JPH07183277A

JPH07183277A - 処理装置

Info

Publication number: JPH07183277A
Application number: JP34532393A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Komino; 光明小美野; Koichi Kazama; 晃一風間
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date: 1993-12-21
Filing date: 1993-12-21
Publication date: 1995-07-21

Abstract

(57)【要約】【目的】耐プラズマ特性、均熱性に優れた載置台を備
えた低温処理用処理装置を提供する。【構成】本発明によれば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいず
れかのセラミックス絶縁体から成る載置部７の上部に導
電体９を内設することにより静電チャック１６として機
能せしめ、その下部に発熱抵抗体１３を内設することに
より温調用ヒータとして機能せしめるので、上記絶縁体
を静電チャックの絶縁層およびヒータの絶縁および放熱
板として作用させ、ハイブリット型の耐プラズマ特性、
熱伝達特性、均熱性に優れた低温処理用処理装置を提供
することが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は処理装置に係り、特にそ
の処理装置の載置台および静電チャック手段の構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程においては、半導体ウェ
ハなどの被処理体の処理面を加工するために反応性プラ
ズマを用いたプラズマエッチング装置が使用されてい
る。特に、最近では、ハーフミクロン時代、さらにはク
ォーターミクロン時代に対応した超微細加工を行うこと
が可能なエッチング方法の開発が進められており、その
中で良好な異方性エッチングを達成することが可能な低
温エッチング方法が注目されている。

【０００３】この種の低温エッチング方法は、たとえば
処理室内のサセプタに設けられた冷却ジャケットに液体
窒素などの冷媒を供給することにより、サセプタ上に載
置された半導体ウェハなどの被処理体に冷熱を伝熱さ
せ、さらにその冷熱の伝熱経路に温調用ヒータを設け
て、被処理体の処理面を所望の温度、たとえば−１００
℃程度の超低温域にまで冷却し、反応性応プラズマによ
りエッチング処理を行うものである。

【０００４】上記のような低温エッチング用の処理装置
１００に実装される載置台１０１は、図６に示すよう
に、たとえば３層構造に構成されている。かかる載置台
１０１の下層部１０２には冷却ジャケット１０３が内設
され、図示しない冷媒源から供給された液体窒素などの
冷媒を循環させることが可能である。また、その中層部
１０４には温調用ヒータ１０５が内設され、電源１０６
からフィルタ１０７を介して電力を供給することにより
所望の発熱を得ることが可能である。さらにその上層部
１０８はたとえばアルミニウムなどの導電体から構成さ
れ高周波電源１０９から上記下層部１０２および上記中
層部１０４を貫通するリードパイプ１１０を介して高周
波電力を印加することにより下部電極として作用させる
ことが可能である。さらにまたその上層部１０８の被処
理体載置面には静電チャック１１１が取り付けられてお
り、この静電チャック１１１は、たとえば２枚のポリイ
ミド樹脂１１２ａ、１１２ｂの間に銅箔などの導電体１
１３を挟持してなり、電源１１４よりフィルタ１１５を
介して直流高電圧を印加することによりクーロン力を発
生させ被処理体Ｗを吸着保持するように構成されてい
る。そして、冷却ジャケット１０３からの冷熱が静電チ
ャック１１１を介して被処理体Ｗに良好に伝達するよう
に、上記下層部１０２と上記中層部１０４との間、上記
中層部１０４と上記上層部１０８との間、および被処理
体Ｗの裏面と静電チャック１１１の吸着面との間にそれ
ぞれ形成される微小間隙にヘリウムガスなどの伝熱ガス
（バッククーリングガス）を供給している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理装置の載置台のように静電チャックをポリイミド樹
脂から構成した場合には、ポリイミド樹脂の耐性が弱い
ためプラズマによりエッチングされやすく、アフタープ
ラズマなどによりダメージを受けるため、交換頻度が高
く問題となっていた。またポリイミド樹脂は熱伝導率が
相対的に低く、低温処理を行う場合には冷却熱を被処理
体に効率的に伝熱できないため問題となっていた。

