JPH08162518A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH08162518A JPH08162518A JP30191794A JP30191794A JPH08162518A JP H08162518 A JPH08162518 A JP H08162518A JP 30191794 A JP30191794 A JP 30191794A JP 30191794 A JP30191794 A JP 30191794A JP H08162518 A JPH08162518 A JP H08162518A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造装置に関し、半導体ウエハ
を吸着保持する静電チャックを容易に交換すること、及
び、メンテナンス時間の短縮化及びスループットの向上
を図る。 【構成】 基台１０を有する容器１１と、この容器１１
の外部から内部に給電するコンタクトリードを有し、基
台１０に固定されたコネクタ１２と、このコネクタ１２
のコンタクトリードに着脱されるピン端子を有し、容器
１１内に設けられた静電チャック１２とを備える。
を吸着保持する静電チャックを容易に交換すること、及
び、メンテナンス時間の短縮化及びスループットの向上
を図る。 【構成】 基台１０を有する容器１１と、この容器１１
の外部から内部に給電するコンタクトリードを有し、基
台１０に固定されたコネクタ１２と、このコネクタ１２
のコンタクトリードに着脱されるピン端子を有し、容器
１１内に設けられた静電チャック１２とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、半導体ウエハを保持する静電チャックを有する装
置に関するものである。近年のＣＶＤ装置、ドライエッ
チング装置及びスパッタ装置等の半導体製造装置では、
スループットの向上を図るために、静電チャックやその
他の消耗品を交換するメンテナンス時間の短縮化や装置
停止期間の短縮化が要求されている。
関し、半導体ウエハを保持する静電チャックを有する装
置に関するものである。近年のＣＶＤ装置、ドライエッ
チング装置及びスパッタ装置等の半導体製造装置では、
スループットの向上を図るために、静電チャックやその
他の消耗品を交換するメンテナンス時間の短縮化や装置
停止期間の短縮化が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハをドライエッチングする半
導体製造装置は、図５に示すように、内部を真空状態に
する容器１と、その容器１に設けられた冷却ジャケット
２と、容器内に設けられた静電チャック３とを備えてい
る。静電チャック３には、吸着のための高電圧を供給す
る高圧ケーブル３Ａと、そのケーブル３Ａに接続された
プラグ３Ｂとを有しており、該プラグ３Ｂは容器１の外
部に引き出され、大気中で、ソケット４と接続されてい
る。また、ソケット４は高圧ケーブル４Ａを介してチャ
ック電源に配線されており、このソケット４とプラグ３
Ｃとが接続されたコネクタ部は、冷却ジャッケット２の
一部に設けられた収納部に収められている。
導体製造装置は、図５に示すように、内部を真空状態に
する容器１と、その容器１に設けられた冷却ジャケット
２と、容器内に設けられた静電チャック３とを備えてい
る。静電チャック３には、吸着のための高電圧を供給す
る高圧ケーブル３Ａと、そのケーブル３Ａに接続された
プラグ３Ｂとを有しており、該プラグ３Ｂは容器１の外
部に引き出され、大気中で、ソケット４と接続されてい
る。また、ソケット４は高圧ケーブル４Ａを介してチャ
ック電源に配線されており、このソケット４とプラグ３
Ｃとが接続されたコネクタ部は、冷却ジャッケット２の
一部に設けられた収納部に収められている。
【０００３】このような半導体製造装置で静電チャック
３を交換する場合、まず、冷却ジャッケット２の収納部
からコネクタ部を取り出し、ソケット４とプラグ３Ｂと
を分離する。これに前後して容器１を大気状態にし、消
耗した静電チャック３を該容器１から外し、高圧ケーブ
ル３Ａやプラグ３Ｂが接続されたままの状態の古い静電
チャック３を容器１から外部に取り出し、その後、高圧
ケーブル３Ａやプラグ３Ｂが接続された新しい静電チャ
ック３を容器１内に取り込む。そして容器１の外部に引
き出した高圧ケーブル３Ａのプラグ３Ｂと外部のソケッ
ト４とを接続する。これにより、静電チャック３の交換
が完了する。
