JP2004158751A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置において、５０ＭＨｚ以上の高周波電力の使用による基板温度制御性の悪化を防止し、プラズマ生成用高周波電力の高パワー化・低周波化に伴う基板保持手段の破損の防止、面内温度制御性の悪化を防止する。
【解決手段】▲１▼プラズマ生成のため印加する高周波電力の周波数に対応して所定の誘電損失を持つ基板保持手段１０の材質を選択すること。▲２▼伝熱ガスを基板６に供給して、基板温度の均一化と冷却を行うため、伝熱ガス流路１５を設け、この伝熱ガス流路１５を導電体で包囲すること。▲３▼伝熱ガス流路１５には、基板６と基板保持手段１０の間に伝熱ガスを供給する複数のガス導入孔スリーブを設け、その孔の数は、基板保持手段１０に内蔵された電極に印加される電力のワット密度により最適値が求められる。▲４▼基板６と、吸着用電力印加電極１１ａ、１１ｂと、放電用電力印加電極が、基板設置の垂直下方向に層状に構成し、かつ平行に配置されること。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子、液晶ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形成工程あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
近年、プラズマ処理装置は、デバイスの高機能化とその処理コストの低減のために、高精度化、高速化、大面積化、あるいは低ダメージ化を実現する取り組みが盛んに行われている。中でも、成膜においては、基板内の膜質の均一性を得るため、また微細加工に用いられるドライエッチングにおいては、寸法精度の確保のため、特に基板温度を面内で均一に、かつ精密に制御することが要求されている。そのため、基板温度を制御する手段として、静電吸着を利用した基板保持装置を備えたプラズマ処理装置が使用され始めている。
【０００３】
【従来の技術】
従来より、静電吸着を利用する構成として、セラミックからなるプレート中に電極を埋設したものが知られている（特許文献１参照）。しかし、現実には、反りが発生する等、十分なものは得られていなかった。
【０００４】
また、本願の発明者等が行った静電吸着を利用した従来のプラズマ処理装置について説明し、その課題について言及する。
【０００５】
図４は、従来のプラズマ処理装置の断面図である。図４において、真空容器１は、ガス供給装置２からガスを導入するガス導入口３と真空排気装置４と連結する排気口５を備えている。真空容器１内には、基板６を静電吸着して基板６を精度よく支持する基板保持装置７、ならびにプラズマ生成用のアンテナ８が設けられている。このアンテナ８は、真空容器１の外側に設けたプラズマ生成用の１００ＭＨｚの高周波電源９と接続している。
【０００６】
基板保持装置７は、基板６の下面に密着して基板６を支持する基板保持台１０と、基板６を基板保持台１０に載置、離脱をさせるために昇降する突き上げ手段７ａを備えている。基板保持台１０は、上部に位置して基板６の下面を静電吸着するセラミック製の保持部１０ａと、保持部１０ａの下部に位置して、内部に冷却水路（図示せず）を有し、表面を絶縁皮膜により被覆されたアルミニウム製のベース部１０ｂを備えている。保持部１０ａには、その表面から約５００μｍの位置に、タングステンからなる一対の静電吸着用内部電極１１ａ、１１ｂが配置され、ベース部１０ｂにより挟まれた構造になっている。
【０００７】
また保持部１０ａは、静電吸着力を向上させるため、アルミナ（ＡＬ_２Ｏ_３）にチタニア（Ｔｉ_２Ｏ_３）等の低抵抗材料を混合し、使用温度である６０℃付近にて、１×１０^１２Ω・ｍ程度の体積抵抗率を示すよう構成している。静電吸着用の内部電極１１ａには正の電圧が印加され、内部電極１１ｂには負の電圧が印加されている。これら内部電極１１ａ、１１ｂは、プラズマ生成のための５００ＫＨｚの高周波電源１２にも接続されており、吸着用電力印加電極と放電用電力印加電極を兼用する構成となっている。
【０００８】
