JP2023092822A - 半導体製造装置用部材 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハと導電性基材との間で放電が発生するのを抑制する。【解決手段】半導体製造装置用部材１０は、セラミックプレート２０と、セラミックプレート２０の下面に設けられた金属接合層４０及び冷却プレート３０（導電性基材）と、セラミックプレート２０を上下方向に貫通する第１穴２４と、導電性部材を上下方向に貫通し、第１穴２４に連通する貫通穴４２及びガス穴３４（第２穴）とを備える。多孔質プラグ５０は、上面が第１穴２４の上部開口に露出し、下面が導電性基材の上面以下に位置する。絶縁管６０は、上面がウエハ載置面２１よりも下方に位置し、下面が多孔質プラグ５０の下面よりも下方に位置する。一体化部材Ａｓは、多孔質プラグ５０と絶縁管６０とが一体化されたものであり、その外周面は、第１穴２４の上面から第２穴の内部に至る接着層７０によって第１穴２４及び第２穴に固定されている。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体製造装置用部材に関する。
従来、半導体製造装置用部材としては、上面にウエハ載置面を有する静電チャックを備えたものが知られている。例えば、特許文献１の静電チャックは、ウエハを吸着保持するセラミックプレートと、セラミックプレートに形成された貫通孔と、貫通孔に配置された多孔質プラグと、セラミックプレートの下面に接着された導電性の冷却プレートとを備えたものが開示されている。多孔質プラグの下面は、セラミックプレートの下面と一致している。ウエハ載置面に載置されたウエハをプラズマで処理する場合、冷却プレートとウエハの上部に配置される平板電極との間に高周波電力を印加してウエハの上部にプラズマを発生させる。それと共に、ウエハとセラミックプレートとの熱伝導を向上させるため、熱伝導ガスであるヘリウムを多孔質プラグを介してウエハの裏面に供給する。多孔質プラグがないと、ヘリウムが電離するのに伴って生じた電子が加速して別のヘリウムに衝突することによりアーク放電が起きるが、多孔質プラグがあると、電子が別のヘリウムに衝突する前に多孔質プラグに当たるためアーク放電が抑制される。
しかしながら、プロセスのハイパワー化に伴いウエハと冷却プレートとの間に生じる電位差が大きくなっており、上述した静電チャックでは、多孔質プラグ自体の耐電圧が低いため、多孔質プラグ内で火花放電が発生してウエハが変質することがあった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、多孔質プラグを備えた半導体製造装置用部材においてウエハと導電性基材との間でアーク放電及び火花放電が発生するのを抑制することを主目的とする。
本発明の半導体製造装置用部材は、
上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性基材と、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通する第１穴と、
前記導電性基材を上下方向に貫通し、前記第１穴に連通する第２穴と、
上面が前記第１穴の上部開口に露出し、下面が前記導電性基材の上面以下に位置する多孔質プラグと、
上面が前記ウエハ載置面よりも下方に位置し、下面が前記多孔質プラグの下面よりも下方に位置する絶縁管と、
前記多孔質プラグと前記絶縁管とが一体化され、外周面が前記第１穴の上面から前記第２穴の内部に至る接着層によって前記第１穴及び前記第２穴に固定された一体化部材と、
を備えたものである。
上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性基材と、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通する第１穴と、
前記導電性基材を上下方向に貫通し、前記第１穴に連通する第２穴と、
上面が前記第１穴の上部開口に露出し、下面が前記導電性基材の上面以下に位置する多孔質プラグと、
上面が前記ウエハ載置面よりも下方に位置し、下面が前記多孔質プラグの下面よりも下方に位置する絶縁管と、
前記多孔質プラグと前記絶縁管とが一体化され、外周面が前記第１穴の上面から前記第２穴の内部に至る接着層によって前記第１穴及び前記第２穴に固定された一体化部材と、
を備えたものである。
この半導体製造装置用部材では、多孔質プラグの下面は、導電性基材の上面以下（好ましくは導電性基材の上面よりも下）に位置している。多孔質プラグの下面が導電性基材の上面よりも上に位置している場合には多孔質プラグの下面と導電性基材との間でアーク放電が発生するのに対し、多孔質プラグの下面が導電性基材の上面以下に位置している場合にはそうしたアーク放電を抑制することができる。また、絶縁管の下面は、多孔質プラグの下面よりも下方に位置している。そのため、こうした絶縁管がない場合に比べて、ウエハから導電性基材までの沿面距離が長くなり、多孔質プラグ内での火花放電を抑制することができる。したがって、多孔質プラグを備えた半導体製造装置用部材においてウエハと導電性基材との間でアーク放電及び火花放電が発生するのを抑制することができる。
なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、半導体製造装置用部材の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記接着層は、前記第２穴の内部では前記第１穴の内部に比べて半径外方向に幅が広くなっていてもよい。こうすれば、接着層を接着剤で形成する際、第２穴の内部に位置する接着剤に気泡が入るのを抑制して接着剤を充填することができる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記第２穴の内周面は、下から上に向かって直径が大きくなる拡径部を有していてもよく、前記拡径部と前記絶縁管との間には、前記接着層が存在していてもよい。こうしても、接着層を接着剤で形成する際、第２穴の内部に位置する接着剤に気泡が入るのを防止しやすくなる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記絶縁管は、管上部に有底穴を備えていてもよく、前記多孔質プラグは、前記有底穴に差し込まれた状態で保持されていてもよい。こうすれば、比較的脆い多孔質プラグに複雑な形状加工を施す必要がない。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記ウエハ載置面は、ウエハを支持する多数の小突起を有していてもよく、前記多孔質プラグの上面は、前記小突起の上面よりも低い位置にあるようにしてもよい。こうすれば、多孔質プラグの上面でウエハを持ち上げてしまうことがない。この場合、前記多孔質プラグの上面は、前記ウエハ載置面のうち前記小突起の設けられていない基準面と同じ高さにあってもよいし、前記基準面よりも０．２ｍｍ以下の範囲で低い位置にあってもよい。こうすれば、ウエハの裏面と多孔質プラグの上面との間の空間の高さが低く抑えられるため、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。
次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の縦断面図、図２はセラミックプレート２０の平面図、図３は図１の部分拡大図である。
半導体製造装置用部材１０は、セラミックプレート２０と、冷却プレート３０と、金属接合層４０と、多孔質プラグ５０と、絶縁管６０とを備えている。
セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の上面は、ウエハ載置面２１となっている。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２１には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２１ａが形成され、全面に複数の円形小突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。電極２２は、静電電極として用いられる平面状のメッシュ電極であり、直流電圧を印加可能となっている。この電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面及び円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２１への吸着固定が解除される。なお、ウエハ載置面２１のうちシールバンド２１ａや円形小突起２１ｂの設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。
セラミックプレート２０には、第１穴２４が設けられている。第１穴２４は、セラミックプレート２０及び電極２２を上下方向に貫通する貫通穴である。第１穴２４は、図３に示すように段差付きの穴となっており、穴上部２４ａが細く、穴下部２４ｂが太くなっている。つまり、第１穴２４は、細径の円柱状の穴上部２４ａと太径の円柱状の穴下部２４ｂとが連なった穴である。第１穴２４は、セラミックプレート２０の複数箇所（例えば周方向に沿って等間隔に設けられた複数箇所）に設けられている。
