JP5654083B2

JP5654083B2 - 静電チャック及び基板処理装置

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Description

本発明は、静電チャック及び基板処理装置に関し、特に、半導体基板にプラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理等を施す基板処理装置に適用される静電チャック及びこれを備えた基板処理装置に関する。

半導体ウエハ等の基板に対して、エッチング処理をはじめとするプラズマ処理を施す基板処理装置は、内部を気密に封止可能に構成した処理室内に載置台を設け、この載置台上に被処理基板を載置し、処理室内にプラズマを発生させ、発生したプラズマを被処理基板に作用させてプラズマ処理を施すものである。

このような基板処理装置においては、被処理基板を固定すると共に、基板温度をプラズマ処理に適した温度に維持するために、例えば、載置台の静電チャック（ＥＳＣ）に、基板を加熱するためのヒータと、基板を固定するための吸着用の電極板が内蔵されている。

このような静電チャックに関する従来技術を開示する公知文献として、特許文献１が挙げられる。特許文献１は、ウエハを平坦保持するための高い吸着力を得ると共に、その制御が容易で、且つウエハを温度ムラなく適正に加熱することができる静電チャックを提供することを目的として開発された静電チャックを開示するものであって、ウエハを平坦保持するための双極型の静電チャック部とウエハを交流電源を用いて加熱するための加熱部とをウエハプレートに備えたウエハ加熱保持用静電チャックにおいて、静電チャック部における双極電極の一方又は両方が、加熱部の発熱体を兼ねた静電チャックが記載されている。

図５は、従来技術における静電チャックを示す部分拡大断面図である。図５において、この静電チャック８０は、静電チャック本体８１と、静電チャック本体８１に埋め込まれた高圧（ＨＶ）電極板８２及び渦巻き状の電熱ヒータ８３と、ＨＶ電極板８２及び電熱ヒータ８３にそれぞれ直流電力を供給する直流電源８４〜８６とから主として構成されている。

このような構成の静電チャック８０は、例えばホットプレス（焼結）方式によって製造される。すなわち、静電チャック本体８１の下面を形成するセラミックス板状体に、電熱ヒータ８３となる渦巻き状の抵抗体（内側／外側）及び中間層となるセラミックス板状体及びＨＶ電極板８２をそれぞれ塗布し、その上に、静電チャック８０の上面を構成するセラミックス板状体を重ね、その後、これら各層をホットプレスによって接合することによって形成される。このとき、ホットプレスに起因する歪みを考慮して、各構成材料は、目的の大きさよりも大きくして適用される。従って、プレス成形後、適正寸法になるまで整形体が研磨される。このようにして得られた静電チャック８０は、例えば接着剤８７によって基台９０に貼着、接合される。

特開２０００−３３２０８９号公報

しかしながら、上記従来技術における静電チャックは、例えば、蚊取り線香のような渦巻きパターンの電熱ヒータを用いたものであり、電熱ヒータからの熱のパターン転写による温度ムラをなくすために、電熱ヒータと基板の載置面との間隔をある程度大きくとる必要があるので、静電チャック全体の厚さを薄くすることができず、基板加熱時の立ち上がりが不良で、温度制御に対する追従性が悪いという問題がある。また、接着剤を用いて基台に貼着した従来の静電チャックにおいては、熱伝導性が不良であり、ホットプレス成形された静電チャックにおいては、制作費が嵩んで、経済的に不利であるという問題もある。

本発明の目的は、静電チャック全体としての厚さを薄くすることができ、温度制御に対する追従性が良好な静電チャック及びこれを備えた基板処理装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１記載の静電チャックは、基板処理装置の減圧された処理室内に設けられ、被処理基板を静電的に吸着する静電チャックにおいて、静電チャック本体を備え、前記静電チャック本体は、基台上に溶射によって形成された第１のセラミックス層と、前記第１のセラミック層上に溶射によって形成された第１の電極板と、前記第１の電極板上に溶射によって形成された第２のセラミックス層と、前記第２のセラミックス層上に溶射によって形成された第２の電極板と、前記第２の電極板上に溶射によって形成された第３のセラミックス層と、を有し、前記第２のセラミックス層は、抵抗体であり、且つ前記第１の電極板及び前記第２の電極板の間に狭持され、前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに異なる直流電源が電気的に接続され、前記第１の電極板及び前記第２の電極板の電圧を個々に制御可能とすることを特徴とする。

