JP4542959B2 - 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法 - Google Patents
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基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、導電性フィルム領域と、該導電性フィルム領域に形成された開口部を埋める溶射領域と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記電極層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極を提供する。
基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、前記第1の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成され、
前記第2の絶縁層は、前記電極層の上に溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極を提供する。
基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層よりも上層に設けられた第3の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、前記第1の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成され、
前記第2の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記第3の絶縁層は、前記第2の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極を提供する。
開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムと開口部を有する導電性フィルムとを前記開口部が重なるように接着した積層体を、基材の上に貼付して、前記基材側から順に第1の絶縁層および電極層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層と前記電極層に形成された開口部に導電性材料を溶射して溶射部を形成する工程と、
前記電極層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に絶縁材料を溶射して第2の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法を提供する。
基材の上に、開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムを貼付して第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に導電性材料を溶射して電極層を形成する工程と、
前記電極層の上に、絶縁材料を溶射して第2の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法を提供する。
基材の上に、開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムを貼付して第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に導電性材料を溶射して電極層を形成する工程と、
前記電極層の上に、耐熱性合成樹脂フィルムを積層して第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に絶縁材料を溶射して第3の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法を提供する。
図1は、本発明の一実施形態に係る静電吸着電極としての静電チャックを備えた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。図1に示すように、プラズマエッチング装置1は、矩形をした被処理体であるFPD用ガラス基板などの基板Gに対してエッチングを行なう容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、発光ダイオード(LED)ディスプレイ、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、蛍光表示管(Vacuum Fluorescent Display;VFD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。なお、本発明の処理装置は、プラズマエッチング装置にのみ限定されるものではない。
すなわち、ガス通路9に供給された伝熱ガスは、サセプタ基材4aと静電チャック40の基材41との境界に形成されたガス溜り9aを介して一旦水平方向に拡散した後、静電チャック40内に形成されたガス供給連通穴9bを通り、静電チャック40の表面から基板Gの裏側に噴出する。このようにして、サセプタ4の冷熱が基板Gに伝達され、基板Gが所定の温度に維持される。
まず、被処理体である基板Gは、ゲートバルブ22が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口21を介してチャンバー2内へと搬入され、サセプタ4上に形成された静電チャック40上に載置される。この場合に、基板Gの受け渡しはサセプタ4の内部を挿通しサセプタ4から突出可能に設けられたリフターピン(図示せず)を介して行われる。その後、ゲートバルブ22が閉じられ、排気装置20によって、チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。
合成樹脂フィルム42には、開口42aが設けられており、この開口42aに給電ピン70が挿入される(後述)。
すなわち、合成樹脂フィルム42および導電性フィルム43を基材41に貼り、給電ピン70を装着した状態で、開口42a,43aの真上(つまり、給電ピン70の直上位置)から溶射装置100によって導電性材料をピンポイント溶射することによって溶射部45を形成する。ピンポイント溶射した後は、溶射部45の高さを導電性フィルム43に揃えるために、部分的な研磨を実施することが好ましい。
合成樹脂フィルム62は、第1実施形態の静電チャック40における合成樹脂フィルム42と同様の材質により、例えば25μm〜50μmの厚みで形成されている。また、合成樹脂フィルム62には、開口62aが設けられており、この開口62aに給電ピン70が挿入される。
静電チャックの最外層のセラミックス溶射膜に絶縁機能を持たせるためには、その膜厚を厚くせざるを得ないが、溶射膜厚が増加すると基材61の熱膨張・収縮に対する追随性が低下してクラックが発生しやすくなる。これに対して、静電チャック60においては、第1の絶縁層である合成樹脂フィルム62と第2の絶縁層である合成樹脂フィルム64によって高い絶縁特性を担保できるので、セラミクス溶射膜65はプラズマ耐性が得られる程度の膜厚とすればよく、薄膜化が可能になる。
例えば、本発明の処理装置については、下部電極に高周波電力を印加するRIEタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、エッチング装置に限らず、アッシング、CVD成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。
2 チャンバー
3 絶縁板
4 サセプタ
5 絶縁膜
11 シャワーヘッド
20 排気装置
25 高周波電源
40 静電チャック
41 基材
42 合成樹脂フィルム
43 導電性フィルム
44 セラミックス溶射膜
45 溶射部
Claims (14)
- 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極であって、
基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、導電性フィルム領域と、該導電性フィルム領域に形成された開口部を埋める溶射領域と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記電極層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極。 - 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極であって、
基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、前記第1の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成され、
前記第2の絶縁層は、前記電極層の上に溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極。 - 前記第2の絶縁層がセラミックス溶射膜であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の静電吸着電極。
- 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極であって、
基材と、
該基材上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層よりも上層に設けられた電極層と、
前記電極層よりも上層に設けられた第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層よりも上層に設けられた第3の絶縁層と、
を備え、
前記第1の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記電極層は、前記第1の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成され、
前記第2の絶縁層は、耐熱性合成樹脂フィルムにより形成され、
前記第3の絶縁層は、前記第2の絶縁層に塗布されたプライマーを介して溶射により形成されていることを特徴とする、静電吸着電極。 - 前記第3の絶縁層がセラミックス溶射膜であることを特徴とする、請求項4に記載の静電吸着電極。
