JP2003179127A - 静電チャック用給電端子 - Google Patents
静電チャック用給電端子Info
- Publication number
- JP2003179127A JP2003179127A JP2001376654A JP2001376654A JP2003179127A JP 2003179127 A JP2003179127 A JP 2003179127A JP 2001376654 A JP2001376654 A JP 2001376654A JP 2001376654 A JP2001376654 A JP 2001376654A JP 2003179127 A JP2003179127 A JP 2003179127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- power supply
- main body
- supply terminal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
属−セラミックス複合材料から構成されたものであって
も、基体との間で絶縁破壊による放電現象が発生するこ
とがなく、静電チャックに、こうした不具合に起因した
性能低下が起きない静電チャック用給電端子を提供する
ことである。 【解決手段】 金属−セラミックス複合材料から構成さ
れた基体11と、この基体11の一主面上に設けられた
絶縁層12と、この絶縁層12の上に設けられた電極1
3と、この電極13を被覆するよう設けられた誘電層1
4と、を備えてなる静電チャックにおける基体11に形
成された孔11aに納まり、電極13への給電に用いら
れる静電チャック用給電端子であって、一端側が電極1
3に接続される金属製の本体部1と、少なくとも本体部
1の周面を被覆するようその周囲に設けられたセラミッ
クス製の外被部2とを具備してなる静電チャック用給電
端子。
Description
ェハやフラットディスプレイパネル、あるいはフレキシ
ブル基板などを吸着保持するのに用いられる静電チャッ
クに関するものである。更に詳しくは、金属−セラミッ
クス複合材料を用いて構成された静電チャックの内部電
極への給電に用いられる端子(静電チャック用給電端
子)の構造に関するものである。
て、半導体ウェハなどの物品(被吸着物)を吸着保持す
るのに用いられている静電チャックは、円盤状の主構造
体内に電極が埋設されたものである。更に、この主構造
体には給電端子が取り付けられており、これを介して内
部の電極に給電できるようになっている。
に不可欠なさまざまな要件(耐熱性や耐食性、熱伝導性
など)を満たすため、たとえば窒化アルミニウムなどの
セラミックスから構成されている。ところで最近は、被
吸着物が大型化すなわち大径化する傾向にあり、これに
伴って、静電チャックについても大きな直径を有するも
のが求められるようになってきている。ところが、こう
した既存の、すなわちセラミックス製の静電チャック
は、その直径が大きくなればなるほど製造するのが著し
く困難になる。したがって、ある一定以上の大きさまで
しか実用化されておらず、年々高まる大径化の要請に
は、十分に応えることができなかった。
ミックス複合材料からなる静電チャック(たとえば特願
2001−222701号)が開発された。この新型の
静電チャックは、基体と、この基体の表面に設けられた
絶縁層と、この絶縁層の上に設けられた電極と、この電
極を被覆するよう設けられた誘電層とからなり、このう
ち基体が上記金属−セラミックス複合材料から、なかで
も「MMC」と呼ばれる金属基複合材から構成されてい
る。
から構成された基体(以下、MMC製基体と言う)は、
金属を含有しているため、当然のことながら高い導電性
を有する。それゆえ、次のような点が問題となってい
る。
部電極に電圧を印加するための給電端子が取り付けられ
る。更に具体的に言うと、静電チャックの基体には孔が
形成されており、その内部に給電端子が納まる。そし
て、この孔の内奥側開口を閉塞するように存在している
内部電極に、この給電端子の上端部が接続されることに
なる。ところで、これまでのように基体が、絶縁材料で
あるセラミックスから構成されていれば、何ら問題はな
かったが、高い導電性を有するMMC製基体を採用した
場合には、給電端子を従前の方法で基体に取り付けるこ
とはできない。そこで、基体の孔の内周面と給電端子の
外周面との間に無機接着剤を充填し、給電端子と基体と
を絶縁する処置が施されている。
ャックを実際に使用した場合、かなりの頻度で、無機接