また、基板保持台１０の上面と基板６の下面との間隙に伝熱ガスが供給され、基板６の温度がコントロールされるよう構成されている。上記伝熱ガスは、例えばＨｅガスが用いられ、真空容器１の外部に設置されているガス供給部１３から供給される。このガス供給部１３は、バルブ、流量コントローラ、基板裏面の圧力制御機構、圧力計、絞り弁等から構成されている。また伝熱ガスを基板６の下面に供給するため、ガス導入孔スリーブ１４が設けられ、このガス導入孔スリーブ１４には、直径０．８ｍｍの貫通孔が形成されている。そして基板保持台１０の表面には、図４に示すように、深さ２０μｍ程度の溝１５ａが形成されており、ガス導入孔スリーブ１４からのガスを基板６の下面の必要個所に導くように形成されている。
【０００９】
静電吸着用の内部電極１１ａ、１１ｂは、直流電源１６と接続しており、内部電極１１ａには正の電圧が、内部電極１１ｂには負の電圧が印加され、基板６を基板保持台１０に静電吸着するよう構成されている。
【００１０】
上記構成のプラズマ処理装置の動作について説明する。基板６を載置した基板保持台１０内の一対の内部電極１１ａ、１１ｂにそれぞれ正、負の電圧が印加されると、基板６に生ずる帯電により、基板６は、基板保持台１０の上面に吸着、固定される。次にＨｅガスの供給部１３から流量１０ｃｃ／分のＨｅガスが伝熱ガス流路１５に導入され、さらに基板保持台１０に形成されている伝熱ガスの導入孔スリーブ１４を通じて、基板保持台１０の上面と基板６の下面の間に供給される。基板保持台１０の上面には、伝熱ガスの導入孔スリーブ１４を介してＨｅガスが必要個所に均一に流動して温度コントロールが行われる。そして圧力制御手段により基板６が離脱しない程度の所定圧力、例えば１４００Ｐａに調圧する。伝熱ガスは、基板保持台１０の表面に形成した伝熱ガス流路１５の一部がガス導入孔スリーブ１４と連通して基板６の全面に供給される。
【００１１】
次にガス導入口３より反応ガスであるアルゴンを２００ｃｃ／分で導入し、室内を０．５Ｐａに調圧して５００ｋＨｚのプラズマ生成用高周波電源１２から一対の内部電極１１ａ、１１ｂに２０００Ｗ、同時にプラズマ生成用の１００ＭＨｚの高周波電源９からアンテナ８に２０００Ｗ供給することによりプラズマを発生させ、基板６を裏面Ｈｅガスの流動により効率よく冷却しながら、所望のドライエッチングが達成される。
【００１２】
エッチングが終了した後、高周波電力、反応ガス、冷却用Ｈｅガスの供給を止め、真空排気装置４により真空排気を行う。そして基板搬送のため、突き上げ手段７ａで基板６を基板保持台１０から分離させ、所定の処理を終了する。
【００１３】
【特許文献１】
特公平６−９７６７７号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術については、次のような課題を有している。以下、上記従来技術の課題について説明する。
【００１５】
（第１の課題） 上記従来の基板保持台は、セラミック製であるため、誘電体である。従って、プラズマ生成用高周波電源が５０ＭＨｚ以上の高周波を用いる際の誘電損失が約０．０１と大きい。誘電体は、交流電界を加えると、エネルギーの一部が熱として奪われ、誘電体本体の昇温、そしてプラズマのエネルギー損失を招く。周波数が高まるほど誘電損失も大きくなるため、従来例の１００ＭＨｚの高周波では、基板保持台の高周波印加による温度上昇が発生してしまい、所定の温度が得られない、安定した基板の温度管理ができない、という問題が発生する。
【００１６】
（第２の課題） 近年、基板に印加するプラズマ生成用高周波電源は、２ＭＨｚ以下の低周波化、かつワット密度２Ｗ／ｃｍ^２以上の高パワー化および処理時圧力１Ｐａ以下の高真空化により、図５に示す基板保持台面に形成されている伝熱ガス流路にて異常放電が発生し、デバイス破壊、基板保持台の絶縁破壊による吸着不良等が発生した。反面、伝熱ガス流路をなくすと、伝熱ガスが基板全体に行き渡らず、面内温度分布が悪くなる問題を解決できない。
【００１７】
（第３の課題） 基板保持台は、セラミック材料の他、タングステン等、異種材料を一体で焼成すると、図６に示すように、椀状、あるいは山状に変形した形で焼成される。これを基板接触面の平面度を確保するため、仕上げ加工を行うと、図７に示すように平行度が得られなくなる。すなわち内部電極を基板接触面と平行にすることは困難で、厚み５００μｍ狙いで、±０．１ｍｍ以上のばらつきが生じた。特に基板の大型化に伴い、その傾向は顕著である。