JPH10289887A - イオン化スパッタリング装置 - Google Patents
イオン化スパッタリング装置Info
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- JPH10289887A JPH10289887A JP9111902A JP11190297A JPH10289887A JP H10289887 A JPH10289887 A JP H10289887A JP 9111902 A JP9111902 A JP 9111902A JP 11190297 A JP11190297 A JP 11190297A JP H10289887 A JPH10289887 A JP H10289887A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波コイルのスパッタによる問題を解決
し、不要なプラズマ形成を防止し、プラズマ形成のため
の最適なガス供給の構成を提供することでプラズマ形成
効率を改善して、実用的なイオン化スパッタリング装置
を提供する。 【解決手段】 ターゲット２と基板ホルダー５との間の
イオン化空間を取り囲むように設けられた高周波コイル
６１には、スパッタによって放出される材料が基板５０
に到達するのを遮蔽するコイルシールド６４が設けられ
る。コイルシールド６４は金属製であり、接地されて不
要な場所でのプラズマ形成を防止する。コイルシールド
６４は中空であり、イオン化空間を臨む内側面にガス吹
き出し穴が均等に形成されて、イオン化空間に向けてガ
スが吹き出るよう構成される。
し、不要なプラズマ形成を防止し、プラズマ形成のため
の最適なガス供給の構成を提供することでプラズマ形成
効率を改善して、実用的なイオン化スパッタリング装置
を提供する。 【解決手段】 ターゲット２と基板ホルダー５との間の
イオン化空間を取り囲むように設けられた高周波コイル
６１には、スパッタによって放出される材料が基板５０
に到達するのを遮蔽するコイルシールド６４が設けられ
る。コイルシールド６４は金属製であり、接地されて不
要な場所でのプラズマ形成を防止する。コイルシールド
６４は中空であり、イオン化空間を臨む内側面にガス吹
き出し穴が均等に形成されて、イオン化空間に向けてガ
スが吹き出るよう構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、各種半導体デ
バイスの製作に使用されるスパッタリング装置に関し、
特に、スパッタ粒子をイオン化する機能を備えたイオン
化スパッタリング装置に関するものである。
バイスの製作に使用されるスパッタリング装置に関し、
特に、スパッタ粒子をイオン化する機能を備えたイオン
化スパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種メモリやロジック等の半導体デバイ
スでは、各種配線膜の形成や異種層の相互拡散を防止す
るバリア膜の作成等の際にスパッタリングプロセスを用
いており、スパッタリング装置が多用されている。この
ようなスパッタリング装置に要求される特性は色々ある
が、基板に形成されたホールの内面にカバレッジ性よく
被覆できることが、最近強く求められている。
スでは、各種配線膜の形成や異種層の相互拡散を防止す
るバリア膜の作成等の際にスパッタリングプロセスを用
いており、スパッタリング装置が多用されている。この
ようなスパッタリング装置に要求される特性は色々ある
が、基板に形成されたホールの内面にカバレッジ性よく
被覆できることが、最近強く求められている。
【０００３】具体的に説明すると、例えばバリア膜の場
合、ホールの周囲の面に対するホールの底面への成膜速
度の比であるボトムカバレッジ率の向上が最近特に強く
要請されている。というのは、集積度の増加を背景とし
て、コンタクトホール等のホールはそのアスペクト比
（ホールの開口の大きさに対するホールの深さの比）が
年々高くなってきており、このような高アスペクト比の
ホールに対しては、従来のスパッタリングの手法では、
ボトムカバレッジ率よく成膜が行えないことが多いから
である。ボトムカバレッジ率が低下すると、ホールの底
面でバリア膜が薄くなり、ジャンクションリーク等のデ
バイス特性に致命的な欠陥を与える恐れがある。
合、ホールの周囲の面に対するホールの底面への成膜速
度の比であるボトムカバレッジ率の向上が最近特に強く
要請されている。というのは、集積度の増加を背景とし
て、コンタクトホール等のホールはそのアスペクト比
（ホールの開口の大きさに対するホールの深さの比）が
年々高くなってきており、このような高アスペクト比の
ホールに対しては、従来のスパッタリングの手法では、
ボトムカバレッジ率よく成膜が行えないことが多いから
である。ボトムカバレッジ率が低下すると、ホールの底
面でバリア膜が薄くなり、ジャンクションリーク等のデ
バイス特性に致命的な欠陥を与える恐れがある。
【０００４】ボトムカバレッジ率を向上させるスパッタ
リングの手法として、コリメートスパッタや低圧遠隔ス
パッタ等の手法がこれまで開発されてきた。これらの手
法の詳細な説明は省略するが、いずれも中性スパッタ粒
子を多く基板に垂直に入射させようとする試みである。
リングの手法として、コリメートスパッタや低圧遠隔ス
パッタ等の手法がこれまで開発されてきた。これらの手
法の詳細な説明は省略するが、いずれも中性スパッタ粒
子を多く基板に垂直に入射させようとする試みである。
【０００５】しかしながら、コリメートスパッタではコ
リメーターの部分にスパッタ粒子が堆積して損失になる
ために成膜速度が低下する問題があり、また、低圧遠隔
スパッタでは、圧力を低くしターゲットと基板との距離
を長くするため本質的に成膜速度が低下する問題があ
る。このような問題のため、コリメートスパッタでは６
４メガビットまで、低圧遠隔スパッタでは２５６メガビ
ットの第一世代程度までが限界であると予測されてお
り、２５６メガビット以上の次世代のデバイス製作に利
用可能な実用的な手法の模索が行われている。
リメーターの部分にスパッタ粒子が堆積して損失になる
ために成膜速度が低下する問題があり、また、低圧遠隔
スパッタでは、圧力を低くしターゲットと基板との距離
を長くするため本質的に成膜速度が低下する問題があ
る。このような問題のため、コリメートスパッタでは６
４メガビットまで、低圧遠隔スパッタでは２５６メガビ
ットの第一世代程度までが限界であると予測されてお
り、２５６メガビット以上の次世代のデバイス製作に利
用可能な実用的な手法の模索が行われている。
【０００６】このような要求に応えるものとして、イオ
ン化スパッタの手法が有力ではないかと最近考えられて
いる。イオン化スパッタは、ターゲットから放出される
スパッタ粒子をイオン化し、イオンの作用によってホー
ル内に効率よくスパッタ粒子を到達させる手法である。
イオン化スパッタによると、コリメートスパッタや低圧
遠隔スパッタに比べて遥かに高いボトムカバレッジ率が
得られることが確認されている。
ン化スパッタの手法が有力ではないかと最近考えられて
いる。イオン化スパッタは、ターゲットから放出される
スパッタ粒子をイオン化し、イオンの作用によってホー
ル内に効率よくスパッタ粒子を到達させる手法である。
イオン化スパッタによると、コリメートスパッタや低圧
遠隔スパッタに比べて遥かに高いボトムカバレッジ率が
得られることが確認されている。
【０００７】イオン化スパッタの典型的な構成として
は、基板とターゲットの間のスパッタ粒子の飛行経路上
にプラズマを形成し、スパッタ粒子がプラズマを通過す
る際にイオン化するようにする。プラズマとしては、誘
導結合型プラズマが通常形成される。具体的には、飛行
経路上のイオン化を行う空間（以下、イオン化空間）を
取り囲むようにして高周波コイルを設け、この高周波コ
イルに所定の高周波を供給して高周波コイルの内部にプ
ラズマを形成するようにする。プラズマ中には高周波電
流が流れ、プラズマと高周波コイルは誘導性結合する。
このため、誘導結合型プラズマと呼ばれる。
は、基板とターゲットの間のスパッタ粒子の飛行経路上
にプラズマを形成し、スパッタ粒子がプラズマを通過す
る際にイオン化するようにする。プラズマとしては、誘
導結合型プラズマが通常形成される。具体的には、飛行
経路上のイオン化を行う空間（以下、イオン化空間）を
取り囲むようにして高周波コイルを設け、この高周波コ
イルに所定の高周波を供給して高周波コイルの内部にプ
ラズマを形成するようにする。プラズマ中には高周波電
流が流れ、プラズマと高周波コイルは誘導性結合する。
このため、誘導結合型プラズマと呼ばれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
の検討によると、上記イオン化スパッタの構成では、以
下のような課題を抱えていることが判明した。まず第一
に、充分な強度の高周波電界をイオン化空間に設定する
ため、高周波コイルは通常スパッタチャンバーの内部に
配設されるが、プラズマによって高周波コイルがスパッ
タされ、スパッタされた高周波コイルの材料が基板に達
する結果、基板を汚損する問題がある。第二に、スパッ
タチャンバー内をガスは拡散していくため、高周波コイ
ルの外側でもプラズマが形成される場合があり、このよ
うな場所に形成されるプラズマはイオン化に不要なもの
であるのみならず、その場所に配置されている部材に損
傷を与える場合がある。第三に、プラズマを形成する場
合、スパッタ放電のためのガスを導入するガス導入手段
を兼用するが、スパッタ放電のために最適なガス導入と
イオン化用のプラズマ形成のために最適なガス導入の構
成とは異なる。このため、プラズマ形成のために効率よ
くガスが供給できず、プラズマ形成効率が悪い。本願の
発明は、このような課題を解決するためになされたもの
であり、イオン化スパッタが抱えるこのような問題を解
決し、次世代のデバイスの製作に有効な実用的なイオン
化スパッタリング装置を提供することを目的としてい
る。
の検討によると、上記イオン化スパッタの構成では、以
下のような課題を抱えていることが判明した。まず第一
に、充分な強度の高周波電界をイオン化空間に設定する
ため、高周波コイルは通常スパッタチャンバーの内部に
配設されるが、プラズマによって高周波コイルがスパッ
タされ、スパッタされた高周波コイルの材料が基板に達
する結果、基板を汚損する問題がある。第二に、スパッ
タチャンバー内をガスは拡散していくため、高周波コイ
ルの外側でもプラズマが形成される場合があり、このよ
うな場所に形成されるプラズマはイオン化に不要なもの
であるのみならず、その場所に配置されている部材に損
傷を与える場合がある。第三に、プラズマを形成する場
合、スパッタ放電のためのガスを導入するガス導入手段
を兼用するが、スパッタ放電のために最適なガス導入と
イオン化用のプラズマ形成のために最適なガス導入の構
成とは異なる。このため、プラズマ形成のために効率よ
くガスが供給できず、プラズマ形成効率が悪い。本願の
発明は、このような課題を解決するためになされたもの
であり、イオン化スパッタが抱えるこのような問題を解
決し、次世代のデバイスの製作に有効な実用的なイオン
化スパッタリング装置を提供することを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、排気系を備えたスパ
ッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられた
ターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電極
と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス
導入手段と、スパッタによってターゲットから放出され
たスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオ
ン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する
基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリング装置で
あって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダ
ーとの間のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャ
ンバー内に設けられた高周波コイルと、この高周波コイ
ルに所定の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導
結合型プラズマを形成する高周波電源とから構成されて
おり、高周波コイルには、当該高周波コイルがスパッタ
されて放出される高周波コイルの材料よりなるスパッタ
粒子が基板に到達するのを遮蔽するコイルシールドが設
けられているという構成を有する。また、上記課題を解
決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構
