JP2004172202A - 静電チャック装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電チャック装置10はユニポーラ型またはバイポーラー型であり、その上にウェハー22を固定するために用いられる。それは、金属電極11、特定な領域を除いて金属電極11を覆う絶縁材料13、金属電極11に接続されたDC電圧供給器17、金属電極11の特定領域の上に固定され、その上面は複数のエンボス12aを有した誘電体層12、ウェハー22と誘電体層12の間のスペースにガスを導入するための少なくとも1つのガス導入口23、およびスペース24からガスを放出するための少なくとも1つのガス排出口25から構成されている。
【選択図】 図1
Description
【産業上の応用の分野】
本発明は静電チャック装置に関し、特に、半導体産業における半導体デバイスの製造においてプラズマに支援されてまたは支援されないで化学的または物理的にウェハーを処理するため半導体ウェハーを静電的に固定するための静電チャック装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハーの処理の間、ウェハーの温度を制御するために電極の上でのウェハーの固定は重要なことである。一般的に、静電的な固定(クランプ)は普通プラズマまたは非プラズマのウェハー処理装置の大部分において用いられている。静電チャック(ESC)にはユニポーラ型ESCおよびバイポーラ型ESCと呼ばれる2つの型がある。ユニポーラ型ESCの動作にはウェハーの表面の全面に渡りプラズマが必要となる。プラズマは静電力を生成するためウェハーと接地との間の電気的な接続を作る。しかしながら、バイポーラ型ESCはプラズマがなくても動作し、それ故に、それらはプラズマのない他のウェハープロセスと同様にプラズマプロセスにおいても用いることができる。たとえ静電的な技術が適切に電極の上にウェハーを固定し、より良い熱的伝導性を容易に実現するとしても、この方法に関連するいくつかの問題がある。
【0003】
主要な問題の1つはウェハーの裏面と静電チャックとの間の摩擦の力によってウェハーの裏面の上にパーティクルが生成されるということである。この問題は次に詳細に説明される。
【0004】
パーティクルの発生の問題を説明するために、従来のユニポーラ型の静電チャック(ESC)が考えられる。このESCの断面図は図5に示される。
【0005】
図5において示された静電チャック(ESC)80は誘電体層51、金属電極52、絶縁材料53、側壁54、およびボトムプレート62によって構成されている。誘電体層51は金属電極52の上に固定されている。ウェハー57は誘電体層51の上に配置されている。金属電極52は電気的に絶縁材料53の中に配置することによってハードウェアの他の部分から絶縁されている。金属電極52の厚みは重要なことではなく、通常1mmから数センチメートルの範囲にある。金属電極52は加熱または冷却の機構を含んでいる。例えば、冷却機構を備えた金属電極52が図5に示されている。
【0006】
金属電極52は二方向切替スイッチ55aを介してDC電圧供給器55または接地のいずれかに接続されることが可能である。金属電極52はrf発生器61からrf電流を与えられるようにしても良い。しかしながら、金属電極52に対してrf電流を供給することは、期待される目的にとって本質的なことではなく、すなわちウェハー固定プロセスにとっては本質的なことではない。もしrf電流が金属電極に与えられているものとすれば、rf電流の周波数は100kHzから50MHzの範囲にあり、代表的には2MHzよりも低い範囲にある。
【0007】
通常、Al2O3、AlN、ポリイミドなどが誘電体層51の材料として採用される。誘電体層51の厚みや抵抗性はウェハーの固定および固定解除(チャック解除)の効率に大きな影響を与える。しかしながら、誘電体層51の厚みは重要なことではないが、通常、5mmよりもより小さくなるようにされている。誘電体層51の上面の上には複数のエンボス56が形成され、これはウェハー57がESC上に配置されるとき、ウェハーの裏面がエンボス56にのみ接触するようにするためである。エンボス56の高さは5μmから25μmの範囲にある。これらのエンボス56のため、ウェハー57と誘電体層51の間にはスペース58が存在し、それは、通常、ウェハー57とESC80の間のより良い熱伝達のため不活性ガスが満たされている。
【0008】
作動中、金属電極52はDC電圧供給器55に接続されており、適当なDC電圧が与えられている。そのとき、電荷が金属電極52の上に蓄積する。金属電極52とSi(シリコン)ウェハー57の間には誘電体層51があるので、反対の極性の電荷がウェハー57の裏面の上に誘導される。ウェハー57とESC80の上の反対の極性を有したチャージは静電力を形成し、それはESC80の上にウェハーを固定する。
【0009】
ここに、従来技術として特許文献1が引用される。