３を交換する場合、まず、冷却ジャッケット２の収納部
からコネクタ部を取り出し、ソケット４とプラグ３Ｂと
を分離する。これに前後して容器１を大気状態にし、消
耗した静電チャック３を該容器１から外し、高圧ケーブ
ル３Ａやプラグ３Ｂが接続されたままの状態の古い静電
チャック３を容器１から外部に取り出し、その後、高圧
ケーブル３Ａやプラグ３Ｂが接続された新しい静電チャ
ック３を容器１内に取り込む。そして容器１の外部に引
き出した高圧ケーブル３Ａのプラグ３Ｂと外部のソケッ
ト４とを接続する。これにより、静電チャック３の交換
が完了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、冷却ジャケ
ット２の収納部からコネクタ部を取り出す際に、弱くな
った高圧ケーブル４Ａが断線したり、ソケット４とプラ
グ３Ｂとを分離する際に、コネクタ部が外れ難くなった
ことにより、電源側の高圧ケーブル４Ａとソケット４と
が断線したりして、その修理に時間を費やし、本来の静
電チャック３の交換時間を多く要することがある。
ット２の収納部からコネクタ部を取り出す際に、弱くな
った高圧ケーブル４Ａが断線したり、ソケット４とプラ
グ３Ｂとを分離する際に、コネクタ部が外れ難くなった
ことにより、電源側の高圧ケーブル４Ａとソケット４と
が断線したりして、その修理に時間を費やし、本来の静
電チャック３の交換時間を多く要することがある。
【０００５】これによるメンテナンス時間が長くなった
り、当該製造装置が稼働できない停止時間が長引き、ス
ループットの低下につながるという問題がある。また、
冷却ジャケット２の大気に露出した部分に水滴が発生す
る結露を原因として、その収納部に収められたコネクタ
部でショートを生ずるという問題がある。
り、当該製造装置が稼働できない停止時間が長引き、ス
ループットの低下につながるという問題がある。また、
冷却ジャケット２の大気に露出した部分に水滴が発生す
る結露を原因として、その収納部に収められたコネクタ
部でショートを生ずるという問題がある。
【０００６】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、静電チャックを容易に交換するこ
と、及び、メンテナンス時間の短縮化及びスループット
の向上を図ることが可能となる半導体装置の製造装置の
提供を目的とする。
作されたものであり、静電チャックを容易に交換するこ
と、及び、メンテナンス時間の短縮化及びスループット
の向上を図ることが可能となる半導体装置の製造装置の
提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、その一実施例を図１〜４に示すように、第１
の製造装置が、基台を有する容器と、前記容器の外部か
ら内部に給電する第１の通電端子を有し、前記基台に固
定されたコネクタと、前記コネクタの第１の通電端子に
着脱される第２の通電端子を有し、前記容器内に設けら
れた静電チャックとを備えることを特徴とする。
造装置は、その一実施例を図１〜４に示すように、第１
の製造装置が、基台を有する容器と、前記容器の外部か
ら内部に給電する第１の通電端子を有し、前記基台に固
定されたコネクタと、前記コネクタの第１の通電端子に
着脱される第２の通電端子を有し、前記容器内に設けら
れた静電チャックとを備えることを特徴とする。
【０００８】第２の製造装置は、前記半導体ウエハの基
板温度を調整する温度調整部が前記容器の基台に設けら
れることを特徴とする。第１及び第２の製造装置におい
て、好ましくは、前記コネクタが前記容器の基台又は温
度調整部を貫く開口部に気密部材を介して取付けられる
ことを特徴とする。
板温度を調整する温度調整部が前記容器の基台に設けら
れることを特徴とする。第１及び第２の製造装置におい
て、好ましくは、前記コネクタが前記容器の基台又は温
度調整部を貫く開口部に気密部材を介して取付けられる
ことを特徴とする。
【０００９】第１及び第２の製造装置において、好まし
くは、前記コネクタには断熱材を使用することを特徴と
し、上記目的を達成する。
くは、前記コネクタには断熱材を使用することを特徴と
し、上記目的を達成する。
【００１０】
【作 用】本発明の第１の製造装置によれば、第１の通
電端子を有するコネクタが容器の基台に固定されている
ため、静電チャックを容器の内側方向に持ち上げるだけ
で、第２の通電端子と第１の通電端子とを容器の内側で
簡単に着脱することができ、コネクタと容器との間の気