着剤を充填した部分で絶縁破壊が起きる。すなわち、給
電端子とMMC製基体との間に放電現象が発生し、これ
に起因して静電チャックの吸着性能が著しく低下する。
は、基体が導電性を有する金属−セラミックス複合材料
から構成されたものであっても、この基体との間に絶縁
破壊による放電現象を生じることがなく、こうした不具
合に起因した静電チャックの性能低下が起きない静電チ
ャック用給電端子を提供することである。
ラミックス複合材料から構成された基体と、この基体の
一主面上に設けられた絶縁層と、この絶縁層の上に設け
られた電極と、この電極を被覆するよう設けられた誘電
層と、を備えてなる静電チャックにおける前記基体に形
成された孔に納まり、前記電極への給電に用いられる静
電チャック用給電端子であって、一端側が前記電極に接
続される金属製の本体部と、少なくとも前記本体部の周
面を被覆するよう前記本体部の周囲に設けられたセラミ
ックス製の外被部とを具備してなることを特徴とする静
電チャック用給電端子によって解決される。
ミックス(快削性セラミックスとも呼ばれる)から構成
されたものが挙げられる。こうした外被部は、本体部へ
の装着(たとえば嵌合や接着剤を用いた装着)によっ
て、この本体部の周囲に設けられることになる。また上
記外被部としては、本体部の表面に形成された酸化アル
ミニウムの溶射被膜からなるものが挙げられる。
ミックスから構成され、本体部への装着によって、この
本体部の周囲に設けられた、本体部周面の一部を被覆す
る第1の外被要素と、同じく本体部の表面に形成され
た、本体部周面の残部を被覆する、酸化アルミニウムの
溶射被膜からなる第2の外被要素とを具備してなるもの
が挙げられる。
適な静電チャックとしては、基体が、炭化ケイ素の粉末
を20〜80体積%、特に50〜70体積%含有すると
共にアルミニウム合金をマトリックスとする複合材料か
ら構成され、また、絶縁層が、酸化アルミニウム系セラ
ミックスから構成され、更に誘電層が、酸化チタンを
2.5〜10.0質量%、特に5.0〜7.5質量%含
有する酸化アルミニウム系セラミックスから構成された
ものが挙げられる。
金属−セラミックス複合材料から構成された静電チャッ
ク用の給電端子を、金属製の本体部と、少なくともこの
本体部の周面を被覆するよう、その周囲に設けられたセ
ラミックス製の外被部とを具備してなる構造とした。よ
って、この給電端子を基体に取り付けた状態では、導電
性を有するこの基体と、導電材料(金属)からなる給電
端子本体部とは、電気的に完全に絶縁される。
従前の、無機接着剤の充填による不確実な絶縁方法に比
して、格段に優れた絶縁状態が実現する。更に詳しく言
うと、無機接着剤を充填した場合、接着剤の層は硬化す
る際に揮発成分を失い、それに替わって層内部には微小
な空隙が生じる。しかも、接着剤層の厚みは非常に小さ
いので、両者の負の相乗効果により、比較的容易に給電
端子と基体との間に放電現象が発生し、絶縁破壊が引き
起こされる。
製の本体部がセラミックス製の外被部によって完全に被
覆されているから、こうした不具合は極めて起きにく
く、すなわち長期間にわたって、給電端子の本体部と静
電チャックの基体との間の良好な絶縁状態が維持され
る。総じて、本発明の給電端子を用いれば、静電チャッ
クの基体が導電性を有する金属−セラミックス複合材料
から構成されたものであっても、この基体との間に絶縁
破壊による放電現象が生じることはなく、こうした不具
合に起因した静電チャックの性能低下といった問題は起
きない。ゆえに、基体が金属−セラミックス複合材料か
ら構成されたものである静電チャックの信頼性が大幅に
向上する。
クス複合材料としては、たとえば、フィラーとしてセラ
ミックス強化材を用い、それを金属マトリックスと一体
化してなる金属基複合材すなわちMMC(Metal
Matrix Composites)が挙げられる。
めの代表的な方法としては、非加圧金属浸透法がある。
同法では、まず、セラミック強化材を加圧成形すること
により、内部に無数の空隙が存在するプリフォームを形
成する。次いで、800℃程度に保った窒素ガス雰囲気
中で、このプリフォームを溶融金属と接触させて、内部
に金属を浸透させる。その後、これを急冷すれば、MM
C製基体ができあがる。一方、こうした方法に替えて、
鋳造法が用いられることもある。これは、セラミックス
強化材を溶融金属中に均一分散させ、こうして得た溶融
物を型内に流し込んで所要の形状に成形するものであ
る。
ラミックス材料としては、上述した炭化ケイ素以外に
