KR20090013052A - 감소된 플라즈마 침투 및 아킹을 갖는 정전기 척을제공하는 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

열전달 유체 통로들 내에서의 플라즈마 형성 및 아킹을 감소시키는 정전기 척용 유체 분배 부재를 제공하는 방법 및 장치가 제공된다. 일 실시예는 플레이트 및 유전체 부품을 포함하며, 유전체 부품은 플레이트 속에 삽입된다. 플레이트는 플레넘을 한정하도록 채널 내에 위치되게 조절되며, 유전체 부품은 플레넘과 결합된 유체 통로의 적어도 일부를 제공한다. 유전체 부품에 형성된 다공성 유전층은 플레넘과 결합된 유체 통로의 적어도 또 다른 부분을 제공한다. 또 다른 실시예에서, 유체 분배 부재는 기판을 위한 지지 표면으로부터 플레넘으로의 시야(line-of-sight)를 제공하지 않는 유체 통로가 한정되도록 부품들의 다양한 배열을 포함한다.

Description

감소된 플라즈마 침투 및 아킹을 갖는 정전기 척을 제공하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING AN ELECTROSTATIC CHUCK WITH REDUCED PLASMA PENETRATION AND ARCING}

본 발명의 실시예들은 전반적으로 반도체 디바이스 제조를 수행하는 장치에 관한 것으로, 특히 프로세싱 동안 반도체 웨이퍼를 지지하는 정전기 척에 관한 것이다.

정전기 척은 플라즈마 프로세싱 챔버와 같은 반도체 프로세싱 장치 내에서 기판들(또한, 반도체 웨이퍼들 또는 웨이퍼들이라 불림)에 대한 지지체를 제공하기 위해 광범위하게 사용된다. 일반적으로 정전기 척은 기판의 프로세싱 동안, 즉 물질 증착 또는 에칭 동안 고정 위치에 기판을 보유한다. 정전기 척들은 위치에 기판을 보유하기 위해 용량성 및 존센-라벡(Johnsen-Rahbeck) 인력들을 이용한다.

한 형태의 정전기 척은 몸체(body) 및 지지 표면을 형성하는 유전체 물질의 층으로 커버된 유체 분배 부재를 포함한다. 몸체는 몸체가 정전기 척의 전극을 형성하도록 일반적으로 전도성이다. 기판은 지지 표면상에 놓인다. 유체 분배 부재는 척의 지지 표면과 기판의 후면 사이에 가스와 같은 열전달 유체를 분배하기 위 해 정전기 척의 지지 표면에 형성된 다수의 유체 통로들을 보유하는 플레넘(plenum)을 포함한다. 일반적으로, 가스는 정전기 척과 기판 사이의 틈(interstitial) 영역을 채워, 정전기 척과 기판 간의 열전달 비율 및 균일성을 강화시킨다.

플라즈마 프로세싱 챔버들에서, 정전기 척은 기판 부근에서 고전력 무선 주파수(RF) 필드 및 고밀도 플라즈마의 영향을 받는다. 이러한 플라즈마 프로세싱 챔버들에서는, 가스 통로들 내에 높은 전기장 발생으로 인해 가스 파열(gas breakdown)이 생길 수 있다. 정전기 척의 동작 및 서비스 수명은 가스 통로들 내에서의 플라즈마 형성에 의해 악영향을 받는다. 이러한 플라즈마는 기판, 정전기 척 또는 기판과 정전기 척 모두를 손상시킬 수 있다. 또한, 가스 통로에서의 플라즈마 형성은 챔버내에 미립자 오염물들을 형성하여 아킹을 유도할 수 있다.

가스 통로들에서의 플라즈마 형성을 감소시키는 다양한 기술이 존재한다. 한 기술은 척의 표면에서 통로 속으로 다공성의 유전체 플러그 삽입을 포함한다. 플러그의 다공성은 구멍들의 치수가 플라즈마 형성을 방지하고, 열전달 유체가 기판 지지 표면에 도달하도록 선택된다. 다공성 물질은 플라즈마 형성에 대한 보호를 제공하는 반면, 이러한 정전기 척의 제조는 어렵고, 시간 소모적이며 비싸다.

따라서, 플라즈마 형성 및 아킹을 감소시키는 개선된 정전기 척이 요구된다.

본 발명은 전반적으로 열전달 유체 통로들 내에서의 플라즈마 형성 및 아킹을 감소시키는 정전기 척용 유체 분배 부재를 제공하는 방법 및 장치를 제공한다. 일 실시예는 플레이트와 유전체 부재를 포함하며, 유전체 부재는 플레이트 속으로 삽입된다. 플레이트는 플레넘을 한정하도록 채널 내에 위치되게 조절되며, 유전체 부품은 플레넘과 결합된 유체 통로의 적어도 일부를 제공한다. 유전체 부품상에 형성된 다공성 유전층은 플레넘과 결합된 유체 통로의 적어도 또 다른 부분을 제공한다. 또 다른 실시예에서, 유체 분배 부재는 기판을 위한 지지 표면으로부터 플레넘으로 시야(line-of-sight) 경로를 제공하지 않는 유체 통로를 한정하도록 부품들의 다양한 배열을 포함한다.

본 발명의 앞서 언급된 특징들을 본 발명의 보다 상세한 설명, 상기 간략한 설명을 통해 이해할 수 있도록, 첨부되는 도면에 도시된 몇 가지 실시예를 참조한다. 그러나 첨부되는 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예만을 나타내는 것으로, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 발명은 등가적인 다른 실시예를 구현할 수 있다는 것을 주지해야 한다.