密性を維持した状態で、消耗した静電チャックと新しい
静電チャックとを交換することができる。
電端子を有するコネクタが容器の基台に固定されている
ため、静電チャックを容器の内側方向に持ち上げるだけ
で、第２の通電端子と第１の通電端子とを容器の内側で
簡単に着脱することができ、コネクタと容器との間の気
密性を維持した状態で、消耗した静電チャックと新しい
静電チャックとを交換することができる。
【００１１】これにより、メンテナンスの時間の短縮を
図ることができ、当該製造装置の停止時間を短縮するこ
とができ、スループットが向上する。第２の製造装置に
よれば、容器内に静電チャックのコネクタ部分を有する
ため、該容器に温度調整部が設けられた場合でも、半導
体ウエハの基板温度を例えば、低温にするような場合で
も、コネクタ部分での結露が生じない。
図ることができ、当該製造装置の停止時間を短縮するこ
とができ、スループットが向上する。第２の製造装置に
よれば、容器内に静電チャックのコネクタ部分を有する
ため、該容器に温度調整部が設けられた場合でも、半導
体ウエハの基板温度を例えば、低温にするような場合で
も、コネクタ部分での結露が生じない。
【００１２】また、第１及び第２の製造装置において、
コネクタと容器又はコネクタと温度調整部との間の気密
性は、コネクタを容器に取る付ける際に、容器又は温度
調整部の開口部に気密部材を介して堅固に取付けること
により達成できる。また、第１及び第２の製造装置にお
いて、コネクタに断熱材を使用することによって、容器
又は温度調整部の温度変化からコネクタを保護すること
ができる。
コネクタと容器又はコネクタと温度調整部との間の気密
性は、コネクタを容器に取る付ける際に、容器又は温度
調整部の開口部に気密部材を介して堅固に取付けること
により達成できる。また、第１及び第２の製造装置にお
いて、コネクタに断熱材を使用することによって、容器
又は温度調整部の温度変化からコネクタを保護すること
ができる。
【００１３】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。図１〜４は、本発明の実施例に係る半導
体装置の製造装置の説明図であり、図１は、本発明の実
施例に係るプラズマエッチング装置の全体構成図を示し
ている。図２は、静電チャック及びコネクタの構成を説
明する断面図であり、図３のＡ−Ａ矢視断面図を示して
いる。図３はエッチング装置の構造を補足する断面図で
あり、図４は、コネクタから静電チャックを分離した状
態図を示している。
いて説明する。図１〜４は、本発明の実施例に係る半導
体装置の製造装置の説明図であり、図１は、本発明の実
施例に係るプラズマエッチング装置の全体構成図を示し
ている。図２は、静電チャック及びコネクタの構成を説
明する断面図であり、図３のＡ−Ａ矢視断面図を示して
いる。図３はエッチング装置の構造を補足する断面図で
あり、図４は、コネクタから静電チャックを分離した状
態図を示している。
【００１４】本発明の第１及び第２の製造装置を組み合
わせた平行平板型プラズマエッチング装置は、図１に示
すように、基台１０，容器１１，コネクタ１２，静電チ
ャック１３，冷却ジャケット１４，シャワー板兼用電極
１５，高周波電源１６及びチャック電源１７を備えてい
る。基台１０は容器１１，静電チャック１３及び冷却ジ
ャケット１４等を支えるものであり、当該冷却ジャケッ
ト１４を基台１０に兼用しても良い。容器１１は基台１
０を覆うステンレス（ＳＵＳ）製の円柱形状を有してお
り、内部が0.1 〜数Ｔｏｒｒ程度の真空度に保たれるも
のである。
わせた平行平板型プラズマエッチング装置は、図１に示
すように、基台１０，容器１１，コネクタ１２，静電チ
ャック１３，冷却ジャケット１４，シャワー板兼用電極
１５，高周波電源１６及びチャック電源１７を備えてい
る。基台１０は容器１１，静電チャック１３及び冷却ジ
ャケット１４等を支えるものであり、当該冷却ジャケッ
ト１４を基台１０に兼用しても良い。容器１１は基台１
０を覆うステンレス（ＳＵＳ）製の円柱形状を有してお
り、内部が0.1 〜数Ｔｏｒｒ程度の真空度に保たれるも
のである。
【００１５】コネクタ１２は外部からの高圧ケーブル12
Ｂと容器内部の静電チャック１３とを接続するものであ
る。本実施例では従来例と異なり図２に示すように、コ
ネクタ１２が容器１１の外部から内部に導かれたコンタ
クトリード（第１の通電端子）12Ａを有している。コネ
クタ１２は図４に示すように、コンタクトリード12Ａを
容器１１の内側に向けた状態で冷却ジャケット１４に固