も、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、カーボンな
どが挙げられる。また同じく、この金属−セラミックス
複合材料を形成する金属材料としては、上述したアルミ
ニウム合金以外にも、ケイ素、銅、マグネシウム、チタ
ンなどが挙げられる。
材料としては、たとえば、ニッケル、タングステン、ア
ルミニウム、銀などが挙げられる。また、本発明に係る
給電端子の本体部を構成する金属材料としては、たとえ
ば、アルミニウム(単体あるいは合金のいずれでも可)
やステンレス(SUS430など)、スーパーインバー
(Fe−Ni−Co合金)などが挙げられる。
セラミックス材料としては、たとえば、上述したマシナ
ブルセラミックスと呼ばれる特殊な組成のセラミックス
や酸化アルミニウム以外にも、酸化ジルコニウムやアル
ミン酸マグネシウム(MgAl2O4)などの絶縁性セ
ラミックスを用いることができる。
ミックスとは、非常に硬く加工が極めて困難である一般
的なセラミックスに比して、機械加工が格段に容易な、
すなわち切削などの処理を難なく施すことが可能で、自
在に所望の形状に加工できる特性を備えたセラミックス
を指す。具体的には、住金セラミックス社製のホトベー
ル(登録商標)が挙げられる。
明の第1実施形態を具体的に説明する。なお、図1およ
び図2は本実施形態に係る静電チャック用給電端子の外
観図および縦断面図、図3は同静電チャック用給電端子
が取り付けられた状態での静電チャックの一部断面図で
ある。
(以下、本給電端子と言う)は、静電チャック、特に後
述するごとく、基体が金属−セラミックス複合材料を用
いて構成された静電チャックの内部電極(以下、単に電
極とも言う)への給電に用いられるものである。
に、下側に位置する略直方体状の部分と、上側に位置す
る円柱状の部分とからなる。本実施形態では、基体に取
り付けた際の位置安定性を考慮して、給電端子をこうし
た様態としたが、言うまでもなく、その形状は任意であ
る。
もわかるように、金属製の本体部1と、この本体部1の
周囲に設けられたセラミックス製の外被部2とからでき
ている。このうち本体部1は、径がほぼ一定な円柱状の
ものであって、その上端面は外被部2の上端面と等しい
高さに位置する。言いかえれば、給電端子の上端面は平
坦であって、中央に本体部1の上端面が露出した格好と
なっている。本体部1の一端側は、静電チャックが有す
る電極に接続されるのであるが、この電極と接すること
になるのが本体部1の上端面である。
ている。この凹部1aには、電源装置(図示せず)から
延びるリード線の先端が納まり接続状態となる。なお本
実施形態では、凹部1aの内周面にネジ溝を形成してい
る。したがってリード線として、ネジ山を有する導通部
材が先端に取り付けられたものを用い、この導通部材を
凹部1aに螺着させるようにすれば、より確実かつ堅固
なリード線の接続状態が得られる。
クスから構成されており、本体部1の周面を被覆するよ
う、その周囲に設けられている。更に詳しく言うと、外
被部2は、機械加工が容易なマシナブルセラミックスを
用いて、つまりそれを切削加工して形成された、いわば
管状のものである。ここでは、その内径を本体部1の外
径と等しく設定しており、したがって外被部2は、本体
部1に嵌合装着された状態となっている。特に本実施形
態では、更に堅固な固定状態を得るため、たとえばエポ
キシ系の接着剤3を用いて、外被部2をその下端面側で
本体部1へ接着している。
チャックの構造および本給電端子が、いかにしてこの静
電チャックに取り付けられるかについて、図3を用いて
詳しく説明する。
は、概して、基体11、この基体11の上面(一主面)
上に設けられた絶縁層12、この絶縁層12の上に設け
られた電極(内部電極)13、そしてこの電極13を被
覆するよう設けられた誘電層14からなる。このうち基
体11は、金属−セラミックス複合材料から構成されて
いる。また基体11には、本給電端子の外形に対応した
断面形状を有する孔11aが、一つ以上設けられてい
る。電極13へ給電する役割を果す本給電端子は、この
孔11aに納まり、そして更に、上述したごとく本体部
1の上端面が電極13に接した状態となる。
素の粉末を20〜80体積%、特に50〜70体積%含
有すると共にアルミニウム合金をマトリックスとする複
合材料、すなわちMMC(金属基複合材)である。一
方、絶縁層12は、酸化アルミニウム系セラミックス、
殊に純粋な酸化アルミニウムから構成されている。ま
た、電極13はニッケルからできており、更に誘電層1
4は、酸化チタンを2.5〜10.0質量%、特に5.