冷却プレート３０は、熱伝導率の良好な円板（セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板）である。冷却プレート３０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路３２やガスを多孔質プラグ５０へ供給するガス穴３４が形成されている。冷媒流路３２は、平面視で冷却プレート３０の全面にわたって入口から出口まで一筆書きの要領で形成されている。ガス穴３４は、円柱状の穴であり、第１穴２４と同軸で第１穴２４に連通するように設けられている。ガス穴３４の径は、第１穴２４の穴下部２４ｂの径よりも大きい。冷却プレート３０の材料は、例えば、金属材料や金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）などが挙げられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの合金などが挙げられる。ＭＭＣとしては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料などが挙げられる。冷却プレート３０の材料としては、セラミックプレート２０の材料と熱膨張係数の近いものを選択するのが好ましい。冷却プレート３０は、ＲＦ電極としても用いられる。具体的には、ウエハ載置面２１の上方には上部電極（図示せず）が配置され、その上部電極とセラミックプレート２０に内蔵された冷却プレート３０とからなる平行平板電極間に高周波電力を印加するとプラズマが発生する。
金属接合層４０は、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面とを接合している。金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。金属接合層４０には、セラミックプレート２０の第１穴２４及び冷却プレート３０のガス穴３４に連通するように上下方向に貫通する貫通穴４２が設けられている。貫通穴４２の直径は、ガス穴３４の直径と同じである。本実施形態の金属接合層４０及び冷却プレート３０が本発明の導電性基材に相当し、本実施形態の貫通穴４２及びガス穴３４が本発明の第２穴に相当する。
多孔質プラグ５０は、ガスが上下方向に流通するのを許容する多孔質円柱部材である。多孔質プラグ５０は、例えばアルミナなどの電気絶縁性材料で形成されている。多孔質プラグ５０の上面５０ａは、第１穴２４の上部開口に露出し、基準面２１ｃと同一平面をなす。 なお、「同一」とは、完全に同一の場合のほか、実質的に同一の場合（例えば公差の範囲に入る場合など）も含む（以下同じ）。多孔質プラグ５０の下面５０ｂは、金属接合層４０の上面４０ａ以下、ここでは貫通穴４２の内部（金属接合層４０の上面４０ａよりも下）に位置している。
絶縁管６０は、緻密質セラミックで形成された円筒状の管であり、内部にガス通路６２を有している。絶縁管６０の上部には、ガス通路６２の直径よりも大きな直径の有底穴６４が設けられている。絶縁管６０の上面６０ａは、ウエハ載置面２１よりも下方に位置し、絶縁管６０の下面６０ｂは、多孔質プラグ５０の下面５０ｂよりも下方、ここでは冷却プレート３０のガス穴３４の内部に位置している。絶縁管６０と多孔質プラグ５０とは、一体化されて一体化部材Ａｓを構成している。一体化部材Ａｓは、絶縁管６０の有底穴６４に多孔質プラグ５０が差し込まれた状態で接着剤からなる保持層５２によって保持されたものである。有底穴６４の底面と多孔質プラグ５０の下面５０ｂとの間には、空隙が存在している。この空隙を設けることで多孔質プラグ５０の高さを調整しやすくなる。
一体化部材Ａｓは、ガス穴３４と貫通穴４２と第１穴２４に挿入されている。一体化部材Ａｓの外周面は、セラミックプレート２０の第１穴２４の上部開口縁から冷却プレート３０のガス穴３４の内部に至る接着剤からなる接着層７０によって、第１穴２４、貫通穴４２及びガス穴３４に固定されている。接着層７０の水平方向の幅は、第１穴２４の穴上部２４ａでは狭く、貫通穴４２及びガス穴３４では広く、第１穴２４の穴下部２４ｂではその中間になっている。すなわち、貫通穴４２及びガス穴３４の内部の接着層７０の幅は、第１穴２４の内部の接着層７０の幅に比べて半径外方向に広くなっている。そのため、ガス穴３４の内部の接着層７０は比較的容易に気泡が入らないようにすることができる。この点については後述する。
次に、こうして構成された半導体製造装置用部材１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内に半導体製造装置用部材１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面２１に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定する。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極と半導体製造装置用部材１０の冷却プレート３０との間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生させる。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによって処理される。冷却プレート３０の冷媒流路３２には、冷媒が循環される。ガス穴３４には、図示しないガスボンベからバックサイドガスが導入される。バックサイドガスとしては、熱伝導ガス（例えばヘリウム等）を用いる。バックサイドガスは、ガス穴３４、絶縁管６０及び多孔質プラグ５０を通って、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間に供給され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。