請求項２記載の静電チャックは、請求項１記載の静電チャックにおいて、前記第１の電極板及び前記第２の電極板にそれぞれ、所定の電圧が同時に印加されることを特徴とする。

上記目的を達成するために、請求項３記載の静電チャックは、基板処理装置の減圧された処理室内に設けられ、被処理基板を静電的に吸着する静電チャックにおいて、静電チャック本体を備え、前記静電チャック本体は、溶射によって形成された第１のセラミックス層と、前記第１のセラミック層上に溶射によって形成されたヒータと、前記ヒータ上に溶射によって形成された第２のセラミックス層と、を有し、前記ヒータは、前記静電チャック本体に内蔵され、前記第１のセラミック層上に溶射によって形成された第１の電極板と、前記静電チャック本体に内蔵され、前記第１の電極板の上方において溶射によって形成された前記被処理体を吸着する第２の電極板と、溶射によって形成された抵抗体であり、且つ前記第１の電極板と第２の電極板の間に狭持されるように配置された第３のセラミック層と、を有し、前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに異なる直流電源が電気的に接続され、前記第１の電極板及び前記第２の電極板の電圧を個々に制御可能とすることを特徴とする。

請求項４記載の静電チャックは、請求項３記載の静電チャックにおいて、前記第３のセラミック層に所定の電圧差が生じるように、前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに所定の電圧が同時に印加されることを特徴とする。

請求項５記載の静電チャックは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電チャックにおいて、前記第１の電極板及び前記第２の電極板と、前記異なる直流電源との間に電磁波漏洩フィルタが設けられていることを特徴とする。

請求項６記載の静電チャックは、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の静電チャックにおいて、前記第２のセラミックス層の抵抗率は、１０^７〜１０^８Ωｃｍであることを特徴とする。
請求項７記載の静電チャックは、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静電チャックにおいて、前記第３のセラミックス層の抵抗率は、１０^７〜１０^８Ωｃｍであることを特徴とする。

上記目的を達成するために、請求項８記載の基板処理装置は、処理室内に被処理基板を載置する静電チャックを備えた基板処理装置において、前記静電チャックは請求項１乃至７のいずれか１項に記載の静電チャックであることを特徴とする。

本発明によれば、静電チャック本体が、基台上に溶射によって形成された第１のセラミックス層と、第１のセラミック層上に溶射によって形成された第１の電極板と、第１の電極板上に溶射によって形成された第２のセラミックス層と、第２のセラミックス層上に溶射によって形成された第２の電極板と、第２の電極板上に溶射によって形成された第３のセラミックス層とを有し、若しくは、溶射によって形成された第１のセラミックス層と、第１のセラミック層上に溶射によって形成されたヒータと、ヒータ上に溶射によって形成された第２のセラミックス層とを有するので、蚊取り線香のような渦巻きパターンの電熱ヒータを用いる必要がなく、ヒータからの熱のパターン転写がなくなり、基板を均一に加熱することができる。また、静電チャック全体の厚さを薄くすることができ、温度制御に対する追従性を良好にすることができる。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。図１における静電チャックの部分拡大断面図である。本実施の形態に係る静電チャックと、従来技術における静電チャックとにおける電磁波漏洩フィルタの配置例を示す図である。本実施の形態における上面電極板、下面内側電極板、下面外側電極板にそれぞれ印加される直流電圧と、各電極相互間の電圧との関係を示した図である。従来技術における静電チャックを示す部分拡大断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳述する。

図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。

図１において、この基板処理装置は、基板としての半導体ウエハＷにＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理やアッシング処理等のプラズマ処理を施すように構成されている。