成において、イオン化したチタンを基板に引き込むため
に基板に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段とを
備えているという構成を有する。また、上記課題を解決
するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２
の構成において、コイルシールドは、金属製の部材で形
成されていて電気的に接地されており、かつ、高周波コ
イルの一部を覆うよう配置されているとともに、高周波
コイルを臨む表面が、高周波コイルから放射される電界
の等電位面に沿った形状になるように形成されていると
いう構成を有する。また、上記課題を解決するため、請
求項４記載の発明は、上記請求項１、２又は３の構成に
おいて、コイルシールドは、高周波コイルの外側を覆
い、イオン化空間に向けて高周波が放射されるように高
周波コイルの内側に高周波通過用開口を設けた形状であ
り、かつ、コイルシールドから高周波通過用開口を通し
ては基板上及びターゲットの被スパッタ面上のいずれの
点も見通せない形状であるという構成を有する。また、
上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、排気
系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー
内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタす
るスパッタ電極と、スパッタチャンバー内に所定のガス
を導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲッ
トから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン
化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に
基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッ
タリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲッ
トと基板ホルダーとの間のイオン化空間を取り囲むよう
にスパッタチャンバー内に設けられた高周波コイルと、
この高周波コイルに所定の高周波を供給してイオン化空
間に高周波誘導結合型プラズマを形成する高周波電源と
から構成されており、前記高周波コイルは、基板に作成
する薄膜の材料であるターゲットの材料と同一の材料で
形成されており、かつ、当該高周波コイルの外側には補
助シールドが設けられており、この補助シールドは、金
属製の部材で形成されて電気的に接地されており、高周
波コイルの内側にプラズマを閉じ込めるものであるとい
う構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求
項６記載の発明は、上記請求項５の構成において、補助
シールドは、高周波コイルを臨む表面が、高周波コイル
から放射される電界の等電位面に沿った形状になるよう
に形成されているという構成を有する。また、上記解題
を解決するため、請求項７記載の発明は、排気系を備え
たスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設け
られたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッ
タ電極と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入す
るガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放
出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段
と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を
保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリン
グ装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基
板ホルダーとの間のイオン化空間を取り囲むようにスパ
ッタチャンバー内に設けられた高周波コイルと、この高
周波コイルに所定の高周波を供給してイオン化空間に高
周波誘導結合型プラズマを形成する高周波電源とから構
成されており、高周波コイルは、内部が中空であってイ
オン化空間を臨む内側面にガス吹き出し穴が均等に形成
されており、前記ガス導入手段の補助チャンバー内配管
が接続されてガス吹き出し穴から所定のガスをイオン化
空間に導入することができるようになっているという構
成を有する。また、上記課題を解決するため、請求項８
記載の発明は、上記請求項７の構成において、ガス導入
手段は、高周波コイルに供給するガスの温度を所定温度
に維持する温度調節器を有し、高周波コイルの温度調節
をすることが可能となっているという構成を有する。
め、本願の請求項１記載の発明は、排気系を備えたスパ
ッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられた
ターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電極
と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス
導入手段と、スパッタによってターゲットから放出され
たスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオ
ン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する
基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリング装置で
あって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダ
ーとの間のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャ
ンバー内に設けられた高周波コイルと、この高周波コイ
ルに所定の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導
結合型プラズマを形成する高周波電源とから構成されて
おり、高周波コイルには、当該高周波コイルがスパッタ
されて放出される高周波コイルの材料よりなるスパッタ
粒子が基板に到達するのを遮蔽するコイルシールドが設
けられているという構成を有する。また、上記課題を解
決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構
成において、イオン化したチタンを基板に引き込むため
に基板に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段とを
備えているという構成を有する。また、上記課題を解決
するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２
の構成において、コイルシールドは、金属製の部材で形
成されていて電気的に接地されており、かつ、高周波コ
イルの一部を覆うよう配置されているとともに、高周波
コイルを臨む表面が、高周波コイルから放射される電界
の等電位面に沿った形状になるように形成されていると
いう構成を有する。また、上記課題を解決するため、請
求項４記載の発明は、上記請求項１、２又は３の構成に
おいて、コイルシールドは、高周波コイルの外側を覆
い、イオン化空間に向けて高周波が放射されるように高
周波コイルの内側に高周波通過用開口を設けた形状であ
り、かつ、コイルシールドから高周波通過用開口を通し
ては基板上及びターゲットの被スパッタ面上のいずれの
点も見通せない形状であるという構成を有する。また、
上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、排気
系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー
内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタす
るスパッタ電極と、スパッタチャンバー内に所定のガス
を導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲッ
トから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン
化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に
基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッ
タリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲッ
トと基板ホルダーとの間のイオン化空間を取り囲むよう
にスパッタチャンバー内に設けられた高周波コイルと、
この高周波コイルに所定の高周波を供給してイオン化空
間に高周波誘導結合型プラズマを形成する高周波電源と
から構成されており、前記高周波コイルは、基板に作成
する薄膜の材料であるターゲットの材料と同一の材料で
形成されており、かつ、当該高周波コイルの外側には補
助シールドが設けられており、この補助シールドは、金
属製の部材で形成されて電気的に接地されており、高周
波コイルの内側にプラズマを閉じ込めるものであるとい
う構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求
項６記載の発明は、上記請求項５の構成において、補助
シールドは、高周波コイルを臨む表面が、高周波コイル
から放射される電界の等電位面に沿った形状になるよう
に形成されているという構成を有する。また、上記解題
を解決するため、請求項７記載の発明は、排気系を備え
たスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設け
られたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッ
タ電極と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入す
るガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放
出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段
と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を
保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリン
グ装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基
板ホルダーとの間のイオン化空間を取り囲むようにスパ
ッタチャンバー内に設けられた高周波コイルと、この高
周波コイルに所定の高周波を供給してイオン化空間に高
周波誘導結合型プラズマを形成する高周波電源とから構
成されており、高周波コイルは、内部が中空であってイ
オン化空間を臨む内側面にガス吹き出し穴が均等に形成
されており、前記ガス導入手段の補助チャンバー内配管
が接続されてガス吹き出し穴から所定のガスをイオン化
空間に導入することができるようになっているという構
成を有する。また、上記課題を解決するため、請求項８
記載の発明は、上記請求項７の構成において、ガス導入
手段は、高周波コイルに供給するガスの温度を所定温度
に維持する温度調節器を有し、高周波コイルの温度調節
をすることが可能となっているという構成を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。まず、請求項１、２及び３の発明に対応
した第一の実施形態について説明する。図１は、本願発
明の第一の実施形態のスパッタリング装置の構成を説明
する正面概略図である。図１に示すように、本実施形態
のスパッタリング装置は、排気系１１を備えたスパッタ
チャンバー１と、このスパッタチャンバー１内に設けら
れたターゲット２と、このターゲット２をスパッタする
スパッタ電極３と、スパッタチャンバー１内に所定のガ
スを導入するガス導入手段４と、スパッタによってター
ゲット２から放出されたスパッタ粒子をイオン化させる
イオン化手段６と、イオン化したスパッタ粒子が入射す
る位置に基板５０を保持する基板ホルダー５と、イオン
化したスパッタ粒子を基板５０に引き込むために基板５
０に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段７とを備
えている。
いて説明する。まず、請求項１、２及び３の発明に対応