次に、半導体製造装置用部材１０の製造例を図４及び図５に基づいて説明する。図４は一体化部材Ａｓの製造工程図、図５は半導体製造装置用部材１０の製造工程図である。まず、多孔質プラグ５０及び絶縁管６０を準備し（図４Ａ）、絶縁管６０の有底穴６４の内周面に接着剤を塗布し、その有底穴６４に多孔質プラグ５０を差し込んで接着することにより、一体化部材Ａｓとする（図４Ｂ）。接着剤は硬化して保持層５２になる。
これとは別に、セラミックプレート２０、冷却プレート３０及び金属接合材９０を準備する（図５Ａ）。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵し、第１穴２４を備えている。冷却プレート３０は、冷媒流路３２を内蔵し、ガス穴３４を備えている。金属接合材９０は、予め貫通穴４２に相当する位置に予備穴９２を開けたものである。
そして、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面とをＴＣＢによって接合して接合体９４を得る（図５Ｂ）。ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。まず、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面との間に金属接合材９０を挟み込んで積層体とする。このとき、セラミックプレート２０の第１穴２４と金属接合材９０の予備穴９２と冷却プレート３０のガス穴３４とが同軸になるように積層する。そして、金属接合材９０の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材９０は金属接合層４０になり、予備穴９２は貫通穴４２になり、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを金属接合層４０で接合した接合体９４が得られる。このときの金属接合材としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。金属接合材９０は、厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。
続いて、セラミックプレート２０の第１穴２４の内周面と金属接合層４０の貫通穴４２の内周面と冷却プレート３０のガス穴３４の内周面に接着剤を塗布する。そして、第１穴２４の上部開口を閉じた状態で第１穴２４、貫通穴４２及びガス穴３４を真空引きすることにより接着剤を脱泡しつつ、一体化部材Ａｓをこれらの穴３４，４２，２４に挿入する。ここで、第１穴２４の内周面と一体化部材Ａｓの外周面との隙間に比べて、貫通穴４２の内周面と一体化部材Ａｓの外周面との隙間やガス穴３４の内周面と一体化部材Ａｓの外周面との隙間の方が広い。そのため、貫通穴４２やガス穴３４に位置する接着剤の方が脱泡しやすい。一体化部材Ａｓの絶縁管６０の上面６０ａが第１穴２４の段差に突き当たると多孔質プラグ５０の上面５０ａがウエハ載置面２１の基準面２１ｃ（図３参照）と同一平面になるように設計されている。その後、接着剤が硬化して接着層７０となり、半導体製造装置用部材１０が得られる（図５Ｃ）。
以上詳述した半導体製造装置用部材１０では、多孔質プラグ５０の下面５０ｂは、金属接合層４０の上面４０ａ以下に位置している。多孔質プラグ５０の下面５０ｂが金属接合層４０の上面４０ａよりも上に位置している場合には多孔質プラグ５０の下面５０ｂと導電性基材（金属接合層４０及び冷却プレート５０）との間でアーク放電が発生する。これに対し、多孔質プラグ５０の下面５０ｂが金属接合層４０の上面４０ａ以下に位置している場合にはそうしたアーク放電を抑制することができる。また、絶縁管６０の下面６０ｂは、多孔質プラグ５０の下面５０ｂよりも下方に位置している。そのため、こうした絶縁管がない場合に比べて、ウエハＷから冷却プレート３０までの沿面距離が長くなり、多孔質プラグ５０内での火花放電を抑制することができる。したがって、ウエハＷと冷却プレート３０との間でアーク放電及び火花放電が発生するのを抑制することができる。