【0010】
【特許文献1】
米国特許第5,530,616号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
金属電極52にDC電圧が与えられるとき、金属電極52の上に電荷が蓄積する。しかしながら、これらの電荷はウェハー57と金属電極52の間に強い電界(E1)が存在するために誘電体層51の上面に向かってゆっくりと移動する。この状態は図6に概略的に示されている。誘電体層51の上面に向かう電荷の移動は、同様にまた、誘電体層51が通常は完全な絶縁体でないという事実によって支持されている。さらに層51を作る誘電体材料には、意図的に、電気的抵抗性を減じるために不純物のドーピングが行われている。このことが誘電体層51の上面への電荷の移動を強める。
【0012】
顕微鏡レベルの微視的な規模において、Siウェハー57の下側表面とエンボス(emboss)56の上面は粗い表面を有している。それ故にウェハー57と誘電体層51の実際の接触は、図7に示されるごとく、2,3の箇所のみでなされている。ウェハー57と誘電体層51の間隔はそれらの間の真空またはエアーポケット51の厚みに限定されている。すなわち、反対の極性を有する電荷の間の距離は極めて小さくなっている。このことがウェハー57とESC80の間において極めて強い吸引的な静電力の発生を導いている。発生した静電力はウェハーを固定するために要求される実際の力よりもあまりにも強すぎる。この非常に強い力が、Siウェハー57および/または誘電体層51から、摩擦による擦れに起因するパーティクル60を発生させる原因となっている。
【0013】
これらのパーティクル60のいくつかは直ぐにウェハーの裏面に付着する。他のパーティクル60はエンボス56の上面から落下し、図6に示されるように、誘電体層51の表面に蓄積する。ESC80の上におけるSiウェハー57の繰り返される処理に伴なって、誘電体層51の上における蓄積されるパーティクル60の数は増大しウェハーの裏面に付着し始める。ウェハーの裏面へのパーティクルの付着は2つの理由に基づいて起こる可能性がある。第1に、これらの蓄積されたパーティクル60は、金属電極52にDC電圧を印加されるとき、電荷を与えられるということである。誘導された電荷によって、パーティクル60は静電力によってウェハーの裏面に付着する。第2のメカニズムは、勢いよく流れる不活性ガスによって、エンボス56の間でパーティクル60が浮遊し始めかつ流れ始めるということである。このパーティクル60は、電荷を与えられた状態にあり、静電的力の吸着力によってウェハーの背面に容易に付着する。
【0014】
本発明の目的は、ウェハーの裏面上でのパーティクルの発生を最少化することができる静電チャック装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る静電チャック装置は、上記の目的を達成するため、次のように構成されている。
【0016】
本発明の第1のチャック装置は、ユニポーラ型であって、その上にウェハーを固定するために用いられる。それは、金属電極、特定な領域を除いて金属電極を覆う絶縁材料と、金属電極に接続されたDC電圧供給器と、金属電極の特定領域の上に固定され、その上面は複数のエンボスを備えた誘電体層と、ウェハーと誘電体層の間のスペースにガスを導入する少なくとも1つのガス導入口と、スペースからガスを放出する少なくとも1つのガス排出口とから構成されている。
【0017】
本発明の第2の静電チャック装置は、バイポーラ型であって、その上にウェハーを固定するために用いられる。それは、2つの金属電極と、2つの特定の領域を除いて2つの金属電極を覆う絶縁材料と、2つの金属電極のそれぞれに分離して接続される2つのDC電圧供給器と、2つの金属電極の特定な領域の上に固定され、その上面は複数のエンボスを有する誘電体層と、ウェハーと誘電体層の間のスペースにガスを導入する少なくとも1つのガス導入口と、前記スペースから前記ガスを排出する少なくともひとつのガス排出口と、から構成されている。
【0018】
上記の静電チャック装置において、誘電体層はエンボス構造を有し、それはそれぞれ分離された複数の領域を作り、各領域は1つのガス導入口と1つのガス排出口を有している。
【0019】
電極上に半導体ウェハーを固定する本発明による静電チャック(ESC)は、誘電体層の上面の上に複数のエンボスを備えており、1つまたはいくつかのガス導入口と1つまたはいくつかのガス排出口とを備えている。当該構造において、それらの間により高い圧力を維持しながら、ガスは、ウェハーと誘電体層の間のスペースを通して流される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に、添付された図面に従って好ましい実施の形態が説明される。当該実施形態の説明を通して本発明の詳細が明らかにされるであろう。
【0021】