着される。
Ｂと容器内部の静電チャック１３とを接続するものであ
る。本実施例では従来例と異なり図２に示すように、コ
ネクタ１２が容器１１の外部から内部に導かれたコンタ
クトリード（第１の通電端子）12Ａを有している。コネ
クタ１２は図４に示すように、コンタクトリード12Ａを
容器１１の内側に向けた状態で冷却ジャケット１４に固
着される。
【００１６】図２において、コネクタ１２は冷却ジャケ
ット１４を貫く開口部に低温用Ｏリング12Ｄ，12Ｅを間
に挟んだ状態で取付けられている。例えば、コネクタ１
２は、つば状の係止部12Ｃによってジャケット１４に堅
固に取付けられている。係止部12Ｃは四角形状のステン
レス板から構成され、コネクタ１２に接合されている。
低温Ｏリング12Ｄ，12Ｅは気密部材の一例であり、真空
と大気とを分離する境界部分に設けられている。この材
質はシリコンゴムから構成されている。
ット１４を貫く開口部に低温用Ｏリング12Ｄ，12Ｅを間
に挟んだ状態で取付けられている。例えば、コネクタ１
２は、つば状の係止部12Ｃによってジャケット１４に堅
固に取付けられている。係止部12Ｃは四角形状のステン
レス板から構成され、コネクタ１２に接合されている。
低温Ｏリング12Ｄ，12Ｅは気密部材の一例であり、真空
と大気とを分離する境界部分に設けられている。この材
質はシリコンゴムから構成されている。
【００１７】また、コネクタ１２は２つに分離可能な円
柱形状の上・下の絶縁フレームを構成し、該フレームは
ポリイミド樹脂などの断熱材から構成されている。この
フレームには一対のコンタクトリード12Ａが設けられて
いる。Ｏリング12Ｄは上部の絶縁フレーム周囲に設けら
れ、Ｏリング12Ｅはコンタクトリード12Ａの周囲に設け
られている。
柱形状の上・下の絶縁フレームを構成し、該フレームは
ポリイミド樹脂などの断熱材から構成されている。この
フレームには一対のコンタクトリード12Ａが設けられて
いる。Ｏリング12Ｄは上部の絶縁フレーム周囲に設けら
れ、Ｏリング12Ｅはコンタクトリード12Ａの周囲に設け
られている。
【００１８】コンタクトリード12Ａは銅又は銅合金等か
ら構成され、容器１１の内側に対してはピン端子13Ａを
受け入れるための開口部を有し、容器１１の外部に対し
ては高圧ケーブルを接続するためのボルト・ナット（引
出し端子）を有している。高圧ケーブル12Ｂはチャック
電源１７に接続され、チャック電源１７から静電チャッ
ク１３に１ＫＶ程度の高電圧を供給する。
ら構成され、容器１１の内側に対してはピン端子13Ａを
受け入れるための開口部を有し、容器１１の外部に対し
ては高圧ケーブルを接続するためのボルト・ナット（引
出し端子）を有している。高圧ケーブル12Ｂはチャック
電源１７に接続され、チャック電源１７から静電チャッ
ク１３に１ＫＶ程度の高電圧を供給する。
【００１９】静電チャック１３は容器１１内で半導体ウ
エハ５を吸着し保持するものであり、コンタクトリード
12Ａに接続するためのピン端子（第２の通電端子）13Ａ
を有している。ピン端子13Ａは容器１１の外側に向けた
状態でコネクタ１２にはめ込まれる。静電チャック１３
はウエハ吸着機能の他に、同時にウエハの熱を冷却ジャ
ケット１４に逃がす機能を有している。ピン端子13Ａは
銅又は銅合金等から構成され、コンタクトリード12Ａに
対向する部分が尖っている。電極間はエポキシ樹脂13Ｃ
によって絶縁され、周囲が筒状のアルミガイド13Ｂによ
って補強されている。
エハ５を吸着し保持するものであり、コンタクトリード
12Ａに接続するためのピン端子（第２の通電端子）13Ａ
を有している。ピン端子13Ａは容器１１の外側に向けた
状態でコネクタ１２にはめ込まれる。静電チャック１３
はウエハ吸着機能の他に、同時にウエハの熱を冷却ジャ
ケット１４に逃がす機能を有している。ピン端子13Ａは
銅又は銅合金等から構成され、コンタクトリード12Ａに
対向する部分が尖っている。電極間はエポキシ樹脂13Ｃ
によって絶縁され、周囲が筒状のアルミガイド13Ｂによ
って補強されている。
【００２０】冷却ジャケット１４は温度調整部の一例で
あり、半導体ウエハ５の基板温度をマイナス数十℃程度
に調整するものである。例えば、ジャケット１４はフロ
リナート等の冷媒ガスによって−５０℃程度に低温化さ
れる。また、ジャケット１４はプラズマを発生する対向
電極を兼用しており、高周波電源１６に接続される。高
周波電源１６は周波数13.56 ＭHzの高周波信号をジャケ
ット１４に供給するものである。