【０００６】さらにまた従来の処理装置の載置台のよう
に多層構造を採用した場合には、低温処理時に伝熱効率
を高めるために各層間を密着固定するか、あるいはメン
テナンス等の便宜のため各構成部材を着脱自在に構成す
る場合には、各層間に伝熱ガスを供給するなどして伝熱
ロスを抑える必要があるため、装置の構成が複雑とな
り、製品コストおよびメンテナンスの点でも問題となっ
ていた。

【０００７】本発明は上記のような従来の処理装置の載
置台および静電チャック構造が内包する問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、プラズ
マ耐性および伝熱特性に優れた静電チャック構造、およ
び装置構成が簡単であり、伝熱ロスが低く、面内均熱性
に優れ、しかもメンテナンスの頻度を下げることが可能
な載置台を備えた新規かつ改良された処理装置を提供す
ることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１に記載の発明は、載置面に被処理体を静電チ
ャック手段により吸着保持可能であるとともに高周波電
力を印加することが可能な載置台を処理室内に備えた処
理装置において、その静電チャック手段をＡｌ₂Ｏ₃、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ
₃Ｎ₄のいずれかのセラミックス絶縁体に導電体を内設す
ることにより構成したことを特徴としている。

【０００９】また請求項２に記載の発明は、載置面に被
処理体を静電チャック手段により吸着保持可能であると
ともに高周波電力を印加することが可能な載置台を処理
室内に備えた処理装置において、その載置台の下部を導
電体からなる電極部とし、その載置台の上部をＡｌ
₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮま
たはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミックス絶縁体からなる
被処理体載置部とし、その載置部の被処理体載置面の直
下に導電体を内設し、静電チャック手段と載置部とを一
体構造としたことを特徴としている。

【００１０】さらに請求項３に記載の発明は、載置面に
被処理体を静電チャック手段により吸着保持可能である
とともに高周波電力を印加することが可能な載置台が処
理室内に備えた処理装置において、その載置台の下部を
導電体からなる電極部とし、その載置台の上部をＡｌ₂
Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮま
たはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミックス絶縁体からなる
被処理体載置部とし、その載置部の被処理体載置面の直
下に導電体を内設するとともに、その導電体内設部の下
方に温調用ヒータを内設し、静電チャック手段と温調用
ヒータと載置部とを一体構造としたことを特徴としてい
る。

【００１１】

【作用】本発明者らの知見によれば、処理装置の静電チ
ャックの絶縁層に要求される特性としては、絶縁抵抗が
大きく、絶縁耐性が大きく、誘電特性が良好で、機械的
強度が高く、成形性（寸法精度）が良好で、耐熱性があ
り、熱伝導率が高く、熱膨張率が周囲の材料と整合して
おり、化学的に安定しており、コストが低い点などが要
求される。この点、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂｅ
Ｏ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセ
ラミックス絶縁体は、図４および図５に示すように、上
記いずれの特性に関しても優れた特性を有している。

【００１２】そこで、請求項１に記載の発明のように、
静電チャックの絶縁部をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂ
ｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかの
セラミックス絶縁体から構成することにより、従来の静
電チャックに比較して耐プラズマ特性に優れ、また特に
低温雰囲気での熱伝導率に優れ、したがって面内均熱性
に優れた静電チャックが構成されるので、低温処理に最
適なメンテナンスフリーの静電チャックが提供される。

【００１３】また請求項２に記載の発明のように、載置
台をハイブリッド化し、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂ
ｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかの
セラミックス絶縁体から成りその上部に請求項１に記載
されているような静電チャックを一体的に組み入れた被
処理体載置部と、アルミニウムなどの導電体から成り高
周波電力を印加することにより下部電極として作用させ
ることが可能な電極部とから構成することにより、請求
項１の発明と同様の作用効果に加えて、部品点数が少な
く、載置台全体の均熱性に優れ、伝熱ロスの少ない伝熱
経路を形成可能な、低温処理に最適な静電チャック一体
型載置台が提供される。