0〜7.5質量%含有する酸化アルミニウム系セラミッ
クスから構成されている。
10〜40mm程度であり、その上に存在する絶縁層1
2の厚さ(図3中、T2で示す)は、300〜400μ
m程度である。また、電極13の厚さ(図3中、T3で
示す)は50〜100μm程度であり、そして更に誘電
層14の厚さ(図3中、T4で示す)は300〜400
μm程度である。
ャックが完成してから、それに取り付けられるわけでは
ない。本給電端子は、静電チャックを製造する工程の途
中で、その構成要素すなわち基体11に取り付けられ
る。この後、基体11の上に絶縁層12、電極13、そ
して誘電層14が順に形成され、静電チャックが完成す
る。以下、この製造過程について更に詳しく説明する。
C製の基体11に本給電端子をセットする。すなわち、
基体11の孔11aに本給電端子を押し込み、更に、た
とえば無機接着剤(図3中、15で示す)を用いて、本
給電端子を基体11に接着する。なおこの際、本給電端
子は、その上端面が基体11の上面と同じ高さになるよ
う位置が調整される。
たならば、その上端面、特に本体部1の上端面にマスキ
ング処理を施す。そして基体11の上面に、溶射処理に
よって酸化アルミニウムの層(絶縁層12)を形成す
る。
いて、給電端子の本体部1の上端面を再び露出させる。
そして、この状態で、絶縁層12の上に、たとえばニッ
ケルなどの金属材料を溶射して、金属層(電極13)を
形成する。これによって電極13と本体部1とが、した
がって電極13と本給電端子とが電気的に接続された状
態となる。なお溶射する金属材料としては、ニッケル以
外にも、タングステンやアルミニウム、銀などが用いら
れる。
料(酸化チタンを少量含む酸化アルミニウム系セラミッ
クス)を溶射して、誘電層14を形成することで、図3
に一部断面を示す、本給電端子が取り付けられてなる静
電チャックが得られる。但し実際には、誘電層14とな
るセラミックス材料を溶射した後、同層中の微細な空孔
をなくすための封孔処理が行われ、更に続いて、その表
面の凹凸を除去するための切削処理が行われる。
体11が金属−セラミックス複合材料から構成されたも
のである静電チャック用の給電端子を、金属製の本体部
1と、その周面を被覆するよう、この本体部1に装着さ
れたセラミックス製の外被部2とからなる構造とした。
このため、導電性を有する基体11と金属製の本体部1
とは、電気的に完全に絶縁された状態となる。
で、従来の絶縁方法に比して、格段に優れた絶縁状態が
実現する。すなわち、従来の絶縁方法では、比較的容易
に給電端子と基体との間に放電現象が発生し、絶縁破壊
が引き起こされていた。しかしながら本給電端子にあっ
ては、金属製の本体部1がセラミックス製の外被部2に
よって完全に被覆されているから、こうした不具合は極
めて起きにくく、長期にわたって、本体部1と静電チャ
ックの基体11との間の良好な絶縁状態が維持される。
チャックの基体11が、MMCなど導電性を有する金属
−セラミックス複合材料から構成されたものであるにも
関わらず、この基体11との間で絶縁破壊による放電現
象が発生することはなく、こうした不具合に起因した静
電チャックの性能低下といった問題は起きない。ゆえ
に、本給電端子が取り付けられてなる静電チャックは、
基体が純粋なセラミックスから構成されているものと同
等の高い信頼性を発揮する。
る上記構成の静電チャックについて、まず、室温〜20
0℃の温度サイクル試験を10回繰り返し、次いで、1
000回のオン・オフ試験を行った。その後、分解して
給電部分の様子を観察したが、絶縁破壊による放電が起
こった形跡は皆無であった。
する金属製の本体部の上端面を、外被部の上端面と同じ
高さにした。しかしながら、図4(給電端子が取り付け
られた状態での静電チャックの一部断面図)に示すごと
く、本体部21の上端面を僅かに、たとえば静電チャッ
クの絶縁層22の厚さ分(数百μm)程度、外被部23
の上端面から突出させてもよい。給電端子をこのような
構造とした場合には、電極24の表面が極めて平坦なも
のとなる。殊に、給電端子と接する部分に窪みが形成さ
れることはなく、静電チャックの電気的特性が更に向上
する。
チャック用給電端子(以下、再び本給電端子と言う)に
ついて、その縦断面を示す図5を用いて詳しく説明す
る。なお本実施形態(および後に説明する第3実施形
態)についても、その基本的な技術思想や作用・効果な
どは、おおむね上記第1実施形態のそれと同じである。
よって以下では第1実施形態との相違点を中心に解説す
る。
と、この本体部31の周囲に設けられたセラミックス製
の外被部32とからできている。だが本体部31は円柱
状ではなく、下側に位置する略直方体状の部分と、これ
と一体であって上側に位置する円柱状の部分とからなる
(但し言うまでもなく本体部の形状は任意である)。
削加工して得たものではなく、本体部31の表面に形成
された酸化アルミニウムの溶射被膜である。ここでは、
この外被部(被膜)32の厚みを300μm程度として
いる。また、この外被部32は給電端子の本体部31の
周面だけでなく、その下端面の大部分(リード線接続用
凹部31aの開口を除いた全面)をも覆うよう設けられ
ている。但し実際には、酸化アルミニウムを溶射した
後、その被膜中の微細な空孔をなくすための封孔処理が
行われ、更に続いて、その表面の凹凸を除去するための
切削処理が行われる。
も、静電チャックの基体へは、上記第1実施形態と同
様、静電チャックの製造工程の途中で、たとえば無機接
着剤などを用いて取り付けられることになる。なお、本
体部31を外被部32の上端縁から、やや上方に突出さ
せた様態としてもよい。
チャック用給電端子について、その縦断面を示す図6を
用いて詳しく説明する。
体部41と、この本体部41の周囲に設けられたセラミ
ックス製の外被部42とからできている。そして、本体
部41については、下側に位置する略直方体状の部分
と、これと一体であって上側に位置する円柱状の部分と
からなる。これに対して外被部42は、一体ではない二
つの部分からできている。すなわち、マシナブルセラミ
ックスから構成され、本体部41への嵌合装着によっ
て、その周囲に設けられた、本体部41の周面の一部
(円柱状区間)を被覆する第1の外被要素42aと、本
体部41の表面に形成された、その周面の残部(略直方
体状区間)を被覆する酸化アルミニウムの溶射被膜、す
なわち第2の外被要素42bとから、上記外被部42は
構成されている。
ず第2の外被要素42bを形成し、その後、セラミック
ス製のパイプすなわち第1の外被要素42aを本体部4
1の上半分に装着することになる。ここでは、この第2
の外被要素(被膜)42bの厚みを300μm程度とし
ている。また、第2の外被要素42bは、本体部41の
下端面の大部分(リード線接続用凹部41aの開口を除
いた全面)をも覆うよう設けられている。
も、上記第1実施形態や第2実施形態と同様、静電チャ
ックの基体へは、静電チャック製造工程の途中で、たと
えば無機接着剤などを用いて取り付けられることにな
る。なお、本体部41を外被部42の上端面から、やや
上方に突出させた様態としてもよい。
ば、静電チャックの基体が導電性を有する金属−セラミ
ックス複合材料から構成されたものであっても、基体と
の間で絶縁破壊による放電現象が発生することがなく、
したがって本発明の静電チャック用給電端子を用いて構
成された静電チャックは、こうした不具合に起因した性
能低下が起きず、信頼性に優れる。
電端子の外観図
電端子の縦断面図