基板処理装置１０は、円筒形状の処理室１１と、該処理室１１内に配置されて、例えば、直径が３００ｍｍの半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを載置する載置台としての円柱状のサセプタ１２を備えている。処理室１１の内側壁及びサセプタ１２の側面により、後述する処理空間Ｓ内のガスを処理室１１外へ排出する排気流路１３が形成される。この排気流路１３の途中には排気プレート１４が配置される。

排気プレート１４は多数の貫通孔を有する板状部材であり、処理室１１を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート１４によって仕切られた処理室１１の上部（以下、「反応室」という。）１５には後述するようにプラズマが発生する。また、処理室１１の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）１６には処理室１１内のガスを排出する排気管１７、１８が接続される。排気プレート１４は反応室１５に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド１６への漏洩を防止する。

排気管１７にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）（図示しない）が接続され、排気管１８にはＤＰ（Dry Pump）（図示しない）が接続され、これらのポンプは処理室１１内を真空引きして減圧する。具体的には、ＤＰは処理室１１内を大気圧から中真空状態（例えば、１．３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、ＴＭＰはＤＰと協働して処理室１１内を中真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１．３×１０^−３Ｐａ（１．０×１０^−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。なお、処理室１１内の圧力はＡＰＣバルブ（図示しない）によって制御される。

処理室１１内のサセプタ１２には、第１の高周波電源１９及び第２の高周波電源２０がそれぞれ第１の整合器２１及び第２の整合器２２を介して接続され、第１の高周波電源１９は比較的高い周波数、例えば、６０ＭＨｚの高周波電力をサセプタ１２に印加し、第２の高周波電源２０は比較的低い周波数、例えば、２ＭＨｚの高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより、サセプタ１２は、該サセプタ１２及び後述するシャワーヘッド３０の間の処理空間Ｓに高周波電力を印加する下部電極として機能する。このとき、整合器２１及び２２は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への供給効率を最大にする。

また、サセプタ１２上には、静電吸着用のＨＶ電極板（図示省略）を内蔵する円板状の絶縁性部材からなる静電チャック２４が配置されている。サセプタ１２にウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック２４上に配される。なお、静電チャックの詳細な構成については、後述する。

サセプタ１２上には、吸着保持されたウエハＷを囲うように、円環状のフォーカスリング２６が載置される。フォーカスリング２６は、導電性部材、例えば、シリコンからなり、プラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、ＲＩＥ処理の効率を向上させる。

また、サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２７が設けられる。この冷媒室２７には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２８を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）液が循環供給される。低温の冷媒によって冷却されたサセプタ１２は静電チャック２４を介してウエハＷ及びフォーカスリング２６を冷却する。

静電チャック２４の上面におけるウエハＷが吸着保持されるウエハ載置面（以下「吸着面」ともいう）には、複数の伝熱ガス供給孔２９が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔２９は伝熱ガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガスを、吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスは静電チャック２４の熱をウエハＷに効率的に伝達する。

処理室１１の天井部にはシャワーヘッド３０が配置されている。シャワーヘッド３０は、処理空間Ｓに露出してサセプタ１２に載置されたウエハＷ（以下、「載置ウエハＷ」という。）に対向する上部電極３１と、絶縁性部材からなる絶縁板３２と、絶縁板３２を介して上部電極３１を釣支する電極釣支体３３とを有し、上部電極３１、絶縁板３２及び電極釣支体３３はこの順で重畳されている。

上部電極３１には、直流電源３８が接続されており、上部電極３１に直流電圧が印加される。電極釣支体３３は内部にバッファ室３９を有する。バッファ室３９は円柱状の空間である。バッファ室３９には処理ガス導入管４１が接続されており、処理ガス導入管４１はバッファ室３９に処理ガスを導入する。

