CN210123719U - 高温气体分配组件 - Google Patents

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Abstract

本公开内容总的来说涉及用于基板处理腔室中的气体分配的装置。所述气体分配装置包括第一区隔板、第二区隔板和面板。所述面板可移动地放置在部分地限定处理容积的腔室衬垫上。灯组件设置在所述气体分配组件上方并且可调整地加热所述面板。

Description

高温气体分配组件
技术领域
本公开内容的实施方式总的来说涉及用于在基板处理腔室中分配气体的面板。
背景技术
在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其他操作中，使用诸如蚀刻之类的层改变工艺来暴露层的一部分以用于进一步的沉积。这些工艺常常以重复方式用于制造诸如半导体器件之类的电子器件的各种层。
在组装集成电路时，期望制造无缺陷的半导体器件。基板中存在的最轻微的污染物或缺陷可能引起最终制造的器件内的主要的制造缺陷。例如，存在于工艺气体、工艺气源或工艺气体输送系统中的污染物可沉积在基板上，引起在所述基板上制造的半导体器件中的缺陷和可靠性问题。因此，期望在执行沉积或其他层改变工艺时形成无缺陷的膜。然而，对于常规的沉积设备来说，多层膜可能形成有缺陷和污染物。
因此，本领域需要在器件制造期间减少缺陷的装置。
实用新型内容
在一个实施方式中，提供一种气体分配装置。所述气体分配装置包括盖组件、耦接到盖组件的窗口、耦接到盖组件的第一区隔板、耦接到盖组件的第二区隔板和设置在腔室衬里上的面板。盖组件包括以堆叠布置设置的多个环形构件。电磁辐射可透过窗口、第一区隔板和第二区隔板。
在一个实施方式中，提供一种气体分配装置。所述气体分配装置包括盖组件；耦接到盖组件的窗口；耦接到盖组件的第一区隔板；耦接到盖组件的第二区隔板；设置在腔室衬里上的面板；和居中设置成穿过窗口、第一区隔板和第二区隔板的气体馈送管。盖组件包括以堆叠布置设置的多个环形构件。电磁辐射可透过窗口、第一区隔板和第二区隔板。
在一个实施方式中，提供一种用于处理基板的装置。所述基板处理装置包括：具有限定其内部容积的侧壁和底座、盖组件、耦接到盖组件的窗口和设置成与窗口相邻并在内部容积外部的辐射热源。所述装置进一步包括基板支撑件和气体分配组件，所述气体分配组件具有耦接到盖组件的第一区隔板、耦接到盖组件的第二区隔板和设置在腔室衬里上的面板。
附图说明
因此，可以详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更具体描述，所述实施方式中的一些实施方式在附图中进行说明。然而，应注意，附图仅仅说明示例性实施方式，并且因此不应被视为对范围的限制，因为本公开内容可以允许其他同等有效的实施方式。
图1A示出根据本文所述的一个实施方式的具有气体分配装置的处理腔室的横截面图。
图1B示出根据本文所述的一个实施方式的图1A的处理腔室的一部分的横截面图。
图2示出根据本文所述的另一实施方式的具有气体分配装置的处理腔室的横截面图。
图3示出根据本文所述的另一实施方式的具有气体分配装置的处理腔室的横截面图。
为了便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记来表示各图中共有的相同元件。预期到一个实施方式的元件和特征可以有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开内容总的来说涉及用于基板处理腔室中的气体分配的装置。气体分配装置包括第一区隔板、第二区隔板和面板。面板可移动地放置在部分地限定处理容积的腔室衬里上。灯组件设置在气体分配组件上方并且可调地加热面板。
图1A示出根据一个实施方式的处理腔室100的横截面图。处理腔室100通常用于沉积工艺，诸如原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)或物理气相沉积(PVD)等。处理腔室100包括主体102，主体102具有部分地限定所述主体102中的内部容积110的侧壁104和底座106。环形盖组件108与底座106相对地耦接到主体102。在一些实施方式中，主体102由金属材料形成，诸如不锈钢或铝。然而，主体102可以由适合于用于在其中执行的工艺的任何材料形成。
基板支撑件112与气体分配组件140相对地设置在处理容积115内。基板支撑件112包括耦接到支撑轴116的支撑主体114。支撑轴116耦接到支撑主体114的下表面并且通过底座106中的开口118延伸出主体102。支撑轴116进一步耦接到致动器120，所述致动器120被配置为在基板装载位置与基板处理位置之间垂直地致动支撑轴116和与支撑轴116耦接的支撑主体114。在某些实施方式中，支撑轴116进一步被配置为围绕垂直轴线进行旋转。真空系统(未示出)流体耦接到内部容积110，以便从处理容积115中排出气体。