電端子が取り付けられた状態での静電チャックの一部断
面図
ック用給電端子が取り付けられた状態での静電チャック
の一部断面図
電端子の縦断面図
電端子の縦断面図
Claims (5)
- 【請求項1】 金属−セラミックス複合材料から構成さ
れた基体と、この基体の一主面上に設けられた絶縁層
と、この絶縁層の上に設けられた電極と、この電極を被
覆するよう設けられた誘電層と、を備えてなる静電チャ
ックにおける前記基体に形成された孔に納まり、前記電
極への給電に用いられる静電チャック用給電端子であっ
て、 一端側が前記電極に接続される金属製の本体部と、 少なくとも前記本体部の周面を被覆するよう前記本体部
の周囲に設けられたセラミックス製の外被部とを具備し
てなることを特徴とする静電チャック用給電端子。 - 【請求項2】 外被部は、マシナブルセラミックスから
構成されたものであって、本体部への装着によって、こ
の本体部の周囲に設けられていることを特徴とする請求
項1に記載の静電チャック用給電端子。 - 【請求項3】 外被部は、本体部の表面に形成された酸
化アルミニウムの溶射被膜であることを特徴とする請求
項1に記載の静電チャック用給電端子。 - 【請求項4】 外皮部は、 マシナブルセラミックスから構成され、本体部への装着
によって、この本体部の周囲に設けられた、前記本体部
の周面の一部を被覆する第1の外被要素と、 前記本体部の表面に形成された、前記本体部の周面の残
部を被覆する、酸化アルミニウムの溶射被膜からなる第
2の外被要素とを具備してなることを特徴とする請求項
1に記載の静電チャック用給電端子。 - 【請求項5】 静電チャックは、 基体が、炭化ケイ素の粉末を20〜80体積%含有する
と共にアルミニウム合金をマトリックスとする複合材料
から構成され、 絶縁層が、酸化アルミニウム系セラミックスから構成さ
れ、 誘電層が、酸化チタンを2.5〜10.0質量%含有す
る酸化アルミニウム系セラミックスから構成されたもの
であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか
に記載の静電チャック用給電端子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001376654A JP4272373B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001376654A JP4272373B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003179127A true JP2003179127A (ja) | 2003-06-27 |
JP4272373B2 JP4272373B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=19184802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001376654A Expired - Fee Related JP4272373B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 静電チャック |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4272373B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057234A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | 静電チャック |
WO2005027206A1 (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-24 | Nikon Corporation | 定盤、ステージ装置及び露光装置 |
JP2005150370A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2006080509A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Alcatel | 薄い基板支持体 |
JP2007027315A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法 |
JP2007201484A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
WO2008035395A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Creative Technology Corporation | Structure d'alimentation d'un mandrin électrostatique, procédé de fabrication et procédé de regénération de la structure d'alimentation du mandrin électrostatique |
JP2008135737A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-06-12 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及び静電チャックの製造方法 |
JP2008305968A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sei Hybrid Kk | ウェハ保持体の電極接続構造 |
US7633738B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
KR100933430B1 (ko) | 2005-12-30 | 2009-12-23 | 주식회사 코미코 | 히터 및 정전척 |
WO2010030101A2 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 주식회사 코미코 | 열응력 감소를 위한 이중 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
JP2010123712A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャックおよびその製造方法 |
US7855569B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with the same |
KR101416152B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2014-07-09 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
CN104752119A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法 |
JP2017212406A (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 京セラ株式会社 | 静電吸着用部材 |
KR20190083746A (ko) * | 2018-01-05 | 2019-07-15 | 와이엠씨 주식회사 | 정전척용 dc 포트 및 이를 구비한 정전척 |