このことから、基板と内部電極との間隔が一定でないため、基板保持台上におけるイオンシース分布が不均一になることから、エッチングレートのばらつき、そしてセラミックのの厚みが不均一なため、吸着力の面内ばらつきが発生し、温度制御が悪化するという問題が発生する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明プラズマ処理装置は、ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有するプラズマ処理装置であって、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させ、プラズマ生成のため印加する高周波電力の周波数に対応して所定の誘電損失を持つ基板保持台の材質を選択することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有し、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させるプラズマ処理装置であって、前記基板と基板保持台の間に基板の温度を制御する伝熱ガスを供給し、その伝熱ガス流路を基板保持台の内部に形成し、かつ前記伝熱ガス流路は導電体で包囲したことを特徴とする。
【００２０】
さらに本発明は、ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有し、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させ、かつ前記基板と基板保持台との間に基板の温度を制御する伝熱ガスを供給するプラズマ処理装置であって、前記基板と、吸着用電力印加電極と、放電用電力印加電極が、基板設置の垂直下方向に層状に、かつ平行に配置されていることを特徴とする。
【００２１】
上記特徴を有する本発明により、前記した第１〜第３の課題を解決することができる。すなわち、５０ＭＨｚ以上の高周波電力を使用することによる基板温度制御性の悪化を防止できると共に、基板保持台へ印加するプラズマ生成用高周波電力の高パワー化、低周波化による基板保持台の破損の防止、さらには、面内温度制御性の悪化の防止が可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。なお従来技術と同一の構成については、同一の符号を付して、説明を省略する。
（実施の形態１） 真空容器１内には、基板６を静電吸着して基板６を精度よく支持する基板保持台１０を有する基板保持装置７が設置されている。基板６は、２００ｍｍウエハが用いられる。基板保持台１０は、厚さ５ｍｍのセラミック製の保持部１０ａと、この保持部１０ａの下部に位置して、内部に冷却水路（図示せず）を有するアルミニウム製のベース部１０ｂからなり、保持部１０ａの表面から約５００μｍの内部にタングステンからなる一対の内部電極１１ａ、１１ｂが配置され、下面にもセラミックで包囲された構成になっている。上記内部電極１１ａ、１１ｂは、基板６と基板保持台１０との接触面に対して、平行度０．０５ｍｍを維持できるよう構成されている。保持部１０ａのセラミックの材質は、１００ＭＨｚ印加時の誘電損失が０．００５以下となるよう選定し、本実施の形態では、高純度アルミナを用いる。アルミニウム製のベース部１０ｂ内には、冷却用の伝熱ガス流路１５が形成されており、アルミニウムで包囲された形になっている。
【００２３】
そして伝熱ガス流路１５は、基板保持台１０の表面に伝熱ガスを供給するガス導入孔スリーブ１４と繋がっている。冷却に適したガス導入孔スリーブ１４の個数は、以下の数式により求められ、本実施の形態では、３００個と計算される。
【００２４】

基板６と基板保持台１０との接触面は、伝熱ガスの導入孔スリーブ１４と基板６の突き上げ手段７ａ用の孔を設ける以外は、伝熱ガス流路１５とするために、凹凸を形成するような特殊な加工を施すことなく伝熱が達成される。孔の配置は、各孔の間隔がほぼ一定となるように配慮して構成される。
【００２５】
以上のように構成されたプラズマ処理装置の動作について説明する。まず、突き上げ手段７ａにより基板６を基板保持台１０上に載置し、基板保持台１０に内蔵した一対の内部電極１１ａ、１１ｂに対し、直流電源１６によりそれぞれ正、負の電圧をかけると、基板６に帯電が生じ、基板６が基板保持台１０の表面に吸着、固定される。
【００２６】
次に、Ｈｅガスの供給部１３より、Ｈｅガスを伝熱ガス流路１５に導入し、この伝熱ガス流路１５から、基板保持台１０に形成されている３００ヶ所の伝熱ガスの導入孔スリーブ１４を通じて、瞬時に基板保持台１０の表面と基板６の裏面間に供給される。また、圧力制御機構により、基板６が離脱しない程度の所定圧力、１４００Ｐａに調圧される。
