長さとなるように、側壁１０８と外側ライナ１１６との間の間隙内のプラズマクリープ長さ（ｐｌａｓｍａ ｃｒｅｅｐａｇｅ ｌｅｎｇｔｈ）を増大させるように選択されてもよい。
［００２６］ 窓１１２は、一般的に、チャンバ壁（側壁１０８）を通って配置された開口部と、開口部を密封するプラグ２０２とから形成される。プラグ２０２は、漂遊プラズマ防止装置２０６が開口部内に部分的に配置され、その中に保持されうるように、開口部の深さ方向に延び、部分的に満たす。対応するプラグ２０４を外側ライナ１１６の開口部を通って配置し、チャンバ本体１０２の外側から内部空間１０６への見通し線を提供することもできる。プラグ２０２またはプラグ２０４は、石英などの光学的に透明な処理適合性材料で作ることができる。
［００２７］ 例えば、漂遊プラズマ防止装置２０６は、誘電体材料から形成され、管状本体２０８の第１の端部から第２の端部まで内部を通る中央開口部２１０を画定する管状本体２０８を含む。中央開口部は、窓１１２を通る任意の信号の完全性が維持されるように、窓１１２を通る見通し線を維持する。中央開口部２１０は、約０．２～約０．４インチ、または約０．２５～約０．３５インチ、または約０．３インチなど、窓１１２を通る任意の信号の完全性を維持するのを容易にするのに適した直径を有する。図２Ａに示すようないくつかの実施形態では、管状本体２０８は、約１．５～約２インチの長さを有することができるが、他の実施形態では、より大きな長さを含む他の寸法を使用することができる（例えば、図２Ｃを参照）。
［００２８］ フランジ２１２は、管状本体２０８の第１の端部から半径方向に延びている。いくつかの実施態様では、フランジ２１２は、管状本体２０８の第２の端部と反対側のフランジ２１２の側部上に、湾曲した、または傾斜した外側半径を有する。凹部内に挿入されると、管状本体２０８は、凹部内に延び、フランジ２１２は、凹部の周囲のチャンバ壁の内部空間対向面に沿って延びる。フランジ２１２は、一般的に、フランジ２１２と外側ライナ１１６との対向面の間に狭い間隙を画定する厚さを有する。いくつかの実施形態では、フランジ２１２の厚さは、約０．１～約０．１５インチ、またはいくつかの実施形態では約０．１２５インチとすることができる。いくつかの実施形態では、間隙を横切って測定される距離は、約０．５～約１．５ｍｍ、またはいくつかの実施形態では約１ｍｍとなりうる。例えば、いくつかの実施形態では、フランジ２１２は、フランジ２１２と外側ライナ１１６との対向面の間に約１ｍｍの間隙を画定するために、約１／８インチの厚さを有することができる。他の寸法は、側壁１０８と外側ライナ１１６との間の間隔、ならびにプラズマ処理を実行する際の処理チャンバ内の処理条件に応じて使用することができる。狭い間隙は、有利には、窓１１２の位置（例えば、側壁１０８または窓１１２における外側ライナ１１６）でのプラズマ漏洩を制限または防止する。
［００２９］ いくつかの実施形態では、フランジは、間隙に沿ったプラズマクリープ（ｐｌａｓｍａ ｃｒｅｅｐａｇｅ）を防止するために間隙の長さを有利に増加させるために、約１～約１．５インチ以上の外径を有してもよい。いくつかの実施形態では、フランジ２１２の直径は、間隙の厚さよりも少なくとも約１０倍大きい（例えば、１ｍｍの間隙について、フランジ２１２は、少なくとも約０．４インチの直径を有することができる）。いくつかの実施形態では、フランジ２１２の直径は、間隙の厚さよりも少なくとも約２０倍大きい（例えば、１ｍｍの間隙について、フランジ２１２は、少なくとも約０．８インチの直径を有することができる）。いくつかの実施形態では、フランジ２１２の直径は、間隙の厚さの少なくとも約３０倍大きい（例えば、１ｍｍ間隙の場合、フランジ２１２は、少なくとも約１．２インチの直径を有することができる）。
［００３０］ いくつかの実施形態では、また、図２Ａに描かれているように、凹部内に挿入されると、管状本体２０８は、管状本体２０８の第２の端部がプラグ２０２の端部表面の近くで終わるように、凹部内に延びることができるか、またはチャンバ壁（側壁１０８）に形成された開口部内に延びることができる。いくつかの実施形態では、また、図２Ａにも描かれているように、プラグ２０２は、主に開口部を通って延び、チャンバ壁（例えば、側壁１０８）の内部空間対向面に近接するが、到達せずに終端となる。
［００３１］ いくつかの実施形態では、図２Ｂに示すように、管状本体２０８は、凹部内に挿入されると、管状本体２０８の第２の端部がプラグ２０２の端面と重なるように開口内に延びる。いくつかの実施態様では、また、図２Ｂにも描かれているように、プラグ２０２の第１の端部は、管状本体２０８が第１の部分に沿ってプラグ２０２に重なるように、第１の端部に近接するプラグ２０２の第１の部分においてより小さな半径を規定する肩部２１４を含む。
［００３２］ いくつかの実施形態では、図２Ｃに描かれるように、プラグ２０２は、チャンバ壁（例えば、側壁１０８）の外面に近接する開口部の第１の端部にのみ近接して配置されうる。このような実施形態では、管状本体２０８は、管状本体２０８の第２の端部がプラグ２０２の端面に近接して終端し、側壁１０８に形成された開口部（または凹部）を実質的に並べる、または覆うように、開口部の全体、または実質的に全体を並べるように選択された長さを有することができる。
［００３３］ 漂遊プラズマ防止装置２０６は、誘電体処理適合性プラスチック材料（例えば、処理温度、圧力、エッチング化学物質などの化学物質に耐えることができる）から形成される。例えば、漂遊プラズマ防止装置２０６は、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）（例えば、ＤＥＬＲＩＮ（登録商標））、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のうちの少なくとも１つから形成することができる。いくつかの実施形態では、漂遊プラズマ防止装置２０６は、ＰＴＦＥ（例えば、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標））から形成される。