WO2020067128A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
WO2020110850A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法 |
JPWO2020261992A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210056A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | 新原 晧一 | セラミツクス加工体の製造法 |
JPH0774234A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの電極構造、この組み立て方法、この組み立て治具及び処理装置 |
JPH07183277A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH10150100A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 |
JP2000183145A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Sony Corp | ウエハステージ及び真空熱処理装置 |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001376654A patent/JP4272373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210056A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | 新原 晧一 | セラミツクス加工体の製造法 |
JPH0774234A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの電極構造、この組み立て方法、この組み立て治具及び処理装置 |
JPH07183277A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH10150100A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 |
JP2000183145A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Sony Corp | ウエハステージ及び真空熱処理装置 |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057234A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | 静電チャック |
WO2005027206A1 (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-24 | Nikon Corporation | 定盤、ステージ装置及び露光装置 |
JP2005150370A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2006080509A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Alcatel | 薄い基板支持体 |
JP2007201484A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
US7855569B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with the same |
JP4542959B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法 |
JP2007027315A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法 |
KR100933430B1 (ko) | 2005-12-30 | 2009-12-23 | 주식회사 코미코 | 히터 및 정전척 |
WO2008035395A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Creative Technology Corporation | Structure d'alimentation d'un mandrin électrostatique, procédé de fabrication et procédé de regénération de la structure d'alimentation du mandrin électrostatique |
US8027171B2 (en) | 2006-09-19 | 2011-09-27 | Creative Technology Corporation | Feeding structure of electrostatic chuck, method for producing the same, and method for regenerating feeding structure of electrostatic chuck |
KR101042782B1 (ko) * | 2006-09-19 | 2011-06-20 | 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 | 정전 척의 급전구조 및 그 제조방법 및 정전 척 급전구조의 재생방법 |
US7633738B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
JP2008135737A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-06-12 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及び静電チャックの製造方法 |
JP2008305968A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sei Hybrid Kk | ウェハ保持体の電極接続構造 |
WO2010030101A3 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-07-08 | 주식회사 코미코 | 열응력 감소를 위한 이중 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
WO2010030101A2 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 주식회사 코미코 | 열응력 감소를 위한 이중 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
CN102150252A (zh) * | 2008-09-09 | 2011-08-10 | 高美科株式会社 | 包含有用于减小热应力的双缓冲层的静电吸盘 |
CN102150252B (zh) * | 2008-09-09 | 2013-08-14 | 高美科株式会社 | 包含有用于减小热应力的双缓冲层的静电吸盘 |