あり、半導体ウエハ５の基板温度をマイナス数十℃程度
に調整するものである。例えば、ジャケット１４はフロ
リナート等の冷媒ガスによって−５０℃程度に低温化さ
れる。また、ジャケット１４はプラズマを発生する対向
電極を兼用しており、高周波電源１６に接続される。高
周波電源１６は周波数13.56 ＭHzの高周波信号をジャケ
ット１４に供給するものである。
【００２１】シャワー板兼用電極１５はカソード電極と
シャワー板とを兼用している。カソード電極は接地さ
れ、シャワー板は反応ガス１８を容器１１内に吹き出す
ものである。例えば、ＷＳｉ及びＰｏｌｙ−Ｓｉの２層
構造の半導体ウエハ５をドライエッチングする場合に
は、反応ガス１８にはＨＢｒ及びＣｌ2 の混合ガスを使
用する。
シャワー板とを兼用している。カソード電極は接地さ
れ、シャワー板は反応ガス１８を容器１１内に吹き出す
ものである。例えば、ＷＳｉ及びＰｏｌｙ−Ｓｉの２層
構造の半導体ウエハ５をドライエッチングする場合に
は、反応ガス１８にはＨＢｒ及びＣｌ2 の混合ガスを使
用する。
【００２２】次に、図１を参照しながら当該装置のエッ
チング動作を説明する。まず、図１において、容器１１
を真空度０．１Ｔｏｒｒ程度に真空引きし、半導体ウエ
ハ５を静電チャック１３によって保持する。次に、容器
１１内にプラズマを発生させる。プラズマはシャワー板
兼用電極１５と冷却ジャケット１４との間に、高周波電
源１６からの周波数13.56 ＭHzの高周波信号が供給され
ることによって発生する。また、静電チャック１３が冷
却ジャケット１４により温度−５０℃程度に維持され
る。この状態を保ちつつ、ＨＢｒ及びＣｌ2 等の反応ガ
ス１８を容器１１に導入すると、半導体ウエハ５がドラ
イエッチングされる。また、半導体ウエハ５を搬送する
場合には、図３に示すようなリフトピン１９を上部に駆
動して静電チャック１３からウエハ５を浮かせる。
チング動作を説明する。まず、図１において、容器１１
を真空度０．１Ｔｏｒｒ程度に真空引きし、半導体ウエ
ハ５を静電チャック１３によって保持する。次に、容器
１１内にプラズマを発生させる。プラズマはシャワー板
兼用電極１５と冷却ジャケット１４との間に、高周波電
源１６からの周波数13.56 ＭHzの高周波信号が供給され
ることによって発生する。また、静電チャック１３が冷
却ジャケット１４により温度−５０℃程度に維持され
る。この状態を保ちつつ、ＨＢｒ及びＣｌ2 等の反応ガ
ス１８を容器１１に導入すると、半導体ウエハ５がドラ
イエッチングされる。また、半導体ウエハ５を搬送する
場合には、図３に示すようなリフトピン１９を上部に駆
動して静電チャック１３からウエハ５を浮かせる。
【００２３】このようなエッチング装置で、消耗した静
電チャック１３を交換する場合、まず、容器１１を大気
状態にし、消耗した静電チャック１３を図４に示すよう
に、冷却ジャケット１４から取り外す。この際に、静電
チャック１３のピン端子13Ａとコネクタ１２のコンタク
トリード12Ａとが分離され、この静電チャック１３を容
器１１から外部に取り出し、その後、新しい静電チャッ
ク１３を容器１１内に取り込み、冷却ジャケット１４に
静電チャック１３を取り付ける。この際に、静電チャッ
ク１３のアルミガイド13Ｂをジャケット１４のコネクタ
部に合わせて、はめ込むと、静電チャック１３のピン端
子13Ａとコネクタ１２のコンタクトリード12Ａとが自己
整合的に接続される。これにより、静電チャック１３の
交換が完了する。
電チャック１３を交換する場合、まず、容器１１を大気
状態にし、消耗した静電チャック１３を図４に示すよう
に、冷却ジャケット１４から取り外す。この際に、静電
チャック１３のピン端子13Ａとコネクタ１２のコンタク
トリード12Ａとが分離され、この静電チャック１３を容
器１１から外部に取り出し、その後、新しい静電チャッ
ク１３を容器１１内に取り込み、冷却ジャケット１４に
静電チャック１３を取り付ける。この際に、静電チャッ
ク１３のアルミガイド13Ｂをジャケット１４のコネクタ
部に合わせて、はめ込むと、静電チャック１３のピン端
子13Ａとコネクタ１２のコンタクトリード12Ａとが自己
整合的に接続される。これにより、静電チャック１３の
交換が完了する。
【００２４】このようにして、本発明の実施例に係るプ
ラズマエッチング装置によれば、図４に示すように、コ
ンタクトリード12Ａが容器１１の内側に向いた状態のコ
ネクタ１２が冷却ジャケット１４に固着されているた
め、静電チャック１３を容器１１の内側方向に移動する