また、接着層７０は、金属接合層４０の貫通穴４２の内部や冷却プレート３０のガス穴３４の内部では第１穴２４の内部に比べて半径外方向に幅が広くなっている。そのため、接着層７０を接着剤で形成する際、貫通穴４２やガス穴３４に位置する接着剤に気泡が入るのを抑制して接着剤を充填することができる。したがって、貫通穴４２やガス穴３４に位置する接着層７０の気孔率を小さくすることができる。
更に、絶縁管６０は、管上部に有底穴６４を備え、多孔質プラグ５０は、有底穴６４に差し込まれた状態で接着固定されている。そのため、比較的脆い多孔質プラグ５０に形状加工を施す必要がない。
更にまた、多孔質プラグ５０の上面５０ａは、シールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面よりも低い位置にある。そのため、多孔質プラグ５０の上面５０ａでウエハＷを持ち上げてしまうことがない。
そして、多孔質プラグ５０の上面５０ａは、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃと同じ高さである。そのため、ウエハＷの下面と多孔質プラグ５０の上面５０ａとの間の空間の高さが低く抑えられる。したがって、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。
そしてまた、絶縁管６０として、ガス通路６２の直径を有底穴６４の直径よりも小さいものを用いている。そのため、ガス通路６２の内径が有底穴６４の内径と同じ場合に比べて、気体伝熱分が減り（絶縁管６０はヘリウムに比べて熱が伝わりやすく、その絶縁管６０の体積が増えるため気体伝熱分が減る）、ウエハＷの均熱性が良好になる。それと共に、ガス通路６２から冷却プレート３０までの絶縁距離を稼ぐことができるため、絶縁耐圧が上がる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
上述した実施形態において、図６に示すように、冷却プレート３０のガス穴３４の上部開口の周縁３４ａを、Ｃ面取りがなされた形状としてもよい。Ｃ面取りがなされた周縁３４ａは、下から上に向かって直径が大きくなる拡径部である。周縁３４ａと絶縁管６０との間には、接着層１７０が存在している。第２穴（金属接合層４０の貫通穴４２及び冷却プレート３０のガス穴３４）の内周面は、拡径部としての周縁３４ａを有する。こうしても、接着層１７０を接着剤で形成する際、金属接合層４０の貫通穴４２の内部や冷却プレート３０のガス穴３４の内部に位置する接着剤に気泡が入るのを防止しやすくなる。周縁３４ａのＣ面取りは、Ｃ０．１以上であることが好ましい。また、絶縁管６０の側面とガス穴３４の側面との距離ｄは、２ｍｍ以上であることが好ましい。こうすれば、ウエハＷから冷却プレート３０での沿面距離が十分長くなる。また、セラミックプレート２０の下面から接着層１７０の下面までの距離Ｌは、１ｍｍ以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であることがより好ましい。こうすれば、ウエハＷから冷却プレート３０までの沿面距離が十分長くなる。また、冷却プレート３０と絶縁管６０との間の空間（断熱層）をその空間よりも熱伝導のよい接着層１７０で十分埋めることができ、絶縁管６０から冷却プレート３０へ熱が伝わりやすくなるため、ウエハＷの均熱性が向上する。図６において、金属接合層４０の代わりに樹脂接着層を用いてもよい。その場合も、第２穴（冷却プレート３０のガス穴３４）の内周面は拡径部としての周縁３４ａを有する。
上述した実施形態では、多孔質プラグ５０の上面５０ａは、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃと同じ高さとしたが、特にこれに限定されない。例えば、図７に示すように、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃの高さから多孔質プラグ５０の上面５０ａの高さを引いた差Δｈが０．２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ以下）の範囲になるようにしてもよい。換言すれば、多孔質プラグ５０の上面５０ａを、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃよりも０．２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ以下）の範囲で低い位置に配置してもよい。このようにしても、ウエハＷの下面と多孔質プラグ５０の上面５０ａとの間の空間の高さは比較的低く抑えられる。したがって、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。