【００１４】さらにまた請求項３に記載の発明のよう
に、載置台をハイブリッド化し、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓ
ｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のい
ずれかのセラミックス絶縁体から成りその上部に請求項
１に記載されているような静電チャックを一体的に組み
入れた被処理体載置部と、アルミニウムなどの導電体か
ら成り高周波電力を印加することにより下部電極として
作用させることが可能な電極部とから構成するに加え
て、さらに被処理体載置部の下方に抵抗発熱体を内設
し、上記セラミックス絶縁体を抵抗発熱体の絶縁体およ
び均熱放熱体として使用することにより、請求項１およ
び請求項２の発明と同様の作用効果に加えて、さらに部
品点数が少なく、載置台全体の均熱性に優れ、伝熱ロス
の少ない伝熱経路が形成可能であり、さらにその伝熱経
路の温度制御を高い精度で行うことが可能な、低温処理
に最適な静電チャックおよびヒータ一体型載置台が提供
される。

【００１５】

【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
いて構成された処理装置を低温プラズマエッチング装置
について詳細に説明する。まず図１を参照しながら本発
明を適用可能な低温プラズマエッチング装置１について
簡単に説明する。図示のように、このエッチング装置１
は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒形状の
気密に構成された処理容器２を有しており、この処理容
器２の底部付近には排気口３が設けられており、図示し
ない排気手段、例えば真空ポンプを介して処理容器２内
を所望の減圧雰囲気に真空引き可能なように構成されて
いる。

【００１６】さらに、この処理容器２のほぼ中央に処理
容器２の底部から絶縁材４を介して電気的に絶縁状態を
保持するように略円柱形状の載置台５が収容されてい
る。そして、この載置台５の上面に被処理体、例えば半
導体ウェハＷを載置することが可能である。この載置台
５は、導電体、例えばアルミニウム製の略円柱形状の電
極部６と、本発明に基づいて構成された被処理体載置部
７とから構成されており、この載置部７は上記電極部６
に対してボルト８を介して着脱自在に取り付けられてい
る。

【００１７】この載置部７は、酸化アルミニウム（Ａｌ
₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリコン
（ＳｉＣ）、酸化ベリウム（ＢｅＯ）、高圧相の立方晶
の窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、低圧相の六方晶の窒化ホウ
素（ｈ−ＢＮ）または窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）のいず
れかのセラミックス絶縁体から構成されている。これら
の材料は、図４および図５から明らかなように、いずれ
も、絶縁抵抗が大きく、絶縁耐性が大きく、誘電特性が
良好で、機械的強度が高く、成形性（寸法精度）が良好
で、耐熱性があり、熱伝導率が高く、熱膨張率が周囲の
材料と整合しており、化学的に安定しており、コストが
低いという特色を有しており、静電チャックの絶縁部材
とし、また温調用ヒータの抵抗発熱体の絶縁部材として
最適な材料であると考えられる。

【００１８】そこで本発明によれば、酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリ
コン（ＳｉＣ）、酸化ベリウム（ＢｅＯ）、高圧相の立
方晶の窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、低圧相の六方晶の窒化
ホウ素（ｈ−ＢＮ）または窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）の
いずれかのセラミックス絶縁体から載置部７を構成し、
この載置部の載置面の直下に導体９、たとえば銅箔や銀
箔を内設することによりセラミックス絶縁体の絶縁層１
０を介して導体９と被処理体Ｗとを対峙させて静電チャ
ック１６を形成し、その導体９に直流電源１１よりフィ
ルタ１２を介して直流高電圧を印加することにより、ク
ーロン力により被処理体Ｗを載置面に吸着保持させるこ
とが可能である。