JP2010123712A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャックおよびその製造方法 |
KR101416152B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2014-07-09 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
US9042078B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-05-26 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
CN104752119A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法 |
JP2017212406A (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 京セラ株式会社 | 静電吸着用部材 |
KR102036689B1 (ko) * | 2018-01-05 | 2019-10-25 | 와이엠씨 주식회사 | 정전척용 dc 포트 및 이를 구비한 정전척 |
KR20190083746A (ko) * | 2018-01-05 | 2019-07-15 | 와이엠씨 주식회사 | 정전척용 dc 포트 및 이를 구비한 정전척 |
JPWO2020067128A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2021-09-02 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
WO2020067128A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
JP7175323B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-11-18 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
JP7195336B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-12-23 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法 |
JPWO2020110850A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-10-14 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法 |
WO2020110850A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法 |
WO2020261992A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
KR20210141641A (ko) * | 2019-06-28 | 2021-11-23 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 배치대 |
JPWO2020261992A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | ||
JP7214868B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-01-30 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
KR102632768B1 (ko) * | 2019-06-28 | 2024-02-01 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 배치대 |
US11948825B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-04-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer placement table |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4272373B2 (ja) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003179127A (ja) | 静電チャック用給電端子 | |
JP4031732B2 (ja) | 静電チャック | |
TW201438141A (zh) | 靜電吸盤 | |
JP4879929B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP2006128603A (ja) | セラミックス部材及びその製造方法 | |
JP2001203258A (ja) | 静電チャック部材およびその製造方法 | |
JP2008153194A (ja) | 加熱装置 | |
JP2006269826A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP2009060103A (ja) | 接合構造体及びその製造方法 | |
JP4066329B2 (ja) | 静電チャックの製造方法およびそれを用いて得られた静電チャック | |
KR100483260B1 (ko) | 정전 흡착 장치 | |
JP4482535B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP4369765B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4382547B2 (ja) | 半導体装置用基板と半導体装置 | |
JP2004253786A (ja) | セラミックスの接合構造 | |
JP4326874B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP2005056881A (ja) | 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP2005093723A (ja) | 静電チャック | |
JPH06224287A (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
JP2003168726A (ja) | 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法 | |
JP2005150370A (ja) | 静電チャック | |
JP4104386B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
RU2454841C2 (ru) | Схемная подложка | |
JP2007194393A (ja) | 静電チャック | |
JP3808234B2 (ja) | ウエハ支持部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |