JP2963228B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2963228B2 JP2963228B2 JP9040491A JP9040491A JP2963228B2 JP 2963228 B2 JP2963228 B2 JP 2963228B2 JP 9040491 A JP9040491 A JP 9040491A JP 9040491 A JP9040491 A JP 9040491A JP 2963228 B2 JP2963228 B2 JP 2963228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- processing gas
- plasma
- upper electrode
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。
する。
【０００３】
【従来の技術】従来から、電極間に印加した高周波電力
によりプラズマを生成し、このプラズマを利用して被処
理物に処理を施すプラズマ処理装置が使用されている。
例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハの
表面等に形成された薄膜を、プラズマを用いてエッチン
グするドライエッチング装置、あるいはプラズマを用い
て薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等
が用いられている。
によりプラズマを生成し、このプラズマを利用して被処
理物に処理を施すプラズマ処理装置が使用されている。
例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハの
表面等に形成された薄膜を、プラズマを用いてエッチン
グするドライエッチング装置、あるいはプラズマを用い
て薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等
が用いられている。
【０００４】このような従来のプラズマ処理装置、例え
ばドライエッチング装置では、チャンバ内に、平行平板
電極、例えば上部電極と下部電極が設けられており、例
えばこの下部電極上に半導体ウエハを載置するよう構成
されている。そして、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲
気とするとともに、上部電極と下部電極との間に所定の
高周波電力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエ
ハの表面に形成された薄膜をドライエッチングにより除
去する。
ばドライエッチング装置では、チャンバ内に、平行平板
電極、例えば上部電極と下部電極が設けられており、例
えばこの下部電極上に半導体ウエハを載置するよう構成
されている。そして、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲
気とするとともに、上部電極と下部電極との間に所定の
高周波電力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエ
ハの表面に形成された薄膜をドライエッチングにより除
去する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは急速に高集積化されており、その回路パ
ターンは超微細化されつつある。このため、半導体デバ
イスの各処理工程においては、無塵化および高純度化が
要求されており、上述したプラズマ処理装置、例えばド
ライエッチング装置等では、プラズマの作用により生じ
るいわゆる金属汚染の問題が大きな問題となりつつあ
る。
導体デバイスは急速に高集積化されており、その回路パ
ターンは超微細化されつつある。このため、半導体デバ
イスの各処理工程においては、無塵化および高純度化が
要求されており、上述したプラズマ処理装置、例えばド
ライエッチング装置等では、プラズマの作用により生じ
るいわゆる金属汚染の問題が大きな問題となりつつあ
る。
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、金属汚染の発生を抑制することができ、
従来に較べて良好な処理を行うことのできるプラズマ処
理装置を提供しようとするものである。
されたもので、金属汚染の発生を抑制することができ、
従来に較べて良好な処理を行うことのできるプラズマ処
理装置を提供しようとするものである。
【０００７】［発明の構成］
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明 のプラ
ズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、この
チャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、
前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供
給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生
させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置におい
て、前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの
少なくとも一部を、非金属製であって着脱自在とされた
カバーによって覆ったことを特徴とする
ズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、この
チャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、
前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供
給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生
させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置におい
て、前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの
少なくとも一部を、非金属製であって着脱自在とされた
カバーによって覆ったことを特徴とする
【００１０】
【００１１】
【作用】 通 常、プラズマが生起される処理用のチャン
バ内には、各構成部材を固定するための金属製のボルト
およびナットが設けられている。本発明のプラズマ処理
装置では、これらのボルトおよびナットの少なくとも一
部を、非金属製、例えばセラミックス製であって着脱自
在とされたカバーによって覆うことにより、金属汚染の
発生を抑制する。
バ内には、各構成部材を固定するための金属製のボルト
およびナットが設けられている。本発明のプラズマ処理
装置では、これらのボルトおよびナットの少なくとも一
部を、非金属製、例えばセラミックス製であって着脱自
在とされたカバーによって覆うことにより、金属汚染の
発生を抑制する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハのドライエッチ
ングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
ングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
【００１３】図１に示すように、本実施例のドライエッ
チング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒
状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電
性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を
施してある）等からその主要部が構成されており、チャ
ンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部
電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
チング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒
状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電
性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を
施してある）等からその主要部が構成されており、チャ
ンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部
電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
【００１４】この下部電極３の下部には、伸縮自在に構
成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けら
れており、図示しない駆動機構、例えばエアシリンダに
より図示矢印の如く上下動可能に構成されている。ま
た、下部電極３は、上面に半導体ウエハ５を載置可能に
構成されており、図示しない冷却機構例えば冷媒循環機
構により、この半導体ウエハ５を所望温度に冷却するこ
とができるよう構成されている。
成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けら
れており、図示しない駆動機構、例えばエアシリンダに
より図示矢印の如く上下動可能に構成されている。ま
た、下部電極３は、上面に半導体ウエハ５を載置可能に
構成されており、図示しない冷却機構例えば冷媒循環機
構により、この半導体ウエハ５を所望温度に冷却するこ
とができるよう構成されている。
【００１５】一方、上部電極２は、導電性材料例えばカ
ーボン等から構成されており、絶縁性材料、例えばアル
ミナセラミックス等から円筒状に形成された絶縁性部材
６によって、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁され
た状態で支持されている。この上部電極２には、複数の
処理ガス流出孔７が形成されており、上部電極２の上部
には、配管接続ブロック８が接続されている。この上部
電極２にも、冷媒を循環させて冷却する図示しない冷却
機構が設けられている。
ーボン等から構成されており、絶縁性材料、例えばアル
ミナセラミックス等から円筒状に形成された絶縁性部材
６によって、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁され
た状態で支持されている。この上部電極２には、複数の
処理ガス流出孔７が形成されており、上部電極２の上部
には、配管接続ブロック８が接続されている。この上部
電極２にも、冷媒を循環させて冷却する図示しない冷却
機構が設けられている。
【００１６】上記配管接続ブロック８は、図２に示すよ
うに、絶縁性部材、本実施例では純度99.5％のアルミナ
セラミックス等から矩形のブロック状に形成されてお
り、内部に処理ガス流路９、冷媒入口流路１０、冷媒出
口流路１１が設けられている。そして、これらの流路の
上部にそれぞれＯリング１２を介して処理ガス供給配管
１３、冷媒入口配管１４、冷媒出口配管１５が接続され
ている。
うに、絶縁性部材、本実施例では純度99.5％のアルミナ
セラミックス等から矩形のブロック状に形成されてお
り、内部に処理ガス流路９、冷媒入口流路１０、冷媒出
口流路１１が設けられている。そして、これらの流路の
上部にそれぞれＯリング１２を介して処理ガス供給配管
１３、冷媒入口配管１４、冷媒出口配管１５が接続され
ている。
【００１７】また、配管接続ブロック８の下端部には、
側方に突出する如くフランジ部１６が設けられており、
このフランジ部１６に嵌合する如く形成された接続部材
１７を介して図示しないボルト等によって上部電極２に
押圧、係止されるよう構成されている。そして、配管接
続ブロック８と上部電極２との間には、Ｏリング１２が
介挿されており、配管接続ブロック８の処理ガス流路
９、冷媒入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ
上部電極２に設けられた処理ガス流路１８、冷媒入口流
路１９、冷媒出口流路２０に接続されている。
側方に突出する如くフランジ部１６が設けられており、
このフランジ部１６に嵌合する如く形成された接続部材
１７を介して図示しないボルト等によって上部電極２に
押圧、係止されるよう構成されている。そして、配管接
続ブロック８と上部電極２との間には、Ｏリング１２が
介挿されており、配管接続ブロック８の処理ガス流路
９、冷媒入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ
上部電極２に設けられた処理ガス流路１８、冷媒入口流
路１９、冷媒出口流路２０に接続されている。
【００１８】なお、上記処理ガス流路１８は、上部電極
２の各処理ガス流出孔７に接続されている。また、冷媒
入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ上部電極
２に設けられた図示しない冷媒循環流路に接続されてい
る。
２の各処理ガス流出孔７に接続されている。また、冷媒
入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ上部電極
２に設けられた図示しない冷媒循環流路に接続されてい
る。
【００１９】ここで、上述したように、配管接続ブロッ
ク８は、純度99.5％のアルミナセラミックスから構成さ
れているが、処理ガス流路９の部分には他の部位より高
純度例えば純度99.9％のアルミナセラミックスから構成
された円筒状部材２１が設けられており、処理ガス流路
９の内壁が純度99.9％のアルミナセラミックスによって
構成されるようになっている。これは、前述したように
処理ガス流路９内にプラズマが発生した際に、できるだ
け不所望な不純物か発生しないようにし、不純物が半導
体ウエハ５へ混入することを防止するためである。
ク８は、純度99.5％のアルミナセラミックスから構成さ
れているが、処理ガス流路９の部分には他の部位より高
純度例えば純度99.9％のアルミナセラミックスから構成
された円筒状部材２１が設けられており、処理ガス流路
９の内壁が純度99.9％のアルミナセラミックスによって
構成されるようになっている。これは、前述したように
処理ガス流路９内にプラズマが発生した際に、できるだ
け不所望な不純物か発生しないようにし、不純物が半導
体ウエハ５へ混入することを防止するためである。
【００２０】このように、処理ガス供給配管１３、冷媒
入口配管１４、冷媒出口配管１５を一体に接続した配管
接続ブロック８を用いることにより、メンテナンスの
際、配管接続ブロック８を上部電極２から着脱すること
により、一括した配管類の着脱を行うことができ、メン
テナンス時間の短縮を図ることができる。また、上部電
極２と配管類との絶縁も確実に行うことができる。
入口配管１４、冷媒出口配管１５を一体に接続した配管
接続ブロック８を用いることにより、メンテナンスの
際、配管接続ブロック８を上部電極２から着脱すること
により、一括した配管類の着脱を行うことができ、メン