本発明の第1の実施形態は図1および図2を参照して説明される。本発明のESCはユニポーラ型またはバイポーラ型である。説明を容易にするため、この実施形態においてはユニポーラ型ESC10の構成が考えられる。第1実施形態のESC10の断面図は図1に示され、他方、ESC10の上面図が図2に示されている。
【0022】
ESC10は金属電極11、誘電体層12、金属電極11を覆う絶縁材料13、外側側壁14、底壁15、および外側シールド16から構成されている。金属電極11はESC10の中央部である。誘電体層12は金属電極11の上に位置している。外側シールド16はリング形状を有しており、誘電体層12の周りに配置されている。
【0023】
ESC10の主要部分は誘電体層12である。誘電体層12は金属電極11に堅く固定されており、それらの間が、より良好な熱伝導性を持つようにしている。金属電極11の上に誘電体層12を固定するために、例えば金属結合または機械的なクランピング(clamping)を用いることができる。誘電体層12の上面の上には複数のエンボス(emboss)12aが存在する。エンボス12aの高さは重要なことではなく、1μmから数センチメートルの間にあり得る。エンボス12aの断面の形状は、通常、円形形状である。しかしながら、エンボス12aに関して異なる断面形状を選択することも可能である。もしエンボスの断面形状が円形形状であるならば、当該エンボスの直径は、通常、1mmから10mmの範囲にある。エンボス12aの数、およびそれらの間の間隔は、重要な事項ではない。
【0024】
金属電極11の厚みは、重要な事項ではなく、通常では1cmから10cmの間にある。金属電極11は冷却または加熱の機構を持つことが可能である。しかしながら、これは本質的な部分ではない。それ故に、この実施形態に係る静電チャック装置を、たとえ金属電極11に応用されるいかなる温度制御機構がなくても、用いることができる。図1では、図を明らかにする目的のため、いかなる温度制御機構も示されていない。金属電極11は二方向切替用スイッチ19を経由してDC電圧供給器17または接地18に接続することができる。加えて、金属電極11はrf発生器20に接続することも可能である。しかしながら、金属電極11へrf電流を与えることは、この発明の期待される結果を得る目的という観点では本質的なことではない。仮にrf電流が金属電極11に与えられたとするならば、rfカットオフフィルタ21がDC電気回路に付設されなければならない。rf電流の周波数は重要なことではないが、100kHzから100MHzの範囲にあり得る。
【0025】
図2はESC10の上面図を示している。誘電体層12の上面の上にエンボスを設けるための基準的な方法は存在しない。図2はまさに1つのタイプのエンボスの配置を示している。誘電体層12の上面の上におけるエンボス12aの配置は、多くの異なる形態を持つことができる。例えば、図3はエンボスの配置の他の構成を示す。
【0026】
図3において、修正された例が示される。ESC10の上面の構成を除いてすべての他のハードウェアは第1実施形態で説明されたものと同じであるので、ESC10の上面のみが示される。誘電体層12の上のエンボス30の構成は特徴を有している。ガス導入口23およびガス排出口25は、同様に、形成されている。第1実施形態の修正は、エンボス30の異なる構成を示す。この構成のエンボス30を設けたため、ウェハー22と誘電体層12の間のスペース24の1つの領域(zone:ゾーン)31が形成される。この領域31は、ガス導入口23からガス排出口25へ至る1つのガスの流れ通路を作る。
【0027】
通常、AlN、Al2O3、ポリイミドなどが、薄い誘電体層12の材料として採用される。当該材料の電気抵抗性は固定力および固定解除時間に大きな影響を与える。一般的に、誘電体材料の電気抵抗性は適当な不純物をドーピングすることによって低下させられる。低抵抗誘電体材料は短い時間の周期でエンボスの上面における電荷の蓄積を助ける。さらに、低抵抗誘電体材料は、金属電極11が接地18に接続されるとき、金属電極11の電荷再流(リフロー)を止め、そのことはウェハー22の迅速な固定解除という結果をもたらす。これらのメカニズムは従来技術の部分で詳細に説明されている。
【0028】
ウェハー22と誘電体層12の間に形成されたスペース24にガスを供給するためのガス導入口23が存在する。このスペース24の高さはエンボス12aの高さによって決定される。さらに、ウェハー22と誘電体層12の間のスペース24からのガス排出口25が存在する。それ故に、ガス導入口23およびガス排出口25を用いることで、ガスはウェハー22と誘電体層12の間のスペース24を通して流される。ガスの流れを制御するためにガス導入口23に接続されたガス流量メータ26が存在する。ガスの流速は、重要なことではなく、10sccmから5000sccmの範囲で変化させられる。同様にまた、ガス圧力モニタ計27と、ガス排出口25に接続された可変オリフィス28とが存在する。従ってガス流量メータ26、圧力モニタ計27、および可変オリフィス28を用いて、適当なるガス流速がウェハー22と誘電体層12の間の適当なる圧力を維持する間、流される。