- 前記第1の絶縁層である耐熱性合成樹脂フィルムには開口が設けられ、該開口内に導電性材料が溶射されて溶射部を形成していることを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の静電吸着電極。
- 前記溶射部は、前記電極層に電圧を印加するための電気的接続部に形成されていることを特徴とする、請求項6に記載の静電吸着電極。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載された静電吸着電極を備えた基板処理装置。
- フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものである、請求項8に記載の基板処理装置。
- 基板に対し、プラズマエッチング処理を行なうプラズマエッチング装置であることを特徴とする、請求項8または請求項9に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極の製造方法であって、
開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムと開口部を有する導電性フィルムとを前記開口部が重なるように接着した積層体を、基材の上に貼付して、前記基材側から順に第1の絶縁層および電極層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層と前記電極層に形成された開口部に導電性材料を溶射して溶射部を形成する工程と、
前記電極層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に絶縁材料を溶射して第2の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法。 - 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極の製造方法であって、
基材の上に、開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムを貼付して第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に導電性材料を溶射して電極層を形成する工程と、
前記電極層の上に、絶縁材料を溶射して第2の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法。 - 基板処理装置において基板を吸着保持するための静電吸着電極の製造方法であって、
基材の上に、開口部を有する耐熱性合成樹脂フィルムを貼付して第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に導電性材料を溶射して電極層を形成する工程と、
前記電極層の上に、耐熱性合成樹脂フィルムを積層して第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層の上にプライマーを塗布する工程と、
塗布されたプライマー上に絶縁材料を溶射して第3の絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、静電吸着電極の製造方法。 - 前記電極層を形成する工程の前に、前記耐熱性合成樹脂フィルムの開口部に導電性材料を溶射して溶射部を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項12または請求項13に記載の静電吸着電極の製造方法。
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CN104241181B (zh) * | 2013-06-08 | 2018-05-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置 |
JP6230477B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-11-15 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6560150B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2019-08-14 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
JP7038497B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2022-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
JP7224096B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2023-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用部品の溶射方法及びプラズマ処理装置用部品 |
TWI813840B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-09-01 | 日商巴川製紙所股份有限公司 | 靜電夾頭裝置 |
JP7401266B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、及び、基板処理装置 |
WO2020172785A1 (en) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Method and device for wafer taping |
JP7324677B2 (ja) * | 2019-10-02 | 2023-08-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその製造方法 |
CN111455355A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 艾华(无锡)半导体科技有限公司 | 一种静电辅助外延生长的方法 |
JP7015425B1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-02-02 | 日本発條株式会社 | ステージおよびその作製方法 |
WO2024014528A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 電子デバイスの製造方法、導電性フィルム、第1積層体及び第2積層体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335732A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック、これを用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法 |
JP2001284328A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Taiheiyo Cement Corp | セラミック部品 |
JP2003179127A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック用給電端子 |
JP2005057214A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
JP2003163146A (ja) * | 1999-06-09 | 2003-06-06 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
JP4104386B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2008-06-18 | 太平洋セメント株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
JP4064835B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-03-19 | 太平洋セメント株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
US6944006B2 (en) * | 2003-04-03 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Guard for electrostatic chuck |
JP4057977B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2008-03-05 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法 |
JP4421874B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN100481366C (zh) * | 2003-11-14 | 2009-04-22 | 爱德牌工程有限公司 | 静电卡盘、基片支持、夹具和电极结构及其制造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335732A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック、これを用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法 |
JP2001284328A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Taiheiyo Cement Corp | セラミック部品 |
JP2003179127A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック用給電端子 |
JP2005057214A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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