JP5936361B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態は、真空容器内部の処理室内に配置された試料台であって、半導体ウエハ等の基板状の試料を吸着させて保持しつつ、試料台上方の処理室内の空間に形成したプラズマを用いて試料の処理を行う試料台を含むプラズマ処理装置である。一般的にこのようなプラズマ処理装置では、試料が載せられる試料台は処理中に温度を所望の範囲内の値となるように調節されている。このような温度の制御は、試料台の内部に配置された流路に所定の値の範囲の温度に調節された熱交換媒体を流したり、試料台の内部にヒータを内蔵させヒータの発熱量を調節したりして行われている。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置を備えた真空処理装置の全体の構成の概略を示す図である。図1(a)は上方から見た横断面図であり、(b)は斜視図である。
102 真空ブロック
103 処理ユニット
104 真空搬送室
105 ロック室
106 筐体
107 カセット台
108,109 搬送ロボット
201 蓋
202 ガス拡散板
203 プラズマ
204 真空容器
205 コンダクタンス調整バルブ
206 真空ポンプ
207, 試料台
208 ガス流量制御器
209 バルブ
210 マグネトロン
211 高周波バイアス電源
212 ソレノイドコイル
213 真空計
301,401,801,803 絶縁膜
302 ヒータ
303,402 電極
304 温度センサ
305 流路
306,405,508,708 ボルト
307 ヒータ用電源
308 サーキュレーター
309 コントローラー
310,412 静電吸着用電源
311,403 基材
312,404 試料台ベース
406,411,501,503,507,701,703,707 絶縁スリーブ
407,502,702 給電コンタクトソケット
408,506 給電コンタクトピン
409,504,505,704,705 真空シール
410,706 真空空間
509 すき間空間
510 空間
601 上部
602 下部
709 略大気圧空間
802 静電吸着用電極膜
901 突起部
902 導電リング
903 先端部
904 バネ
W 試料
Claims (3)
- 真空容器内部に配置され減圧された内側でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に前記プラズマを用いた処理の対象の試料が載置される試料台と、この試料台上部の前記試料がその上に載せられる載置面を構成する誘電体製の絶縁膜及びこの絶縁膜の内部に配置され前記試料を吸着保持するための電力が供給される電極とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記試料台が下部材と前記絶縁膜がその上面上方に配置された金属製の上部材とに分割可能に構成され、
前記上部材を貫通する貫通孔の内部に、前記電極に電気的に接続されたソケット及びこれの内側に下側から挿入されて接触するピンを含む給電部と、前記ソケットの外周に装着されたシール部材であって、前記貫通孔の内部の空間において前記ソケット上方で当該ソケットと前記電極とを接続する接続部を含む上側の空間と前記ピンが前記ソケットに接触した部分を含む略大気圧にされた下側の空間との間を気密に区画するシール部材とを備え、前記上側の空間が前記減圧された前記処理室に通路を介して連通されたプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記貫通孔が前記上部材と下部材とを貫通するものであって、この貫通孔の内部に前記下部材の下方から挿入されてこれに取り付けられた円筒状のスリーブを備え、前記シール部材がこのスリーブの内周壁面と前記ソケットの外周側面との間に挟まれて前記上側の空間と下側の空間との間を気密に区画するプラズマ処理装置。
- 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記スリーブが前記貫通孔に挿入された状態で前記貫通孔の内周壁面と前記スリーブとの外周壁面との間に挟まれて保持され、前記減圧された処理室内と連通した上方の空間と前記処理室外である略大気圧側に連通した下方の空間との間を区画してこれらの間を気密に区画する別のシール部材を備えたプラズマ処理装置。
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