テナンス時間の短縮を図ることができる。また、上部電
極２と配管類との絶縁も確実に行うことができる。
【００２１】また、上記上部電極２および下部電極３に
は、電力供給機構２２が接続されており、上部電極２と
下部電極３との間に所定周波数、例えば13.56MHzの高周
波電力を供給可能に構成されている。そして、処理ガス
供給配管１３から供給した処理ガス（エッチングガス）
を、上部電極２に設けられた処理ガス流出孔７から、下
部電極３上に載置された半導体ウエハ５に向けて流出さ
せるとともに、チャンバ１の下部に接続された排気配管
２３によって排気を実施することにより、チャンバ１内
を所定圧力の所定ガス雰囲気に設定することができるよ
う構成されている。
は、電力供給機構２２が接続されており、上部電極２と
下部電極３との間に所定周波数、例えば13.56MHzの高周
波電力を供給可能に構成されている。そして、処理ガス
供給配管１３から供給した処理ガス（エッチングガス）
を、上部電極２に設けられた処理ガス流出孔７から、下
部電極３上に載置された半導体ウエハ５に向けて流出さ
せるとともに、チャンバ１の下部に接続された排気配管
２３によって排気を実施することにより、チャンバ１内
を所定圧力の所定ガス雰囲気に設定することができるよ
う構成されている。
【００２２】さらに、図３に示すように、チャンバ１内
には各種の部材を固定するため、例えば、セラミックス
からなる基台３０に板状部材３１を固定するため、金属
製のボルト３２（あるいはナット）が設けられている
が、このようなボルト３２の上部には、それぞれカバー
３３が設けられている。このカバー３３は、図４にも示
すように、非金属製材料、例えば高純度のセラミックス
から円板状に形成されており、その中央部には、直径1m
m 程度の小さな円孔３４が設けられている。この円孔３
４は、メンテナンス等のため、ボルト３２を操作する際
に、カバー３３を取り外し易くするためのものである。
には各種の部材を固定するため、例えば、セラミックス
からなる基台３０に板状部材３１を固定するため、金属
製のボルト３２（あるいはナット）が設けられている
が、このようなボルト３２の上部には、それぞれカバー
３３が設けられている。このカバー３３は、図４にも示
すように、非金属製材料、例えば高純度のセラミックス
から円板状に形成されており、その中央部には、直径1m
m 程度の小さな円孔３４が設けられている。この円孔３
４は、メンテナンス等のため、ボルト３２を操作する際
に、カバー３３を取り外し易くするためのものである。
【００２３】なお、図３に示す例では、セラミックスか
らなる基台３０にボルト３２を固定するため、内側壁に
ねじを形成された金属製の円筒状部材３５が、予め基台
３０に穿設された孔内に接着固定されている。このよう
にすれば、ボルト３２をより確実に固定することができ
る。
らなる基台３０にボルト３２を固定するため、内側壁に
ねじを形成された金属製の円筒状部材３５が、予め基台
３０に穿設された孔内に接着固定されている。このよう
にすれば、ボルト３２をより確実に固定することができ
る。
【００２４】上記構成のこの実施例のドライエッチング
装置では、図示しない駆動機構により、下部電極３を下
降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５を
チャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
装置では、図示しない駆動機構により、下部電極３を下
降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５を
チャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
【００２５】この後、下部電極３を上昇させ、上部電極
２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
【００２６】しかる後、処理ガス供給配管１３から所定
の処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出
孔７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、
排気配管２３から排気を実施してチャンバ１内を所定圧
力の処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構
２２から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、
例えば13.56MHzの高周波電力を供給する。すると、上部
電極２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプ
ラズマ化されて半導体ウエハ５表面に形成された薄膜の
ドライエッチングが行われる。
の処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出
孔７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、
排気配管２３から排気を実施してチャンバ１内を所定圧
力の処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構
２２から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、
例えば13.56MHzの高周波電力を供給する。すると、上部
電極２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプ
ラズマ化されて半導体ウエハ５表面に形成された薄膜の
ドライエッチングが行われる。
【００２７】この時、本実施例では、前述したように上
部電極２に、純度99.9％のアルミナセラミックスから構
成された円筒状部材２１によって処理ガス流路９を形成
する配管接続ブロック８を介して処理ガス供給配管１３
が接続されているので、この内部にプラズマが発生して
も、金属が半導体ウエハ５へ混入することを防止するこ
とができ、金属汚染の発生を抑制することができる。ま
た、チャンバ１内に設けられたボルト３２等の上部に
も、全てカバー３３が設けられているので、この部分で
放電が発生し、プラズマが生起されて金属汚染が発生す
ることも防止することができる。したがって、従来に較
べて金属汚染の少ない良好な処理を行うことができる。
部電極２に、純度99.9％のアルミナセラミックスから構
成された円筒状部材２１によって処理ガス流路９を形成
する配管接続ブロック８を介して処理ガス供給配管１３
が接続されているので、この内部にプラズマが発生して
も、金属が半導体ウエハ５へ混入することを防止するこ
とができ、金属汚染の発生を抑制することができる。ま
た、チャンバ１内に設けられたボルト３２等の上部に
も、全てカバー３３が設けられているので、この部分で
放電が発生し、プラズマが生起されて金属汚染が発生す
ることも防止することができる。したがって、従来に較
べて金属汚染の少ない良好な処理を行うことができる。
【００２８】なお、上記エッチング処理実施中は、冷媒
入口配管１４、冷媒出口配管１５によって図示しない冷
却機構に供給される冷媒により上部電極２が冷却され、
同時に図示しない冷却機構により下部電極３が冷却され
る。
入口配管１４、冷媒出口配管１５によって図示しない冷
却機構に供給される冷媒により上部電極２が冷却され、
同時に図示しない冷却機構により下部電極３が冷却され
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、金属汚染の発生を抑制することがで
き、従来に較べて良好な処理を行うことができる。