だけで、ピン端子13Ａとコンタクトリード12Ａとを容器
１１の内側で簡単に着脱することができ、コネクタ１２
と容器１１との間の気密性を維持した状態で、消耗した
静電チャック１３と新しい静電チャック１３とを交換す
ることができる。
ラズマエッチング装置によれば、図４に示すように、コ
ンタクトリード12Ａが容器１１の内側に向いた状態のコ
ネクタ１２が冷却ジャケット１４に固着されているた
め、静電チャック１３を容器１１の内側方向に移動する
だけで、ピン端子13Ａとコンタクトリード12Ａとを容器
１１の内側で簡単に着脱することができ、コネクタ１２
と容器１１との間の気密性を維持した状態で、消耗した
静電チャック１３と新しい静電チャック１３とを交換す
ることができる。
【００２５】これにより、従来例のように静電チャック
１３から伸びた引出し線（高圧ケーブル３Ａ）を通すた
めに気密性を一々破るようなことが無くなる。また、静
電チャック１３を取り外しても、容器１１とコネクタ１
２との間の気密性が維持され、しかも、静電チャック１
３にはピン端子13Ａとそれを保護するアルミガイド13Ｂ
が露出するのみで、従来例のような高圧ケーブルの取付
けが不要となる。
１３から伸びた引出し線（高圧ケーブル３Ａ）を通すた
めに気密性を一々破るようなことが無くなる。また、静
電チャック１３を取り外しても、容器１１とコネクタ１
２との間の気密性が維持され、しかも、静電チャック１
３にはピン端子13Ａとそれを保護するアルミガイド13Ｂ
が露出するのみで、従来例のような高圧ケーブルの取付
けが不要となる。
【００２６】これらにより、静電チャック１３を備えた
エッチング装置のメンテナンスが容易になり、その交換
時間も短くすることができ、当該装置の停止時間を短縮
することができ、スループットが向上する。また、本発
明の実施例によれば、静電チャック１３のコネクタ部分
が真空の容器１１内に設けられているため、静電チャッ
ク１３の低温化による結露から起こるショートを防ぐこ
とができ、装置の安全性及び信頼性が向上する。
エッチング装置のメンテナンスが容易になり、その交換
時間も短くすることができ、当該装置の停止時間を短縮
することができ、スループットが向上する。また、本発
明の実施例によれば、静電チャック１３のコネクタ部分
が真空の容器１１内に設けられているため、静電チャッ
ク１３の低温化による結露から起こるショートを防ぐこ
とができ、装置の安全性及び信頼性が向上する。
【００２７】なお、本発明の実施例では、プラズマエッ
チング装置の場合について説明をしたが、ＣＶＤ装置や
スパッタ装置のサセプタ上の静電チャックに、本発明の
コネクタ部の構造を取り入れることによっても、同様な
効果が得られる。また、単に半導体ウエハ５を搬送する
真空搬送装置にも応用することができる。
チング装置の場合について説明をしたが、ＣＶＤ装置や
スパッタ装置のサセプタ上の静電チャックに、本発明の
コネクタ部の構造を取り入れることによっても、同様な
効果が得られる。また、単に半導体ウエハ５を搬送する
真空搬送装置にも応用することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造装置によれば、コネクタが基台に固着されてい
るため、容器の内側方向に静電チャックを持ち上げるだ
けで簡単に交換することができ、コネクタと容器との間
の気密性が維持できる。これにより、メンテナンスの時
間の短縮を図ることができ、半導体製造装置ののスルー
プットの向上を図ることができる。
置の製造装置によれば、コネクタが基台に固着されてい
るため、容器の内側方向に静電チャックを持ち上げるだ
けで簡単に交換することができ、コネクタと容器との間
の気密性が維持できる。これにより、メンテナンスの時
間の短縮を図ることができ、半導体製造装置ののスルー
プットの向上を図ることができる。
【００２９】また、本発明によれば、コネクタ部分が容
器内に設けられるため、温度調整部が設けられた場合で
も低温化による結露を防止できる。これにより、プラズ
マエッチング装置，ＣＶＤ装置やスパッタ装置等の半導
体製造装置の性能向上及び安全性の向上に寄与するとこ
ろが大きい。
器内に設けられるため、温度調整部が設けられた場合で
も低温化による結露を防止できる。これにより、プラズ
マエッチング装置，ＣＶＤ装置やスパッタ装置等の半導
体製造装置の性能向上及び安全性の向上に寄与するとこ
ろが大きい。
【図１】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