【0029】
上記で説明されたように、パーティクルは、ウェハー処理の間、誘電体層の表面の上に集められる。これらのパーティクルのいくつかはウェハーの裏面に付着する。ESC10において、ガスが、上記で説明されたごとく、ウェハー22と誘電体層12の間のスペース24で流される。適当なガスの流速を採用することによって、これらの蓄積されたパーティクルは、誘電体層12の表面から飛ばすようにすることができる。ガスは、ウェハーのプロセスの間、連続的に流される。この連続的なガスの流れは誘電体層12の上におけるパーティクルを減少させる。このことがウェハーの裏面へのパーティクル付着の減少をもたらす。
【0030】
図4を参照して第2の実施形態が説明される。ここで、ESC10の上面の構成を除いてすべての他のハードウェアは第1実施形態で説明されたものと同じであるので、ESC10の上面図のみが示される。先に説明されたように、誘電体層12の上のエンボス40の形成のための決まった構造はない。同様にまた、ガス導入口23およびガス排出口25の数は任意に変化させることができる。第2実施形態は、エンボス40、ガス導入口、ガス排出口の異なる構成を示している。エンボス40、ガス導入口23およびガス排出口25の異なる当該構成によって、ウェハー22と誘電体層12の間のスペース24のいくつかの領域(ゾーン)41,42,43,44が形成される。これらの領域40〜44は互いに分離されている。領域41〜44の各々はガス導入口23およびガス排出口25を有している。それ故に、異なる圧力および異なるガス流速を領域41〜44の各々内で維持することができる。
【0031】
第2の実施形態でのいくつかのガス導入口23およびガス排出口25のため、より多くのパーティクルが誘電体層12の上面から移動させられる。それ故に、この構成はウェハーの裏面におけるパーティクルのさらなる減少をもたらす。さらに、いくつかの領域41〜43の存在のために、ウェハー22および誘電体層12の間の熱伝達が各領域内で異なる圧力を採用することによって、より正確に制御することができ、これによってウェハー表面の上で一定な温度に維持することが可能となる。
【0032】
【発明の効果】
誘電体層上に半導体ウェハーを固定するためのユニポーラ型またはバイポーラ型の本発明による静電チャック装置は、チャック解除効率を改善すると共にウェハーの裏面のパーティクル発生を最少化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この図は、本発明の第1の実施形態の静電チャック装置の断面図である。
【図2】この図は、第1実施形態の静電チャック装置の上面図である。
【図3】この図は、ESCの上面におけるエンボス、ガス導入口、ガス排出口の他の構成を示す上面図である。
【図4】この図は、本発明の第2の実施形態で説明されるESCの上面を示す上面図である。
【図5】この図は、従来の静電チャック装置の断面図である。
【図6】この図は、エンボスの近傍における電荷の分布を示す部分的に拡大された断面図である。
【図7】この図は、ウェハーの上およびエンボスの上面における表面接触と電荷分布の拡大された断面図である。
【参照符号の説明】
10 静電チャック装置
11 金属電極
12 誘電体層
12a エンボス
13 絶縁材料
16 外側シールド
22 ウェハー
23 ガス導入口
24 スペース
25 ガス排出口
30 エンボス
40 エンボス
41−44 領域(ゾーン)
Claims (3)
- ウェハーを固定するユニポーラ型の静電チャック装置であって、
金属電極と、
特定領域を除いて前記金属電極を覆う絶縁材料と、
前記金属電極に接続されたDC電圧供給器と、
前記金属電極の前記特定領域の上に固定され、上面が複数のエンボスを有する誘電体層と、
前記ウェハーと前記誘電体層の間のスペースにガスを導入する少なくとも1つのガス導入口と、
前記スペースから前記ガスを放出する少なくとも1つのガス排出口と、
からなる静電チャック装置。 - ウェハーを固定するバイポーラ型の静電チャック装置であって、
2つの金属電極と、
特定領域を除いて前記2つの金属電極を覆う絶縁材料と、
前記2つの金属電極のそれぞれに分離して接続された2つのDC電圧供給器と、
前記2つの金属電極の前記特定領域に固定され、その上面は複数のエンボスを有する誘電体層と、
前記ウェハーと前記誘電体層の間のスペースにガスを導入する少なくとも1つのガス導入口と、
前記スペースから前記ガスを放出する少なくとも1つのガス排出口と、
からなる静電チャック装置。 - 前記誘電体層は互いに分離されたいくつかの領域を作るエンボス構造からなり、各領域は前記ガス導入口と前記ガス排出口を備える請求項1または2記載の静電チャック装置。
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