본 명세서에서 본 발명은 몇 가지 실시예들 및 예시적인 도면들을 사용하여 예를 들어 개시되었지만, 당업자들은 개시된 도면 또는 도면들의 실시예들로 본 발명이 제한되지 않는다는 것을 인식할 것이다. 도시된 도면들 및 상세한 설명들은 개시된 특정한 형태로 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니며, 반대로, 본 발명은 첨부된 청구항들에 의해 한정되는 본 발명의 사상 및 범주 내에서의 모든 변형, 등 가물 및 대안물을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 제목들은 단지 분류를 위한 것으로 설명 또는 청구항들의 범주를 제한하기 위해 사용되는 것은 아니다. 본 출원 전방에 걸쳐 사용되는 "~할 수 있다(may)"는 필수적인 의미(즉, ~해야 한다의 의미)라기 보다는 허용 의미(즉, 잠재성을 갖는다는 의미)로 사용된다. 유사하게, "포함한다(include, including, includes)"는 제한되지 않고, "~를 포함하여(including)"라는 의미이다. 또한, 별다른 언급이 없다면 단수(a 또는 an)의 표시는 "적어도 하나"를 의미한다.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 정전기 척(68)을 구성하는 플라즈마-기반 기판 프로세싱 시스템(36)을 나타낸다. 플라즈마 프로세싱 시스템(36)은 기판 처리시 플라즈마 환경을 생성 및 유지하면서, 실리콘 웨이퍼, GaAs 웨이퍼 및 이와 유사한 것과 같은 기판들의 온도 제어 프로세싱을 위해 사용된다. 플라즈마는 기판 처리를 위해 기판 부근에 형성되며, 기판의 온도는 기판 뒤쪽 표면에 열전달 유체를 공급하는 것과 같은 다양한 기술을 사용하여 제어된다. 플라즈마 프로세싱 챔버의 일 실시예는 캘리포니아 산타 클라라의 어플라이드 머테리얼스사로부터 이용가능한 300mm HDP-CVD Ultima X 시스템과 같은 고밀도 플라즈마-화학적 기상 증착(HDP-CVD) 시스템에 예시적으로 개시되었지만, 본 발명은 플라즈마가 이용되는 물리적 기상 증착 챔버들, 화학적 기상 증착 챔버들, 에칭 챔버들 및 기판의 온도 제어가 요구되는 다른 애플리케이션들을 포함하는 다른 프로세스 챔버들에서 이용된다.

도 1은 HDP-CVD 시스템(36)의 일 실시예를 나타내며, 여기에서는 프로세싱 동안 기판을 보호하기 위해 정전기 척(68)이 사용된다. 본 발명의 실시예들에 따라, 정전기 척(68)은 척(68) 부근에서의 플라즈마 침투 및 아킹을 감소시키도록 설계된다.

시스템(36)은 프로세스 챔버(38), 진공 시스템(40), 소스 플라즈마 시스템(42), 바이어스 플라즈마 시스템(44), 가스 전달 시스템(46), 및 원격 플라즈마 세정 시스템(48)을 포함한다.

프로세스 챔버(38)의 상부 부분은 알루미늄 또는 알루미늄 질화물과 같은 유전체 물질로 구성된 돔(50)을 포함한다. 돔(50)은 플라즈마 프로세싱 영역(52)의 상부 경계를 한정한다. 플라즈마 프로세싱 영역(52)은 기판(54)의 상부 표면 및 기판 지지 부재(56)에 의해 바닥부 상에 경계가 정해진다.

히터 플레이트(58) 및 콜드 플레이트(60)가 돔(50)에 얹혀져 있으며 돔(50)과 열적으로 결합된다. 히터 플레이트(58) 및 콜드 플레이트(60)는 섭씨 약 100 내지 200도 범위에 걸쳐 섭씨 약 +/- 10도 내로 돔 온도를 제어한다. 이는 다양한 프로세스를 위한 돔 온도의 최적화를 허용한다. 예를 들어, 증착 프로세스들을 위해서라기 보다는 세정 또는 에칭 프로세스들을 위해 보다 높은 온도에서 돔을 유지하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 돔 온도의 정확한 제어는 프로세스 챔버에서의 박편 또는 미립자 수를 감소시키며 증착된 층과 기판 간의 접착력을 개선시킨다.

프로세스 챔버(38)의 하부 부분은 프로세스 챔버를 진공 시스템과 결합시키 는 몸체 부재(62)를 포함한다. 기판 지지 부재(56)의 베이스 부분(64)은 몸체 부재(62) 상에 장착되며 몸체 부재(62)와 연속적인 내부 표면을 형성한다. 기판들은 프로세스 챔버(38)의 측면의 삽입/제거 개구(95)를 통해 로봇 블레이드(미도시)에 의해 프로세스 챔버(38) 안팎으로 전달된다. 공압 작동기(미도시)는 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 리프트 핀들(미도시)를 상승 및 하강시키는 리프트-핀 플레이트(미도시)를 상승 및 하강시킨다. 프로세스 챔버(38)로 전달됨에 따라, 기판들은 상승된 리프트 핀들 상에 장착되고, 다음 기판 지지 부재(56)의 기판 수용부(66)로 하강된다. 기판 수용부(66)는 기판 프로세싱 동안 기판 지지 부재(56)에 기판을 고정하는 정전기 척(68)을 포함한다.

진공 시스템(40)은 멀티-블레이드 트로틀(throttle) 밸브(72)를 수용하고 게이트 밸브(74) 및 터보분자형 펌프(76)에 부착된 트로틀 몸체(70)를 포함한다. 트로틀 몸체(70)는 가스 흐름에 대한 최소 차단을 제공하며 공동-계류중이며, 1995년 12월 12일자로 원출원되고 공동으로 양도된 미국 특허 출원 및 1996년 9월 11일자로 재출원되고 양도된 No. 08/574,839호 및 "대칭 챔버"란 명칭의 양도된 No. 08/712,724호에 개시된 것처럼, 대칭 펌핑을 허용한다. 게이트 밸브(74)는 트로틀 밸브(70)로부터 펌프(76)를 고립시킬 수 있고, 트로틀 밸브(72)가 완전히 개방될 때 배출 흐름 용량을 제한함으로써 프로세스 챔버 압력을 제어할 수 있다. 트로틀 밸브(72), 게이트 밸브(74), 및 터보 분자형 펌프(76)의 배열은 약 1 내지 100 밀리토르로 프로세스 챔버 압력에 대한 정확하고 안정한 제어를 허용한다.