した第一の実施形態について説明する。図１は、本願発
明の第一の実施形態のスパッタリング装置の構成を説明
する正面概略図である。図１に示すように、本実施形態
のスパッタリング装置は、排気系１１を備えたスパッタ
チャンバー１と、このスパッタチャンバー１内に設けら
れたターゲット２と、このターゲット２をスパッタする
スパッタ電極３と、スパッタチャンバー１内に所定のガ
スを導入するガス導入手段４と、スパッタによってター
ゲット２から放出されたスパッタ粒子をイオン化させる
イオン化手段６と、イオン化したスパッタ粒子が入射す
る位置に基板５０を保持する基板ホルダー５と、イオン
化したスパッタ粒子を基板５０に引き込むために基板５
０に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段７とを備
えている。
【００１１】まず、スパッタチャンバー１は、不図示の
ゲートバルブを備えた気密な容器である。このスパッタ
チャンバー１は、ステンレス等の金属製であり、電気的
には接地されている。排気系１１は、ターボ分子ポンプ
や拡散ポンプ等を備えた多段の真空排気システムで構成
されており、スパッタチャンバー１内を１０-8〜１０-9
Ｔｏｒｒ程度まで排気可能になっている。また、排気系
１１は、バリアブルオリフィス等の不図示の排気速度調
整器を備え、排気速度を調整することが可能になってい
る。
ゲートバルブを備えた気密な容器である。このスパッタ
チャンバー１は、ステンレス等の金属製であり、電気的
には接地されている。排気系１１は、ターボ分子ポンプ
や拡散ポンプ等を備えた多段の真空排気システムで構成
されており、スパッタチャンバー１内を１０-8〜１０-9
Ｔｏｒｒ程度まで排気可能になっている。また、排気系
１１は、バリアブルオリフィス等の不図示の排気速度調
整器を備え、排気速度を調整することが可能になってい
る。
【００１２】ターゲット２は、例えば厚さ６ｍｍ、直径
３００ｍｍ程度の円板状であり、不図示のターゲットホ
ルダーを介してスパッタ電極３に取付けられている。ス
パッタ電極３は、磁石機構を備えたマグネトロンカソー
ドになっている。磁石機構は、中心磁石３１と、この中
心磁石３１を取り囲む周辺磁石３２と、中心磁石３１及
び周辺磁石３２とを繋ぐ円板状のヨーク３３とから構成
されている。尚、各磁石は、いずれも永久磁石である
が、電磁石でこれらを構成することも可能である。スパ
ッタ電極３はスパッタチャンバー１に対して絶縁された
状態で取り付けられており、スパッタ電源３５が接続さ
れている。このスパッタ電源３５は、所定の負の高電圧
又は高周波電圧をスパッタ電極３に印加するよう構成さ
れる。チタンのスパッタの場合、６００Ｖ程度の負の直
流電圧を印加するよう構成されることが多い。
３００ｍｍ程度の円板状であり、不図示のターゲットホ
ルダーを介してスパッタ電極３に取付けられている。ス
パッタ電極３は、磁石機構を備えたマグネトロンカソー
ドになっている。磁石機構は、中心磁石３１と、この中
心磁石３１を取り囲む周辺磁石３２と、中心磁石３１及
び周辺磁石３２とを繋ぐ円板状のヨーク３３とから構成
されている。尚、各磁石は、いずれも永久磁石である
が、電磁石でこれらを構成することも可能である。スパ
ッタ電極３はスパッタチャンバー１に対して絶縁された
状態で取り付けられており、スパッタ電源３５が接続さ
れている。このスパッタ電源３５は、所定の負の高電圧
又は高周波電圧をスパッタ電極３に印加するよう構成さ
れる。チタンのスパッタの場合、６００Ｖ程度の負の直
流電圧を印加するよう構成されることが多い。
【００１３】ガス導入手段４は、アルゴン等のスパッタ
放電用のガスを溜めたガスボンベ４１と、ガスボンベ４
１とスパッタチャンバー１とをつなぐ配管４２と、配管
４２に設けられたバルブ４３や流量調整器４４と、配管
４２の先端に接続されれたチャンバー内配管４５と、チ
ャンバー内配管４５の先端に接続されたガス分配器４６
とから主に構成されている。ガス分配器４６は、円環状
に形成したパイプの中心側面にガス吹き出し穴を形成し
た構成等が採用され、ターゲット２と基板ホルダー５と
の間の空間に均一にガスを導入するようにする。
放電用のガスを溜めたガスボンベ４１と、ガスボンベ４
１とスパッタチャンバー１とをつなぐ配管４２と、配管
４２に設けられたバルブ４３や流量調整器４４と、配管
４２の先端に接続されれたチャンバー内配管４５と、チ
ャンバー内配管４５の先端に接続されたガス分配器４６
とから主に構成されている。ガス分配器４６は、円環状
に形成したパイプの中心側面にガス吹き出し穴を形成し
た構成等が採用され、ターゲット２と基板ホルダー５と
の間の空間に均一にガスを導入するようにする。
【００１４】イオン化手段６は、本実施形態では、ター
ゲット２から基板５０へのチタンの飛行経路において誘
導結合型高周波プラズマを形成するものが採用されてい
る。具体的には、イオン化手段６は、ターゲット２と基
板ホルダー５との間のイオン化空間を取り囲むようにし
て設けられた高周波コイル６１と、この高周波コイル６
１に整合器６３を介して接続された高周波電源６２とか
ら主に構成されている。
ゲット２から基板５０へのチタンの飛行経路において誘
導結合型高周波プラズマを形成するものが採用されてい
る。具体的には、イオン化手段６は、ターゲット２と基
板ホルダー５との間のイオン化空間を取り囲むようにし
て設けられた高周波コイル６１と、この高周波コイル６
１に整合器６３を介して接続された高周波電源６２とか
ら主に構成されている。
【００１５】高周波コイル６１は、太さ１０ｍｍ程度の
金属の棒をほぼ螺旋状に形成したものであり、スパッタ
チャンバー１の中心軸からの高周波コイル６１までの半
径距離は１５０〜２５０ｍｍ程度である。また、本実施
形態では、高周波コイル６１に、後述するコイルシール
ド６４が設けられているので、高周波コイル６１の材質
は特に制限がない。高周波コイル６１は、高周波を効率
よく励振する材質のものが使用され、例えばチタン等で
ある。
金属の棒をほぼ螺旋状に形成したものであり、スパッタ
チャンバー１の中心軸からの高周波コイル６１までの半
径距離は１５０〜２５０ｍｍ程度である。また、本実施
形態では、高周波コイル６１に、後述するコイルシール
ド６４が設けられているので、高周波コイル６１の材質
は特に制限がない。高周波コイル６１は、高周波を効率
よく励振する材質のものが使用され、例えばチタン等で
ある。
【００１６】高周波電源６２は、例えば周波数１３．５
６ＭＨｚで出力５ＫＷ程度のものが使用され、整合器６
３を介して高周波コイル６１を高周波電力を供給する。
高周波コイル６１によって、イオン化空間に高周波電界
が設定され、ガス導入手段４によって導入されたガスが
この高周波電界によってプラズマ化してプラズマＰが形
成されるようになっている。プラズマＰ中には高周波電
流が流れ、プラズマＰと高周波コイル６１は誘導性結合
する。
６ＭＨｚで出力５ＫＷ程度のものが使用され、整合器６
３を介して高周波コイル６１を高周波電力を供給する。
高周波コイル６１によって、イオン化空間に高周波電界
が設定され、ガス導入手段４によって導入されたガスが
この高周波電界によってプラズマ化してプラズマＰが形
成されるようになっている。プラズマＰ中には高周波電
流が流れ、プラズマＰと高周波コイル６１は誘導性結合
する。
【００１７】ターゲット２から放出されたスパッタ粒子
は、プラズマＰ中を通過する際にプラズマＰ中の電子と
衝突し、イオン化する。イオン化したスパッタ粒子は、
後述する電界によって加速されて基板５０に到達するよ
うになっている。
は、プラズマＰ中を通過する際にプラズマＰ中の電子と
衝突し、イオン化する。イオン化したスパッタ粒子は、
後述する電界によって加速されて基板５０に到達するよ
うになっている。
【００１８】基板ホルダー５は、ターゲット２に対して
平行に基板５０を保持するようになっている。基板ホル
ダー５には、基板５０を静電気によって吸着する不図示
の静電吸着機構や成膜中に基板５０を加熱して成膜を効
率的にする不図示の加熱機構等が設けられる場合があ
る。
平行に基板５０を保持するようになっている。基板ホル
ダー５には、基板５０を静電気によって吸着する不図示
の静電吸着機構や成膜中に基板５０を加熱して成膜を効
率的にする不図示の加熱機構等が設けられる場合があ
る。
【００１９】電界設定手段７は、本実施形態では、基板
ホルダー５に所定の高周波電圧を印加することで基板５
０に負のバイアス電圧を与えるものである。即ち、電界
設定手段７は、基板ホルダー５にブロッキングコンデン
サ７２を介して接続された基板バイアス用高周波電源７
１によって構成されている。
ホルダー５に所定の高周波電圧を印加することで基板５
０に負のバイアス電圧を与えるものである。即ち、電界
設定手段７は、基板ホルダー５にブロッキングコンデン
サ７２を介して接続された基板バイアス用高周波電源７
１によって構成されている。
【００２０】基板バイアス用高周波電源７１は、例えば
周波数１３．５６ＭＨｚ出力３００Ｗ程度のものであ
る。基板バイアス用高周波電源７１によって基板５０に
高周波電圧が印加されると、基板５０の表面にはプラズ
マ中の荷電粒子が周期的に引き寄せられる。このうち、
移動度の高い電子は正イオンに比べて多くが基板５０の
表面に引き寄せられ、その結果、基板５０の表面は負の
電位にバイアスされたのと同じ状態になる。具体的に
は、上述した例の基板バイアス用高周波電源７１の場
合、平均値で−１００Ｖ程度のバイアス電圧を基板５０
に与えることができる。
周波数１３．５６ＭＨｚ出力３００Ｗ程度のものであ
る。基板バイアス用高周波電源７１によって基板５０に
高周波電圧が印加されると、基板５０の表面にはプラズ
マ中の荷電粒子が周期的に引き寄せられる。このうち、
移動度の高い電子は正イオンに比べて多くが基板５０の
表面に引き寄せられ、その結果、基板５０の表面は負の
電位にバイアスされたのと同じ状態になる。具体的に
は、上述した例の基板バイアス用高周波電源７１の場
合、平均値で−１００Ｖ程度のバイアス電圧を基板５０
に与えることができる。
【００２１】上記基板バイアス電圧が与えられた状態
は、直流二極放電でプラズマを形成した場合の陰極シー
ス領域と同様であり、プラズマと基板５０との間に基板
５０に向かって下がる電位傾度を有する電界（以下、引
き出し用電界）が設定された状態となる。この引き出し
用電界によって、イオン化スパッタ粒子（正イオンのチ
タン）は、プラズマから引き出されて基板５０に効率良
く到達するようになっている。
は、直流二極放電でプラズマを形成した場合の陰極シー
ス領域と同様であり、プラズマと基板５０との間に基板
５０に向かって下がる電位傾度を有する電界（以下、引
き出し用電界）が設定された状態となる。この引き出し
用電界によって、イオン化スパッタ粒子（正イオンのチ
タン）は、プラズマから引き出されて基板５０に効率良
く到達するようになっている。
【００２２】上記基板ホルダー５は、ターゲット２が金
属である場合にはターゲット２と同一の金属材料、ター
ゲット２が誘電体である場合、ステンレス等の耐熱性の
ある金属で形成されている。いずれにしろ、基板ホルダ
ー５は金属製であり、従って、基板ホルダー５の載置面
内には直流分の電界は原理的に存在しない。よって、上
記引き出し用電界は基板５０に対して垂直な向きの電界
であり、基板５０に対して垂直にイオン化スパッタ粒子
を加速するよう作用する。この結果、基板５０に形成さ
れたホールの底面まで効率よくイオン化スパッタ粒子を
到達させることができるようになっている。
属である場合にはターゲット２と同一の金属材料、ター
ゲット２が誘電体である場合、ステンレス等の耐熱性の
ある金属で形成されている。いずれにしろ、基板ホルダ
ー５は金属製であり、従って、基板ホルダー５の載置面
内には直流分の電界は原理的に存在しない。よって、上
記引き出し用電界は基板５０に対して垂直な向きの電界
であり、基板５０に対して垂直にイオン化スパッタ粒子
を加速するよう作用する。この結果、基板５０に形成さ
れたホールの底面まで効率よくイオン化スパッタ粒子を
到達させることができるようになっている。
【００２３】次に、本実施形態の装置の大きな特徴点で
あるコイルシールド６４の構成について説明する。本実
施形態の装置では、高周波コイル６１がスパッタされて
放出される高周波コイル６１の材料が基板５０に到達す
るのを遮蔽するコイルシールド６４が設けられている。
あるコイルシールド６４の構成について説明する。本実
施形態の装置では、高周波コイル６１がスパッタされて
放出される高周波コイル６１の材料が基板５０に到達す
るのを遮蔽するコイルシールド６４が設けられている。
【００２４】図１に示すように、コイルシールド６４
は、高周波コイル６１の内側部分を残して高周波コイル
６１の周囲を覆った形状になっている。より具体的に
は、コイルシールド６４は、高周波コイル６１の断面形
状と同心の円周状の断面形状になっている。コイルシー
ルド６４は、高周波コイル６１が延びる方向に同様に延
びており、高周波コイル６１の全長にわたって高周波コ
イル６１を覆った形状である。