【００１９】さらにまた載置部７の下方には、発熱抵抗
体１３が内設され、電源１４よりフィルタ１５を介して
電圧を印加することにより、後述する冷却経路の伝熱を
制御し、被処理体Ｗの処理面を最適な温度に制御するこ
とが可能である。その際、上記材料から成る載置部７
が、発熱抵抗体１３の絶縁体として機能する上、均熱放
熱板としても機能するので、冷却効率と精度を高めるこ
とが可能である。

【００２０】上記導体９と上記発熱抵抗体１３の上記載
置部７への内設方法は、従来より用いられている様々な
方法を採用することができる。たとえば上記材料から成
るセラミックス絶縁体を複数の層部材に分割し、所定の
層部材の上に上記導体９および上記発熱抵抗体１３を設
置した後に、他の層部材をその上に重ね、層部材同士を
密着固定することも可能である。あるいはイオン注入技
術を用いて、所定の深さに導体層９あるいは抵抗体層１
３を形成することも可能である。いずれの技術を用いる
にせよ、被処理体載置部７の上部に静電チャック部１６
を一体的に形成するとともに、載置部７の下部に温調用
ヒータ１３が一体的に形成されることによりハイブリッ
ト式載置台５が構成される。

【００２１】上記被処理体載置部７の下に設置される導
電体、たとえばアルミニウムから構成される電極部６に
は、冷媒、例えば液体窒素を流通循環させるための冷媒
収容部、例えば冷却ジャケット１７が設けられている。
この冷却ジャケット１７には、冷媒供給路１８および冷
媒排出路１９が設けられており、図示しない冷却回路か
ら冷媒、例えば液体窒素を上記冷媒供給路１８を介して
上記冷却ジャケット１７内に導入し、そのジャケット内
部を循環させ、上記冷媒排出路１９を介して排出させ、
再び冷却回路に戻すことが可能なように構成されてい
る。これらの冷媒供給路１８、１９は、たとえばステン
レス製の内側配管と外側配管との間に真空層を形成した
真空断熱２重配管構造とすることが可能であり、かかる
構成により熱損失を最小限に抑えることができる。

【００２２】さらに上記載置台５の電極部６と載置部７
との界面、および載置された半導体ウェハＷの裏面と静
電チャック１６のチャック面などには、それぞれ伝熱ガ
ス供給手段２０を介して、伝熱媒体、例えばヘリウムガ
スなどを供給することが可能であり、電極部６内の冷却
ジャケット１７から冷熱が速やかに半導体ウェハＷにま
で伝達することが可能なように構成されている。

【００２３】さらに上記載置部７の上端周縁部には、被
処理体である半導体ウェハＷを囲むように環状のフォー
カスリング２１が配置されている。このフォーカスリン
グ２１は反応性イオンを引き寄せない絶縁材料からな
り、プラズマ反応性イオンを内側に設置された半導体ウ
ェハＷに対してのみ入射させ、エッチング処理の効率化
を図っている。

【００２４】また上記電極部６には、中空に成形された
導体よりなる給電棒２２が接続されている。この給電棒
２２は、接地側の外側管２３と高周波電力印加側の内側
管２４とからなる二重管構造に構成され、外側管２３と
内側管２４との間および内側管の内部に中空部２５、２
６がそれぞれ形成されており、これらの中空部２５、２
６には不活性ガスを流通させることが可能なように構成
されている。そして内側管２４はブロッキングコンデン
サ２７を介して高周波電源２８に接続されており、処理
時にはたとえば１３．５６ＭＨｚの高周波をサセプタに
印加することが可能である。かかる構成により電極部６
は下部電極として作用し、後述する上部電極２９との間
にグロー放電を生じさせ、反応性プラズマを処理室内に
形成し、そのプラズマ流にて被処理体をエッチング処理
することができる。なお内側管２４の内部の中空部２６
には、静電チャック１６に高電圧を印加するためのリー
ド線および温調用ヒータ１３に電力を供給するリード線
が収納されている。