上述した実施形態では、多孔質プラグ５０の下面５０ｂを金属接合層４０の貫通穴４２の内部（つまり金属接合層４０の上面４０ａよりも下方）に位置するようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、図８に示すように、多孔質プラグ５０の下面５０ｂを冷却プレート３０のガス穴３４の内部（つまり冷却プレート３０の上面よりも下方）に位置するようにしてもよい。このようにしても上述した実施形態と同様の効果が得られる。この構成は、金属接合層４０の代わりに樹脂接着層を用いた場合に有効である。多孔質プラグ５０の下面５０ｂを樹脂接着層の貫通穴の内部に位置するように構成した場合には、多孔質プラグ５０の下面５０ｂと冷却プレート３０との間で電位差が生じるが、図８のように構成すれば、その電位差がなくなるからである。図８で、金属接合層４０の代わりに樹脂接着層を用いた場合、冷却プレート３０が本発明の導電性基材に相当し、ガス穴３４が第２穴に相当する。
上述した実施形態では、絶縁管６０の管上部に設けた有底穴６４に多孔質プラグ５０を差し込んで接着固定したが、特にこれに限定されない。例えば、図９に示すように、多孔質プラグ２５０の下面に有底穴２５２を設け、この有底穴２５２に多孔質プラグ２５０よりも小径の絶縁管２６０を差し込んで接着固定してもよい。この場合、多孔質プラグ２５０と絶縁管２６０との一体化部材は、多孔質プラグ２５０の外周面と各穴（セラミックプレート２２０の第１穴２２４、金属接合層２４０の貫通穴２４２及び冷却プレート２３０のガス穴２３４）の内周面との間に設けれた接着層２７０によって接着固定される。多孔質プラグ２５０の下面（有底穴を除く）にも接着層２７０が形成されている。図９の円柱状の多孔質プラグ２５０の代わりに、図１０の段付きの多孔質プラグ３５０を用いてもよい。
上述した実施形態において、セラミックプレート２０に内蔵される電極２２として、静電電極を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、電極２２に代えて又は加えて、セラミックプレート２０にヒータ電極（抵抗発熱体）を内蔵してもよい。
１０ 半導体製造装置用部材、２０ セラミックプレート、２１ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形小突起、２１ｃ 基準面、２２ 電極、２４ 第１穴、２４ａ 穴上部、２４ｂ 穴下部、３０ 冷却プレート、３２ 冷媒流路、３４ ガス穴、３４ａ ガス穴の周縁、４０ 金属接合層、４０ａ 上面、４２ 貫通穴、５０ 多孔質プラグ、５０ａ 上面、５０ｂ 下面、５２ 保持層、６０ 絶縁管、６０ａ 上面、６０ｂ 下面、６２ ガス通路、６４ 有底穴、９０ 金属接合材、９２ 予備穴、９４ 接合体、１７０ 接着層、２２０ セラミックプレート、２２４ 第１穴、２３０ 冷却プレート、２３４ ガス穴、２４０ 金属接合層、２４２ 貫通穴、２５０ 多孔質プラグ、２５２ 有底穴、２６０ 絶縁管、２７０ 接着層、３５０ 多孔質プラグ。
Claims (6)
- 上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性基材と、
前記セラミックプレートを上下方向に貫通する第１穴と、
前記導電性基材を上下方向に貫通し、前記第１穴に連通する第２穴と、
上面が前記第１穴の上部開口に露出し、下面が前記導電性基材の上面以下に位置する多孔質プラグと、
上面が前記ウエハ載置面よりも下方に位置し、下面が前記多孔質プラグの下面よりも下方に位置する絶縁管と、
前記多孔質プラグと前記絶縁管とが一体化され、外周面が前記第１穴の上面から前記第２穴の内部に至る接着層によって前記第１穴及び前記第２穴に固定された一体化部材と、
を備えた半導体製造装置用部材。 - 前記接着層は、前記第２穴の内部では前記第１穴の内部に比べて半径外方向に幅が広くなっている、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記第２穴の内周面は、下から上に向かって直径が大きくなる拡径部を有し、
前記拡径部と前記絶縁管との間には、前記接着層が存在している、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記絶縁管は、管上部に有底穴を備え、
前記多孔質プラグは、前記有底穴に差し込まれた状態で保持されている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記ウエハ載置面は、ウエハを支持する多数の小突起を有し、
前記多孔質プラグの上面は、前記小突起の上面よりも低い位置にある、
請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記多孔質プラグの上面は、前記ウエハ載置面のうち前記小突起の設けられていない基準面と同じ高さにあるか、前記基準面よりも０．２ｍｍ以下の範囲で低い位置にある、
請求項５に記載の半導体製造装置用部材。
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