【００２７】
次に、ガス導入口３より、反応ガスであるアルゴンを２００ｃｃ／分にて導入し、０．５Ｐａに調圧し、５００ＫＨｚプラズマ生成用高周波電源１２から一対の内部電極１１ａ、１１ｂに２０００Ｗ、同時にプラズマ生成用の１００ＭＨｚの高周波電源９からアンテナ８に２０００Ｗ供給することにより、プラズマを発生させ、基板６を裏面Ｈｅで効率よく冷却しながら、所望のドライエッチングが達成される。
【００２８】
ここで、基板保持台１０の保持部１０ａのセラミックの材質は、１００ＭＨｚ印加時の誘電損失が０．００５以下となるよう選定しているため、プラズマ生成用の１００ＭＨｚの高周波電源９からアンテナ８に２０００Ｗ供給され、プラズマを発生させても、誘電損失による発熱が抑えられ、１枚の基板を処理する時間が５分程度で、連続１０００枚以上放電処理を実施しても、所望の基板温度制御が可能となった。発明者等の評価によると、従来、基板温度１２０度にて制御したい場合、誘電損失０．０５以上のものは、放電時間３０分ほどで約１５度温度上昇していたものが、本発明によれば、ほとんど温度上昇しなくなった。
【００２９】
また、内部電極１１ａ、１１ｂは、基板６と基板保持台１０との接触面に対して、セラミック製の保持部１０ａの焼成の最適化により、平行度０．０５ｍｍにて構成することが可能となった。よって、内部電極１１ａ、１１ｂによって発生するプラズマのイオンシースが基板６上でほぼ均一に発生するため、エッチングレートの均一性が向上した。また保持部１０ａのセラミックの厚みが、５００μｍ±０．０５ｍｍと揃ったため、吸着力の面内ばらつきを抑えることができた。
【００３０】
さらに、アルミニウム製ベース部１０ｂ内には、伝熱ガス流路１５がアルミニウムで包囲され、かつ基板６と基板保持台１０との接触面は、伝熱ガスの導入孔スリーブ１４と突き上げ手段７ａ用の孔以外には、伝熱ガス流路１５のために、凹凸を形成する特殊な加工を施すことが無く、基板保持台１０へ印加する２ＭＨｚ以下の低周波化、かつワット密度２Ｗ／ｃｍ^２以上の高パワー化となっても、基板保持台１０の内部に配置されている伝熱ガス流路１５により、異常放電が発生することが防止できた。
【００３１】
また、基板保持台１０の表面に伝熱ガスを供給するガス導入孔スリーブ１４の個数については、発明者らの評価では、下記の関係が見出された。
【００３２】
孔の数（個数）＞１００×印加電力（Ｗ）／印加電極面積（ｃｍ^２）
なお、定数の「１００」は、限界値としては「５０」でも可能であるが、安全性を考慮して定めたものである。
【００３３】
最後に、エッチングが終了した後、プラズマ生成用高周波電源、反応ガス、裏面Ｈｅの供給を止め、一旦、真空排気装置４にて真空排気を行いながら、直流電源１６の出力を止め、その後基板６を搬送するため、突き上げ手段７ａで基板保持台１０から離脱させ、所定の処理を終了する。
【００３４】
なお、実施の形態１において、アルミニウム製ベース部に伝熱ガス流路を形成する場合は、空間を形成するために伝熱ガス流路の溝加工の後、蓋をする必要がある。すなわち隣接するガス溝同士が導通してしまわないよう蓋をボルト等で締結して蓋を密着するか、もしくは溶接等で溝を隔離する必要があり、このため、溝の配置に制約がある。
【００３５】
（実施の形態２） 本実施の形態は、基板保持装置における、特に基板保持台の構成に係るものである。（実施の形態１）と共通する構成については、同一の符号を用いて説明する。
【００３６】
図３において、基板保持台１０のセラミック製保持部１０ａには、伝熱ガス流路１５が形成されており、基板保持台１０の表面に伝熱ガスを供給する導入孔スリーブ１４と繋がっている。伝熱ガス流路１５の内部は、タングステンペーストにて包囲され、かつその一部であるアース端子１７が保持部１０ａを貫通し、アースであるアルミニウム製ベース部１０ｂと電気的に導通が取れるように構成されている。本実施の形態では、保持部１０ａがシートセラミックを積層して構成している。従って、焼結前の伝熱ガス流路１５をシートの溝で予め形成し、焼成前にタングステンペーストを形成できる。シートであるため、薄形状の設計自由度が高く、意図した場所に、Ｈｅガスを供給できるという利点がある。また、焼結前にタングステンを形成するため、塗り残し等の、アースを形成していない部分がなくなるため、異常放電発生を防止する効果が向上する。