为了促进处理腔室100中的基板W的处理，基板W与支撑轴116相对地设置在支撑主体116上。端口122形成在侧壁104中，以促进基板W进入到处理容积115中和退出处理容积115。致动门124(诸如狭缝阀)以选择性地使得基板W能够穿过端口122以被装载到基板支撑件112上或者从基板支撑件112移除。电极126可选地设置在支撑主体114内并通过支撑轴116电耦接到电源128。电源128选择性地偏置电极126以产生电磁场以便将基板W夹持到支撑主体114。在某些实施方式中，加热器(未示出)设置在支撑主体114中以加热设置于其上的基板W。
窗口134耦接到盖组件108并且部分地限定内部容积110，使得能够维持其内的真空密封。辐射热源136设置在窗口134的外侧(例如，上方)。在一些实施方式中，辐射热源130暴露于其上表面上的外部环境。在其他实施方式中，辐射热源136封装在窗口134与可选的上部壳体132之间，所述上部壳体132耦接到盖组件108并使辐射热源136与外部环境隔离。辐射热源136包括多个电磁(EM)辐射源138以用于在处理期间加热气体分配组件140的面板162和/或加热被提供于内部容积110内的气体。在一些实施方式中，辐射源138为辐照灯，诸如红外线(IR)或紫外线(UV)灯。在一些实施方式中，辐射源138为LED或UV发射器。
可以利用辐射源138的任何所期望的布置。在某些实施方式中，将辐射源138围绕着中心轴线设置在同心环中。辐射源138进一步划分成不同的加热区，其中每个加热区受控制以按期望来发射不同水平的EM辐射。例如，在将辐射源138设置在同心环中的实施方式中，可以单独地控制辐射源138的每个同心环以发射不同水平的EM辐射，从而使辐射热源136能够径向可调。通过具有一个或多个不同的加热区，可以控制通过窗口134的EM辐射的分布轮廓。
窗口134使辐射热源136与内部容积110隔离。窗口134是由辐射热源136发射的EM辐射基本上可透过的材料制成，辐射热源136用于在处理期间加热面板162和/或内部容积110中的一种或多种工艺气体。例如，IR辐射源138发射的红外线辐射基本上可透过窗口134对。窗口134具有足够厚度以维持在内部容积110内的真空而不破裂。在一些实施方式中，窗口134是由石英制成。在其他实施方式中，窗口134是由蓝宝石制成。也预期用于窗口134的其他材料，包括但不限于氧化硅、氮氧化硅、氟化钙、氟化镁和氮氧化铝。在某些实施方式中，冷却源(未示出)设置成与窗口134相邻并且被配置为在操作期间将窗口134维持在低温下。冷却源可以是任何合适类型的冷却源，诸如冷空气分配系统或者冷却流体分配系统。在操作期间，将窗口134维持在低于250℃的温度，诸如低于200℃的温度。例如，将窗口134维持在低于150℃的温度。
可选的上部壳体132通常由金属材料形成，诸如不锈钢或铝。在某些实施方式中，上部壳体132包括由反射性衬里限定的内表面。反射性衬里可以用于朝向窗口134反射由辐射热源136发射的辐射。在一些实施方式中，上部壳体132的内表面具有抛物线或椭圆形的轮廓。在其他实施方式中，上部壳体132的内表面具有平坦表面。上部壳体132的内表面可以成形为通过窗口134提供EM辐射的所期望的分布轮廓。
气体分配组件140包括上部区隔板142、下部区隔板152、面板162和气体馈送管170。下部区隔板152和上部区隔板142分别包括圆形分配部分154、144，所述圆形分配部分154、144分别被环形延伸部156、146围绕。下部区隔板152设置在面板162与窗口134之间，并在环形延伸部156处耦接到盖组件108。上部区隔板142设置在下部区隔板152与窗口134之间，并在环形延伸部146处耦接到盖组件108。面板162设置成邻近并面向处理容积115和基板支撑件112，由此部分地限定处理容积115。第一气室171被限定在上部区隔板142与窗口134之间。第二气室173进一步被限定在上部区隔板142与下部区隔板152之间。第三气室175进一步被限定在下部区隔板152与面板162之间。
上部区隔板142和下部区隔板152是由辐射热源136发射的EM辐射(诸如由IR辐射源138发射的红外线辐射)基本上可透过的材料制成。在某些实施方式中，上部区隔板142和下部区隔板152是由石英形成。也预期其他材料，包括但不限于氮氧化铝、蓝宝石、氧化硅、氮氧化硅、氟化钙和氟化镁。进一步预期上部区隔板142和下部区隔板152可以由同一材料形成，或者由彼此不同的材料形成。