소스 플라즈마 시스템(42)은 돔(50) 상에 장착된 상부 코일(78) 및 측면 코 일(80)을 포함한다. 대칭 접지 차폐물(미도시)은 코일들 간의 전기적 결합을 감소시킨다. 상부 코일(78)은 상부 RF 소스 생성기(82)에 의해 전력공급되는 반면, 측면 코일(80)은 측면 RF 소스 생성기(84)에 의해 전력공급되어, 각각의 코일에 대한 동작의 독립적인 전력 레벨 및 주파수들이 허용된다. 이러한 이중 코일 시스템은 프로세스 챔버(38)에서 방사상 이온 밀도의 제어를 허용하여 플라즈마 균일도가 개선 된다. 측면 코일(80) 및 상부 코일(78)은 에너지를 유도적으로 결합시킨다. 특정 실시예에서, 상부 소스 생성기(82)는 공칭 적으로 2에서 8000W에 이르는 전역을 제공하며 측면 소스 생성기(84)는 공칭 적으로 2에서 8000W에 이르는 전력을 제공한다. 상부 및 측면 생성기들의 동작 주파수들은 플라즈마-생성 효율이 개선되도록 공칭 주파수로부터 동작 주파수(예를 들면, 각각 1.7-1.9 및 1.9-2.1)로 상쇄될 수 있다.

생성기들(82, 84)은 디지털방식으로 제어 합성기를 포함하며 약 1.7 내지 약 2.1 범위의 주파수에서 동작한다. 각각의 생성기는 프로세스 및 코일로부터 다시 생성기로 반사된 전력을 측정하는 제어 회로(미도 시)를 포함하며, 당업자가 인식하는 바와 같이 가장 낮은 반사 전력을 얻기 위해 동작 주파수를 조절한다. RF 생성기들은 통상적으로 50옴의 특성 임피던스를 갖는 로드에서 동작하도록 설계된다. RF 전력은 생성기와 상이한 특성 임피던스를 갖는 로드들로부터 반사될 수 있다. 이는 로드로 전달되는 전력을 감소시킬 수 있다. 부가적으로, 로드로부터 다시 생성기로 반사된 전력은 과충전되어 생성기를 손상시킬 수 있다. 플라즈마의 임피던스는 다른 요인들 중에서도 플라즈마 이온 밀도에 따라 5옴 미만 900옴 이상 의 범위일 수 있고, 반사된 전력이 주파수의 함수일 수 있기 때문에, 반사된 전력에 따른 생성기 주파수 조절은 RF 생성기로부터 플라즈마로 전달되는 전력을 증가시키며 생성기를 보호한다. 반사된 전력을 감소시키고 효율성을 개선시키는 또 다른 방법은 매칭 네트워크를 이용하는 것이다.

매칭 네트워크들(89, 90)은 각각 생성기들(82, 84)의 출력 임피던스와 코일들(78, 80)을 매칭시킨다. RF 제어 회로는 로드가 변함에 따라 로드와 생성기를 매칭시키기 위해 매칭 네트워크들 내에서 캐패시터들의 값을 변화시킴으로써 양쪽 매칭 네트워크들을 조절할 수 있다. RF 제어 회로는 로드로부터 생성기로 다시 반사된 전력이 소정의 제한치를 초과할 때 매칭 네트워크를 조절할 수 있다. 일정한 매칭을 제공하고 매칭 네트워크 조절로부터 RF 제어 회로를 효율적으로 차단하는 한가지 방법은 반사된 전력의 임의의 예상된 값 이상으로 반사된 전력 제한치를 설정하는 것이다. 이는 가장 최근 상태에서 매칭 네트워크 상수를 유지함으로써 소정의 조건들 하에서의 플라즈마 안정화를 도울 수 있다.

바이어스 플라즈마 시스템(44)은 RF 바이어스 생성기(86) 및 바이어스 매칭 네트워크(88)를 포함한다. 바이어스 플라즈마 시스템(44)은 보조 전극들로서 작용하는 몸체 부재(62)와 기판 수용부(66)를 용량성 결합시킨다. 바이어스 플라즈마 시스템(44)은 기판 표면으로 소스 플라즈마 시스템(42)에 의해 생성된 플라즈마 종들의 전달 강화를 돕는다. 특정 실시예에서, RF 바이어스 생성기(86)는 13.56MHz에서 10000W에 이르는 RF 전력을 제공한다.

다른 방안들이 플라즈마 안정화를 도울 수 있다. 예를 들어, RF 제어 회로 는 로드(플라즈마)로 전달된 전력을 결정하기 위해 사용될 수 있고 층을 증착하는 동안 전달된 전력을 실질적으로 일정하게 유지하기 위해 생성기 출력 전력을 증가 또는 감소시킬 수 있다.

가스 전달 시스템(46)은 다수의 가스 소스들(100a, 100b, 100c, 100d, 100e)을 포함한다. 일 실시예에서, 앞서 언급된 가스 소스들은 각각 실란, 분자체 산소, 헬륨 및 아르곤을 포함한다. 가스 전달 시스템(46)은 가스 전달 라인들(92)(단지 일부만이 도시됨)을 통해 기판을 처리하기 위해 몇 개의 소스들로부터 프로세스 챔버로 가스를 제공한다. 가스들은 가스 링(94), 상부 노즐(96), 및 상부 벤트(98)를 통해 프로세스 챔버(38)로 주입된다. 특히, 가스 소스들(100a, 100d)은 각각 흐름 제어기(120a, 120c) 및 가스 전달 라인들(92)을 통해 가스를 상부 노즐(96)에 제공한다. 가스 소스(100b)로부터의 가스는 흐름 제어기(120b)를 통해 가스 벤트(98)에 공급된다. 상부 노즐(96) 및 상부 벤트(98)는 가스들의 상부 및 측면 흐름들의 독립적 제어를 허용하여, 막 균일도를 개선시키고 막의 증착 및 도핑 파라미터들의 미세한 조절을 허용한다. 상부 벤트(98)는 가스 전달 시스템으로부터 프로세스 챔버로 가스가 흐를 수 있는 상부 노즐(96) 부근의 환형 개구이다.

가스는 흐름 제어기(102a, 102b, 102c, 102d, 102e) 및 가스 전달 라인들(92)을 통해 앞서 언급된 가스 소스들 각각으로부터 가스 링(94)에 제공된다. 가스 링(94)은 기판 위로 균일한 가스 흐름을 제공하는 다수의 가스 노즐들(106, 108)(단지 2개만이 도시됨)을 갖는다. 노즐 길이 및 노즐 각도는 가스 링(94)을 변화시킴으로써 변할 수 있다. 이는 개별 프로세스 챔버 내에서 특정 프로세스를 위한 균일한 프로파일 및 가스 활용 효율 조절을 허용한다. 특정 실시예에서, 가스 링(94)은 전체 36개의 가스 노즐들, 24개의 제 1 가스 노즐들(108) 및 12개의 제 2 가스 노즐들(106)을 갖는다. 통상적으로, 가스 노즐들(108)(단지 하나만이 도시됨)은 제 2 가스 노즐들(106)과 공면이며 제 2 가스 노즐들(106) 보다 짧다.