処理ガス導入管４１は流量制御器（ＭＦＣ）（図示しない）を有するので、バッファ室３９へ導入される処理ガスの流量は所定量に制御される。また、バッファ室３９は電極釣支体３３のガス穴４３、絶縁板３２のガス穴４４及び上部電極３１のガス穴３６を介して処理空間Ｓと連通しており、バッファ室３９へ導入された処理ガスは処理空間Ｓへ供給される。このとき、バッファ室３９へ導入される処理ガスの流量を調整することによって処理空間Ｓにおける処理ガスの分布を制御する。

図２は、図１における静電チャック２４の部分拡大断面図である。

図２において、この静電チャック２４は、静電チャック本体５１と、静電チャック本体５１に内蔵された平板状の電熱ヒータ５２とから主として構成されている。静電チャック本体５１は、サセプタ１２に固定されている。静電チャック２４の電熱ヒータ５２は、吸着面側の電極板（以下、「上面電極板」という）５３と、反吸着面側の電極板（以下、「下面電極板」という）５４と、その間に挟持されるように配置された平板状の抵抗体５５とで主として構成されている。下面電極板５４は、静電チャック２４の吸着面を部分的に加熱制御するために、例えば下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂとに分割されている。上面電極板５３、下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂは、それぞれ対応する直流電源５６〜５８に電気的に接続されている。

このような静電チャック２４は、例えば溶射法によって製造される。すなわち、サセプタ１２となる基台の上面に、厚さが、例えば２５０μｍのセラミックス層を溶射して静電チャック２４の下面を形成し、該下面を形成するセラミック層上に、下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂとなる、例えば厚さ５０μｍの電極材をそれぞれ溶射する。次いで、下面電極板５４の上に、例えば厚さ１００μｍの平板状の抵抗体５５を溶射する。次に、平板状の抵抗体５５上に上面電極板５３となる、例えば厚さ５０μｍの電極材を溶射し、その上に、吸着面を形成する、例えば、厚さ３００μｍのセラミックス層を溶射することによって製造される。平板状の抵抗体５５の材質は、例えばＡｌ_２Ｏ_３に２０％の割合でＴｉＯ_２を混合させた混合材であり、その抵抗率は、例えば１０^７〜１０^８Ωｃｍである。このようにして製造されたヒータ内蔵静電チャック２４の全体の厚さは、その仕様によっても異なるが、例えば、７５０μｍ程度である。

このような構成の静電チャック２４を備えた基板処理装置１０において、基板としてのウエハＷに対するエッチング処理をはじめとするプラズマ処理は、以下のように施される。

すなわち、処理対象であるウエハＷを、処理室１１内の静電チャック２４の吸着面に載置し、処理室１１内の圧力を図示省略したＡＰＣバルブによって所定圧力に調整する。次いで、静電チャック２４に内蔵された上面電極板５３に、直流電源５６によって、例えば２．５ｋＶの直流電圧を印加する。上面電極板５３に、正の直流電圧が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック２４の吸着面側の面（以下、「裏面」という。）には負電位が発生して静電チャック２４の上面電極板５３及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは静電チャック２４の吸着面に吸着、保持される。また、下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂに、それぞれ対応する直流電源５７及び５８によって、それぞれ例えば２．８ｋＶ及び３．０ｋＶの直流電圧を印加し、これによって、電熱ヒータ５２を作動させてウエハＷの内側平面及び外側平面をそれぞれ所定温度に加熱する。

この状態で、第１の高周波電源１９によって、サセプタ１２に、例えば６０ＭＨｚの励起用高周波電力を印加すると共に、第２の高周波電源２０によって、例えば２ＭＨｚのバイアス用高周波電力を印加する。これにより、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓに供給された処理ガスが励起されてプラズマになり、イオンやラジカルが発生する。発生したイオンやラジカルによって、ウエハＷに対して所定のプラズマ処理を施す。

本実施の形態によれば、静電チャック２４における電熱ヒータ５２の抵抗体５５として平板状の抵抗体を用いたので、例えば蚊取り線香型のヒータを適用した従来技術のように、ヒータからの熱のパターン転写がなくなり、上面電極板５３から載置面までの厚さをはじめとして、静電チャック２４全体の厚さを薄くすることができ、これによって静電チャック２４の温度制御に対する追従性が良好になる。また、ウエハＷの均一加熱が可能となる。