【００２５】上記載置台５の上方には、接地された上部
電極２９が設けられている。この上部電極２９の内部は
中空に構成され、被処理体である半導体ウェハＷへの対
向面には多数の小孔３０が穿設されており、図示しない
処理ガス源からガス供給管路３１により図示しないマス
フローコントローラを介して送られた処理ガス、例えば
ＣＦ₄などのエッチングガスを処理室内に均一に導入す
ることができるように構成されている。また処理装置１
は制御器３１を備えた、各構成機器の出力などを最適に
制御することが可能である。

【００２６】以上のように本発明に基づいて構成される
ハイブリット型載置台を適用可能な低温プラズマエッチ
ング装置は構成されている。次に上記のように構成され
た低温プラズマエッチング装置の動作説明を行う。

【００２７】まず、図示しないロードロック室より、所
定の圧力、たとえば１×１０^-4〜数Ｔｏｒｒ程度に減圧
された処理容器２の載置台５の載置面に被処理体Ｗを載
置した後、直流電源１１からフィルタ１２を介して直流
高圧電圧を載置部７の上部に内設された導体９に供給す
ることによりクーロン力を発生させ、被処理体Ｗを載置
台５の載置面に吸着保持させることが可能である。つい
で、載置部７の下方に位置する下部電極６に高周波電源
２８よりブロッキングコンデンサ２７を介して高周波電
力を印加することにより処理室内にプラズマを発生せし
め、その際に上部電極２９側から所定のプロセスガス、
たとえばＨＦガスを処理室内に流すことにより被処理体
Ｗの処理面に対して所望のエッチング行う。

【００２８】処理に際して、被処理体Ｗを低温状態、た
とえば−１５０℃に保持するために、電極部６内の冷却
ジャケット１７に冷媒供給間１８から液体窒素などの冷
媒を供給し流通させて、電極部６をたとえば−１９６℃
に保持し、ここからの冷熱を載置部６を介して被処理体
Ｗにまで供給する。この冷熱経路を構成する載置部６に
は、本発明に基づいて発熱体１３が内設されており、こ
の発熱体に電源１４よりフィルタ１５を介して所定の電
力を印加することにより冷熱の供給量を調整し、被処理
体Ｗの処理面の温度を最適に制御することが可能であ
る。

【００２９】このように本発明に基づいて選択されたセ
ラミックス絶縁体からなる載置台５は、静電チャック１
６と発熱体１３とを一体的に内設しており、冷却経路を
単純化することできる上、載置部を構成するセラミック
ス絶縁体の伝熱特性が良好であり、また均熱性も優れる
ため、被処理体Ｗの冷却効率および精度を高めることが
可能である。

【００３０】以上のようにして所望の処理が終了した
後、プラズマを停止し、静電チャック１６を切り、図示
しないゲートバルブを介してロードロック室に被処理体
Ｗを搬出することにより一連のエッチング処理は終了す
る。なお、処理終了後に装置のメンテナンスのためにプ
ラズマを発生させることがあるが、その場合も、本発明
によれば耐プラズマ特性に優れたセラミックス絶縁体よ
り静電チャックを構成しているので、従来の静電チャッ
クのようにプラズマによるエッチングを被り、その寿命
が縮むような事態を防止することが可能である。

【００３１】なお上記実施例においては、図２に模式的
に示すような単極式の静電チャックを例に挙げて本発明
の構成について説明したが、本発明はこれに限定され
ず、プラズマの有無により吸着力が左右されない、図３
に模式的に示すような双極式の静電チャックにも適用可
能であり、その場合には、直流電源１１、フィルタ１２
および導体９から構成される静電チャック用回路を２系
統設ける必要があるが、その他の構成については図１の
処理装置とほぼ同一なので、ここでは詳細な説明は省略
することにする。