일부 실시예들에서, 가연성, 유독성, 또는 부식성 가스들이 사용될 수 있다. 이러한 경우, 증착 이후 가스 전달 라인들에 남아있는 가스를 제거하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 예를 들어, 전달 라인(92a)으로부터 프로세스 챔버(38)를 분리시키 위해, 그리고 전달 라인(92a)을 진공 포어라인(114)으로 배기시키기 위해 밸브(112)와 같은 3-웨이 밸브를 사용하여 달성될 수 있다. 도 1에 도시된 것처럼, 112a 및 112b와 같은 다른 유사한 밸브들이 다른 가스 전달 라인들 상에 통합될 수 있다. 이러한 3-웨이 밸브들은 비배기(unvented) 가스 전달 라인(3-웨이 밸브와 프로세스 챔버 사이)의 볼륨을 최소화시키기 위해 실제로 프로세스 챔버(38)와 가깝게 위치될 수 있다. 부가적으로, 2-웨이(온-오프) 밸브들(미도시)이 질량 유량계(MFC)와 프로세스 챔버 사이 또는 가스 소스와 MFC 사이에 위치될 수 있다.

시스템(36)은 챔버(38)의 상부 노즐(96)에 세정 가스를 공급하는 원격 세정 RF 플라즈마 소스(미도시)를 더 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 세정 가스(사용되는 경우)는 다른 위치들에서 챔버(38)에 제공될 수 있다.

시스템 제어기(132)는 시스템(36)의 동작을 제어하며 이들의 동작을 제어하기 위해 전기적으로 통신하는 프로세서(134)를 포함한다. 통상적으로, 프로세 서(134)는 아날로그 및 디지털 입/출력 보드들, 인터페이스 보드들 및 스텝퍼 모터 제어기 보드들을 포함하는 싱글-보드 컴퓨터(SBC)의 일부이다. CVD 시스템(36)의 다양한 부품들은 보드, 카드 케이지 및 커넥터 타입 및 치수들을 규정하는 VME(Versa Modular European) 규격을 따른다. 또한 VME 규격은 16-비트 데이터 버스 및 24-비트 어드레스 버스를 갖는 버스 구조물을 한정한다. 프로세서(134)는 메모리(136)에 저장된 컴퓨터 프로그램이며 프로세서(134)에 전자식으로 결합된 시스템 제어 소프트웨어를 실행시킨다. 하드 디스크 드라이브, 플로피 디스크 드라이브, 카드 랙 또는 이들의 조합물과 같은 임의의 형태의 메모리 장치가 사용될 수 있다. 시스템 제어 소프트웨어는 타이밍, 가스들의 혼합물, 프로세스 챔버 압력, 프로세스 챔버 온도, 마이크로파 전력 레벨들, 페데스털 위치, 및 특정 프로세스의 다른 파라미터들을 지시하는 명령들의 세트들을 포함한다.

기판(104)의 온도 및 기판 온도의 균일성은 기판(104)을 처리하는 중요한 프로세싱 파라미터들이다. 균일한 온도 프로파일을 생성하기 위해, 척(68)과 기판(104) 후면 사이에 열전달 유체가 인가된다. 본 발명의 일 실시예는 열전달 유체로서 예를 들어 헬륨을 사용한다. 일반적으로, 정전기 척(68)은 형상이 원형이나, 선택적으로 정전기 척(68)은 예를 들어 플랫 패널들과 같은 정사각형 또는 직사각형의 비-원형 기판들을 수용하도록 다양한 규칙적 및 불규칙적 기하학구조를 포함할 수 있다.

동작시, 기판(104)은 정전기 척(68) 상에 위치되며 다수의 가스 성분들이 가스 혼합물을 형성하도록 가스 패널(46)로부터 플라즈마 프로세싱 챔버(38)의 프로 세싱 영역(52)으로 공급된다. 플라즈마를 점화시키기 위해, 기판 지지 부재(56)의 전극, 상부 코일(78), 또는 측면 코일(80) 중 하나 이상에 RF 전력이 인가된다. 프로세싱 동안 기판의 온도 균일성을 유지하기 위해, 헬륨 가스와 같은 열전달 유체가 본 발명의 실시예들에 따라 적어도 하나의 유체 분배 부재(하기에 도시 및 개시됨)를 통해 공급된다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 부재(222)를 갖는 정전기 척(68)의 상부 평면도이다. 도 2A는 도 2의 정전기 척(68)의 부분 단면 투시도이다. 도 3은 선 3-3을 따라 취한 도 2의 척(68)의 단면도를 나타낸다. 하기 설명은 도 2 및 도 3을 동시에 참조함으로써 완벽히 이해된다. 정전기 척(68)은 몸체(220), 유체 분배 부재(222), 및 유전층(224)을 포함한다. 정전기 척(68)의 일 실시예에서, 몸체(220)는 알루미늄과 같은 전도성 물질로 제조되며 유전층(224)은 알루미늄-질화물, 알루미나 및 이와 유사한 것과 같은 세라믹 물질이다. 유체 분배 부재(222)는 정전기 척(68)의 주변부 부근에 원주상으로 배치된다. 유체 분배 부재(222)는 정전기 척으로부터 기판의 후면으로 헬륨 가스와 같은 유체를 분해하기 위해 유전층(224)을 관통하는 다수의 홀들(230)(또는 다른 형태의 통로들)을 포함한다. 12인치(300mm) 직경 반도체 웨이퍼와 조합되어 사용되는 정전기 척(102)에 대해, 정전기 척(102)의 주변부 부근에는 60 내지 360개 사이의 홀들이 제공된다. 다수의 홀들(230) 각각의 직경 범위는 통상적으로 약 0.15mm이다. 이러한 치수는 사용되는 유체 분배 부재의 종류, 프로세싱 챔버에서 사용되는 압력, 및 유체 분배 부재(222)를 흐르는 가스의 양에 따라 조절된다.