処理装置によれば、金属汚染の発生を抑制することがで
き、従来に較べて良好な処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】図１のドライエッチング装置の要部構成を示す
図である。
図である。
【図３】図１のドライエッチング装置の他の要部構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】図３のカバーの構成を示す図である。
１ チャンバ ２ 上部電極 ３ 下部電極 ５ 半導体ウエハ ６ 絶縁性部材 ７ 処理ガス流出孔 ８ 配管接続ブロック ９ 処理ガス流路 １０ 冷媒入口流路 １１ 冷媒出口流路 １３ 処理ガス供給配管 １４ 冷媒入口配管 １５ 冷媒出口配管 ２２ 電力供給機構 ２３ 排気配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理物を収容するチャンバと、このチ
ャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前
記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給
配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生さ
せて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置におい
て、 前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少な
くとも一部を、非金属製であって着脱自在とされたカバ
ーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040491A JP2963228B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040491A JP2963228B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121334A JPH05121334A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2963228B2 true JP2963228B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=13997650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040491A Expired - Lifetime JP2963228B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963228B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4152802B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-17 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JP4572100B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-10-27 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6552429B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2019-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP9040491A patent/JP2963228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121334A (ja) | 1993-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0151769B1 (ko) | 플라즈마 에칭장치 | |
| KR0159178B1 (ko) | 플라즈마처리 장치와 플라즈마처리 방법 | |
| KR960014435B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
| KR100742487B1 (ko) | 하부 전극 구조 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2004095909A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP3167820B2 (ja) | 異常放電検出方法 | |
| JPH07106095A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2963228B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3231202B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100889433B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH07183277A (ja) | 処理装置 | |
| US7592261B2 (en) | Method for suppressing charging of component in vacuum processing chamber of plasma processing system and plasma processing system | |
| JPH06236858A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1032192A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3247491B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3251762B2 (ja) | 接合部の形成方法及び処理装置の部材間の接合方法 | |
| JP2963227B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3964272B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用シールドリング | |
| JPH0653207A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003068710A (ja) | 部材冷却システムおよびプラズマ処理装置 | |
| EP1083591A1 (en) | Device for plasma processing | |
| JPS62252943A (ja) | 高周波プラズマエツチング装置 | |
| EP0393637B1 (en) | Plasma processing method | |
| JPH0334540A (ja) | プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 | |
| US20200194238A1 (en) | Structure for substrate processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 Year of fee payment: 12 |