JP2010021510A - 基板保持装置およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板2の裏面に不活性ガスを供給する構造を有する基板保持装置Dであって、不活性ガスの流路72A、72Bに連通する貫通孔を有する基台510と、基台上に支持され、基台の貫通孔513、514と連通する貫通孔330、340を有し、基板を保持する基板保持台3と、基台と基板保持台との間に、基台と基板保持台の貫通孔同士を連通させた状態で介装される熱伝導性を有する中間部材4と、ガス流路となる基台と基板保持台の貫通孔同士の連通路を確保すると共に、その連通路と中間部材とを隔てる弾性成形体6と、を有する。
【選択図】図2C
Description
本発明のプラズマ処理装置の真空室内に配置される基板保持装置の一形態では、表面にガス流出口を備えた基台、表面上に基板を保持する基板保持台であって、基台上に配置され裏面から表面へと貫通する第1の貫通孔が通じている基板保持台、及び基台と基板保持台との間に挿置されたカーボンシート部材であって、基台のガス流出口と基板保持台の第1の貫通孔とを連通する第2の貫通孔がその裏面から表面へと通じているカーボンシート部材とからなり、第2の貫通孔の内壁には、カーボンシート部材の厚さ方向においてカーボンシート部材の弾性係数より小さい弾性係数を有する筒状の金属部材がはめられており、基台のガス流出口から基板保持台の第1の貫通孔を通り、基板保持台の表面へガスが噴出される際に、カーボンシート部材にガスが接触しないよう構成されている。
又、基台は加熱手段を含み、基板保持台は静電的に基板を吸着するための静電チャックを含み、基板保持台の表面は凹凸を有しており、基板が基板保持台に静電チャックにて吸着された際に基板と基板保持台との間の隙間に第2の貫通孔から排出されたガスが循環するように構成されている。筒状金属部材は金属材料からなるベローズ状の筒体である。
図1は、本発明に係る基板保持装置を備えるスパッタ装置の全体構成を示す模式図である。図2Aは、第1の実施形態の基板保持装置の概略平面図、図2BはそのB−B線断面図、図2CはそのC−C線模式断面図である。図3は、本実施形態の基台を示す平面図である。図4Aは本実施形態の中間部材を構成するカーボンシートの下側カーボンシートの平面図、図4Bはその上側カーボンシートの平面図である。図5Aは、本実施形態のマイクロベローズの平面図、図5Bはその側面図である。
中間部材4は、本実施形態では、基台510と静電チャック3に面接触し、熱伝達を行う熱伝導性部材を用いる。中間部材4としては、熱伝導率や密着性が良好な部材を好適に用いることができる。さらに、本実施形態では、中間部材4として弾性材料を用いているので、基台510と静電チャック3との間で発生する面圧により、流路72A〜72Dを通過する不活性ガスをシールする機能をも有する。又、本実施例では中間部材4の中央部が凹状となっており、中間部材4の内側の方が弾性係数が小さくなっている。
図6は、第2の実施形態の基板保持装置Dの装置構成を示す模式図である。なお、第1の実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明する。
また、図7に示すように、シール機能を持たせるために、内側の流路72Bを構成するマイクロベローズ6の周囲に、シール機能を確保するのに必要な分だけ上側カーボンシートやその他の弾性体444を配すようにしてもよい。
3 静電チャック(基板保持台)
4 中間部材
6 マイクロベローズ(弾性成形体)
72A 流路(外周側)
72B 流路(内周側)
330 貫通孔(外周側)
340 貫通孔(内周側)
410 下側カーボンシート
420 上側カーボンシート
510 基台
513 貫通孔(外周側)
514 貫通孔(内周側)
D 基板保持装置
Claims (12)
- 基板の裏面に不活性ガスを供給する構造を有する基板保持装置であって、
不活性ガスの流路に連通する貫通孔を有する基台と、
前記基台上に支持され、前記基台の貫通孔と連通する貫通孔を有し、基板を保持する基板保持台と、
前記基台と前記基板保持台との間に、前記基台と前記基板保持台の貫通孔同士を連通させた状態で介装される熱伝導性を有する中間部材と、
前記ガス流路となる前記基台と前記基板保持台の貫通孔同士の連通路を確保すると共に、その連通路と前記中間部材とを隔てる弾性成形体と、
を有することを特徴とする基板保持装置。 - 前記弾性成形体は、筒状の板ばね部材により成形されていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記弾性成形体は、ベローズ形状の筒体であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記中間部材は、前記基台及び基板保持台よりも弾性を有することを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記中間部材は、カーボンの成形体であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記中間部材は、前記弾性成形体の周囲を覆っていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- 前記弾性成形体は、前記中間部材よりも弾性係数が小さいことを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記基板保持台は、基板を静電力により吸着保持する静電吸着機構を有することを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 請求項1に記載の基板保持装置が真空減圧可能な処理室内に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- プラズマ処理装置の真空室内に配置される基板保持装置において、
表面にガス流出口を備えた基台(510)、
表面上に基板を保持する基板保持台であって、該基台上に配置され裏面から表面へと貫通する第1の貫通孔が通じている基板保持台(3)、及び
該基台と該基板保持台との間に挿置されたカーボンシート部材であって、該基台のガス流出口と該基板保持台の第1の貫通孔とを連通する第2の貫通孔がその裏面から表面へと通じているカーボンシート部材(4)とからなり、
該第2の貫通孔の内壁には、該カーボンシート部材の厚さ方向において該カーボンシート部材の弾性係数より小さい弾性係数を有する筒状の金属部材がはめられており、
該基台のガス流出口から該基板保持台の第1の貫通孔を通り、該基板保持台の表面へガスが噴出される際に、該カーボンシート部材にガスが接触しないよう構成された基板保持装置。
- 該基台は加熱手段を含み、該基板保持台は静電的に基板を吸着するための静電チャックを含み、該基板保持台の表面は凹凸を有しており、
該基板が該基板保持台に該静電チャックにて吸着された際に該基板と該基板保持台との間の隙間に該第2の貫通孔から排出されたガスが循環するように構成されている請求項10に記載の基板保持装置。
- 該筒状金属部材は金属材料からなるベローズ状の筒体である請求項10に記載の基板保持装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302508A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Canon Anelva Corp | 基板保持装置 |
WO2011111486A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 把持装置 |
WO2015178229A1 (ja) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021510A (ja) * | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Canon Anelva Corp | 基板保持装置およびプラズマ処理装置 |
US8194384B2 (en) * | 2008-07-23 | 2012-06-05 | Tokyo Electron Limited | High temperature electrostatic chuck and method of using |
CN102460650B (zh) * | 2009-06-24 | 2014-10-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法 |
JP5700632B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5599476B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-10-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
JP6013740B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置の制御装置 |
JP5996340B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置 |
CN103794527B (zh) * | 2012-10-30 | 2016-08-24 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 静电卡盘加热方法 |
US10593521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma etch operations |
CN104928652A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-23 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 |
US10388558B2 (en) * | 2016-12-05 | 2019-08-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
WO2019187785A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
CN110544663A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电吸附卡盘的循环液系统 |
CN109763095B (zh) * | 2019-02-20 | 2021-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板支撑机构、对位装置、对位方法 |
CN110879111B (zh) * | 2019-11-27 | 2021-07-27 | 中国科学院微电子研究所 | 柔性电极支撑结构 |
CN112002658B (zh) * | 2020-08-25 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热器和加热基座 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244119A (ja) * | 1993-02-20 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH08176855A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH111775A (ja) * | 1997-06-09 | 1999-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
JP2000040734A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Ngk Insulators Ltd | 半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
JP2003158172A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JP2004158751A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005051201A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-02-24 | Applied Materials Inc | 熱伝達用アセンブリ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW334609B (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
US6216219B1 (en) * | 1996-12-31 | 2001-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Microprocessor circuits, systems, and methods implementing a load target buffer with entries relating to prefetch desirability |
JP3650248B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6256187B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-07-03 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
KR100404778B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2003-11-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 진공 처리 장치 |
JP4236329B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2009-03-11 | 日本碍子株式会社 | プラズマ処理装置 |
TW484187B (en) * | 2000-02-14 | 2002-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for plasma treatment |
US6689221B2 (en) | 2000-12-04 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly |
JP5235407B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構および基板処理装置 |
WO2007018157A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
US7589950B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
JP5324251B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-10-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板保持装置 |
JP2010021510A (ja) * | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Canon Anelva Corp | 基板保持装置およびプラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-11-26 JP JP2008300906A patent/JP2010021510A/ja active Pending
-
2009
- 2009-04-14 US US12/423,235 patent/US8252118B2/en active Active
- 2009-05-22 CN CN2009102029592A patent/CN101604654B/zh active Active
- 2009-06-12 KR KR1020090052310A patent/KR101038046B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244119A (ja) * | 1993-02-20 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH08176855A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH111775A (ja) * | 1997-06-09 | 1999-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
JP2000040734A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Ngk Insulators Ltd | 半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
JP2003158172A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JP2004158751A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005051201A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-02-24 | Applied Materials Inc | 熱伝達用アセンブリ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302508A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Canon Anelva Corp | 基板保持装置 |
WO2011111486A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 把持装置 |
WO2015178229A1 (ja) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090129960A (ko) | 2009-12-17 |
CN101604654A (zh) | 2009-12-16 |
CN101604654B (zh) | 2011-12-28 |
US8252118B2 (en) | 2012-08-28 |
US20090308537A1 (en) | 2009-12-17 |
KR101038046B1 (ko) | 2011-06-01 |
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