【００３７】
上記構成において、基板保持台１０へ印加するプラズマ生成用高周波電力が２ＭＨｚ以下の低周波化、かつワット密度２Ｗ／ｃｍ^２以上の高パワー化となっても、基板保持台１０の表面に構成されている伝熱ガス流路で異常放電が発生することが防止できる。しかもシートセラミック内に、Ｈｅガスの流通する溝を自由に形成することができるため、コストが増大することなく、Ｈｅガスの供給点を増加することが可能となった。
【００３８】
シートセラミックを使用せず、粉体を固めて焼成する方法におけるセラミックにおいても、内部に伝熱ガス流路を形成し、事前に金属ペーストを塗り、同時に焼結することで、前記と同様の結果が得られる。しかし、製法において、焼結後の反りが発生しやすく、この反りを除去する工程を多数必要とすることを考えると、シートセラミックを用いることが最適である。
【００３９】
また、焼結したセラミックの表面に溝加工、導電膜形成を行い、これを張り合わせた構造においても、同様の結果が得られるが、この場合も、セラミック同士の張り合わせに工程が必要になる。
【００４０】
なお、本実施の形態において、基板裏面に流すガスとして、Ｈｅガスを用いたが、これ以外の不活性ガスや別のガスを用いてもよい。また基板裏面に流すＨｅガスの配管系統は、本実施の形態に限定されるものではない。
【００４１】
また本実施の形態では、基板保持台を一対の内部電極を有する、いわゆる双極型の静電吸着電極としたが、単極型の静電吸着電極を用いてもかまわない。また基板保持台において、吸着用電力印加電極と放電用電力印加電極を兼用しているが、別々に構成してもかまわない。
【００４２】
さらに、本実施の形態の構成に加え、基板保持台の焼結セラミック部分にヒーター電極を内蔵した場合、基板との平行度が、面内温度均一性に効果があることが確認できた。
【００４３】
また、本実施の形態においては、ドライエッチング装置を例にとって説明したが、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、アッシング装置などにも応用できることは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、５０ＭＨｚ以上の高周波電力を使用することによる基板温度制御性の悪化を防止できると共に、基板保持台へ印加するプラズマ生成用高周波電力の高パワー化、低周波化による基板保持台の破損の防止、面内温度制御性の悪化の防止に大きい効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるプラズマ処理装置の模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における基板保持台の要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態における基板保持台の要部断面図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の模式図である。
【図５】従来のプラズマ処理装置における基板保持台の要部断面図である。
【図６】従来のプラズマ処理装置における基板保持台の加工前の要部断面図である。
【図７】従来のプラズマ処理装置における基板保持台の加工後の要部断面図である。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ ガス供給装置
３ ガス導入口
４ 真空排気装置
５ 排気口
６ 基板
７ 基板保持装置
７ａ 突き上げ手段
８ アンテナ
９ 高周波電源
１０ 基板保持台
１０ａ 保持部
１０ｂ ベース部
１１ａ、１１ｂ 内部電極
１２ 高周波電源
１３ ガス供給部
１４ ガス導入孔スリーブ
１５ 伝熱ガス流路
１５ａ 溝
１６ 直流電源
１７ アース端子

Claims (15)

1. ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有するプラズマ処理装置であって、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させ、プラズマ生成のため印加する高周波電力の周波数に対応して所定の誘電損失を持つ基板保持台の材質を選択することを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上の時、基板保持台の材質は、誘電損失が０．００５以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記誘電損失０．００５以下となる基板保持台の材質は、セラミックとしたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有し、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させるプラズマ処理装置であって、前記基板と基板保持台の間に基板の温度を制御する伝熱ガスを供給し、その伝熱ガス流路を基板保持台の内部に形成し、かつ前記伝熱ガス流路は導電体で包囲したことを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 前記基板保持装置の基板保持台は、材質をセラミックとしたことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 伝熱ガス流路は、前記セラミックの基板保持台の内部に形成して、その内面を金属ペーストで包囲し、前記セラミックと併せて焼結することを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 基板保持台の材質をセラミックとし、前記基板保持台をセラミックシートを積層して形成することを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記基板保持装置は、基板保持台の内部に導電体で包囲された伝熱ガス流路を形成する共に、基板に生じる帯電を生成するための基板吸着用電力印加電極を併せて形成することを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記伝熱ガス流路には、基板と基板保持台間に伝熱ガスを供給する複数のガス導入孔スリーブと連通し、前記ガス導入孔スリーブは、基板との接触面まで貫通し、かつガス導入孔スリーブの数は、下記の数式に従って決定されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
   孔の数（個数）＞１００×印加電力（Ｗ）／印加電極面積（ｃｍ^２）
10. 前記基板保持台に内設された電極に印加する周波数が２ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
11. ガス供給装置と真空排気装置とを備えた真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を基板保持台上に保持、離脱させる基板保持装置と、前記基板保持台に対向して配設されたアンテナに接続された高周波電源とを有し、前記基板保持装置の基板保持台上面に前記基板の下面を接触させることで、前記基板と基板保持台とを吸着させ、かつ前記基板と基板保持台との間に基板の温度を制御する伝熱ガスを供給するプラズマ処理装置であって、前記基板と、吸着用電力印加電極と、放電用電力印加電極が、基板設置の垂直下方向に層状に、かつ平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
12. 前記基板と、吸着用電力印加電極と、放電用電力印加電極が平行度０．１ｍｍ以内に構成されていることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記基板保持台に、加熱用ヒーター電極を内設し、このヒーター電極は、基板と平行度０．１ｍｍ以内に構成されていることを特徴とする請求項１１もしくは１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
14. 吸着用電力印加電極と放電用電力印加電極のいずれか１つがセラミック製の前記基板保持台に内設されていることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記基板の処理面積が５００ｃｍ^２以上であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。

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