は、高周波コイル６１の内側部分を残して高周波コイル
６１の周囲を覆った形状になっている。より具体的に
は、コイルシールド６４は、高周波コイル６１の断面形
状と同心の円周状の断面形状になっている。コイルシー
ルド６４は、高周波コイル６１が延びる方向に同様に延
びており、高周波コイル６１の全長にわたって高周波コ
イル６１を覆った形状である。
【００２５】そして、高周波コイル６１の内側には開口
６４０が形成されており、この開口６４０から高周波を
通過させるようになっている（以下、この開口を高周波
通過用開口と呼ぶ。）。高周波通過用開口６４０は、高
周波コイル６１の全長にわたって形成されているので、
形状としては螺旋状のスリットになっている。
６４０が形成されており、この開口６４０から高周波を
通過させるようになっている（以下、この開口を高周波
通過用開口と呼ぶ。）。高周波通過用開口６４０は、高
周波コイル６１の全長にわたって形成されているので、
形状としては螺旋状のスリットになっている。
【００２６】図２を使用してコイルシールド６４の具体
的な寸法例について説明する。図２は、図１の装置に使
用されたコイルシールド６４の具体的寸法の説明図であ
る。図２において、高周波コイル６１の太さｄ１が１０
ｍｍ程度である場合、コイルシールド６４と高周波コイ
ル６１の表面との距離ｄ２は３〜５ｍｍ程度、高周波通
過用開口６４０の幅ｄ３は１０ｍｍ程度である。尚、高
周波通過用開口６４０の大きさを、高周波コイル６１の
太さの中心からの見込み角θで表すと、θは７０°程度
である。
的な寸法例について説明する。図２は、図１の装置に使
用されたコイルシールド６４の具体的寸法の説明図であ
る。図２において、高周波コイル６１の太さｄ１が１０
ｍｍ程度である場合、コイルシールド６４と高周波コイ
ル６１の表面との距離ｄ２は３〜５ｍｍ程度、高周波通
過用開口６４０の幅ｄ３は１０ｍｍ程度である。尚、高
周波通過用開口６４０の大きさを、高周波コイル６１の
太さの中心からの見込み角θで表すと、θは７０°程度
である。
【００２７】尚、この高周波通過用開口６４０の幅ｄ３
の選定は、プラズマ形成の効率の問題とコイルシールド
６４内へのプラズマの拡散の問題との双方から重要な技
術事項である。即ち、イオン化空間により多く高周波を
放射させてプラズマ形成効率を高める意味からは、高周
波通過用開口６４０の幅ｄ３は大きくすることが好まし
い。しかしながら、ｄ３を大きくすると、コイルシール
ド６４内へのプラズマの拡散の問題が顕在化する。
の選定は、プラズマ形成の効率の問題とコイルシールド
６４内へのプラズマの拡散の問題との双方から重要な技
術事項である。即ち、イオン化空間により多く高周波を
放射させてプラズマ形成効率を高める意味からは、高周
波通過用開口６４０の幅ｄ３は大きくすることが好まし
い。しかしながら、ｄ３を大きくすると、コイルシール
ド６４内へのプラズマの拡散の問題が顕在化する。
【００２８】つまり、ｄ３が大きくなると、コイルシー
ルド６４内にプラズマが拡散してコイルシールド６４内
で高周波放電が生ずるようになる。これは丁度高周波ホ
ロー放電の場合と同様であるが、コイルシールド６４内
で放電が生ずると、当該放電に高周波エネルギーが多く
使用され、高周波コイル６１の内側のイオン化空間に充
分なエネルギーが供給されず、結果的にプラズマ形成効
率が低下してしまう。また、高周波コイル６１のスパッ
タも激しくなり、高周波コイル６１の損傷等の問題も大
きくなる。
ルド６４内にプラズマが拡散してコイルシールド６４内
で高周波放電が生ずるようになる。これは丁度高周波ホ
ロー放電の場合と同様であるが、コイルシールド６４内
で放電が生ずると、当該放電に高周波エネルギーが多く
使用され、高周波コイル６１の内側のイオン化空間に充
分なエネルギーが供給されず、結果的にプラズマ形成効
率が低下してしまう。また、高周波コイル６１のスパッ
タも激しくなり、高周波コイル６１の損傷等の問題も大
きくなる。
【００２９】従って、このような点を勘案して、プラズ
マがコイルシールド６４内に拡散しない範囲で出来るだ
け大きな値をｄ３に与えるべきである。この値は、圧力
やプラズマ密度によっても変わってくるので、これらの
パラメーターも考慮に入れるべきである。
マがコイルシールド６４内に拡散しない範囲で出来るだ
け大きな値をｄ３に与えるべきである。この値は、圧力
やプラズマ密度によっても変わってくるので、これらの
パラメーターも考慮に入れるべきである。
【００３０】このようなコイルシールド６４は、ステン
レス又はアルミニウム等の金属製であり、電気的には接
地されている。コイルシールド６４の表面（内面及び外
面）は、アルマイト処理等の耐熱性及び耐プラズマ性を
考慮した表面処理が施されている。
レス又はアルミニウム等の金属製であり、電気的には接
地されている。コイルシールド６４の表面（内面及び外
面）は、アルマイト処理等の耐熱性及び耐プラズマ性を
考慮した表面処理が施されている。
【００３１】また、コイルシールド６４の内面即ち高周
波コイル６１を臨む表面には、堆積した薄膜の落下を防
止する凹凸が形成されている。というのは、プラズマに
よって高周波コイル６１の表面がスパッタされ、スパッ
タされた高周波コイル６１の材料がコイルシールド６４
の表面に堆積する。そして、この堆積膜がある程度の量
に達すると自重により落下してパーティクルとなってス
パッタチャンバー内を浮遊し、時として基板上に付着し
て基板を汚損する原因となる。このため、コイルシール
ド６４の表面堆積膜が容易には落下しないように凹凸を
形成して膜の密着性を高めているのである。
波コイル６１を臨む表面には、堆積した薄膜の落下を防
止する凹凸が形成されている。というのは、プラズマに
よって高周波コイル６１の表面がスパッタされ、スパッ
タされた高周波コイル６１の材料がコイルシールド６４
の表面に堆積する。そして、この堆積膜がある程度の量
に達すると自重により落下してパーティクルとなってス
パッタチャンバー内を浮遊し、時として基板上に付着し
て基板を汚損する原因となる。このため、コイルシール
ド６４の表面堆積膜が容易には落下しないように凹凸を
形成して膜の密着性を高めているのである。
【００３２】次に、図１を使用して、本実施形態のイオ
ン化スパッタリング装置の動作について説明する。基板
５０が不図示のゲートバルブを通してスパッタチャンバ
ー１内に搬入され、基板ホルダー５上に載置される。ス
パッタチャンバー１内は予め１０-8〜１０-9Ｔｏｒｒ程
度まで排気されおり、基板５０の載置後にガス導入手段
４が動作して、アルゴン等のプロセスガスが所定の流量
で導入される。このプロセスガスは、スパッタ放電用の
ガスでもあり、イオン化空間でのプラズマ形成用のガス
でもある。
ン化スパッタリング装置の動作について説明する。基板
５０が不図示のゲートバルブを通してスパッタチャンバ
ー１内に搬入され、基板ホルダー５上に載置される。ス
パッタチャンバー１内は予め１０-8〜１０-9Ｔｏｒｒ程
度まで排気されおり、基板５０の載置後にガス導入手段
４が動作して、アルゴン等のプロセスガスが所定の流量
で導入される。このプロセスガスは、スパッタ放電用の
ガスでもあり、イオン化空間でのプラズマ形成用のガス
でもある。
【００３３】排気系１１の排気速度調整器を制御してス
パッタチャンバー１内を例えば３０〜４０ｍＴｏｒｒ程
度に維持し、この状態でスパッタ電極３を動作させる。
即ち、スパッタ電源３５によってスパッタ電極３に所定
の電圧を与え、マグネトロンスパッタ放電を生じさせ
る。
パッタチャンバー１内を例えば３０〜４０ｍＴｏｒｒ程
度に維持し、この状態でスパッタ電極３を動作させる。
即ち、スパッタ電源３５によってスパッタ電極３に所定
の電圧を与え、マグネトロンスパッタ放電を生じさせ
る。
【００３４】同時に、イオン化手段６も動作させ、高周
波電源６２によって高周波コイル６１に高周波電圧を印
加し、イオン化空間に高周波電界を設定する。スパッタ
放電用ガスはイオン化空間にも拡散し、スパッタ放電用
ガスが電離してプラズマＰが形成される。また同時に電
界設定手段７も動作し、基板バイアス用高周波電源７１
によって基板５０に所定のバイアス電圧が印加され、プ
ラズマＰとの間に引き出し用電界が設定される。
波電源６２によって高周波コイル６１に高周波電圧を印
加し、イオン化空間に高周波電界を設定する。スパッタ
放電用ガスはイオン化空間にも拡散し、スパッタ放電用
ガスが電離してプラズマＰが形成される。また同時に電
界設定手段７も動作し、基板バイアス用高周波電源７１
によって基板５０に所定のバイアス電圧が印加され、プ
ラズマＰとの間に引き出し用電界が設定される。
【００３５】スパッタ放電によってターゲット２がスパ
ッタされ、スパッタされたチタンは、基板５０に向けて
飛行する。その飛行の途中、イオン化空間のプラズマＰ
を通過する際にイオン化する。イオン化したチタンは、
引き出し電界によってプラズマから効率良く引き出さ
れ、基板５０に入射する。基板５０に入射したチタン
は、ホールの底面や側面に達して膜を堆積し、効率良く
ホール内を被覆する。所定の厚さで膜が作成されると、
電界設定手段７、イオン化手段６、スパッタ電極３、及
びガス導入手段４の動作をそれぞれ停止させ、基板５０
をスパッタチャンバー１から搬出する。
ッタされ、スパッタされたチタンは、基板５０に向けて
飛行する。その飛行の途中、イオン化空間のプラズマＰ
を通過する際にイオン化する。イオン化したチタンは、
引き出し電界によってプラズマから効率良く引き出さ
れ、基板５０に入射する。基板５０に入射したチタン
は、ホールの底面や側面に達して膜を堆積し、効率良く
ホール内を被覆する。所定の厚さで膜が作成されると、
電界設定手段７、イオン化手段６、スパッタ電極３、及
びガス導入手段４の動作をそれぞれ停止させ、基板５０
をスパッタチャンバー１から搬出する。
【００３６】上記動作において、プラズマＰから飛来す
る主にプロセスガスのイオン（稀にスパッタ粒子のイオ
ンの場合もある）によって高周波コイル６１の表面がス
パッタされる。しかしながら、このスパッタによって放
出された高周波コイル６１の材料よりなるスパッタ粒子
は、殆どがコイルシールド６４に遮蔽されるため、基板
５０やターゲット２に到達することがない。従って、ス
パッタされた高周波コイル６１の材料による基板５０の
汚損の問題は、本実施形態では殆ど無くなっている。
尚、高周波コイル６１の材料よりなるスパッタ粒子がタ
ーゲット２に付着すると、再スパッタされて基板５０に
到達する場合があるので、基板５０のみならず、ターゲ
ット２に対しても遮蔽することが重要である。
る主にプロセスガスのイオン（稀にスパッタ粒子のイオ
ンの場合もある）によって高周波コイル６１の表面がス
パッタされる。しかしながら、このスパッタによって放
出された高周波コイル６１の材料よりなるスパッタ粒子
は、殆どがコイルシールド６４に遮蔽されるため、基板
５０やターゲット２に到達することがない。従って、ス
パッタされた高周波コイル６１の材料による基板５０の
汚損の問題は、本実施形態では殆ど無くなっている。
尚、高周波コイル６１の材料よりなるスパッタ粒子がタ
ーゲット２に付着すると、再スパッタされて基板５０に
到達する場合があるので、基板５０のみならず、ターゲ
ット２に対しても遮蔽することが重要である。
【００３７】尚、このような接地されたコイルシールド
６４を高周波コイル６１の外側に設けた場合でも、高周
波コイル６１の内側に充分なエネルギーの高周波を蓄え
ることができ、必要な密度のプラズマをイオン化空間に
形成できることが確認されている。
６４を高周波コイル６１の外側に設けた場合でも、高周
波コイル６１の内側に充分なエネルギーの高周波を蓄え
ることができ、必要な密度のプラズマをイオン化空間に
形成できることが確認されている。
【００３８】次に、請求項３の発明に対応した実施形態
について補足的に説明する。図３は、図１のコイルシー
ルド６４内における電界の状態について説明した断面概
略図である。上述したように、コイルシールド６４は高
周波コイル６１の断面形状と同心円周状の断面を有して
いる。そして、コイルシールド６４自体は、接地されて
いる。従って、図３に示すように、高周波コイル６１に
供給された高周波電圧による電気力線６１０は、図２に
示すように高周波コイル６１の太さの中心点を中心とし
て放射状に延びる状態となる。そして、高周波コイル６
１から放射される電界の等電位面６１１は、中心から同
心円周状に広がる状態となる。このため、コイルシール
ド６４内で高周波電界が乱されることなく誘起され、高
周波通過用開口６４０から安定して高周波が放射され、
イオン化空間に安定したプラズマを形成することができ
る。
について補足的に説明する。図３は、図１のコイルシー
ルド６４内における電界の状態について説明した断面概
略図である。上述したように、コイルシールド６４は高
周波コイル６１の断面形状と同心円周状の断面を有して
いる。そして、コイルシールド６４自体は、接地されて
いる。従って、図３に示すように、高周波コイル６１に
供給された高周波電圧による電気力線６１０は、図２に
示すように高周波コイル６１の太さの中心点を中心とし