［００３４］ 動作中、プラズマ処理チャンバ内の漂遊プラズマを低減または防止する方法は、チャンバ壁とプラズマ処理チャンバのライナとの間に誘電体材料を含む漂遊プラズマ防止装置を配置して、漂遊プラズマ防止装置とライナとの対向面の間に、チャンバ壁とライナとの間の距離よりも小さい間隙を画定することを含むことができる。漂遊プラズマ防止装置は、上記に開示された実施形態のいずれかに記載されたものとすることができる。プラズマ処理チャンバは、上述のようなものであってもよく、または、少なくとも上述のようなチャンバ壁およびライナを含んでもよい。プラズマ処理チャンバ内では、漂遊プラズマ防止装置を所定の位置に置いてプラズマ処理を行うことができる。漂遊プラズマ防止装置は、例えば、プラズマ処理チャンバの側壁およびライナを通る窓開口部のエッジまたはコーナー付近のプラズマ発光を有利に低減または排除することができる。
［００３５］ 上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態およびさらなる実施形態を考案することが可能である。
Claims (20)
- 基板処理チャンバ内の漂遊プラズマを防止するための装置であって、
誘電体材料から形成された管状本体であって、該管状本体の第１の端部から第２の端部まで内部を通る中央開口部を画定する管状本体と、
前記管状本体の第１の端部から半径方向に延びるフランジと
を備える、装置。 - 前記装置は、処理適合性プラスチック材料から形成されている、請求項１に記載の装置。
- 前記装置は、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のうちの少なくとも１つから形成されている、請求項１に記載の装置。
- 前記フランジは、前記管状本体の前記第２の端部と反対側の前記フランジの側部上に傾斜した外側半径を有する、請求項１に記載の装置。
- 前記装置が、前記管状本体および前記フランジからなる、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
- 前記中央開口部が、約０．２～約０．４インチの直径を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
- 前記フランジが、少なくとも約１インチの外径または約０．１～約０．１５インチの厚さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
- 前記装置が前記管状本体と前記フランジとからなり、前記中央開口部が約０．２～約０．４インチの直径を有し、前記フランジが少なくとも約１インチの外径と約０．１～約０．１５インチの厚さを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
- チャンバ壁の内部空間対向側面上にその中に形成された凹部を有する、前記チャンバ壁と、
前記凹部内に部分的に配置される漂遊プラズマを防止するための装置とを備える、基板を処理するための装置であって、漂遊プラズマを防止するための前記装置は、
誘電体材料から形成された管状本体であって、前記管状本体の第１の端部から第２の端部まで内部を通る中央開口部を画定する管状本体と、
前記管状本体の前記第１の端部から半径方向に延びるフランジであって、前記管状本体は前記凹部内に延び、前記フランジは前記凹部の周囲の前記チャンバ壁に沿って延びる、管状本体と
を備える、基板を処理するための装置。 - 前記チャンバ壁に隣接して配置されたライナをさらに含み、漂遊プラズマを防止するための前記装置が前記チャンバ壁と前記ライナとの間に配置される、請求項９に記載の装置。
- 漂遊プラズマを防止するための前記装置の前記フランジと前記ライナとの対向面の間に画定された間隙をさらに含み、前記間隙を横切って測定される距離は、約０．５～約１．５ｍｍである、請求項１０に記載の装置。
- 前記チャンバ壁を貫通して形成された窓をさらに含み、前記凹部が前記窓の一部である、請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
- 前記窓は、前記チャンバ壁を通して配置された開口部と、前記開口部を部分的に満たすプラグとから形成され、前記管状本体は、前記管状本体の前記第２の端部が前記プラグの端面に近接して終端するように、前記開口部内に延びる、請求項１２に記載の装置。
- 前記プラグが、主として前記開口部を通って延び、前記チャンバ壁の内部空間対向面に近接するが、到達せずに終端となる、請求項１３に記載の装置。
- 前記プラグが、前記チャンバ壁の外面に近接する前記開口部の第１の端部にのみ近接して配置される、請求項１３に記載の装置。
- 前記窓は、前記チャンバ壁を貫通して配置された開口部と、前記開口部を部分的に満たすプラグとから形成され、前記管状本体は、前記管状本体の前記第２の端部が前記プラグの端面に重なるように、前記開口部内に延びる、請求項１２に記載の装置。
- 前記プラグの第１の端部は、前記管状本体が前記プラグの第１の部分に沿って前記プラグに重なるように、前記第１の端部に近接する前記第１の部分内に、より小さな半径を画定する肩部を含む、請求項１６に記載の装置。
- プラズマ処理チャンバ内の漂遊プラズマを低減または防止する方法であって、
チャンバ壁と前記プラズマ処理チャンバのライナとの間に誘電体材料を含む漂遊プラズマ防止装置を配置して、前記漂遊プラズマ防止装置と前記ライナとの対向面の間に、前記チャンバ壁と前記ライナとの間の距離よりも小さい間隙を画定すること、を含む方法。 - 前記チャンバ壁は、前記チャンバ壁の内部空間対向側面上にその中に形成された凹部を含み、前記方法は、前記漂遊プラズマ防止装置を前記凹部内に部分的に配置することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
- 前記漂遊プラズマ防止装置と前記ライナとの対向面の間の前記間隙を横切って測定される距離は、約０．５～約１．５ｍｍである、請求項１９に記載の方法。
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