の全体構成図である。
の全体構成図である。
【図２】本発明の実施例に係る静電チャック及びコネク
タの構成を説明する断面図である。
タの構成を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るエッチング装置の構造を
補足する断面図である。
補足する断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るコネクタ部と静電チャッ
クとの分離状態図である。
クとの分離状態図である。
【図５】従来例に係る半導体製造装置の静電チャック周
辺の構成図である。
辺の構成図である。
１０…基台、 １１…容器、 １２…コネクタ、 12Ａ…コンタクトリード、 12Ｂ…高圧ケーブル、 12Ｃ…つば状の係止部、 12Ｄ，12Ｅ…低温用Ｏリング、 １３…静電チャック、 13Ａ…ピン端子、 13Ｂ…アルミガイド、 13Ｃ…エポキシ樹脂、 １４…冷却ジャケット、 １５…シャワー板兼用電極、 １６…高周波電源、 １７…チャック電源、 １８…反応ガス、 １９…リフトピン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｒ 13/533 Ａ 7354−5Ｂ 19/08 6901−5Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】 基台を有する容器と、 前記容器の外部から内部に給電する第１の通電端子を有
し、前記基台に固定されたコネクタと、 前記コネクタの第１の通電端子に着脱される第２の通電
端子を有し、前記容器内に設けられた静電チャックとを
備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウエハの基板温度を調整する
温度調整部が前記容器の基台に設けられることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 前記コネクタは、前記容器の基台又は温
度調整部を貫く開口部に気密部材を介して取付けること
を特徴とする請求項１、２記載のいずれかの半導体装置
の製造装置。 - 【請求項４】 前記コネクタには断熱材を使用すること
を特徴とする請求項１、２、３記載のいずれかの半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30191794A JPH08162518A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30191794A JPH08162518A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162518A true JPH08162518A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17902677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30191794A Pending JPH08162518A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162518A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105412A (ja) * | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 |
| JP2009148784A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル機構 |
| JP2010501106A (ja) * | 2006-08-17 | 2010-01-14 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入システムに用いられる基材取り扱いスキャンアーム |
| JP2011501458A (ja) * | 2007-10-24 | 2011-01-06 | アプライド マテリアルズ イタリア エス． アール． エル． | 電子回路の１つ以上のプレートを金属堆積ユニットに位置決めするための位置決めデバイスおよび関連する方法 |
| JP2011526062A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 低慣性、多軸、多方向に、機械的に走査するイオン注入システム |