て放射状に延びる状態となる。そして、高周波コイル６
１から放射される電界の等電位面６１１は、中心から同
心円周状に広がる状態となる。このため、コイルシール
ド６４内で高周波電界が乱されることなく誘起され、高
周波通過用開口６４０から安定して高周波が放射され、
イオン化空間に安定したプラズマを形成することができ
る。
【００３９】次に、請求項４の発明に対応した実施形態
について補足的に説明する。図４は、図１のコイルシー
ルド６４の好適な構成について説明する断面概略図であ
る。上述したように、コイルシールド６４は、高周波コ
イル６１の外側を覆うものであり、スパッタされて放出
される高周波コイル６１の材料が基板５０に到達するの
を遮蔽するものである。高周波コイル６１から基板５０
へのスパッタ粒子の遮蔽ということを最も効果的にする
には、コイルシールド６４から高周波通過用開口６４０
を通しては基板５０上及びターゲット２の被スパッタ面
上のいずれの点も見通せない構成にすることが好適であ
る。
について補足的に説明する。図４は、図１のコイルシー
ルド６４の好適な構成について説明する断面概略図であ
る。上述したように、コイルシールド６４は、高周波コ
イル６１の外側を覆うものであり、スパッタされて放出
される高周波コイル６１の材料が基板５０に到達するの
を遮蔽するものである。高周波コイル６１から基板５０
へのスパッタ粒子の遮蔽ということを最も効果的にする
には、コイルシールド６４から高周波通過用開口６４０
を通しては基板５０上及びターゲット２の被スパッタ面
上のいずれの点も見通せない構成にすることが好適であ
る。
【００４０】図４を使用してより具体的に説明する。一
例として、図面上右側に位置する高周波通過用開口６４
０について説明する。図４に示すように、この高周波通
過用開口６４０の下縁を通り高周波コイル６１の上側の
面に接する接線（以下、第一接線）６４１が、基板５０
の左側の縁より外側を通る場合、この高周波通過用開口
６４０を通しては基板５０上のいずれの点も見通せない
ことになる。尚、基板５０は円形であることを想定して
いる。
例として、図面上右側に位置する高周波通過用開口６４
０について説明する。図４に示すように、この高周波通
過用開口６４０の下縁を通り高周波コイル６１の上側の
面に接する接線（以下、第一接線）６４１が、基板５０
の左側の縁より外側を通る場合、この高周波通過用開口
６４０を通しては基板５０上のいずれの点も見通せない
ことになる。尚、基板５０は円形であることを想定して
いる。
【００４１】また、この高周波通過用開口６４０の上縁
を通り高周波コイル６１の下側の面に接する接線（以
下、第二接線）６４２が、ターゲット２の被スパッタ面
の左側の縁より外側を通る場合、この高周波通過用開口
６４０を通してはターゲット２の被スパッタ面上のいず
れの点も見通せないことになる。尚、ターゲット２の被
スパッタ面とは、ターゲットホルダー等に固定されるタ
ーゲット２の表面領域を除いて、スパッタ電極３によっ
て専らスパッタされる表面領域を意味している。
を通り高周波コイル６１の下側の面に接する接線（以
下、第二接線）６４２が、ターゲット２の被スパッタ面
の左側の縁より外側を通る場合、この高周波通過用開口
６４０を通してはターゲット２の被スパッタ面上のいず
れの点も見通せないことになる。尚、ターゲット２の被
スパッタ面とは、ターゲットホルダー等に固定されるタ
ーゲット２の表面領域を除いて、スパッタ電極３によっ
て専らスパッタされる表面領域を意味している。
【００４２】図４上で左側に位置する高周波通過用開口
６４０も同様であり、第一接線６４１が基板５０の右側
の縁より外側を通り、第二接線６４２がターゲット２の
被スパッタ面の右側の縁より外側を通る場合、この高周
波通過用開口６４０を通しては基板５０上及びターゲッ
ト２の被スパッタ面上のいずれの点も見通せないことに
なる。
６４０も同様であり、第一接線６４１が基板５０の右側
の縁より外側を通り、第二接線６４２がターゲット２の
被スパッタ面の右側の縁より外側を通る場合、この高周
波通過用開口６４０を通しては基板５０上及びターゲッ
ト２の被スパッタ面上のいずれの点も見通せないことに
なる。
【００４３】高周波通過用開口６４０の幾何学的な配置
を上記のように構成することで、高周波コイル６１から
基板５０へのスパッタ粒子の遮蔽という効果を最も良好
に得ることができる。但し、上述した通り、高周波の通
過効率の点からは高周波通過用開口６４０はできるだけ
大きい方が良いので、第一接線６４１が基板５０の縁に
接し、第二接線６４２がターゲット２の被スパッタ面の
縁に接するような臨界的な配置が採られる場合もある。
を上記のように構成することで、高周波コイル６１から
基板５０へのスパッタ粒子の遮蔽という効果を最も良好
に得ることができる。但し、上述した通り、高周波の通
過効率の点からは高周波通過用開口６４０はできるだけ
大きい方が良いので、第一接線６４１が基板５０の縁に
接し、第二接線６４２がターゲット２の被スパッタ面の
縁に接するような臨界的な配置が採られる場合もある。
【００４４】次に、請求項５及び６の発明に対応した第
二の実施形態について説明する。図５は、本願発明の第
二の実施形態に係るイオン化スパッタリング装置の要部
の構成を説明する正面概略図である。この第二の実施形
態の装置では、基板５０に作成する薄膜の材料であるタ
ーゲット２の材料と同一の材料で高周波コイル６１が形
成されている点と、高周波コイル６１の外側には補助シ
ールド６５が設けられている点が大きな特徴点になって
いる。
二の実施形態について説明する。図５は、本願発明の第
二の実施形態に係るイオン化スパッタリング装置の要部
の構成を説明する正面概略図である。この第二の実施形
態の装置では、基板５０に作成する薄膜の材料であるタ
ーゲット２の材料と同一の材料で高周波コイル６１が形
成されている点と、高周波コイル６１の外側には補助シ
ールド６５が設けられている点が大きな特徴点になって
いる。
【００４５】まず、高周波コイル６１をターゲット２と
同一材料とすることは、上述したスパッタされた高周波
コイル６１の材料による基板５０の汚損という問題を第
一の実施形態とは別な考え方によって解決するものであ
る。つまり、高周波コイル６１の材料が基板５０に付着
したとしても問題にならない材料で高周波コイル６１を
形成するという考え方である。具体的には、バリア膜を
作成する場合、ターゲット２はチタン製であり、高周波
コイル６１も同様にチタン製とされる。尚、高周波コイ
ル６１は経時的にスパッタされて消耗するので、交換容
易な状態でスパッタチャンバー１内に取付けられている
と好適である。
同一材料とすることは、上述したスパッタされた高周波
コイル６１の材料による基板５０の汚損という問題を第
一の実施形態とは別な考え方によって解決するものであ
る。つまり、高周波コイル６１の材料が基板５０に付着
したとしても問題にならない材料で高周波コイル６１を
形成するという考え方である。具体的には、バリア膜を
作成する場合、ターゲット２はチタン製であり、高周波
コイル６１も同様にチタン製とされる。尚、高周波コイ
ル６１は経時的にスパッタされて消耗するので、交換容
易な状態でスパッタチャンバー１内に取付けられている
と好適である。
【００４６】高周波コイル６１の外側の補助シールド６
５は、第一の実施形態のコイルシールド６４とは若干目
的が異なっている。高周波コイル６１はターゲット２と
同一材料であるので、高周波コイル６１からのスパッタ
粒子を遮蔽する必要性はこの第二の実施形態ではそれほ
どない。この補助シールド６５の主な目的は、高周波コ
イル６１の外側でのエネルギー供給を防止して、高周波
コイル６１の内側にプラズマを閉じ込めることである。
５は、第一の実施形態のコイルシールド６４とは若干目
的が異なっている。高周波コイル６１はターゲット２と
同一材料であるので、高周波コイル６１からのスパッタ
粒子を遮蔽する必要性はこの第二の実施形態ではそれほ
どない。この補助シールド６５の主な目的は、高周波コ
イル６１の外側でのエネルギー供給を防止して、高周波
コイル６１の内側にプラズマを閉じ込めることである。
【００４７】即ち、この補助シールド６５が無いと、高
周波コイル６１の外側にも高周波が放射され、高周波コ
イル６１の外側に存在するガス分子にエネルギーを与え
て放電を生じ、高周波コイル６１の外側にもプラズマを
形成してしまう。このため、プラズマは、高周波コイル
６１の内側から外側に広がって形成されてしまう。高周
波コイル６１の外側に形成されたプラズマは、ターゲッ
トからのスパッタ粒子をイオン化させるのには殆ど役に
立たない。このような不要な領域にプラズマが形成され
ると、その領域に存在する部材を不必要にスパッタする
等の色々な問題を派生させる。しかしながら、本実施形
態では、補助シールド６５によって高周波コイル６１の
外側でのプラズマ形成が抑制されているので、このよう
な問題は生じない。
周波コイル６１の外側にも高周波が放射され、高周波コ
イル６１の外側に存在するガス分子にエネルギーを与え
て放電を生じ、高周波コイル６１の外側にもプラズマを
形成してしまう。このため、プラズマは、高周波コイル
６１の内側から外側に広がって形成されてしまう。高周
波コイル６１の外側に形成されたプラズマは、ターゲッ
トからのスパッタ粒子をイオン化させるのには殆ど役に
立たない。このような不要な領域にプラズマが形成され
ると、その領域に存在する部材を不必要にスパッタする
等の色々な問題を派生させる。しかしながら、本実施形
態では、補助シールド６５によって高周波コイル６１の
外側でのプラズマ形成が抑制されているので、このよう
な問題は生じない。
【００４８】また、図４に示す補助シールド６５は、図
３に示すコイルシールド６４と同様に、高周波コイル６
１の太さの中心と同心円周状の断面形状を有している。
このため、補助シールド６５の高周波コイル６１を臨む
表面が、高周波コイル６１から放射される電界の等電位
面に沿った形状になる。このため、高周波コイル６１と
補助シールド６５との間の電界の分布は中心対称的なも
のになり、イオン化空間での安定した高周波電界の設定
に貢献している。
３に示すコイルシールド６４と同様に、高周波コイル６
１の太さの中心と同心円周状の断面形状を有している。
このため、補助シールド６５の高周波コイル６１を臨む
表面が、高周波コイル６１から放射される電界の等電位
面に沿った形状になる。このため、高周波コイル６１と
補助シールド６５との間の電界の分布は中心対称的なも
のになり、イオン化空間での安定した高周波電界の設定
に貢献している。
【００４９】補助シールド６５は、コイルシールド６４
と同様に、ステンレスやアルミニウム等の金属で形成さ
れ、電気的には接地されている。また、補助シールド６
５の表面をアルマイト処理したり、堆積膜の落下を防止
する凹凸を設けたりすると良い点も同様である。尚、前
述した第一の実施形態におけるコイルシールド６４も、
この補助シールド６５と同様の効果を有しているのは勿
論である。また、この補助シールド６５についても、コ
イルシールド６４と同様に、高周波コイル６１からのス
パッタ粒子の遮蔽効果を持たせるようにしてもよい。
と同様に、ステンレスやアルミニウム等の金属で形成さ
れ、電気的には接地されている。また、補助シールド６
５の表面をアルマイト処理したり、堆積膜の落下を防止
する凹凸を設けたりすると良い点も同様である。尚、前
述した第一の実施形態におけるコイルシールド６４も、
この補助シールド６５と同様の効果を有しているのは勿
論である。また、この補助シールド６５についても、コ
イルシールド６４と同様に、高周波コイル６１からのス
パッタ粒子の遮蔽効果を持たせるようにしてもよい。
【００５０】次に、請求項７及び８の発明に対応した第
三の実施形態について説明する。図６は、本願発明の第
三の実施形態に係るイオン化スパッタリング装置の要部
の構成を説明する正面概略図である。この第三の実施形
態の装置は、コイルシールド６４が設けられている点は
第一の実施形態と同様であるが、高周波コイル６１がイ
オン化空間へのガス導入機能を有している点が大きく異
なっている。即ち、第三の実施形態における高周波コイ
ル６１は、内部が中空になっており、イオン化空間を臨
む内側の面にガス吹き出し穴６１２が均等に形成されて
いる。
三の実施形態について説明する。図６は、本願発明の第
三の実施形態に係るイオン化スパッタリング装置の要部
の構成を説明する正面概略図である。この第三の実施形
態の装置は、コイルシールド６４が設けられている点は
第一の実施形態と同様であるが、高周波コイル６１がイ
オン化空間へのガス導入機能を有している点が大きく異
なっている。即ち、第三の実施形態における高周波コイ
ル６１は、内部が中空になっており、イオン化空間を臨
む内側の面にガス吹き出し穴６１２が均等に形成されて
いる。
【００５１】高周波コイル６１は、例えば内径６ｍｍ外
径１０ｍｍのパイプ状の部材を螺旋状に形成したもので
ある。ガス吹き出し穴６１２は、例えば直径０．２ｍｍ
程度の円形で、２０ｍｍ程度の間隔で設けることができ