本実施の形態によれば、静電チャック２４をホットプレス方法でなく、溶射方法によって製造したので、従来技術に比べて製作コストを低減することができる。また、静電チャック２４は溶射によって基台１２に固定されるので、ラジカル耐性の低い接着剤が不要となるため長寿命化を実現できるうえ、溶射によるポーラス構造により、変形に対する耐性、追従性が向上する。

また、本実施の形態によれば、電熱ヒータ５２における上面電極板５３を、ウエハＷを静電的に吸着する高圧（ＨＶ）電極板としても機能するようにしたので、ウエハＷの吸着による固定と、ウエハＷの加熱の両方の作用を、例えば同時に行うことができる。また、従来の蚊取り線香型のヒータ内蔵静電チャックなどと比較して、各電極板と電源電圧との間に配置する電磁波漏洩フィルタの必要個数を低減することができる。

図３は、本実施の形態に係る静電チャック（図３（Ａ））と、従来技術における静電チャック（図３（Ｂ））とにおける電磁波漏洩フィルタの配置例を示す図である。

図３（Ａ）において、本実施の形態に係る静電チャック２４における上面電極板５３、下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂと、それぞれ対応する各直流電源５６〜５８との間にそれぞれ電磁波漏洩フィルタ５９が配置されている。一方、図３（Ｂ）において、従来の静電チャック８０における電極板８２と直流電源８４のとの間、並びに渦巻き状の抵抗体８３の一部とこれに対応する直流電極８５、８６との間に合計５個の電磁波漏洩フィルタ５９が配置されている。

電磁波漏洩フィルタ５９は、電源に接続された配線数に対応して設ける必要があり、電熱ヒータ５２の上面電極板５３を、ウエハＷの吸着用高圧電極板としても機能するようにした本実施の形態においては、従来技術に比べて配線数を低減することができるので、必要電磁波漏洩フィルタ数を低減することができる。

また、本実施の形態によれば、下面電極板５４を下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂに分割したので、ウエハＷの内側面と外側面とを個別に加熱してそれぞれ正確に温度調整することができる。

本実施の形態において、下面内側電極板５４ａから見ると、該下面内側電極板５４ａに対向する抵抗体５５に相当する抵抗が上面電極板５３との間に存在し、下面外側電極板５４ｂから見ると、該下面外側電極板５４ｂに対向する抵抗体５５に相当する抵抗が上面電極板５３との間に存在し、下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂとの間には、下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂとの間隔に基づく抵抗が存在する。

図４は、本実施の形態における上面電極板５３、下面内側電極板５４ａ、下面外側電極板５４ｂにそれぞれ印加される直流電圧と、各電極相互間の電圧との関係を示した図である。

図４において、各電極板相互間には、電極板の表面積等に依存する抵抗が発生し、この抵抗値に基づいて、上面電極板５３と下面内側電極板５４ａとの間には、例えば３００Ｖ、上面電極板５３と下面外側電極板５４ｂとの間には、例えば５００Ｖ、下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂとの間には、例えば２００Ｖの電圧が生じる。下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂとの間はセラミックスからなり、また、その間隔も十分にあるため抵抗が大きく、電流がほとんど流れない。従って、下面内側電極板５４ａと下面外側電極板５４ｂの間で消費される電力は無視できる。

本実施の形態において、平板状の抵抗体５５を、２分割された下面内側電極板５４ａ及び下面外側電極板５４ｂにそれぞれ対向するように、２分割することもできる。これによって、ウエハＷの内側平面と外側平面とを個別に、より正確に温度調整することができる。このとき、２分割した内側の抵抗体と外側の抵抗体の材質又は厚さを異ならせることもできる。これによって、例えば分割した抵抗体の抵抗率を異ならせてより細かな温度制御が可能となる。