第一多个孔径148形成为穿过上部区隔板142，并且第二多个孔径158形成为穿过下部区隔板152。孔径148、158结合分配部分154、144一起促进第一气室171、第二气室173和第三气室175之间的流体连通。在一些实施方式中，孔径148、158均匀地分布在上部区隔板142和下部区隔板152上。在一些实施方式中，孔径148、158以不同的间隔分布。在另外的实施方式中，孔径148基本上与孔径158对准。在其他实施方式中，孔径148与孔径158不对准。
气体馈送管170居中地设置成穿过可选的上部壳体132、窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152。在某些实施方式中，气体馈送管170是由陶瓷材料形成。在某些实施方式中，气体馈送管170是由石英、蓝宝石、氧化铝、氮化铝、氧化钇等形成。气体馈送管170流体耦接到第一气源176和第二气源178。气体馈送管170包括形成为从其第一端部177到其第二端部179的中心通道172。一个或多个次级通道174进一步设置成部分地穿过气体馈送管170并且在中心通道172的径向外侧。例如，次级通道174具有在第一端部177处的第一开口、和在与第二气室173相邻的气体馈送管170的侧壁中的第二开口，如图1A中所描绘。中心通道172使得气体能够从第二气源178流过气体馈送管170并流到第三气室175中。次级通道174使得气体能够从第一气源176流过气体馈送管170并流到第二气室173中。在其他实施方式中，次级通道174的第二开口与第一气室171相邻，并且因此次级通道174使得气体能够从第一气源176流到第一气室171。
在一个示例中，第一气源176将工艺气体(诸如蚀刻气体或沉积气体)供应到内部容积110，以在基板W上蚀刻或沉积层。预期任何合适的沉积气体。在这个示例中，第二气源178将清洁气体供应到内部容积110，以便从处理腔室100的内表面移除颗粒沉积物。预期任何合适的清洁气体，包括但不限于含氟清洁剂。在一些实施方式中，第二气源178包括远程等离子体源(RPS)。为了促进基板的处理，可选地将RF发电机180设置成在窗口134附近，以从第一气源176、第二气源178或第一气源176与第二气源178这两者激发气体以形成电离的物质。
净化气源185通过设置成穿过盖组件108的净化端口186耦接到内部容积110，所述盖组件108在窗口134与上部区隔板142之间并且邻近第一气室171。净化端口186使气体(诸如惰性气体)从净化气源185流到内部容积110中。在某些实施方式中，净化端口186使氩气、氮气或氦气流到内部容积110中。也预期其他净化气体。净化气体促进从处理腔室100移除工艺气体。
面板162具有圆形分配部分164和设置在分配部分164径向外侧的环形延伸部166。环形延伸部166未固定地置于环绕处理容积115的环形腔室衬里159上。类似地，腔室衬里159未附接地置于主体102的底座106上。换句话说，面板162和腔室衬里159没有固定地耦接到处理腔室100。面板162和腔室衬里159保持可移动地坐落在处理腔室100中，以使得能够在处理循环期间机械地移动面板162和腔室衬里159。通过允许面板162、腔室衬里159和主体102之间的相对运动，在处理循环期间由于面板162的热膨胀或收缩引起的应力得以减轻，从而防止了面板162由于热变化而破裂和/或翘曲。另外，因为面板162没有固定地与处理腔室100集成在一起，所以当处理腔室100被抽空到高真空压力时，面板162不承受真空负荷，因此不会遭受真空应力。
在一些实施方式中，面板162耦接到接地元件184。接地元件184可以是耦接到面板162并且设置成穿过侧壁104的接地导线。也预期其他接地元件设计。
面板162通常由导热材料形成。在一些实施方式中，面板162由金属材料形成，诸如铝或不锈钢。在其他实施方式中，面板162由陶瓷材料形成。例如，面板162由氮化铝或氧化铝形成。可以使用任何导热材料来形成面板162。腔室衬里159通常由陶瓷材料形成。例如，腔室衬里159由氮化铝、氧化铝、氧化钇和其他合适的陶瓷材料形成。在某些实施方式中，腔室衬里159由石英形成。
第三多个孔径168设置成穿过面板162的分配部分164。孔径168使得第三气室175与处理容积115之间能够流体连通。在一些实施方式中，孔径168均匀地分布在面板162上。在一些实施方式中，孔径168以不同的间隔分布。
在操作期间，准许工艺气体从第一气源176流过气体馈送管170中的次级通道174，并流入第二气室173中。同时或替代地，净化气体从净化气源185流过净化端口186并流入第一气室171中。净化气体从第一气室171穿过上部区隔板142中的孔径148并进入第二气室173中，在第二气室173处所述净化气体与从第一气源176供应的工艺气体混合。经混合的气体接着流过下部区隔板152中的孔径158并流入第三气室175中。经混合的气体从第三气室175流过面板162中的孔径168并流入处理容积115中。
同时或替代地，准许清洁气体从第二气源178流过气体馈送管170中的中心通道172，并流入第三气室175中。在第三气室175中，清洁气体可以与上述经混合的气体混合或者只与工艺气体抑或净化气体混合，然后流过孔径168并流入到处理容积115中。
孔径148、158和168的布置和大小使得气体和净化气体能够选择性地流入处理容积115中，以便实现所期望的气体分配。例如，某些工艺可能期望在基板W上的均匀分配。在某些实施方式中，上部区隔板142中的孔径148的数目和/或大小小于下部区隔板152中的孔径158的数目和/或大小。孔径148的数目和/或大小的减小使得能够维持第一气室171与第二气室173之间的负压差，其中与第二气室173相比，在第一气室171中维持了更高的压力。第一气室171与第二气室173之间的负压差使得能够在操作期间利用较少的净化气体，从而减少在处理期间工艺气体或清洁气体的稀释。另外，负压差防止了工艺气体和清洁气体向上游流过气体分配组件140并沉积在窗口134上从而改变窗口134的透射特性。在一些实施方式中，第一气室171与第二气室173之间的压差具有介于约1托至约10托之间的量值，诸如介于约2托至约8托之间。
同样在操作期间，辐射热源136将气体分配组件140并且特别是面板162加热到预定温度。在一些实施方式中，将上部区隔板142、下部区隔板152和面板162加热到介于约200℃至约500℃之间的温度，诸如介于约250℃至约450℃之间的温度。例如，将上部区隔板142、下部区隔板152和面板162加热到介于约275℃至约300℃之间的温度。通常，窗口134与上部区隔板142之间的温差具有介于约100℃至约200℃之间的量值。例如，窗口134与上部区隔板142之间的温差具有介于约120℃至约180℃之间的量值，诸如约140℃。气体分配组件140(并且更特定的是面板162)的温度升高导致在处理(诸如CVD工艺)期间在基板W上的污染物颗粒沉积显著减少。此外，在辐射热源136包括设置在不同加热区中的多个辐射源138的实施方式中，面板162可以可调地加热到所期望的温度分布，从而能够控制基板W的沉积分布。
图1B示出根据一个实施方式的处理腔室100的放大部分的横截面图。具体地，图1B描绘耦接到窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152的盖组件108。窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152中的每一个均设置在围绕环形盖组件108的内表面的单独凹槽190中(图1B中示出了三个凹槽190a至190c)。一个或多个密封件182进一步设置在窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152以及凹槽190中的每一个的一个或多个表面之间。例如，可以将第一密封件182设置在窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152中的每一个的上表面与凹槽190之间，并且可以将第二密封件182设置在窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152中的每一个的下表面与凹槽190之间。在一些实施方式中，密封件182由诸如全氟弹性体(FFKM)、聚四氟乙烯(PTFE)、橡胶或硅树脂之类的材料形成。在一些实施方式中，密封件182为O形环。也预期其他密封件设计，诸如薄片垫圈或者黏合剂。
在一些实施方式中，盖组件108包括第一环形构件192、第二环形构件194、第三环形构件196和第四环形构件198。环形构件192、194、196和198是可拆卸的盘，当以堆叠配置进行组装时，所述可拆卸的盘将窗口134、上部区隔板142和下部区隔板152夹持或者紧固在它们之间。在一个实施方式中，环形构件192、194、196和198由金属材料形成，诸如不锈钢或铝。然而，环形构件192、194、196和198可以由适合于用于在所述环形构件192、194、196和198中执行的工艺的任何材料形成。
如图1B中所描绘，第一环形构件192和第二环形构件194在耦接时形成凹槽190a，使得能够将窗口134夹持在其间。第二环形构件192和第三环形构件194在耦接时形成凹槽190b，使得能够将上部区隔板142夹持在其间。第三环形构件192和第四环形构件196在耦接时形成凹槽190c，使得能够将下部区隔板152夹持在其间。
另外，一个或多个气体端口可以设置成穿过环形构件192、194、196和198中的每一个。例如，如图1B中所描绘，处理腔室100的净化端口186设置在第三环形构件196中并且邻近第一气室171，使得净化气体能够从净化气源185流入第一气室171中。尽管在第三环形构件196中描绘了一个气体端口，但额外的或替代的气体端口也可以设置在其他环形构件中。
图2示出根据一个实施方式的处理腔室200的横截面图。处理腔室200类似于处理腔室100，但包括通过入口端口274而不是处理腔室100的次级通道174耦接到内部容积110的第一气源276。入口端口274设置成穿过盖组件108在上部区隔板142与下部区隔板152之间，邻近第二气室173。因此，准许工艺气体从第一气源276流过入口端口274并直接流入第二气室173中。类似于以上所述，工艺气体在第二气室173中与净化气体混合并流入第三气室175中，然后穿过孔径168进入处理容积115。在一个实施方式中，将入口端口274设置在盖组件108的第二环形构件194中。
图3示出根据一个实施方式的处理腔室300的横截面图。处理腔室300类似于处理腔室100和200，但是已经移除了气体馈送管170。相反，第一气源276和第二气源378分别通过入口端口274、372耦接到内部容积110，入口端口274、372分别设置在盖组件108和侧壁104中。
类似于处理腔室200，第一气源276通过设置在上部区隔板142与下部区隔板152之间的与第二气室173相邻的盖组件108中的入口端口274耦接到内部容积110。然而，第二气源378通过设置在下部区隔板152与面板162之间的第二入口端口372耦接到内部容积110。因此，准许清洁气体从第二气源378流过第二入口端口372并流入第三气室175中。在操作期间，当清洁气体流过第二入口端口372并流入第三气室175中时，旋转支撑轴116以使清洁气体沿着处理容积115内的基板支撑件112的表面均匀扩散。
本文所述的实施方式通过使面板能够被重复加热到相对较高的温度同时维持面板完整性，有利地增强了气流均匀性并减少了污染物颗粒在基板上的沉积。在常规设计中，面板通常不被加热到如本文所述的高温，因为除了面板密封材料因热应力而退化之外，面板还会由于热负荷和真空负荷而弯曲或翘曲。通过将面板放置在腔室衬里上(其中面板和腔室衬里没有刚性地彼此固定或者固定到腔室主体)，准许面板在处理期间膨胀或收缩而不会承受由热应力引起的损坏，并且处理腔室内的外侧密封件保持与被加热的面板隔离。因此，当面板被加热到高温时，外侧密封件的热劣化被减少并且处理容积周围的密封得以维持。另外，因为面板并非真空界面的整体结构部件，所以面板不会承受由源于真空负荷结合高热负荷的应变所引起的损坏。
此外，本文所述的实施方式有利地使得能够控制基板上的沉积分布。利用具有不同加热区的辐射能源(其中每个加热区被单独地控制以发射不同水平的辐射)，使得面板的温度分布以及流过气体分配装置的气体能够是可调的，并且因此能够控制基板上的沉积分布。
虽然前文针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他和另外的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求确定。

Claims (15)

1.一种气体分配装置，其特征在于，包括：
盖组件，所述盖组件具有以堆叠布置设置的多个环形构件；
窗口，所述窗口耦接到所述盖组件，所述窗口是基本上可被电磁辐射透过的；
第一区隔板，所述第一区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述窗口相邻，所述第一区隔板包括形成为贯穿所述第一区隔板的第一多个孔径；
第二区隔板，所述第二区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述第一区隔板相邻，所述第二区隔板包括形成为贯穿所述第二区隔板的第二多个孔径，并且其中所述第一区隔板和所述第二区隔板是基本上可被电磁辐射透过的；和
面板，所述面板设置在腔室衬里上，所述面板包括形成为贯穿所述面板的第三多个孔径，所述面板包括导热材料。
2.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述第一区隔板和所述第二区隔板中的每一个在所述第一区隔板和所述第二区隔板中的所述每一个的环形延伸部处耦接到所述盖组件，所述第一区隔板和所述第二区隔板的所述环形延伸部被定位在所述多个环形构件的相应环形构件之间并与所述多个环形构件的所述相应环形构件接触。
3.如权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，所述窗口、所述第一区隔板和所述第二区隔板设置在形成于所述多个环形构件中的每一个环形构件之间的凹槽内。
4.如权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，一个或多个密封件进一步设置在所述窗口、所述第一区隔板、所述第二区隔板和所述凹槽中的每一个的一个或多个表面之间。
5.如权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，一个或多个气体端口设置成穿过所述多个环形构件中的至少一个环形构件。
6.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述第一区隔板和所述第二区隔板由石英形成并且所述面板由铝形成。
7.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述面板未固定到所述腔室衬里。
8.一种气体分配装置，其特征在于，包括：
盖组件，所述盖组件具有以堆叠布置设置的多个环形构件；
窗口，所述窗口耦接到所述盖组件的窗口，所述窗口是基本上可被电磁辐射透过的；
第一区隔板，所述第一区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述窗口相邻，所述第一区隔板包括形成为贯穿所述第一区隔板的第一多个孔径；
第二区隔板，所述第二区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述第一区隔板相邻，所述第二区隔板包括形成为贯穿所述第二区隔板的第二多个孔径，并且其中所述第一区隔板和所述第二区隔板是基本上可被电磁辐射透过的；
气体馈送管，所述气体馈送管设置成穿过所述窗口、所述第一区隔板和所述第二区隔板，所述气体馈送管具有设置为贯穿所述气体馈送管的一个或多个通道；和
面板，所述面板设置在腔室衬里上，所述面板包括形成为贯穿所述面板的第三多个孔径，所述面板由导热材料形成。
9.如权利要求8所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体馈送管包括形成为从所述气体馈送管的第一端部到所述气体馈送管的第二端部的第一通道，以及形成为从所述第一端部到所述气体馈送管的侧壁的第二通道。
10.如权利要求8所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体馈送管由陶瓷材料形成。
11.如权利要求8所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体馈送管被居中地设置成穿过所述窗口、所述第一区隔板和所述第二区隔板。
12.一种用于处理基板的装置，其特征在于，包括：
腔室，包括：
主体，所述主体具有侧壁和底座，所述侧壁和底座部分地限定它们中的内部容积；和
盖组件，所述盖组件与所述底座相对地耦接到所述侧壁，所述盖组件具有以堆叠布置设置的多个环形构件；
窗口，所述窗口耦接到所述盖组件并且进一步限定所述内部容积；
辐射热源，所述辐射热源设置成与所述窗口相邻并且在所述内部容积外部，所述辐射热源具有多个灯；
气体分配组件，包括：
第一区隔板，所述第一区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述窗口相邻，所述第一区隔板包括形成为贯穿所述第一区隔板的第一多个孔径；
第二区隔板，所述第二区隔板耦接到所述盖组件并且设置成与所述第一区隔板相邻，所述第二区隔板包括形成为贯穿所述第一区隔板的第二多个孔径，其中所述第一区隔板和所述第二区隔板是基本上可被电磁辐射透过的；和
面板，所述面板设置成与所述第二区隔板相邻，所述面板包括形成为贯穿所述面板的第三多个孔径，所述面板未固定地置于腔室衬里上并且部分地限定其处理容积；和
基板支撑件，所述基板支撑件设置成穿过所述底座并进入所述处理容积中。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述灯设置在围绕中心轴线的同心环中。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，灯的所述同心环形成不同的加热区，所述不同的加热区是能单独控制的以发射不同水平的辐射。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述面板和所述腔室衬里可移动地坐落在所述腔室内。
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