る。尚、ガス吹き出し穴６１２をあまり大きくすると、
ガス吹き出し穴６１２を通して高周波コイル６１の内部
にプラズマが進入する問題があるので、あまり大きくす
るべきではない。
径１０ｍｍのパイプ状の部材を螺旋状に形成したもので
ある。ガス吹き出し穴６１２は、例えば直径０．２ｍｍ
程度の円形で、２０ｍｍ程度の間隔で設けることができ
る。尚、ガス吹き出し穴６１２をあまり大きくすると、
ガス吹き出し穴６１２を通して高周波コイル６１の内部
にプラズマが進入する問題があるので、あまり大きくす
るべきではない。
【００５２】このような高周波コイル６１は、ガス導入
手段４の配管４２に接続されている。具体的には、配管
４２から分岐するようにして補助配管４７が設けられて
おり、補助配管４７に補助チャンバー内配管４８が接続
されている。そして、補助チャンバー内配管４８の先端
に高周波コイル６１が接続されている。この結果、ガス
分配器４６から導入されるガスと同じガスが高周波コイ
ル６１からも導入されるようになっている。
手段４の配管４２に接続されている。具体的には、配管
４２から分岐するようにして補助配管４７が設けられて
おり、補助配管４７に補助チャンバー内配管４８が接続
されている。そして、補助チャンバー内配管４８の先端
に高周波コイル６１が接続されている。この結果、ガス
分配器４６から導入されるガスと同じガスが高周波コイ
ル６１からも導入されるようになっている。
【００５３】このような高周波コイル６１の構成は、高
周波エネルギーが多く供給される場所に多くのガスを供
給することでプラズマ形成効率を高める作用を有してい
る。即ち、高周波コイル６１からは、内側のイオン化空
間に高周波エネルギーが最も多く供給されるが、ガス分
配器４６のみの構成であると、ガス分配器４６からイオ
ン化空間までは距離があるので、イオン化空間に達する
前にガスは拡散してしまい充分な量のガスが供給されな
い恐れがある。一方、高周波コイル６１のガス吹き出し
穴６１２からガス供給を行うようにすると、イオン化空
間はその目の前であるので、充分な量のガスが供給され
る。このため、プラズマの形成効率が高くなる。
周波エネルギーが多く供給される場所に多くのガスを供
給することでプラズマ形成効率を高める作用を有してい
る。即ち、高周波コイル６１からは、内側のイオン化空
間に高周波エネルギーが最も多く供給されるが、ガス分
配器４６のみの構成であると、ガス分配器４６からイオ
ン化空間までは距離があるので、イオン化空間に達する
前にガスは拡散してしまい充分な量のガスが供給されな
い恐れがある。一方、高周波コイル６１のガス吹き出し
穴６１２からガス供給を行うようにすると、イオン化空
間はその目の前であるので、充分な量のガスが供給され
る。このため、プラズマの形成効率が高くなる。
【００５４】尚、スパッタ電極３へのガス供給について
は、ガス分配器４６を用いずに高周波コイル６１からの
ガス供給で足りる場合があり、この場合はガス分配器４
６及びチャンバー内配管４５は省略される。また、高周
波コイル６１を接続した補助配管４７には、高周波コイ
ル６１に供給するガスの温度調節器４９が設けられてい
る。温度調節器４９は、具体的にはガスを所定温度に冷
却する冷却器である。
は、ガス分配器４６を用いずに高周波コイル６１からの
ガス供給で足りる場合があり、この場合はガス分配器４
６及びチャンバー内配管４５は省略される。また、高周
波コイル６１を接続した補助配管４７には、高周波コイ
ル６１に供給するガスの温度調節器４９が設けられてい
る。温度調節器４９は、具体的にはガスを所定温度に冷
却する冷却器である。
【００５５】高周波コイル６１は、イオン化空間に形成
されるプラズマからの電子衝撃や表面に流れる高周波電
流に伴うジュール熱によって加熱される。高周波コイル
６１が限度以上に加熱されると、高周波コイル６１に熱
的な損傷が発生したり、高周波コイル６１への膜堆積が
促進されてしまう問題がある。そこで、本実施形態で
は、高周波コイル６１に供給するガスを温度調節器４９
によって所定温度に冷却し、ガスの冷却効果によって高
周波コイル６１の温度上昇を所定温度以下に抑えてい
る。このため、熱的損傷や過剰な膜堆積等の問題が高周
波コイル６１に生じないようになっている。
されるプラズマからの電子衝撃や表面に流れる高周波電
流に伴うジュール熱によって加熱される。高周波コイル
６１が限度以上に加熱されると、高周波コイル６１に熱
的な損傷が発生したり、高周波コイル６１への膜堆積が
促進されてしまう問題がある。そこで、本実施形態で
は、高周波コイル６１に供給するガスを温度調節器４９
によって所定温度に冷却し、ガスの冷却効果によって高
周波コイル６１の温度上昇を所定温度以下に抑えてい
る。このため、熱的損傷や過剰な膜堆積等の問題が高周
波コイル６１に生じないようになっている。
【００５６】温度調節器４９は、高周波コイル６１の冷
却以外の目的でも用いることができる。例えば、イオン
化空間に供給するガスの温度を何らかの事情で温度調節
する必要がある場合、温度調節器４９が好適に使用され
る。尚、この第三の実施形態における高周波コイル６１
についても、第二の実施形態と同様にターゲット２と同
一材料とすることが可能である。また、コイルシールド
６４に代えて第二実施形態の補助シールド６５を採用す
ることも可能である。
却以外の目的でも用いることができる。例えば、イオン
化空間に供給するガスの温度を何らかの事情で温度調節
する必要がある場合、温度調節器４９が好適に使用され
る。尚、この第三の実施形態における高周波コイル６１
についても、第二の実施形態と同様にターゲット２と同
一材料とすることが可能である。また、コイルシールド
６４に代えて第二実施形態の補助シールド６５を採用す
ることも可能である。
【００５７】上記各実施形態では、イオン化手段６とし
ては、高周波誘導結合型プラズマを形成してスパッタ粒
子をイオン化する構成を採用したが、これ以外にも多く
の構成が考えられる。例えば、プラズマを形成するもの
としては、高周波容量結合型プラズマや直流二極放電プ
ラズマ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、
ヘリコン波プラズマ等を形成するものが採用できる。ま
た、イオン化空間に正イオンを照射してスパッタ粒子か
ら電子を奪ってイオン化させるイオン源等も、イオン化
手段６として採用できる。
ては、高周波誘導結合型プラズマを形成してスパッタ粒
子をイオン化する構成を採用したが、これ以外にも多く
の構成が考えられる。例えば、プラズマを形成するもの
としては、高周波容量結合型プラズマや直流二極放電プ
ラズマ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、
ヘリコン波プラズマ等を形成するものが採用できる。ま
た、イオン化空間に正イオンを照射してスパッタ粒子か
ら電子を奪ってイオン化させるイオン源等も、イオン化
手段６として採用できる。
【００５８】また、上記各実施形態では、イオン化した
スパッタ粒子を基板５０に引き出すための電界を設定す
るための電界設定手段７を使用しているが、このような
電界設定手段７を設けなくともイオン化スパッタリング
の効果が得られる場合がある。例えば、高周波コイル６
１が与える高周波電界によって加速されて効果的にイオ
ンを基板５０に入射させることが可能な場合があり、こ
のような場合には電界設定手段７は不要とされる。
スパッタ粒子を基板５０に引き出すための電界を設定す
るための電界設定手段７を使用しているが、このような
電界設定手段７を設けなくともイオン化スパッタリング
の効果が得られる場合がある。例えば、高周波コイル６
１が与える高周波電界によって加速されて効果的にイオ
ンを基板５０に入射させることが可能な場合があり、こ
のような場合には電界設定手段７は不要とされる。
【００５９】さらに、高周波コイル６１の構成として
は、前述した螺旋状の他、リング状の部材のみからなる
単巻コイルや、二本（又は三本以上）リング状の部材を
上下に所定間隔をおいて配置してコネクティングロッド
でつないだ構成等も、高周波コイル６１の構成として採
用できる。尚、本願発明のスパッタリング装置は、各種
半導体デバイスの他、液晶ディスプレイやその他の各種
電子製品の製作に利用することができる。
は、前述した螺旋状の他、リング状の部材のみからなる
単巻コイルや、二本（又は三本以上）リング状の部材を
上下に所定間隔をおいて配置してコネクティングロッド
でつないだ構成等も、高周波コイル６１の構成として採
用できる。尚、本願発明のスパッタリング装置は、各種
半導体デバイスの他、液晶ディスプレイやその他の各種
電子製品の製作に利用することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項１の発
明によれば、スパッタによって放出された高周波コイル
の材料よりなるスパッタ粒子は、殆どがコイルシールド
に遮蔽されるため、基板やターゲットに到達することが
ない。従って、スパッタされた高周波コイルの材料によ
る基板の汚損の問題が無くなる。また、請求項２の発明
によれば、上記請求項１の効果に加え、イオン化スパッ
タの効果をさらに向上させることができる。また、請求
項３の発明によれば、上記請求項１又は２の効果に加
え、コイルシールド内の電界が中心対称的なものにな
り、イオン化空間に安定して高周波を放射させてイオン
化を安定して行うことができるという効果が得られる。
また、請求項４の発明によれば、上記請求項１、２又は
３の効果に加え、高周波コイルからのスパッタ粒子の遮
蔽効果が最も高くなるという効果が得られる。また、請
求項５の発明によれば、高周波コイルの材料による基板
の汚損の問題が無くなるとともに、不要な場所でのプラ
ズマ形成を抑制することができる。また、請求項６の発
明によれば、上記請求項５の効果に加え、補助シールド
６５内の電界が中心対称的なものになり、イオン化空間
に安定して高周波を放射させてイオン化を安定して行う
ことができるという効果が得られる。また、請求項７の
発明によれば、高周波エネルギーが多く供給されるイオ
ン化空間に多くのガスを供給できるので、プラズマ形成
効率を高めることが可能となる。また、請求項８の発明
によれば、上記請求項７の効果に加え、高周波コイルを
所定温度に冷却することで高周波コイルの熱的損傷や過
剰な膜堆積等の問題を防止するような温度調節を容易に
行うことができる。
明によれば、スパッタによって放出された高周波コイル
の材料よりなるスパッタ粒子は、殆どがコイルシールド
に遮蔽されるため、基板やターゲットに到達することが
ない。従って、スパッタされた高周波コイルの材料によ
る基板の汚損の問題が無くなる。また、請求項２の発明
によれば、上記請求項１の効果に加え、イオン化スパッ
タの効果をさらに向上させることができる。また、請求
項３の発明によれば、上記請求項１又は２の効果に加
え、コイルシールド内の電界が中心対称的なものにな
り、イオン化空間に安定して高周波を放射させてイオン
化を安定して行うことができるという効果が得られる。
また、請求項４の発明によれば、上記請求項１、２又は
３の効果に加え、高周波コイルからのスパッタ粒子の遮
蔽効果が最も高くなるという効果が得られる。また、請
求項５の発明によれば、高周波コイルの材料による基板
の汚損の問題が無くなるとともに、不要な場所でのプラ
ズマ形成を抑制することができる。また、請求項６の発
明によれば、上記請求項５の効果に加え、補助シールド
６５内の電界が中心対称的なものになり、イオン化空間
に安定して高周波を放射させてイオン化を安定して行う
ことができるという効果が得られる。また、請求項７の
発明によれば、高周波エネルギーが多く供給されるイオ
ン化空間に多くのガスを供給できるので、プラズマ形成
効率を高めることが可能となる。また、請求項８の発明
によれば、上記請求項７の効果に加え、高周波コイルを
所定温度に冷却することで高周波コイルの熱的損傷や過
剰な膜堆積等の問題を防止するような温度調節を容易に
行うことができる。
【図１】本願発明の第一の実施形態のスパッタリング装
置の構成を説明する正面概略図である。
置の構成を説明する正面概略図である。
【図２】図１の装置に使用されたコイルシールド６４の
具体的寸法の説明図である。
具体的寸法の説明図である。
【図３】図１のコイルシールド６４内における電界の状
態について説明した断面概略図である。
態について説明した断面概略図である。
【図４】図１のコイルシールド６４の好適な構成につい
て説明する断面概略図である。
て説明する断面概略図である。
【図５】本願発明の第二の実施形態に係るイオン化スパ
ッタリング装置の要部の構成を説明する正面概略図であ
る。
ッタリング装置の要部の構成を説明する正面概略図であ
る。
【図６】本願発明の第三の実施形態に係るイオン化スパ
ッタリング装置の要部の構成を説明する正面概略図であ
る。
ッタリング装置の要部の構成を説明する正面概略図であ
る。