なお、本実施の形態においては、下面電極板５４を分割した場合について説明したが、下面電極板５４に代えて、上面電極板５３を内側と外側に分割することもできる。

本実施の形態において、静電チャック２４に載置されるウエハＷの温度は、基本的に、静電チャック２４の下部に配置されるサセプタ１２に内蔵された冷媒室２７に、図示省略したチラーユニットから供給される冷媒等によって制御される。従って、電熱ヒータ５２は、例えばベース加熱用として補助的に用いられる。電熱ヒータ５２は、例えばウエハＷを静電的に吸着するための上面電極板５３のオンオフに同期して制御される。

本実施の形態において、静電チャック２４の上面電極板５３に印加する直流電圧を一定にすることによって、ウエハＷを静電的に固定する静電効果を一定に保つことができる。従って、上面電極板５３への印加電圧を変更することなく、下面内側電極板５４ａ又は下面外側電極板５４ｂに印加する直流電圧を変更することによって、ウエハＷを加熱するヒータの発熱量を変化させることができる。また、ウエハＷを静電的に固定したまま、加熱ヒータをオフ状態にすることもできる。

なお、上述した実施の形態において処理される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、ＬＣＤやＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。

１０基板処理装置
１２基台
２４静電チャック（ＥＳＣ）
５２電熱ヒータ
５３上面電極板
５４下面電極板
５４ａ下面内側電極板
５４ｂ下面外側電極板
５９電磁波漏洩フィルタ

Claims

基板処理装置の減圧された処理室内に設けられ、被処理基板を静電的に吸着する静電チャックにおいて、
静電チャック本体を備え、
前記静電チャック本体は、
基台上に溶射によって形成された第１のセラミックス層と、
前記第１のセラミック層上に溶射によって形成された第１の電極板と、
前記第１の電極板上に溶射によって形成された第２のセラミックス層と、
前記第２のセラミックス層上に溶射によって形成された第２の電極板と、
前記第２の電極板上に溶射によって形成された第３のセラミックス層と、を有し、
前記第２のセラミックス層は、抵抗体であり、且つ前記第１の電極板及び前記第２の電極板の間に狭持され、
前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに異なる直流電源が電気的に接続され、前記第１の電極板及び前記第２の電極板の電圧を個々に制御可能とすることを特徴とする静電チャック。
前記第１の電極板及び前記第２の電極板にそれぞれ、所定の電圧が同時に印加されることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
基板処理装置の減圧された処理室内に設けられ、被処理基板を静電的に吸着する静電チャックにおいて、
静電チャック本体を備え、
前記静電チャック本体は、
溶射によって形成された第１のセラミックス層と、
前記第１のセラミック層上に溶射によって形成されたヒータと、
前記ヒータ上に溶射によって形成された第２のセラミックス層と、
を有し、
前記ヒータは、
前記静電チャック本体に内蔵され、前記第１のセラミック層上に溶射によって形成された第１の電極板と、
前記静電チャック本体に内蔵され、前記第１の電極板の上方において溶射によって形成された前記被処理体を吸着する第２の電極板と、
溶射によって形成された抵抗体であり、且つ前記第１の電極板と第２の電極板の間に狭持されるように配置された第３のセラミック層と、
を有し、
前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに異なる直流電源が電気的に接続され、前記第１の電極板及び前記第２の電極板の電圧を個々に制御可能とすることを特徴とする静電チャック。
前記第３のセラミック層に所定の電圧差が生じるように、前記第１の電極板及び前記第２の電極板のそれぞれに所定の電圧が同時に印加されることを特徴とする請求項３記載の静電チャック。
前記第１の電極板及び前記第２の電極板と、前記異なる直流電源との間に電磁波漏洩フィルタが設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電チャック。
前記第２のセラミックス層の抵抗率は、１０^７〜１０^８Ωｃｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の静電チャック。
前記第３のセラミックス層の抵抗率は、１０^７〜１０^８Ωｃｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静電チャック。
処理室内に被処理基板を載置する静電チャックを備えた基板処理装置において、前記静電チャックは請求項１乃至７のいずれか１項に記載の静電チャックであることを特徴とする基板処理装置。