【００３２】上記実施例では、一例として本発明に基づ
いて構成された低温プラズマエッチング装置に適用した
例を示したが、本発明方法はかかる装置に限定されるこ
となく、ＣＶＤ装置、アッシング装置、スパッタ装置、
あるいは被処理体を低温で検査等する場合、例えば電子
顕微鏡の試料載置台や半導体材料、素子の評価を行う試
料載置台の冷却機構にも適用することができる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下のような優れた作用効果を奏することが可能である。
すなわち、請求項１に記載の発明によれば、静電チャッ
クの絶縁部をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−
ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミック
ス絶縁体から構成することにより、従来の静電チャック
に比較して耐プラズマ特性に優れ、また特に低温雰囲気
での熱伝導率に優れ、したがって面内均熱性に優れた静
電チャックが構成されるので、低温処理に最適なメンテ
ナンスフリーの静電チャックを得ることができる。

【００３４】また請求項２に記載の発明によれば、載置
台をハイブリッド化し、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂ
ｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかの
セラミックス絶縁体から構成し、その上部に請求項１に
記載されているような静電チャックを一体的に組み入れ
ることにより、請求項１の発明と同様の作用効果に加え
て、部品点数が少なく、載置台全体の均熱性に優れ、伝
熱ロスの少ない伝熱経路を形成することができる。

【００３５】さらにまた請求項３に記載の発明のよう
に、請求項２と同様に載置台をハイブリッド化し、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮま
たはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミックス絶縁体から成り
静電チャックを一体的に組み入れた被処理体載置部にさ
らにその下方に抵抗発熱体を内設し、セラミックス絶縁
体を抵抗発熱体の絶縁体および均熱放熱体として使用す
ることにより、請求項１および請求項２の発明と同様の
作用効果に加えて、さらに部品点数が少なく、載置台全
体の均熱性に優れ、伝熱ロスの少ない伝熱経路が形成可
能であり、さらにその伝熱経路の温度制御を高い精度行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づいて構成された載置台を実装した
低温プラズマエッチング装置の概略的な断面図である。

【図２】単極式静電チャックの模式図である。

【図３】双極式静電チャックの模式図である。

【図４】本発明に基づいて選択されたセラミックス絶縁
材料の特性を示す図表である。

【図５】本発明に基づいて選択されたセラミックス材料
の熱伝導率と熱膨張係数の関係を示すグラフである。

【図６】従来の載置台を実装した低温プラズマエッチン
グ装置の概略的な断面図である。

【符号の説明】

１処理装置２処理容器６電極部７セラミックス絶縁体（載置部）９導体１３発熱抵抗体１６静電チャック１７冷却ジャケット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】載置面に被処理体を静電チャック手段に
より吸着保持可能であるとともに高周波電力を印加する
ことが可能な載置台を処理室内に備えた処理装置におい
て、前記静電チャック手段をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＢｅＯ、ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいず
れかのセラミックス絶縁体に導電体を内設することによ
り構成したことを特徴とする、処理装置。
【請求項２】載置面に被処理体を静電チャック手段に
より吸着保持可能であるとともに高周波電力を印加する
ことが可能な載置台を処理室内に備えた処理装置におい
て、前記載置台の下部を導電体からなる電極部とし、前
記載置台の上部をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、
ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミ
ックス絶縁体からなる被処理体載置部とし、その載置部
の被処理体載置面の直下に導電体を内設し、前記静電チ
ャック手段と前記載置部とを一体構造としたことを特徴
とする、処理装置。
【請求項３】載置面に被処理体を静電チャック手段に
より吸着保持可能であるとともに高周波電力を印加する
ことが可能な載置台が処理室内に備えた処理装置におい
て、前記載置台の下部を導電体からなる電極部とし、前
記載置台の上部をＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、
ｃ−ＢＮ、ｈ−ＢＮまたはＳｉ₃Ｎ₄のいずれかのセラミ
ックス絶縁体からなる被処理体載置部とし、その載置部
の被処理体載置面の直下に導電体を内設するとともに、
その導電体内設部の下方に温調用ヒータを内設し、前記
静電チャック手段と前記温調用ヒータと前記載置部とを
一体構造としたことを特徴とする、処理装置。