| JP2013143512A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014011237A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 保持装置、吸着体および吸着体装着装置 |
| JP2015228398A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
| JP2016076646A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
| CN111243929A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种高压线路传输装置 |
| JP2021519517A (ja) * | 2018-03-27 | 2021-08-10 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 埋め込み温度センサを備えた基板支持体のためのコネクタ |
-
1994
- 1994-12-06 JP JP30191794A patent/JPH08162518A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105412A (ja) * | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 |
| JP2010501106A (ja) * | 2006-08-17 | 2010-01-14 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入システムに用いられる基材取り扱いスキャンアーム |
| JP2011501458A (ja) * | 2007-10-24 | 2011-01-06 | アプライド マテリアルズ イタリア エス． アール． エル． | 電子回路の１つ以上のプレートを金属堆積ユニットに位置決めするための位置決めデバイスおよび関連する方法 |
| JP2009148784A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル機構 |
| JP2011526062A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 低慣性、多軸、多方向に、機械的に走査するイオン注入システム |
| JP2013143512A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014011237A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 保持装置、吸着体および吸着体装着装置 |
| JP2015228398A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
| JP2016076646A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
| US10354904B2 (en) | 2014-10-08 | 2019-07-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
| JP2021519517A (ja) * | 2018-03-27 | 2021-08-10 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 埋め込み温度センサを備えた基板支持体のためのコネクタ |
| CN111243929A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种高压线路传输装置 |
| CN111243929B (zh) * | 2018-11-29 | 2022-06-24 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种高压线路传输装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040308 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040921 |