유체 분배 부재(222)는 링-형상 구조물을 갖는다. 그러나 선택적 실시예에서, 유체 분배 부재(222)는 다수의 링들, 방사상 암들, 방사상 조합들 및 링들 등을 포함하는 유저(user) 및 프로세싱 방법들의 요구조건에 따라 다양한 기하학적 설계를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예들은 유체 분배 부재 또는 부재들의 기하학적 구조를 제한하지 않는다.

유전층(224)은 몸체(220)의 상부 표면의 적어도 일부 및 유체 분배 부재(222)의 적어도 일부를 커버하여 지지 표면(228)을 형성한다. 지지 표면(228)은 그 상부에 위치되는 기판(104)을 지지한다. 유전층(224)은 몸체의 상부 표면에 용사되고 원하는 두께로 연마될 수 있다.

몸체(220)는 상부 표면(332) 및 몸체(220)의 상부 표면(332)에 형성된 채널(334)을 포함한다. 일반적으로, 채널(334)은 직사각형의 단면 형상을 갖는다. 그러나 선택적 실시예들에서, 채널(334)은 다양한 기하학적 단면 형상들을 가질 수 있다. 유체 분배 부재(222)는 채널(334) 및 유체 분배 부재(222)가 플레넘(336)을 형성하도록 몸체(220)와 결합된다, 즉, 부재(222)는 채널(334)에 위치설정되고 그곳에 고정된다. 또한, 몸체(220)는 플레넘(336)에 유체들을 공급하도록 채널(334)에 접속된 도관(338)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 냉각 가스가 도관(338)을 통해 공급되고 플레넘에 의해 유체 분배 부재(222)에 분배된다. 가스는 다수의 홀들(230)(또는 다른 형태의 통로들)중 하나 이상의 홀을 통해 배출되어 기판의 후면에 열전달 매체가 공급된다.

도 4 내지 도 10은 정전기 척, 예를 들어 정전기 척(102)의 점선 부분(230) 의 단면도로, 상기 부분은 유체 분배 부재(222), 유전층(228) 및 몸체(220)를 갖는다. 도면들에서, 정전기 척의 치수들은 유체 분배 부재 및 몸체의 단면을 나타내기 위해 확대되었다.

특히, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 척(402)의 일부를 나타낸다. 몸체(220)는 하부 채널(404A) 및 상부 채널(404B)을 갖는 듀얼 다마신 채널(404)을 포함하며, 하부 채널(404A)은 상부 채널(404B) 보다 폭이 좁다. 정전기 척(402)은 플레이트(440) 및 유전체 튜브(442)를 포함하는 유체 분배 부재(422)를 포함한다. 플레이트(440)는 상부 채널(404B)의 베이스(406)가 정지부(stop)를 형성하도록 상부 채널(404B)(예를 들어, 플레이트는 채널(404)과 매칭되게 원형 평면 형태를 가짐)과 맞춰진다. 플레이트(440)의 높이는 플레이트(440)의 상부(408)가 몸체(220)의 상부(332)와 실질적으로 공면이되도록 상부 채널(404B)의 높이와 실질적으로 동일하다. 플레이트(440)는 알루미늄과 같은 전도성 물질로 제조되며 상부 채널(404B)의 위치에서 용접된다. 플레이트(440)는 플레이트(440)의 바닥 표면에 형성된 채널(410)을 더 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 채널(410)의 폭은 실질적으로 하부 채널(404A)의 폭과 유사하나; 다른 실시예들에서, 채널(410)은 하부 채널(404A) 보다 폭이 좁을 수도 있다. 하부 채널(404A)과 채널(410)의 조합은 플레넘(336)을 한정한다.

유전체 튜브(442)(전기적 절연체)는 제 1 단부(446), 제 2 단부(448), 및 축형 관통 홀(450)을 포함한다. 예를 들어, 알루미나로 구성된 유전체 튜브(442)는 플레이트(440) 개 구(444)의 지름과 실질적으로 어울리는 지름을 갖는다. 개 구(444)의 지름은 제한되는 것은 아니지만, 일반적으로 약 0.008 인치(약 0.2) 이상이다. 선택적 실시 예들에서, 개고(444)는 원형, 직사각형, 사각형 등과 같은 다양한 기하학적 형상을 가질 수 있다. 또한, 개 구의 형상 및 크기는 유전체 튜부(442)의 외부 지름의 형상 및 크기와 실질적으로 어울린다. 유전체 튜브(442)는 개고 (444) 속에 위치된다(예를 들어 끼워 맞춰진다). 개고(444)는 그 위에 튜부(442)가 장착되는 플랜지(412)를 포함한다(즉, 플랜지는 종지부를 형성한다). 도시된 실시예에서, 튜브(442)의 제 1 끝 부분(446)은 몸체(220)의 표면(332) 위로 연장된다. 또 다른 실시예에서, 튜브(442)의 제 1 끝 부분(446)은 표면(332)과 공명일 수 있다.

몸체(220)의 적어도 일부 및 유체 분배 부재(422)의 적어도 일부는 유전 층(224)으로 커버 되어 지지 표면(428)을 형성한다. 유전 층(224)은 몸체의 상부 표면상에 용사 되고(sprayed) 원하는 두께로 연마될 수 있다. 일 실시예에서, 유전층(224)은 열적으로 용사된 알루미나 또는 용사된 알루미나/티타니아를 포함한다. 이러한 열적으로 용사된 유전층의 애플리케이션을 위한 프로세스들은 업계에 공지되어 있다. 열적 용사 프로세스들은 플라즈마 용사, 폭발용사(detonation-gun spraying), 고속화염용사(high-velocity oxygen fuel spraying) 및 화염 용사와 같은 몇 가지 상이한 방법들에서 선택될 수 있다.

일 실시예에서, 유전층(224)은 층(224)의 표면(428)이 튜브(442)의 단부(446)와 공면이되도록 라인(414)에 의해 표시된 두께로 연마된다. 선택적으로, 유전층(224)은 층(224)이 특정한 평탄도로 연마되도록 다공성 세라믹일 수 있으나, 층(224)은 적어도 튜브(442)의 제 1 단부(446)를 커버한다. 세라믹의 다공성으로 인해, 플레넘으로부터의 가스는 튜브(442)와 유전층(224)을 통해 흐른다. 예를 들어, 튜브(442)의 제 1 단부(446) 부근의 유전층(224)은 약 1 내지 100㎛의 구멍 직경을 생성하는 볼륨당 10 내지 60 퍼센트 사이의 다공성을 갖게 전체적으로 또는 부분적으로 알루미나로 형성될 수 있다. 소정 실시예들에서, 도 8을 참조로 하기에 개시되는 것처럼, 유전층은 튜브(442)의 단부(446) 부근에서 다공성일 수 있고, 그 밖의 곳에서는 다공성이 적을 수 있다. 도시된 것처럼, 통로(445)는 지지 표면(428)으로부터 플레넘(436)으로의 직시야(direct line-of-sight) 경로를 바람직하게 없애 통로(445)에서 플라즈마 형성의 가능성이 제한된다. 또 다른 실시예에서, 유전층(224)은 튜브(442)의 제 1 단부(446)를 커버하는 층(224)과 특정한 평탄도로 연마된다. 홀(416)은 통로(445) 속으로 유전층(416)을 지나 구멍이 뚫리거나 또는 다른 방식(예를 들어, 레이저 드릴링)으로 형성된다. 보어링(boring) 프로세스는 유전체 물질을 통해서 구멍을 뚫는다, 즉, 몸체의 전도성 물질은 보어링 프로세스에 의해 스퍼터링되지 않는다.

업계에 공지된 것처럼, 지지 표면(428)은 유전층(224) 상에 형성된 그루브들(미도시)의 패턴을 제공하도록 추가로 처리될 수 있다. 그루브들은 통로(445)와 교차하도록 지지 표면(428) 속으로 기계가공되거나 또는 다른 방식으로 형성된다. 정전기 척(402)의 전체 지지 표면(428) 위로 냉각 가스가 균일하게 분산되도록 냉각 가스가 통로(445)로부터 그루브들 속으로 진행될 수 있다.

플레넘과 기판 표면 사이의 통로를 한정하기 위해 전기적 절연체(유전체 튜 브 및/또는 유전층)를 사용함으로써, 플라즈마 형성에 의해 야기되는 열전달 가스로부터의 플라즈마 형성 또는 아킹 가능성이 감소된다. 플라즈마 형성 및 아킹을 감소 또는 소거시킴으로써, 정전기 척의 수명이 크게 증가된다. 절연체의 사용은 통로에서 전기장을 감소시켜, 플라즈마 형성 기회가 감소된다. 또한, 본 발명의 소정 실시예들은 기판 지지 표면(높은 전기장이 존재)과 플레넘의 전도성 표면 사이의 가시 경로를 소거시킴으로써 통로에서 전기장을 보다 감소시키는 유체 분배 부재 구조물을 이용한다. 이러한 가시 경로가 존재할 때, 통로에서 유체의 볼륨은 플라즈마로 점화되기에 충분하다. 비-가시 경로 사용은 플라즈마 형성시 야기될 수 있는 충분히 큰 유체 볼륨들에 대해 설정된 전기장을 감소시킨다. 이로써, 플라즈마 형성 및 관련된 아킹은 감소 또는 소거된다.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(502) 일부의 단면도를 나타낸다. 도 4의 실시예와 유사하게, 유전체 튜브(542)는 플레이트(440)를 통해 위치된다. 이러한 선택적 실시예에서, 튜브(542)는 채널(534)의 바닥부로 연장되며, 튜브(542)의 제 2 단부(548)는 채널(534)의 바닥부에 형성된 지지 부재(예를 들어 스텝(556)) 상에 위치된다. 이전 실시예에서처럼, 유전체 튜브(542) 및/또는 유전층(224)의 일부는 플레넘(536)으로부터 표면(528)으로의 유체를 위한 통로(545)를 한정하는 전기적 절연체를 형성한다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(602)의 일부의 단면도를 나타낸다. 도 4 및 도 5와 유사하게, 유전체 튜브(642)는 플레이트(440)를 통해 위치된다. 이러한 선택적 실시예에서, 유전체 튜브(642)는 제 2 단부(604)에 형성 된 적어도 하나의 노치(656)를 포함한다. 선택적 실시예에서, 튜브(642)는 플레넘(636)으로부터 튜브(642)의 통로(645)로의 유체 흐름이 용이하도록 홀들을 포함할 수 있다. 종래의 실시예들처럼, 유전층(224)은 다공성이며 튜브(642)의 제 1 단부(606)를 커버할 수 있고, 층(224)은 튜브(642)의 제 1 단부(606)가 노출되도록 연마될 수 있고, 또는 홀이 통로(645)를 액세스하도록 층에 형성된다. 유전체 튜브(642) 및 유전층(224)의 부분은 플레넘(636)으로부터 유체를 위한 통로(645)를 형성한다. 도시된 것처럼, 유전층(224)은 다공성이며 튜브(642)를 커버하고, 통로(645)는 지지 표면(628)으로부터 플레넘(636)으로 직시야를 바람직하게 없애 통로(645)에서 플라즈마 형성을 제한한다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(702) 일부의 단면도이다. 정전기 척(702)은 몸체(720) 및 유체 분배 부재(722)를 포함한다. 유체 분배 부재(722)는 이전 실시예들과 동일한 방식으로 조립되는 플레이트(740) 및 유전체 튜브(742)를 포함한다. 본 실시예에서, 몸체(720)는 유전체 단부 캡(760)을 포함하는 채널(734)을 포함한다. 유전체 단부 캡(760)은 채널(734)의 바닥부에 위치된다. 유전체 단부 캡(760)은 캡(760)이 컵 형상이 되도록 개구(762)를 포함한다. 유전체 튜브(742)는 제 1 단부(746), 제 2 단부(748), 및 제 1 단부(746)와 제 2 단부(748)를 연결하는 축형 관통 홀(750)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 유전층(724)은 튜브(742)의 제 1 단부(746)를 커버하며, 제 2 실시예에서, 유전층(724)은 튜브(742)의제 1 단부(746)가 노출되도록 라인(414)에 위치된다. 유전체 캡(760)은 채널(734) 속에 위치되어 튜브(742)의 제 2 단부(748)는 개구(762) 속으로 연장되나, 캡이 형성되도록 개구로부터 이격된다. 튜브(742) 및 단부 캡(760)은 유체가 흐르는 미로형(labyrinth) 채널을 형성한다. 이러한 채널 사용으로 전도성 플레넘 벽으로부터 척 표면으로의 시야 경로는 존재하지 않게 된다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(802) 일부의 단면도를 나타낸다. 정전기 척(802)은 유체 분배 부재(822)를 포함한다. 유체 분배 부재(822)는 개구(844)를 포함하는 플레이트(840)를 포함한다. 플레이트(840)는 몸체(820)와 결합되어 채널(834)과 플레이트(840)는 플레넘(836)을 형성한다. 유전층(824)은 몸체(820)의 적어도 일부 및 유체 분배 부재(822)의 적어도 일부를 커버한다. 유전층(824)은 다공성 유전체 세그먼트(870)를 포함하며 다공성 유전체 세그먼트(870)의 적어도 일부는 개구(844)를 오버랩한다. 다공성 유전체 세그먼트(870)는 볼륨의 약 10% 내지 볼륨의 약 60% 범위의 다공성을 가지며 알루미나와 같은 다공성 세라믹이며, 다공성 유전체 세그먼트(870)를 지나는 연속적인 통로를 형성하는 상호접속된 개구들을 갖는다. 다공성 유전체 세그먼트(870)의 적어도 일부 및 개구(844)는 플레넘(836)으로부터 정전기 척(802)의 지지 표면(828)으로의 유체 흐름을 위한 통로(845)를 형성한다. 도시된 것처럼, 바람직하게 통로(845)는 지지 표면(828)으로부터 전도성 플레넘(836)으로의 직시야를 없애, 통로(845) 속으로 플라즈마의 형성이 방지된다.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(902) 일부의 단면도를 나타낸다. 정전기 척(902)은 유체 분배 부재(922)를 포함한다. 유체 분배 부재(922)는 개구(944) 및 유전체 플러그(980)를 갖는 플레이트(940)를 포함한다. 플레이트(940)는 몸체(920)와 결합되어 채널(934)과 플레이트(940)는 플레넘(936)을 형성한다. 플레이트(940)와 몸체(920)는 본 발명의 다른 실시예들과 관련하여 앞서 개시된 것처럼 조립된다. 유전체 플러그(980)의 직경은 개구(944)의 직경과 실질적으로 매칭된다. 유전체 플러그(980)는 개구(1044)에 위치되어 통상적으로는 그 안에 맞춰 끼어진다. 유전층(224)은 몸체(920)의 적어도 일부 및 유체 분배 부재(922)의 적어도 일부를 커버하여, 지지 표면(928)을 형성한다. 유전층(224)은 몸체(920) 및 유체 분배 부재(922)의 상부 표면상에 용사되고, 원하는 두께로 연마된다. 홀(982)은 유전층(224) 및 유전체 플러그(980)를 지나 형성된다. 홀(982)은 플레넘(936)으로부터 정전기 척(902)의 지지 표면(928)으로의 유체 흐름을 가능케한다. 홀(982)은 기계적 드릴링, 레이저 드릴링 등과 같은 다양한 기술들을 사용하여 형성될 수 있다. 홀(982)은 유전체 물질만을 관통하여 형성된다. 이로써, 드릴링 프로세스로부터의 금속성 잔류물이 축형 관통 홀(982)에 형성되지 않는다. 이러한 금속성 잔류물이 없다면, 홀(982)에서의 플라즈마 형성 및 아킹 가능성은 제한된다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척(1002) 일부의 단면도를 나타낸다. 정전기 척(1002)은 유체 분배 부재(1022)를 포함한다. 유체 분배 부재(1022)는 플레이트(1040) 및 유전체 캡(1042)을 포함한다. 플레이트(1040)는 2개의 환형 링(1040A, 1040B)을 포함한다. 링(1040A)은 링(1040B) 보다 작은 직경을 갖는다. 각각의 링(1040A, 1040B)은 상부 채널(404B)의 바닥부에 형성된 선반(ledge)(406) 상에 장착된다. 플레이트(1040)는 상부 채널(404B)에 플레이트를 보유하도록 몸체(1020)에 용접된다. 유전체 캡(1042)(플레넘(1036)을 형성하도록 링 형상)은 상부 채널(404B)속에 삽입되며 플레이트(1040) 상에 장착된다.

또 다른 실시예에서, 플레이트(1040)는 다수의 접시머리(counter-sunk) 홀들을 갖는 반전된 U자-형상 단면(예를 들어, 도 4의 플레이트(440))을 포함할 수 있다. 부재(1042)와 유사한 단면을 갖는 원형(도넛-형상) 유전체 부재는 접시머리 홀 속으로 삽입될 수 있다. 유체 분배 부재(1022)는 몸체(1020)와 결합되어 유체 분배 부재(1022)와 채널(1034)은 플레넘(1036)을 형성한다. 유전층(224)은 몸체(1020)의 적어도 일부 및 유체 분배 부재(1022)의 적어도 일부를 커버하여, 지지 표면(1028)을 형성한다. 유전층(224)은 몸체(1020) 및 유체 분배 부재(1022)의 상에 용사되어 원하는 두께로 연마될 수 있다. 홀(1082)은 유전층(224)과 유전체 캡(1090)을 관통하여 형성된다. 홀(1082)은 기계적 드릴링, 레이저 드릴링 등과 같은 다양한 기술을 사용하여 드릴링될 수 있다. 도 9의 실시예처럼, 홀(1082)은 유전체 물질만을 관통하여 형성된다. 이로써, 전도성 잔류물이 홀(1082)에 남지 않게 된다.

지금까지의 각각의 실시예들에서, 본 발명의 유체 분배 부재(들)를 이용하는 정전기 척이 플라즈마 형성 또는 아킹에 의해 손상되는 경우가 발생할 경우, 척은 다수의 방법들을 사용하여 쉽게 교체(또는 리퍼비싱(refurbished))될 수 있다. 일반적으로, 해로운 플라즈마 형성 또는 아킹은 유전체 부품(튜브, 다공성 삽입물 등) 내부 또는 그 부근에서 이루어질 것이다. 이로써, 유전층은 유전체 부품이 노출되도록 (유전체 부품 상에서) 국부적으로 또는 (전체 척 양단에 대해) 전체적으 로 제거될 수 있다. 다음 부품은 부품들로부터 드릴링되거나 또는 철거되는 추출 장비를 이용하여 제거될 수 있다. 일단 제거되면, 새로운 유전체 부품이 삽입될 수 있고 필요에 따라 유전층이 국부적으로 또는 전체적으로 교체된다. 일부 실시예들에서, 유전체 부품은 (앞서 개시된 것처럼) 척의 지지 표면으로 연장될 수 있고 추출 이전에 유전층의 제거를 요구하지 않는다. 이런 경우, 손상된 유전체 부품은 제거되고 새로운 유전체 부품이 플레이트의 개구 속으로 삽입(일반적으로 맞춰 끼워짐)된다. 이런 방식으로, 정전기 척은 열전달 유체 통로 내에 또는 근처에서 아킹 또는 플라즈마 형성시 전체 정전기 척을 교체하는 경우에 비해 상당한 절감으로 교체될 수 있다.

지금까지 본 발명의 실시예들에 대해 개시했지만, 본 발명의 다른 추가적 실시예들이 하기 특허청구항들에 의해 결정되는 본 발명의 기본 사상 및 범주를 이탈하지 않는 범위에서 고안될 있다.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따라 유체 분배 부재를 갖는 정전기 척을 포함하는 플라즈마-기반 기판 프로세싱 시스템을 나타내는 도면;

도 2는 도 1의 정전기 척의 상부도를 나타내는 도면;

도 2A는 도 2의 정전기 척의 일부의 부분적 단면 투시도;

도 3은 선 3-3을 따른 정전기 척의 단면도;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 5는 또 다른 실시예에 따른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 6은 또 다른 실시예에 따른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 8은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 9는 본 발명의 다양한 실시예들에 다른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도;

도 10은 본 발명의 다양한 실시예들에 다른 정전기 척의 유체 분배 부재의 단면도.

Claims (15)

1. 정전기 척의 적어도 일부를 리퍼비싱(refurbishing)하는 방법으로서,

   정전기 척의 유체 분배 부재로부터 제 1 유전체 부품을 제거하는 단계; 및

   상기 제 1 유전체 부품을 제 2 유전체 부품으로 교체하는 단계

   를 포함하는, 리퍼비싱 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 유전체 부품이 노출되도록 유전층의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및

   상기 제 1 유전체 부품을 상기 제 2 유전체 부품으로 교체한 후에, 제거된 상기 유전층의 적어도 일부를 새로운 유전층의 적어도 일부로 교체하는 단계

   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제 2 유전체 부품은 상기 유체 분배 부재에 있는 개구속에 끼워 맞춰지는(press fit) 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제 1 유전체 부품 또는 상기 제 2 유전체 부품 중 적어도 하나는 튜브 인 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제 1 유전체 부품 또는 상기 제 2 유전체 부품 중 적어도 하나는 다공성 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제 1 유전체 부품 또는 상기 제 2 유전체 부품 중 적어도 하나는 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 세라믹은 알루미나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제거하는 단계는 상기 제 1 유전체 부품을 드릴링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
9. 제 2 항에 있어서,

   상기 교체된 유전층을 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리퍼비싱 방법.
10. 채널을 포함하는 몸체;

    개구를 포함하며 플레넘을 형성하도록 상기 채널과 결합되게 조절되는 플레이트;

    상기 플레넘으로부터 유체 통로의 적어도 일부분을 한정하도록 상기 개구에 위치되는 유전체 부품;

    기판 지지 표면이 형성되도록 상기 몸체의 적어도 일부 및 상기 플레이트의 적어도 일부를 커버하는 유전층; 및

    상기 유체 통로의 일부를 형성하도록 상기 유전체 부품을 커버하는 다공성 유전층

    을 포함하는, 정전기 척.
11. 제 10 항에 이어서,

    상기 유체 통로는 상기 플레넘으로부터 상기 기판 지지 표면으로 시야(line-of-sight) 경로를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
12. 제 10 항에 있어서,

    상기 유전체 부품은 제 1 단부, 제 2 단부 및 축형 관통 홀을 포함하는 유전체 튜브이고, 상기 유전체 튜브는 상기 플레이트의 개구 속에 위치되며, 상기 유전층은 상기 축형 관통 홀 및 상기 유전체 튜브의 제 1 단부의 적어도 일부를 커버하 며 상기 유전층의 적어도 일부는 상기 유체 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
13. 프로세스 영역을 한정하는 챔버; 및

    상기 프로세스 영역에 반도체 기판을 보유하는 제 10 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 개시된 정전기 척

    을 포함하는 반도체 기판 처리 장치.
14. 플레넘을 형성하도록 몸체의 채널 속에 플레이트를 위치시키는 단계;

    상기 플레이트의 개구 속으로 상기 플레넘으로부터 통로의 일부를 한정하는 유전체 부품을 삽입하는 단계;

    지지 표면이 형성되도록 상기 몸체의 적어도 일부 및 상기 플레이트의 적어도 일부를 커버하는 유전층을 증착하는 단계;

    상기 유전층을 특정 두께로 연마하는 단계; 및

    상기 지지 표면과 상기 플레넘 사이에 통로가 한정되도록 상기 유전층 및 상기 유전체 부품을 관통하는 개구를 형성하는 단계

    를 포함하는 정전기 척 제조 방법.
15. 제 14 항에 있어서,

    상기 유전체 부품은 제 1 단부, 제 2 단부 및 상기 제 1 단부와 상기 제 2 단부를 접속하는 축형 관통 홀을 가지는 유전체 튜브를 포함하며,

    상기 채널 내에 단부 캡을 위치시키는 단계 - 상기 유전체 튜브의 제 2 단부는 상기 유전체 단부 캡 안쪽으로 연장되면서 갭을 형성하도록 유전체 단부 캡과 이격되며, 상기 갭 및 상기 관통 홀은 통로를 형성함 - ; 또는

    상기 유전체 튜브를 상기 개구 속에 위치시키고 상기 제 1 단부의 적어도 일부를 상기 유전층으로 커버하는 단계 - 상기 축형 관통 홀 및 상기 유전층의 적어도 일부는 통로를 형성함 -

    중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척 제조 방법.

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