１ スパッタチャンバー １１ 排気系 ２ ターゲット ３ スパッタ電極 ４ ガス導入手段 ４１ ガスボンベ ４２ 配管 ４３ バルブ ４４ 流量調整器 ４５ チャンバー内配管 ４６ ガス分配器 ４７ 補助配管 ４８ 補助チャンバー内配管 ４９ 温度調節器 ５ 基板ホルダー ５０ 基板 ６ イオン化手段 ６１ 高周波コイル ６２ 高周波電源 ６３ 整合器 ６４ コイルシールド ６５ 補助シールド ７ 電界設定手段 ７１ 基板バイアス用高周波電源
Claims (8)
- 【請求項１】 排気系を備えたスパッタチャンバーと、
スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ター
ゲットをスパッタするスパッタ電極と、スパッタチャン
バー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッ
タによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイ
オン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒
子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備
えたイオン化スパッタリング装置であって、 前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダーとの間
のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャンバー内
に設けられた高周波コイルと、この高周波コイルに所定
の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導結合型プ
ラズマを形成する高周波電源とから構成されており、 高周波コイルには、当該高周波コイルがスパッタされて
放出される高周波コイルの材料よりなるスパッタ粒子が
基板に到達するのを遮蔽するコイルシールドが設けられ
ていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記イオン化したチタンを基板に引き込
むために基板に垂直な方向に電界を設定する電界設定手
段とを備えていることを特徴とする請求項１記載のイオ
ン化スパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記コイルシールドは、金属製の部材で
形成されていて電気的に接地されており、かつ、前記高
周波コイルの一部を覆うよう配置されているとともに、
高周波コイルを臨む表面が、高周波コイルから放射され
る電界の等電位面に沿った形状になるように形成されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載のイオン化ス
パッタリング装置。 - 【請求項４】 前記コイルシールドは、高周波コイルの
外側を覆い、イオン化空間に向けて高周波が放射される
ように高周波コイルの内側に高周波通過用開口を設けた
形状であり、かつ、コイルシールドから高周波通過用開
口を通しては基板上及びターゲットの被スパッタ面上の
いずれの点も見通せない形状であることを特徴とする請
求項１、２又は３記載のイオン化スパッタリング装置。 - 【請求項５】 排気系を備えたスパッタチャンバーと、
スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ター
ゲットをスパッタするスパッタ電極と、スパッタチャン
バー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッ
タによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイ
オン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒
子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備
えたイオン化スパッタリング装置であって、 前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダーとの間
のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャンバー内
に設けられた高周波コイルと、この高周波コイルに所定
の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導結合型プ
ラズマを形成する高周波電源とから構成されており、 前記高周波コイルは、基板に作成する薄膜の材料である
ターゲットの材料と同一の材料で形成されており、か
つ、当該高周波コイルの外側には補助シールドが設けら
れており、この補助シールドは、金属製の部材で形成さ
れて電気的に接地されており、高周波コイルの内側にプ
ラズマを閉じ込めるものであることを特徴とするイオン
化スパッタリング装置。 - 【請求項６】 前記補助シールドは、前記高周波コイル
を臨む表面が、高周波コイルから放射される電界の等電
位面に沿った形状になるように形成されていることを特
徴とする請求項５記載のイオン化スパッタリング装置。 - 【請求項７】 排気系を備えたスパッタチャンバーと、
スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ター
ゲットをスパッタするスパッタ電極と、スパッタチャン
バー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッ
タによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイ
オン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒
子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備
えたイオン化スパッタリング装置であって、 前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダーとの間
のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャンバー内
に設けられた高周波コイルと、この高周波コイルに所定
の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導結合型プ
ラズマを形成する高周波電源とから構成されており、 高周波コイルは、内部が中空であって前記イオン化空間
を臨む内側面にガス吹き出し穴が均等に形成されてお
り、前記ガス導入手段の補助チャンバー内配管が接続さ
れてガス吹き出し穴から所定のガスをイオン化空間に導
入することができるようになっていることを特徴とする
イオン化スパッタリング装置。 - 【請求項８】 前記ガス導入手段は、前記高周波コイル
に供給するガスの温度を所定温度に維持する温度調節器
を有し、高周波コイルの温度調節をすることが可能とな
っていることを特徴とする請求項７記載のイオン化スパ
ッタリング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190297A JP3846970B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | イオン化スパッタリング装置 |
| US09/022,623 US5968327A (en) | 1997-04-14 | 1998-02-12 | Ionizing sputter device using a coil shield |
| KR1019980005372A KR100299782B1 (ko) | 1997-04-14 | 1998-02-20 | 이온화스퍼터링장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190297A JP3846970B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | イオン化スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289887A true JPH10289887A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3846970B2 JP3846970B2 (ja) | 2006-11-15 |
Family
ID=14572998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11190297A Expired - Fee Related JP3846970B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | イオン化スパッタリング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5968327A (ja) |
| JP (1) | JP3846970B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299782B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057263A (ko) * | 1997-05-14 | 2000-09-15 | 조셉 제이. 스위니 | 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2001223178A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2002012970A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-15 | Canon Inc | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
| JP2003221666A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Canon Inc | イオン化成膜方法及び装置 |
| WO2007001022A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | 金属膜の成膜方法及び成膜装置 |
| WO2010023878A1 (ja) | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429120B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for making integrated-circuit wiring from copper, silver, gold, and other metals |
| JP4355036B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2009-10-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化スパッタリング装置 |
| US6287977B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming improved metal interconnects |
| US6165567A (en) * | 1999-04-12 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Process of forming a semiconductor device |
| US7382142B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
| US6812718B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
| US6238532B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Radio-frequency coil for use in an ionized physical vapor deposition apparatus |
| US6350353B2 (en) * | 1999-11-24 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage |
| US6551471B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ionization film-forming method and apparatus |
| US6344419B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
| US7262130B1 (en) | 2000-01-18 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods for making integrated-circuit wiring from copper, silver, gold, and other metals |
| US6420262B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Structures and methods to enhance copper metallization |
| US6627056B2 (en) * | 2000-02-16 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ionized plasma deposition |
| TW584905B (en) * | 2000-02-25 | 2004-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for depositing films |
| US7952373B2 (en) | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
| US6554979B2 (en) | 2000-06-05 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for bias deposition in a modulating electric field |
| US6746591B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-06-08 | Applied Materials Inc. | ECP gap fill by modulating the voltate on the seed layer to increase copper concentration inside feature |
| US6946054B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-09-20 | Tokyo Electron Limited | Modified transfer function deposition baffles and high density plasma ignition therewith in semiconductor processing |
| US7147759B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetron sputtering |
| US6896773B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
| US20060249370A1 (en) * | 2003-09-15 | 2006-11-09 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device |
| US9771648B2 (en) * | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
| US20050103620A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
| US9123508B2 (en) * | 2004-02-22 | 2015-09-01 | Zond, Llc | Apparatus and method for sputtering hard coatings |
| WO2006036846A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Zond, Inc. | Apparatus for generating high-current electrical discharges |
| US20070012557A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc | Low voltage sputtering for large area substrates |
| US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
| US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US8308915B2 (en) * | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
| TWI386502B (zh) * | 2007-05-25 | 2013-02-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 濺鍍承載裝置 |
| KR20100120336A (ko) * | 2009-05-06 | 2010-11-16 | 인제대학교 산학협력단 | 확산펌프 유도결합 플라즈마 처리장치 |
| US9398680B2 (en) | 2010-12-03 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Immersible plasma coil assembly and method for operating the same |
| KR102592144B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-10-20 | 삼성전자주식회사 | 등각 증착을 위한 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 3차원 이차전지의 등각 전해질막 제조방법 |
| KR102654487B1 (ko) * | 2021-12-29 | 2024-04-05 | 피에스케이 주식회사 | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0816266B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1996-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
| US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
| US5397962A (en) * | 1992-06-29 | 1995-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling |
| US5431799A (en) * | 1993-10-29 | 1995-07-11 | Applied Materials, Inc. | Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency |
| JPH07268624A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-17 | Tatsuo Asamaki | 放電装置 |
| US5545978A (en) * | 1994-06-27 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Bandgap reference generator having regulation and kick-start circuits |
| US5763851A (en) * | 1995-11-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Slotted RF coil shield for plasma deposition system |
| US5800619A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with minimum magnetic field in its center |
| US5707398A (en) * | 1996-11-12 | 1998-01-13 | Pacesetter, Inc. | Automatic determination of optimum electrode configuration for a cardiac stimulator |
| US5800688A (en) * | 1997-04-21 | 1998-09-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for ionized sputtering |
| US5903106A (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-11 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Plasma generating apparatus having an electrostatic shield |
-
1997
- 1997-04-14 JP JP11190297A patent/JP3846970B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-12 US US09/022,623 patent/US5968327A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 KR KR1019980005372A patent/KR100299782B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057263A (ko) * | 1997-05-14 | 2000-09-15 | 조셉 제이. 스위니 | 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2001223178A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2002012970A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-15 | Canon Inc | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
| JP2003221666A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Canon Inc | イオン化成膜方法及び装置 |
| WO2007001022A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | 金属膜の成膜方法及び成膜装置 |
| JP2007043038A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Ltd | 金属膜の成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| US8029873B2 (en) | 2005-06-28 | 2011-10-04 | Tokyo Electron Limited | Film deposition method and film deposition apparatus of metal film |
| WO2010023878A1 (ja) | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| US8916034B2 (en) | 2008-08-28 | 2014-12-23 | Emd Corporation | Thin-film forming sputtering system |
| KR20160087391A (ko) | 2008-08-28 | 2016-07-21 | 가부시키가이샤 이엠디 | 스퍼터링 박막형성장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980079752A (ko) | 1998-11-25 |
| JP3846970B2 (ja) | 2006-11-15 |
| KR100299782B1 (ko) | 2001-09-22 |
| US5968327A (en) | 1999-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060429 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060721 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |